半导体器件原理资料课件.ppt

1、半导体器件原理2022-4-292提纲半导体中的载流子及其运动P-N结的特性MOS晶体管工作原理及特性MOS 晶体管电路基本结构单元及特性硅平面工艺简介（E/D NMOS工艺结构介绍）2022-4-293半导体中的载流子及其运动硅单晶 正四面体，金刚石结构，晶体的性质与晶向有关，表面的性质与晶面有关 硅原子最小距离：0.235nm 晶格常数：0.543089nm 2022-4-294半导体中的载流子及分布半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间导体：10-4cm绝缘体： 1010cm半导体： 10 -4 1010cm导电能力的决定因素 1/nq n:载流子的浓度， 决定因素q:载流子的电荷:载流子的

2、迁移率 （相差不大）2022-4-295半导体中的载流子及分布硅单晶导电性能硅原子四个价电子，与周围四个原子各出一个电子形成共价键每个原子周围八个电子共价键晶体热激发价带电子跃迁到导带载流子晶体具有导电性电子空穴EcEv导带价带禁带宽度， EgSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi2022-4-296半导体中的载流子及分布本征半导体中载流子及分布电子空穴浓度相等 ni=n0=p0 =(NvNc)1/2 exp(-Eg/2kT)常温下，硅半导体ni=1.51010cm-32.3105cm不能满足要求，需掺杂施主、受主杂质施主杂质，可给出一个电子P,As受主杂质，可接受一

3、个电子B掺有施主杂质的半导体称为n型半导体，掺有受主杂质的半导体称为p型半导体2022-4-297半导体中的载流子及分布N、P型半导体杂质能级N型半导体P型半导体ED=EC-EDEA=EA-EVECEvEDEiEFnECEvEAEiEFp2022-4-298半导体中的载流子及分布载流子分布ND大，EF 靠近EC，导带有较多的电子，价带基本填满，空穴很少。NA大，EF越靠近EV，价带空穴多，很少有电子能跃入导带。热平衡情况下 npni2)exp()exp(kTEENpkTEENnVFVFccf(E)EFE0.512022-4-299载流子在电场中的运动载流子运动n热运动，无规则n电场下的漂移，散

4、射，再加速的过程，平均速度为两次散射之间由电场加速所获得的定向速度。迁移率n单位电场强度下载流子的漂移速度n影响因素：有效质量、温度（散射）、杂质散射、表面散射dvv *mqv2022-4-2910载流子在电场中的运动非平衡载流子n产生原因光照、热、电等 ，nnn0n主要影响少数载流子n少子复合多余载流子通过电子空穴复合趋于平衡（直接，间接，表面复合）n扩散扩散长度 L=（D）1/2:少子寿命D:扩散系数EFNEVECnph光照产生非平衡少子2022-4-2911PN结特性PN结形成电子空穴浓度的巨大差异扩散留下离化施主和受主形成空间电荷区建立电场阻碍扩散扩散与漂移达到平衡统一的费米能级EFn

5、ECEVECEVEFPPN结能带图PN结空间电荷区EF-qBN+P+-内建电场漂移电流扩散电流xdnxdp2022-4-2912PN结中载流子的分布空间电荷区内载流子浓度比起n、p区的多子浓度要小的多，好像耗尽了一样，故又称为耗尽区，可以认为载流子浓度很小，可以忽略，空间电荷区电荷密度等于离化施主/受主密度。PN结内（热平衡）处处有npni2n、pxxdnxdpnn0pn0np0pp0热平衡时PN结内载流子分布NP2022-4-2913耗尽区势垒高度等于半导体费米能级的差-qBEFN-EFP用载流子浓度表示为：-qBkTln（NAND/ni2）可见，势垒高度与掺杂浓度和温度有关。对于常温的硅材

6、料；通常在0.60.8 eV势垒宽度对于N+P的单边突变结，NDNA电中性条件，xdnND=xdpNA xdp xdnxd xdp xdn xdp(2s0qNAB)1/2势垒区电荷QB=qNAxdpPN+-xdnxdpExxVB2022-4-2914PN结特性外加电场为零时漂移和扩散相抵消，流过PN结的净电流为零。加正向电压P加正，n加负，外加电场与内建电场方向相反，漂移减弱，扩散占优，空穴由p区注入到n区，电子由n区注入到p区多子扩散。npni2正向电流Jn V：外加电压正偏时耗尽区边缘少子分布正偏时PN结内载流子分布n、pxxdnxdpnn0pn0np0pp0零偏正偏n、pxxdnxdpp

7、n0np0) 1)(00kTqVpnnpnneLpDpLnDqJ2022-4-2915PN结的特性反向偏置外加电场与内建电场一致，漂移占优，电子由p区注入n区，空穴由n区注入p区（都是少子），电流小。反向抽取少数载流子，使得耗尽区边缘处少子浓度接近零。npni2反向电流JR V： 外加电压（反向）n、pxxdnxdppn0np0n、pxxdnxdpnn0pn0np0pp0零偏反偏反偏时耗尽区边缘少子分布反偏时PN结内载流子分布) 1)(00kTqVpnnpnReLpDpLnDqJ2022-4-2916PN结的特性击穿反向电压大到一定程度时，反向电流急剧增加雪崩击穿反向强电场载流子动能增加激发电

8、子空穴对进一步激发电子空穴对雪崩击穿温度升高电子自由程减小碰撞电离率减小击穿电压升高；还与电场和空间电荷区宽度有关，边缘效应和栅调制电场加强使击穿电压降低。隧道击穿反向偏压增加能带弯曲价带电子能量超过导带电子电子穿越禁带温度升高禁带宽度减小击穿电压降低2022-4-2917PN结特性结电容外加反向电压，电流很小电压全部降落在耗尽区耗尽区相当于介质单位面积的电容(单边突变结）N+P+-)(200VqNCxCBAsJdsJV变容二极管用于电子调谐器等2022-4-2918晶体管的工作原理及特性双极性晶体管简介n结构发射极（ emitter），基极（base)，集电极（collector)工作原理

9、（NPN)VcIcIbIebIneIpeIncIpcNPN+ce2022-4-2919晶体管工作原理及特性MOS晶体管的结构栅极（gate):早期为铝，现为多晶硅源、漏（source、drain）:背靠背PN结,不通。衬底（substrate）:NMOS接地，PMOS接高电位，提供反偏。 NMOS电位低者为源极，电位高者为漏极PMOS电位高者为源极，电位低者为漏极P-subN+N+SDGBN-subP+P+SDGBNMOSPMOS2022-4-2920MOS表面效应（理想结构）MetalInsulatorSemiconductorVg0PsubECEiEFpEVVg=0SiO2MetalIns

10、ulatorSemiconductorVg0PsubECEiEFpEVVg0SiO2qVSfECEiEFpEVVg0SiO2qVS=2fMetalInsulatorSemiconductorVg0Psub反型电子耗尽区MetalInsulatorSemiconductorVg0Psub耗尽区耗尽反型2022-4-2922MOS晶体管开启电压Vt当栅极施加一定的正电压，表面能带下弯qVs=2qf时，表面电子和空穴浓度正好与体内相反，表面呈现强反型（strong inversion）。此时所对应的栅极电压Vg称为开启电压，用Vt表示。上述讨论的是理想MOS结构体系，实际的开启电压受多种因素的影响：

11、oxSSmsoxBfCQCQVt 22f：反型表面势，反型时表面下弯值。加在硅表面与硅体内的电压。-QB/Cox：维持QB所需加的栅压，也就是表面反型是降落在栅与硅表面（SiO2)的电压ms：栅（电极）与硅衬底之间的接触电势差（功函数差）。-QSS/Cox：抵消栅氧化层与硅表面之间存在界面电荷所需的Vgms -QSS/CoxVFB, 平带电压。注：衬偏调制：QB，VT；NA，VT衬偏调制效应大2022-4-2923MOS晶体管的直流特性当 VDS 很小时，源漏间导电沟厚度变化不大，源漏之间相等于电阻， VDS 增加，RON减小，电流 IDS=2K(VGS-VT-VDS/2)VDS 2K(VGS

12、-VT)VDS，随VDS呈线性变化。当 VDS 增大时， IDS VDS曲线越来越偏离线性，当VGS-VTVDS时，漏端将不存在导电沟，开始夹断。夹断区电子很少，电阻较大，但有很强的电场，可以把沟道中的电子拉向漏极。夹断后，再增加 VDS ， 电压主要降落在高阻区，IDS变化不大，趋于饱和， 饱和电流IDS=K(VGS-VT) 2，电流VDS与无关。击穿：当VGSVt时，不存在导电沟，VDS被耗尽区电荷屏蔽，当VDS增大到耗尽区电荷不足以屏蔽时源漏穿通。漏结击穿沟道长时，漏结击穿；沟道短时，源漏穿通。次开启（subthreshold）：VGSVt, MOS 并非绝对不通。2022-4-2924

13、MOS晶体管的电容Miller电容有反馈作用，对工作速度有很大的影响，比同样值的CGS大得多VDCGDGSD等效图2022-4-2925发展中的器件物理问题Vt小尺寸效应n短沟效应 L减小，Vt下降n窄沟效应 W减小，Vt上升强场效应n一般条件，欧姆定律，载流子的漂移速度与电场成正比n强场下，迁移率下降，载流子速度趋于饱和 VS=107cm/sec热载流子（hot carrier）n漏端夹断处（NMOS)n影响VtnLDD 解决GSDGFieldField2022-4-2926发展中的器件物理问题静电损伤 （ElectroStatic Damage）/DischargenMOS绝缘栅输入静电荷

14、积累栅击穿n输出端也会击穿n加保护器件电子迁移 （electron immigration）n电流密度大电子撞击原子原子移动导线变细电流密度进一步加大迁移加重断裂n用Cu代替Al2022-4-2927MOS 晶体管电路（基本单元）开关n单沟NMOS开关w高阈值损失，VOH=VG-VT w衬偏调制效应，输出更低w充电慢（高输出时）nCMOS传输门w结构w没有高阈值损失，也没有低阈值损失，VO=VIVIVOCGVIVOGPGN2022-4-2928MOS 晶体管电路（基本单元）反相器（非门）n有比反相器VIVDDMLMEVOVDDMLMEVIVGGVOVIVDDMLMEVOVDDVIRLVOE/R

15、E/E饱和型E/E非饱和型E/D2022-4-2929MOS 晶体管电路（基本单元）n无比反相器 CMOS反相器（非门），功耗小，管子相互依赖性小其它门电路与非门，或非门等准静态D触发器VDDMPMNVIVOG1G2G3G4G5D2022-4-2930集成电路工艺结构尺寸缩小（等比缩小 scalingdown） n恒定电场原则，恒定电压原则，准恒电场原则E/D NMOS CMOSn场区隔离 VTF 足够大，需要NA大，QB大；场区注硼n沟道注入 调VTnLDD 结构， 减小热载流子问题n多晶硅 可用于布线，注意不能与有源区交叉nCMOS 的Latchup 效应（闸流效应）w采用衬底外延，减小RS，侧向NPN管不能正偏w倒退阱，减小RWw保护环，伪收集极w沟槽隔离2022-4-2931集成电路工艺结构P-subN+NwellP+VSSVDDP+N+RS1RS2RW2RW1人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培养文学情趣；通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操，给我们巨大的精神力量，鼓舞我们前进。