1、垂直腔面发射激光器（VCSEL ）制作工艺简介Beijing Asia Science&Technology VCSEL基本简介基本简介垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL) 区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图：边发射激光器（a）面发射激光器(b)VCSEL基本简介基本简介-基本构成基本构成1977 年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射。典型
2、的 VCSEL 为顶发射结构。结构示意图如下图 所示VCSEL的结构示意图（顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）VCSEL的制作总工艺过程的制作总工艺过程工艺过程总流程图侧向选择氧化制备工艺流程图VCSEL的制作总工艺过程的制作总工艺过程工艺制备图侧向选择氧化制备工艺流程图外延材料制备外延材料制备MOCVD侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring VCSEL的制作芯片工艺与关键设备的制作芯片工艺与关键设备芯片流片芯片流片过程外延材料制备外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substr
3、ateP-ring contact沉积SiO外延材料制备外延材料制备光刻+腐蚀 做SiO2掩膜侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateP-DBRP-ring 外延材料制备外延材料制备台面腐蚀侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制备外延材料制备去掩膜侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制备外延材料制备局部氧化侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制备外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制备外延材料制备光刻、刻蚀、开窗侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制备外延材料制备光刻、电极、出光孔侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring contact15
