电磁场理论大班第１讲[潘锦].ppt

1、潘 锦二二一二年二月二十二日一二年二月二十二日电磁场理论大班授课第一讲电磁场理论大班授课第一讲电磁场分析的数学基础电磁场分析的数学基础与麦克斯韦方程与麦克斯韦方程电子科技大学电子科技大学2内容提要内容提要一、电磁场分析的数理基础 二、麦克斯韦方程3电磁场分析的数理基础一、一、场与函数场与函数二、数学分析基础二、数学分析基础三、三、矢量分析基础矢量分析基础 4场与函数5 级数展开级数展开 极限极限 微分微分 积分积分数学分析基础6标量和矢量标量和矢量矢量运算矢量运算坐标系坐标系标量场的梯度标量场的梯度矢量场的散度矢量场的散度矢量场的旋度矢量场的旋度矢量场的分类矢量场的分类矢量分析基础7矢量分析基

2、础0通过闭合曲面有通过闭合曲面有净的矢量线穿出净的矢量线穿出0有净的矢有净的矢量线进入量线进入0进入与穿出闭合曲进入与穿出闭合曲面的矢量线相等面的矢量线相等8矢量分析基础9矢量分析基础0,0FF0.0FF0,0FF0,0FF10矢量分析基础散度定理散度定理ddSVFSF V 体积的剖分体积的剖分VS1S2en2en1S11矢量分析基础ddCSFlFS斯托克斯定理斯托克斯定理曲面的曲面的剖分剖分方向相反大小方向相反大小相等结果抵消相等结果抵消 环流与旋度的关系：环流与旋度的关系：12矢量分析基础重要恒等式重要恒等式0)(F0)(u13矢量分析基础矢量场分类矢量场分类( )( )( )( )( )

3、lCF rF rF ru rA r 无旋场部分无旋场部分无散场部分无散场部分其中，其中， 和和 可通过亥姆霍兹定理求得可通过亥姆霍兹定理求得( )ur( )A r14矢量分析基础条件：条件： 矢量场的源分布在有限区域矢量场的源分布在有限区域)()()(rArurF式中：式中：VrrrFruVd)(41)(VVrrrFrAd)(41)(亥姆霍兹定理亥姆霍兹定理一、在无界空间中的解一、在无界空间中的解15矢量分析基础亥姆霍兹定理亥姆霍兹定理有界区域有界区域SVrrSrFVrrrFrud)(41 d)(41)(SVrrSrFVrrrFrAd)(41d)(41)(结论：区域中的场不仅取决于分布在区域中

4、的体分布的散度源和旋度源，结论：区域中的场不仅取决于分布在区域中的体分布的散度源和旋度源，还取决于分布于区域边界上的场值（面分布的散度源和旋度源）还取决于分布于区域边界上的场值（面分布的散度源和旋度源）二、在有界空间区域中的解二、在有界空间区域中的解16矢量分析基础课外课外 学习实训学习实训一、学习报告一、学习报告 1. 将位于球坐标系下的将位于球坐标系下的P点（点（1，30，90）处的矢量）处的矢量 ，先在直角坐标系下表示出其表达式，然后再，先在直角坐标系下表示出其表达式，然后再 将所得到的表达式，重新表达成球坐标系下表出。将所得到的表达式，重新表达成球坐标系下表出。 则将得到如下悖论：则将

5、得到如下悖论： 请在分析产生此悖论原因的基础上，撰写一篇关于对三请在分析产生此悖论原因的基础上，撰写一篇关于对三 个常用坐标系单位坐标矢量认识的学习报告，并另外设个常用坐标系单位坐标矢量认识的学习报告，并另外设 计一个类似的悖论。计一个类似的悖论。eerAeA17内容提要内容提要一、电磁场分析的数理基础 二、麦克斯韦方程18麦克斯韦方程物物理理基基础础库仑定律库仑定律电场强度电场强度与真空中与真空中的静电场的静电场安培定律安培定律法拉第电法拉第电磁感应磁感应位移电流位移电流假说假说电位移矢电位移矢量与介质量与介质中静电场中静电场磁感应强磁感应强度与真空度与真空中静磁场中静磁场磁场强度磁场强度与

6、介质中与介质中的静磁场的静磁场高斯定理高斯定理磁通连续磁通连续感应定律感应定律全电流定律全电流定律麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组边界条件边界条件19麦克斯韦方程微分形式微分形式0fftt DHJBEBDd() dddd0dfCSCSSfSVDHlJStBElStBSDS dV tJdSdqdt JS积分形式积分形式2020基本物理量：源；场基本物理量：源；场电荷电荷电流电流电场电场磁场磁场（运动）（运动） 源：电荷源：电荷 ，电流电流 ，随时间变化的场，随时间变化的场),(trq),(trI（时间变化）（时间变化）2121思考问题与知识扩充思考问题与知识扩充电流连续性方程：电流连续性方程：tJ电

7、荷守恒定律电荷守恒定律 电荷：体电荷电荷：体电荷 电流：体电流电流：体电流新问题：新问题： 如果电荷为面电荷，电流是面电流，电流连续方程如何？如果电荷为面电荷，电流是面电流，电流连续方程如何？ 如果电荷为线电荷，电流为线电流，电流连续方程又如何？如果电荷为线电荷，电流为线电流，电流连续方程又如何？2222小体积元中的电荷产生的电场小体积元中的电荷产生的电场( )rVyxzoriVrM)(rS面密度为面密度为 的面分布的面分布电荷的电场强度电荷的电场强度)(rl线密度为线密度为 的线分布的线分布电荷的电场强度电荷的电场强度体密度为体密度为 的体分布电荷产生的电场强度的体分布电荷产生的电场强度)(

8、riiiiiRRVrrE304)()(301()d4VrRVR30( )1( )d4SSr RE rSR30( )1( )d4lCr RE rlR库仑定律库仑定律2323真空中静电场的基本规律真空中静电场的基本规律-散度与旋度散度与旋度 01( ) dSSE rSq内静电场的散度静电场的散度（微分形式）（微分形式）1. 静电场的散度与高斯定律静电场的散度与高斯定律静电场的通量静电场的通量高斯定理高斯定理（积分形式）（积分形式）( )0E r 结论结论： 静电场是无旋场，是保守场，电场力做功与路径无关静电场是无旋场，是保守场，电场力做功与路径无关 静电场是发散场静电场是发散场, 始于正电荷始于正

9、电荷,并止于负电荷并止于负电荷静电场的旋度静电场的旋度（微分形式）（微分形式）2. 静电场的旋度与环流静电场的旋度与环流静电场的环流静电场的环流（积分形式）（积分形式）0d)(ClrE0)()(rrE24磁感应强度磁感应强度 B24其中：其中： 独立于独立于I2 而存在，称为而存在，称为I1 产生的产生的 磁感应强度，单位为磁感应强度，单位为T（特斯拉）。（特斯拉）。 根据安培力定律，有根据安培力定律，有221)(d)d4(d2122312121102212CCCrBlIRRlIlIF13121211021d4)(CRRlIrB03d( )4I lRB rR电流元产生的磁感应强度电流元产生的磁

10、感应强度s03( )4J dsRB rR 03( )4JdvRB rR 面电流元面电流元线电流元线电流元体电流元体电流元安培定律安培定律2525真空中恒定磁场的基本规律真空中恒定磁场的基本规律-散度和旋度散度和旋度 )()(0rJrB0( ) dCB rlI恒定场的散度恒定场的散度（微分形式）（微分形式）磁通连续性原理磁通连续性原理（积分形式）（积分形式）恒定磁场的旋度恒定磁场的旋度（微分形式）（微分形式）安培环路定理安培环路定理（积分形式）（积分形式）0d)(SSrB0)(rB结论结论： 恒定磁场是无散的有旋场，是非保守场恒定磁场是无散的有旋场，是非保守场 电流是磁场的旋涡源电流是磁场的旋涡

11、源 磁感应线是无起点和终点的闭合曲线磁感应线是无起点和终点的闭合曲线2626空间存在非真空的介质时：电荷产生的静电场会怎样？电流产生磁场会怎样？2727媒质的电磁特性媒质的电磁特性 1. 电介质的极化现象电介质的极化现象1 1）在外加电场作用下，电介质）在外加电场作用下，电介质会产生极化现象：会产生极化现象： 无极分子发生为无极分子发生为位移极化位移极化 有极分子发生有极分子发生取向极化取向极化2 2）极化程度的大小，由介质内）极化程度的大小，由介质内电偶极矩电偶极矩的多少决定的多少决定电介质的极化电介质的极化 电位移矢量电位移矢量无极分子无极分子有极分子有极分子无外加电场无外加电场l 媒质对

12、电磁场的响应可分为三种情况：媒质对电磁场的响应可分为三种情况：极化极化、磁化磁化和和传导传导。l 描述媒质电磁特性的参数为：描述媒质电磁特性的参数为： 介电常数、磁导率和电导率。介电常数、磁导率和电导率。无极分子无极分子有极分子有极分子有外加电场有外加电场E 结结 论论28282. 极化强度矢量极化强度矢量 定义：定义：单位体积内受极分子电偶极矩的和，即单位体积内受极分子电偶极矩的和，即2(/)cm0limiivpPv 无极分子无极分子有极分子有极分子有外加电场有外加电场E29291 1）介质没有外场作用时）介质没有外场作用时 对于无极分子：对于无极分子：讨讨 论论0P 0ip 0P 0iip

13、 对于有极分子：对于有极分子：2 2）介质在外场作用下）介质在外场作用下Pnp0ip iipN p且且12ppp其中，其中，n 为单位体积内受极分子数为单位体积内受极分子数无极分子无极分子有极分子有极分子无外加电场无外加电场EpnPipp30301 1） 极化强度的大小与介质材料有关极化强度的大小与介质材料有关2 2） 极化强度的大小也与外加电场强度极化强度的大小也与外加电场强度 有关有关 介质极化后，将在空间中产生额外的电场介质极化后，将在空间中产生额外的电场 介质内外空间中的总电场介质内外空间中的总电场 为为实验发现实验发现：对于线性、各向同性介质，对于线性、各向同性介质， 与与 成正比，

14、即成正比，即结结 论论epEEEPe0PE e(0)其中，其中，称为介质的极化率称为介质的极化率 eEEpEE31315330013()( )2cossin44rp r rpPE reerrr pqlrr电偶极矩：电偶极矩：Er+q电偶极子电偶极子zolq电偶极子的场图电偶极子的场图等位线等位线电场线电场线 电偶极子的电场强度：电偶极子的电场强度：3232l 介质极化后，其内部可能出现净余的电荷，介质极化后，其内部可能出现净余的电荷， 即产生极化体电荷即产生极化体电荷极化现象的进一步讨论极化现象的进一步讨论l 介质极化后，介质分界面上也可能出现净余的电荷，介质极化后，介质分界面上也可能出现净余

15、的电荷， 即产生极化面电荷即产生极化面电荷PqsPqE S3333极化体电荷的计算极化体电荷的计算PPVsqq 所以，所以，dPSqPSPPE SPSdV计算原理计算原理：PdsdsqqN因为，因为，极化面电荷的计算极化面电荷的计算nSPP enedSSPdPdsqPS在介质分界面上：在介质分界面上：nPdsqP e dS所以，所以，因为，因为，d cosdnp SPSqndVd cosqnl SdVP V 34343. 电位移矢量电位移矢量-介质中的高斯定理介质中的高斯定理01d()fpsSESqq内0fpE问题：问题：空间中有介质存在时，其中可能存在的极化电荷会产生空间中有介质存在时，其中

16、可能存在的极化电荷会产生 额外的电场，而影响总电场分布。那么计算总场时，额外的电场，而影响总电场分布。那么计算总场时， 有必要事先计算出极化电荷产生的电场吗？有必要事先计算出极化电荷产生的电场吗？0fEP0()fEPPED0引入电位移矢量引入电位移矢量:fD则有则有 单位：单位：C/m2 任意闭合曲面电位移矢任意闭合曲面电位移矢量量 D 的通量等于该曲面的通量等于该曲面包含自由电荷的代数和包含自由电荷的代数和 dfsSDSq内其积分形式为其积分形式为 3535结结 论论d( ) d0fSCDSqE rl（积分形式）（积分形式） 0fDE （微分形式），（微分形式）， 空间中存在介质时，空间中存

17、在介质时，静电场静电场的问题可用如下的问题可用如下基本方程基本方程描述描述求解问题的过程可采用如下途径：求解问题的过程可采用如下途径：fqDEP, ,pq, ,3636均匀和非均匀介质均匀和非均匀介质各向同性和各向异性介质各向同性和各向异性介质时变和时不变介质时变和时不变介质线性和非线性介质线性和非线性介质确定性和随机介质确定性和随机介质色散和非色散介质色散和非色散介质4. 介质的分类与本构关系介质的分类与本构关系EPe0分类分类:本构关系本构关系:0e0r(1)DEEE 相对介电常数相对介电常数（无量纲）（无量纲）介电常数介电常数DE3737在介质空间中：电荷产生的静电场会怎样！电流产生磁场

18、会怎样？3838磁介质的磁化磁介质的磁化 磁场强度磁场强度1. 介质的磁化现象介质的磁化现象无外加磁场无外加磁场外加磁场外加磁场Bmpi S 1）在外磁场作用下，介质分子磁矩定向）在外磁场作用下，介质分子磁矩定向排列，从而产生磁化现象排列，从而产生磁化现象( (显示出磁性显示出磁性)。2 2）磁化程度的大小，由介质内分子磁矩）磁化程度的大小，由介质内分子磁矩的多少决定的多少决定磁矩的定义磁矩的定义 结结 论论mpi S mmpq l39392. 磁化强度矢量磁化强度矢量 定义：定义：介质单位体积内分子磁矩的和，即介质单位体积内分子磁矩的和，即(/)A m0limmiivpMv B40401 1

19、）介质无外磁场作用时）介质无外磁场作用时讨讨 论论0M 0miip2 2）介质在外磁场作用下）介质在外磁场作用下mMnp mimipNp12mmmppp其中，其中，n 为单位体积内的分子数为单位体积内的分子数BmMnp无外加磁场无外加磁场mpi S 41411 1） 磁化强度的大小与介质材料有关磁化强度的大小与介质材料有关2 2） 磁化强度的大小也与外加场磁化强度的大小也与外加场 的强度有关的强度有关 介质磁化后，将在空间中产生额外的磁场介质磁化后，将在空间中产生额外的磁场 介质内外空间中的总磁场介质内外空间中的总磁场 为为实验发现实验发现：对于线性、各向同性介质，对于线性、各向同性介质， 与

20、与 成正比，即成正比，即结结 论论emBBB mMH Mm(0;0;0)其中，其中，称为介质的磁化率称为介质的磁化率 eB B mB H 42422022 3 2022 3 2(0,0, )2() =2 ()zmIaBzeazpaz l 载流圆环轴线上的磁感应强度：载流圆环轴线上的磁感应强度：IyxzoMa载流圆环载流圆环4343l 介质磁化后，其介质磁化后，其内部内部可能出现净余的电流分布，可能出现净余的电流分布， 即产生磁化体电流即产生磁化体电流磁化现象的进一步讨论磁化现象的进一步讨论l 介质磁化后，介质介质磁化后，介质分界面上分界面上也可能出现净余的电流分布，也可能出现净余的电流分布，

21、即产生磁化面电流即产生磁化面电流BCdldlmpSMSJneMldMJMSJ4444磁化体电流密度的计算磁化体电流密度的计算MMSCII所以，所以，ddMCSIMlMS 计算原理计算原理：MdldlIiN因为，因为，磁化面电流磁化面电流密度密度的计算的计算nSMJMe 在介质分界面上：在介质分界面上：()()nmnmMdlIMeedlMee dl 所以，所以，因为，因为，coscosmnp dlMdlM dl indVcosni SdlBCdldlmpSMJMMdlI M dl dl而，而，()lnmdle dleedl4545问题：空间中有介质存在时，其中可能存在的磁化电流会产生问题：空间中

22、有介质存在时，其中可能存在的磁化电流会产生 额外的磁场，而影响总磁场分布。那么计算总场时，额外的磁场，而影响总磁场分布。那么计算总场时， 有必要事先计算出磁化电流产生的磁场吗？有必要事先计算出磁化电流产生的磁场吗？引入磁场强度引入磁场强度 :则有则有 其积分形式为其积分形式为 4. 磁场强度磁场强度 介质中安培环路定理介质中安培环路定理 0M()BJJ SMCSJJlBd)(d00()BJM 0()BMJ MBH0( ) d( ) dCSH rlJ rS)()(rJrH)(0MHB, 即即4646结结 论论空间中存在介质时，空间中存在介质时，恒定磁场恒定磁场的问题可用如下的问题可用如下基本方程

23、基本方程描述描述求解问题的过程可采用如下途径：求解问题的过程可采用如下途径：J H BM , ,MJ , ,0)()()(rBrJrH0d)(d)(d)(SSCSrBSrJlrH（积分形式）（积分形式） （微分形式）（微分形式）4747. 磁磁介质的分类与本构关系介质的分类与本构关系分类分类:本构关系本构关系:相对磁导率相对磁导率（无量纲）（无量纲）磁导率磁导率抗磁质抗磁质顺磁质顺磁质铁磁质铁磁质1r1r1rHMm0m0(1)rBHHH 磁化率磁化率(无量纲无量纲)BH 水：水：0.999990.99999空气：空气：1.00000041.0000004 铁：铁：400040004848空间存

24、在非真空的介质时：电荷产生的静电场会怎样！电流产生磁场会怎样!49麦克斯韦方程微分形式微分形式0fftt DHJBEBDd() dddd0dfCSCSSfSVDHlJStBElStBSDS dV tJdSdqdt JS积分形式积分形式5050电磁感应定律和位移电流电磁感应定律和位移电流电磁感应定律电磁感应定律1820年奥斯特：发现电流的磁效应年奥斯特：发现电流的磁效应1881年年法拉第：电磁感应定律法拉第：电磁感应定律 电磁感应定律电磁感应定律 揭示时变磁场产生电场。揭示时变磁场产生电场。 位移电流位移电流 揭示时变电场产生磁场。揭示时变电场产生磁场。 重要结论：重要结论： 在时变情况下，电场

25、与磁场相互激励，形成统一在时变情况下，电场与磁场相互激励，形成统一 的电磁场。的电磁场。5151inddt 1. 法拉第电磁感应定律的表述法拉第电磁感应定律的表述 SSBd n B C S dl indddSBSt 5252dininCEl 变化磁场是产生电场的源变化磁场是产生电场的源 感应电场是有旋场感应电场是有旋场因而：因而：ddddinCSElBSt 对感应电场的认识对感应电场的认识：由于：由于：5353相应的微分形式为相应的微分形式为(1) 回路不变，磁场随时间变化回路不变，磁场随时间变化ddddSSBBSSttd0cCEl 电场的源有两种：电荷：磁场（电场的源有两种：电荷：磁场（随时

26、间变化随时间变化） incEEE2. 引起回路中磁通变化的几种情况引起回路中磁通变化的几种情况ddddCSE lBSt BEt ddCSBE lSt 5454称为动生电动势，这就是发电机工作原理。称为动生电动势，这就是发电机工作原理。( 2 ) 导体回路在恒定磁场中运动导体回路在恒定磁场中运动d() dinCCElvBl( 3 ) 回路在时变磁场中运动回路在时变磁场中运动d() ddinCCSBElvBlSt5555位移电流位移电流0J Jt 静态情况：静态情况：0EtBEJH?H0t时变情况：时变情况：0tBEt ?EBt56561. 全电流定律全电流定律而由而由JH在时变情况下，电荷分布随

27、时间变化，由电流连续性方程有在时变情况下，电荷分布随时间变化，由电流连续性方程有 )(DtJ发生矛盾发生矛盾在时变的情况下不适用在时变的情况下不适用 解决办法：解决办法： 对安培环路定理进行修正对安培环路定理进行修正由由 D0)(HJ0)(tDJ0tJ将将 修正为：修正为： JHtDJH矛盾解决矛盾解决时变电场会激发磁场时变电场会激发磁场5757全电流定律：全电流定律：tDJH 微分形式微分形式StDJlHCsd)(d 积分形式积分形式 全电流定律揭示不仅传导电流激发磁场，变化的电场也可全电流定律揭示不仅传导电流激发磁场，变化的电场也可以激发磁场。它与变化的磁场激发电场形成自然界的一个对偶以激

28、发磁场。它与变化的磁场激发电场形成自然界的一个对偶关系。关系。58麦克斯韦方程微分形式微分形式0fftt DHJBEBDd() dddd0dfCSCSSfSVDHlJStBElStBSDS dV tJdSdqdt JS积分形式积分形式59592. 媒质的本构关系媒质的本构关系 EDHBEJ)(0)()()(EHHtEEtEH代入麦克斯韦方程组中，有代入麦克斯韦方程组中，有0/EHEtHEtHE 限定形式的麦克斯韦方程限定形式的麦克斯韦方程（均匀媒质）（均匀媒质）各向同性线性媒质的本构关系为各向同性线性媒质的本构关系为6060变压器的工作原理变压器的工作原理MaxwellMaxwell方程揭示的

29、电磁规律与在实际生活中的应用方程揭示的电磁规律与在实际生活中的应用6161发电机的工作原理发电机的工作原理6262人们寻找磁荷的实验设计原型人们寻找磁荷的实验设计原型6363随时间变化的电场和磁场互为激发源，在空间中以波的形式传播随时间变化的电场和磁场互为激发源，在空间中以波的形式传播tDHtBE,无线电磁波的传播机理无线电磁波的传播机理6464物物理理基基础础库仑定律库仑定律电场强度电场强度与真空中与真空中的静电场的静电场安培定律安培定律法拉第电法拉第电磁感应磁感应位移电流位移电流假说假说电位移矢电位移矢量与介质量与介质中静电场中静电场磁感应强磁感应强度与真空度与真空中静磁场中静磁场磁场强度

30、磁场强度与介质中与介质中的静磁场的静磁场高斯定理高斯定理磁通连续磁通连续感应定律感应定律全电流定律全电流定律麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组边界条件边界条件6565电磁场的边界条件电磁场的边界条件 什么是电磁场的边界条件什么是电磁场的边界条件? ? 为什么要研究边界条件为什么要研究边界条件? ?ne媒质媒质1 1媒质媒质2 2 如何讨论边界条件如何讨论边界条件? ? 实际电磁场问题都是在一定的物理空实际电磁场问题都是在一定的物理空间内发生的，该空间中可能是由多种不同间内发生的，该空间中可能是由多种不同媒质组成的。边界条件就是不同媒质的分媒质组成的。边界条件就是不同媒质的分界面上的电磁场矢量满足的关

31、系界面上的电磁场矢量满足的关系，是在不，是在不同媒质分界面上电磁场的基本属性。同媒质分界面上电磁场的基本属性。物理物理：由于在分界面两侧介质的特性参由于在分界面两侧介质的特性参 数发生突变，场在界面两侧也发数发生突变，场在界面两侧也发 生突变。麦克斯韦方程组的生突变。麦克斯韦方程组的微分微分 形式在分界面没有意义形式在分界面没有意义，必，必 须对边界上电磁现象单独描述。须对边界上电磁现象单独描述。数学数学：麦克斯韦方程组是：麦克斯韦方程组是微分方程组微分方程组，其，其 解是不确定的（解是不确定的（非限定的非限定的），边界），边界 条件起定解的作用。条件起定解的作用。 麦克斯韦方程组的麦克斯韦方

32、程组的积分形式积分形式在不同媒在不同媒质的质的分界面上仍然适用分界面上仍然适用，由此可导出电磁，由此可导出电磁场矢量在不同媒质分界面上的边界条件。场矢量在不同媒质分界面上的边界条件。6666SVSCSCSdVSDSBStBlEStDJlHd0dddd)(d边界条件一般表达式边界条件一般表达式SnnnSnDDeBBeEEeJHHe)(0)(0)()(21212121ne媒质媒质1 1媒质媒质2 2 分界面上的电荷面密度分界面上的电荷面密度 分界面上的电流面密度分界面上的电流面密度67671.1.两种理想介质分界面两种理想介质分界面上的边界条件上的边界条件n12n12n12n12()0()0()0

33、()0eeeeDDBBEEHH两种常见的情况两种常见的情况 在两种理想介质分在两种理想介质分界面上，在自然状态下界面上，在自然状态下没有电荷和电流分布，没有电荷和电流分布，即即JS0、S0，故，故 的法向分量连续的法向分量连续D 的法向分量连续的法向分量连续B 的切向分量连续的切向分量连续E 的切向分量连续的切向分量连续Hne媒质媒质1 1媒质媒质2 2 、 的法向分量连续的法向分量连续DBne媒质媒质1 1媒质媒质2 2 、 的切向分量连续的切向分量连续EH68682. 理想导体表面上的边界条件理想导体表面上的边界条件nnnn00SSeDeBeEeHJ设媒质设媒质2为理想导体，则为理想导体，

34、则E2、D2、H2、B2均均为零，故为零，故 理想导体理想导体：电导率为无限大的导电媒质电导率为无限大的导电媒质 特征特征：电磁场在理想导体内恒为零电磁场在理想导体内恒为零理想导体理想导体DSJH理想导体表面上的电荷密度等于理想导体表面上的电荷密度等于 的法向分量的法向分量D理想导体表面上理想导体表面上 的法向分量为的法向分量为0 0B理想导体表面上理想导体表面上 的切向分量为的切向分量为0 0E理想导体表面上的电流密度等于理想导体表面上的电流密度等于 的切向分量的切向分量H6969DBtBEtDJH0tJMaxwell方程组方程组本构关系本构关系边界条件边界条件DEBHJE12121212()()0()0()nSnnnSeHHJeEEeBBeDD12(JJ )nSet 70 感谢倾听！感谢倾听！