制药分离工程结晶过程课件.pptx

1、第十二章第十二章 结晶结晶 12. .1 概述概述 结晶过程：结晶过程：固体物质以晶体状态从蒸汽、溶液固体物质以晶体状态从蒸汽、溶液或熔融物中析出的过程。工业结晶技术作为高效或熔融物中析出的过程。工业结晶技术作为高效的提纯、净化与控制固体特定物理形态的手段的提纯、净化与控制固体特定物理形态的手段 晶浆晶浆：在结晶器中结晶出来的晶体和剩余的溶液：在结晶器中结晶出来的晶体和剩余的溶液(或熔液或熔液)所构成的混悬物。所构成的混悬物。母液母液：去除悬浮液中的晶体后剩下的溶液：去除悬浮液中的晶体后剩下的溶液(或熔液或熔液)。结晶过程中，含有杂质的母液结晶过程中，含有杂质的母液(或熔液或熔液)会以表面粘附

2、和会以表面粘附和晶间包藏的方式夹带在固体产品中。用适当的溶剂对固晶间包藏的方式夹带在固体产品中。用适当的溶剂对固体进行洗涤体进行洗涤 。结晶过程的特点结晶过程的特点： 1) 能从杂质含量相当多的溶液或多组分的熔融能从杂质含量相当多的溶液或多组分的熔融混合物中形成纯净的晶体。而用其他方法难以分混合物中形成纯净的晶体。而用其他方法难以分离的混合物系，采用结晶分离更为有效。如同分离的混合物系，采用结晶分离更为有效。如同分异构体混合物、共沸物系、热敏性物系等。异构体混合物、共沸物系、热敏性物系等。 2) 固体产品有特定的晶体结构和形态固体产品有特定的晶体结构和形态(如晶形、如晶形、粒度分布等粒度分布等

3、)。 3) 能量消耗少，操作温度低，对设备材质要求不能量消耗少，操作温度低，对设备材质要求不高，三废排放少，有利于环境保护。高，三废排放少，有利于环境保护。 4) 结晶产品包装、运输、储存或使用都很方便。结晶产品包装、运输、储存或使用都很方便。一、晶体一、晶体结构与特性结构与特性 结晶过程有四类结晶过程有四类：溶液结晶、熔融结晶、沉淀结晶和升：溶液结晶、熔融结晶、沉淀结晶和升华结晶。华结晶。晶体晶体: :内部结构中的质点元作三维有序规则排列的固态内部结构中的质点元作三维有序规则排列的固态物质。物质。晶体的自范性晶体的自范性：如果晶体生长环境良好，则可形成有规：如果晶体生长环境良好，则可形成有规

4、则的结晶多面体（则的结晶多面体（晶面）晶面）。晶体具有自发地生长成为结晶。晶体具有自发地生长成为结晶多面体的可能性的性质，即晶体以平面作为与周围介质的多面体的可能性的性质，即晶体以平面作为与周围介质的分界面。分界面。 晶体的均匀性晶体的均匀性：晶体中每一宏观质点的物理性质：晶体中每一宏观质点的物理性质和化学组成以及内部晶格都相同的特性。晶体的这和化学组成以及内部晶格都相同的特性。晶体的这个特性保证了工业生产中晶体产品的高纯度。个特性保证了工业生产中晶体产品的高纯度。 一、晶体一、晶体结构与特性结构与特性各向异性各向异性：晶体的几何特性及物理效应常随方向的：晶体的几何特性及物理效应常随方向的不同

5、而表现出数量上的差异的性质。不同而表现出数量上的差异的性质。晶格晶格：构成晶体的微观质点在晶体所占有的空间：构成晶体的微观质点在晶体所占有的空间中按三维空间点阵规律排列，各质点间在力的作用中按三维空间点阵规律排列，各质点间在力的作用下，使下，使质点得以维持在固定的平衡位置质点得以维持在固定的平衡位置，彼此之间，彼此之间保持一定距离的结构保持一定距离的结构。晶形晶形：晶体的宏观外部形状，它受结晶条件或所处：晶体的宏观外部形状，它受结晶条件或所处的物理环境的影响比较大，对于同一种物质，即使的物理环境的影响比较大，对于同一种物质，即使基本晶系不变，晶形也可能不同，如六方晶体，它基本晶系不变，晶形也可

6、能不同，如六方晶体，它可以是短粗形、细长形或带有六角的薄片状，甚至可以是短粗形、细长形或带有六角的薄片状，甚至旱多棱针状。旱多棱针状。七种晶系七种晶系晶体按其晶格结构可分为七种晶系晶体按其晶格结构可分为七种晶系 二、晶体的粒度分布二、晶体的粒度分布 晶体粒度分布晶体粒度分布：不同粒度的晶体质量：不同粒度的晶体质量(或粒子数目或粒子数目)与粒度的分布关系，它是晶体产品的一个重要质量与粒度的分布关系，它是晶体产品的一个重要质量指标。指标。可用筛分法可用筛分法( (或粒度仪或粒度仪) )进行测定，筛分结果标绘进行测定，筛分结果标绘为为筛下累积质量分数与筛孔尺寸筛下累积质量分数与筛孔尺寸的关系曲线，并

7、可的关系曲线，并可换算为换算为累积粒子数及粒数密度与粒度累积粒子数及粒数密度与粒度的关系曲线，的关系曲线，简便的方法是以中间粒度和变异系数来描述粒度分简便的方法是以中间粒度和变异系数来描述粒度分布。布。 中间粒度中间粒度(medium size，MS)：筛下累计质量分数：筛下累计质量分数为为50时对应的筛孔尺寸值。时对应的筛孔尺寸值。 粒度分布曲线二、晶体的粒度分布二、晶体的粒度分布变异系数变异系数(coefficient of variation，cv)：为一统：为一统计量，与计量，与Gaussian分布的标准偏差相关。分布的标准偏差相关。 %50%16%842)(100rrrCVrm%为筛

8、下累积质量分数为为筛下累积质量分数为m的筛孔尺寸。的筛孔尺寸。 对于一种晶体样品，对于一种晶体样品，MS越大，越大，平均粒度平均粒度大，大，CV值越小，粒度分布越均匀值越小，粒度分布越均匀。 11.2 结晶过程的相平衡及介稳区结晶过程的相平衡及介稳区 一、一、 溶解度溶解度 液固平衡液固平衡:任何固体物质与其溶液相接触时，当溶液尚任何固体物质与其溶液相接触时，当溶液尚未饱和，则固体溶解；当溶液恰好达到饱和，则固体溶解未饱和，则固体溶解；当溶液恰好达到饱和，则固体溶解与析出的量相等，此时固体与其溶液已达到相平衡。与析出的量相等，此时固体与其溶液已达到相平衡。 溶解度溶解度：固液相平衡时，单位质量

9、的溶剂所能溶解的固：固液相平衡时，单位质量的溶剂所能溶解的固体的质量。溶解度的其他单位有：克体的质量。溶解度的其他单位有：克/升溶液、摩尔升溶升溶液、摩尔升溶液、摩尔分数等。液、摩尔分数等。 溶解度的影响因素溶解度的影响因素：溶质及溶剂的性质、温度及压强。：溶质及溶剂的性质、温度及压强。几种物质在水中的溶解度曲线溶解度曲线溶解度曲线特性特性溶解度曲线溶解度曲线: :溶解度对温度之间的关系曲线。溶解度对温度之间的关系曲线。正溶解度特性：正溶解度特性：溶解度随温度的升高而增加，在溶解度随温度的升高而增加，在溶解过程中需要吸收热量的特性。溶解过程中需要吸收热量的特性。L L一维生素一维生素C C、L

10、 L一精氨酸一精氨酸 逆溶解度特性：逆溶解度特性：物质的溶解度随温度升高反而下物质的溶解度随温度升高反而下降，在溶解过程中放出热量的特性降，在溶解过程中放出热量的特性 。Na2SO4 有一些形成水合物的物质，在其溶解度曲线上有一些形成水合物的物质，在其溶解度曲线上有折点，对应存在不同水分子数的水合物之间的有折点，对应存在不同水分子数的水合物之间的变态点变态点 。L一精氨酸一精氨酸 、46OC 。溶解度曲线溶解度曲线特性特性溶解度随温度变化较大的物质溶解度随温度变化较大的物质冷却结晶方法冷却结晶方法分离；溶解度随温度变化较小的物质分离；溶解度随温度变化较小的物质蒸发结晶蒸发结晶法分离。法分离。二

11、、二、两组分物系的固液相图特征两组分物系的固液相图特征一定压力下，在温度和浓度坐标系中两组分物系一定压力下，在温度和浓度坐标系中两组分物系的固液相图可分为四类。反映两组分物系的固液相的固液相图可分为四类。反映两组分物系的固液相平衡关系。平衡关系。双组分低共熔物系固液相图1低共熔型低共熔型曲线曲线AE和和BE为不同组为不同组成混合物的固液平衡线。成混合物的固液平衡线。 低共熔点：低共熔点：点点E的温度，的温度，该点物系完全固化。该点物系完全固化。对于低共熔物系，只对于低共熔物系，只要通过结晶即可得到要通过结晶即可得到纯物质。纯物质。 双组分固体溶液物系固液相图2固体溶液型固体溶液型 液相结晶线：

12、液相结晶线：混合物开混合物开始结晶的温度与平衡液始结晶的温度与平衡液相组成之间的关系曲线。相组成之间的关系曲线。固相熔化线：固相熔化线：混合物混合物开始熔融的温度与固开始熔融的温度与固相组成之间的关系曲相组成之间的关系曲线。线。 对固体溶液物系，必须对固体溶液物系，必须经过多级固液平衡才能经过多级固液平衡才能达到所要求的产品纯度。达到所要求的产品纯度。 溶剂化合物熔化为同组成液相的物系固液相图溶剂化合物熔化为同组成液相的物系固液相图3化合物形成型化合物形成型 对于双组分物系，可能对于双组分物系，可能生成一种或多种溶剂化生成一种或多种溶剂化合物。合物。 CaCl2一一H2OCaCl26H2O 固

13、相溶剂化合物能与固相溶剂化合物能与同样组成的液相建立同样组成的液相建立平衡关系平衡关系 多晶型的双组分低共熔型物系固液相图多晶型的双组分低共熔型物系固液相图4晶型转变型晶型转变型三、三、沉淀过程的溶度积原理沉淀过程的溶度积原理 溶度积溶度积Kc:Kc:表示电解质在溶液中溶解度的大小。表示电解质在溶液中溶解度的大小。电解质在溶液中存在着解离平衡电解质在溶液中存在着解离平衡 xyyxyYxXYX若理想溶液且达到溶解平衡时，则有若理想溶液且达到溶解平衡时，则有 yxxycYXK 分别为阳离子和阴离子的浓度。分别为阳离子和阴离子的浓度。 yXxY溶度积的大小与电解质和溶剂的类型有关。溶度积的大小与电解

14、质和溶剂的类型有关。 同离子效应同离子效应：增加溶液中电解质的正离子（或负：增加溶液中电解质的正离子（或负离子）浓度，会导致电解质溶解度的下降的现象。离子）浓度，会导致电解质溶解度的下降的现象。 四、溶液的过饱和与介稳区四、溶液的过饱和与介稳区 饱和溶液饱和溶液：浓度恰好等于溶质的溶解度，即达：浓度恰好等于溶质的溶解度，即达到固液相平衡时的溶液。到固液相平衡时的溶液。过饱和溶液过饱和溶液：含有超过饱和量的溶质的溶液。：含有超过饱和量的溶质的溶液。 过饱和度过饱和度：同一温度下，过饱和溶液与饱和溶同一温度下，过饱和溶液与饱和溶液的浓度差液的浓度差。溶液的过饱和度是结晶过程的推动。溶液的过饱和度是

15、结晶过程的推动力。力。 将一个完全纯净的溶液在不受任何扰动将一个完全纯净的溶液在不受任何扰动(无搅拌，无搅拌，无振荡无振荡)及任何刺激及任何刺激(无超声波等作用无超声波等作用)的条件下，缓的条件下，缓慢降温，就可以得到过饱和溶液。但超过一定限度慢降温，就可以得到过饱和溶液。但超过一定限度后，澄清的过饱和溶液就会开始自发析出晶核。后，澄清的过饱和溶液就会开始自发析出晶核。 11.3 结晶结晶过程的动力学过程的动力学 一、一、结晶成核动力学结晶成核动力学晶核晶核: :过饱和溶液中新生成的微小晶体粒子，是晶体过饱和溶液中新生成的微小晶体粒子，是晶体生长过程的核心。生长过程的核心。晶核的大小粗估为数十

16、纳米至几微米。晶核的大小粗估为数十纳米至几微米。 晶胚晶胚: :在晶核形成之初，快速运动的溶质质点相互碰在晶核形成之初，快速运动的溶质质点相互碰撞结合成的线体单元，线体单元增大到一定限度后粒子。撞结合成的线体单元，线体单元增大到一定限度后粒子。晶胚极不稳定晶胚极不稳定 。晶胚晶胚生长到足够大，能与溶液建立热力学平衡时生长到足够大，能与溶液建立热力学平衡时称之为称之为晶核晶核 成核方式可分为初级成核和二次成核两类。成核方式可分为初级成核和二次成核两类。 11.3 结晶结晶过程的动力学过程的动力学1初级成核：初级成核：在没有晶体存在的条件下自发产生在没有晶体存在的条件下自发产生晶核的过程。初级成核

17、分为非均相和均相初级成核。晶核的过程。初级成核分为非均相和均相初级成核。均相初级成核均相初级成核：洁净的过饱和溶液进入介稳区时，：洁净的过饱和溶液进入介稳区时，还不能自发地产生晶核，只有进入不稳区后，溶液还不能自发地产生晶核，只有进入不稳区后，溶液才能自发地产生晶核。这种在均相过饱和溶液中自才能自发地产生晶核。这种在均相过饱和溶液中自发产生晶核的过程。发产生晶核的过程。均相初级成核速率：均相初级成核速率：)(ln316exp23323STkVANmPA指前因子；指前因子；Vm摩尔体积；摩尔体积；kBoltzmann常数；常数； T绝对温度；绝对温度；表面张力。表面张力。 *CCCS比饱和度比饱

18、和度11.3 结晶结晶过程的动力学过程的动力学初级成核过程中晶核的初级成核过程中晶核的临界粒径临界粒径与过饱和度间有关与过饱和度间有关 SkVdmcln2在过饱和溶液中，只有大于临界粒径的晶核才能生存在过饱和溶液中，只有大于临界粒径的晶核才能生存并继续生长，小于此值的粒子则会溶解消失。并继续生长，小于此值的粒子则会溶解消失。 非均相初级成核非均相初级成核：在工业结晶器中发生均相初级成核：在工业结晶器中发生均相初级成核的机会比较少，实际上溶液中有外来固体物质颗粒，的机会比较少，实际上溶液中有外来固体物质颗粒，如大气中的灰尘或其他人为引入的固体粒子，在非均如大气中的灰尘或其他人为引入的固体粒子，在

19、非均相过饱和溶液中自发产生晶核的过程。这些外来杂质相过饱和溶液中自发产生晶核的过程。这些外来杂质粒子对初级成核过程有诱导作用，粒子对初级成核过程有诱导作用，非均相成核可在比非均相成核可在比均相成核更低的过饱和度下发生。均相成核更低的过饱和度下发生。11.3 结晶结晶过程的动力学过程的动力学初级成核速率与过饱和度的经验关联式：初级成核速率与过饱和度的经验关联式：apPcKNKp速率常数；速率常数；c过饱和度；过饱和度；a成核指数成核指数,一般一般a2。 初级成核速率较大，对过饱和度变化非常敏感，很难初级成核速率较大，对过饱和度变化非常敏感，很难将其控制在一定的水平。除了超细粒子制造外，将其控制在

20、一定的水平。除了超细粒子制造外，一般结一般结晶过程都要尽量避免初级成核的发生。晶过程都要尽量避免初级成核的发生。2二次成核：二次成核：在已有晶体的条件下产生晶核的过程。在已有晶体的条件下产生晶核的过程。二次成核的机理主要有流体剪应力成核和接触成核。二次成核的机理主要有流体剪应力成核和接触成核。 剪应力成核剪应力成核：当过饱和溶液以较大的流速流过正在生长：当过饱和溶液以较大的流速流过正在生长中的晶体表面时，在流体边界层存在的剪应力能将一些附中的晶体表面时，在流体边界层存在的剪应力能将一些附着于晶体之上的粒子扫落，而成为新的晶核。着于晶体之上的粒子扫落，而成为新的晶核。11.3 结晶结晶过程的动力

21、学过程的动力学接触成核接触成核：当晶体与其他固体物接触时所产生的晶体表：当晶体与其他固体物接触时所产生的晶体表面的碎粒。在过饱和溶液中，晶体只要与固体物进行能量面的碎粒。在过饱和溶液中，晶体只要与固体物进行能量很低的接触，就会产生大量的微粒。很低的接触，就会产生大量的微粒。在工业结晶器中，晶体与搅拌桨、器壁间的碰撞，以及在工业结晶器中，晶体与搅拌桨、器壁间的碰撞，以及晶体与晶体之间的碰撞都有可能发生接触成核。晶体与晶体之间的碰撞都有可能发生接触成核。接触成核的几率往大于剪应力成核接触成核的几率往大于剪应力成核。二次成核速率的影响因素二次成核速率的影响因素:温度、过饱和度、晶体的粒温度、过饱和度

22、、晶体的粒度与硬度、搅拌桨的材质等。度与硬度、搅拌桨的材质等。描述二次成核速率经验表达式：描述二次成核速率经验表达式： ijhbGMNKN 00h4、 0.5I3、 0.4j2 N为搅拌强度，如转速或搅拌桨叶端线速；为搅拌强度，如转速或搅拌桨叶端线速；MT悬浮悬浮液密度；液密度；G晶体的生长速率晶体的生长速率 11.3 结晶结晶过程的动力学过程的动力学二、二、结晶生长动力学结晶生长动力学1晶体生长机理晶体生长机理 在过饱和溶液中已有晶体形成（加入晶种）后，以过在过饱和溶液中已有晶体形成（加入晶种）后，以过饱和度为推动力，溶质质点会继续一层层地在晶体表面有饱和度为推动力，溶质质点会继续一层层地在

23、晶体表面有序排列，晶体将长大的过程。序排列，晶体将长大的过程。晶体生长过程有三步晶体生长过程有三步：1）待结晶溶质借扩散作用穿过靠近晶体表面的静止液）待结晶溶质借扩散作用穿过靠近晶体表面的静止液层，从溶液中转移至晶体表面。层，从溶液中转移至晶体表面。2）到达晶体表面的溶质嵌人晶面，使晶体长大，同时）到达晶体表面的溶质嵌人晶面，使晶体长大，同时放出结晶热。放出结晶热。3 3）放出来的结晶热传导至溶液中。）放出来的结晶热传导至溶液中。 11.3 结晶结晶过程的动力学过程的动力学2结晶生长速率结晶生长速率 大多数溶液结晶时大多数溶液结晶时, ,晶体生长过程为溶质扩散控晶体生长过程为溶质扩散控制，晶体

24、的生长速率制，晶体的生长速率G为：为： kg生长速率常数生长速率常数 ckGg对溶质扩散与表面反应共同控制的结晶生长过程，对溶质扩散与表面反应共同控制的结晶生长过程，其生长速率常用经验公式估算。其生长速率常用经验公式估算。 ggcKGKg晶体总生长速率常数晶体总生长速率常数 Kg与物系的性质、温度、搅拌等因素有关。与物系的性质、温度、搅拌等因素有关。 g生长指数生长指数 11.3 结晶结晶过程的动力学过程的动力学3结晶物理环境对晶体生长过程的影响结晶物理环境对晶体生长过程的影响 环境条件的改变会导致最终结晶产品的环境条件的改变会导致最终结晶产品的外观形外观形态和晶型态和晶型的改变，原因是不同的

25、环境条件对晶体的改变，原因是不同的环境条件对晶体各个晶面生长速率的影响不同。各个晶面生长速率的影响不同。 结晶过程中，晶面生长速率的影响因素有两类，结晶过程中，晶面生长速率的影响因素有两类， 1)晶体内部单元对晶面的各种应力；它是由晶体内部结构晶体内部单元对晶面的各种应力；它是由晶体内部结构决定的，一般不易改变。决定的，一般不易改变。2)晶面与周围环境的各种作用，如界面粘度、界面张力、晶面与周围环境的各种作用，如界面粘度、界面张力、表面能、界面分子对周围环境中分子的作用力等。在实验表面能、界面分子对周围环境中分子的作用力等。在实验和生产中较易改变和控制的。和生产中较易改变和控制的。最有效和简便

26、的手段是改变溶剂或往结晶母液中加入某些最有效和简便的手段是改变溶剂或往结晶母液中加入某些特定的添加剂。特定的添加剂。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备一一.溶液结晶过程溶液结晶过程 溶液结晶溶液结晶:晶体从过饱和的溶液中析出的晶体从过饱和的溶液中析出的过程。过程。 溶液结晶类型溶液结晶类型: :冷却结晶法、蒸发结晶法、冷却结晶法、蒸发结晶法、真空冷却结晶法、盐析真空冷却结晶法、盐析(溶析溶析)结晶法、反结晶法、反应结晶法。应结晶法。 1.冷却结晶冷却结晶:通过冷却降温使溶液变成过通过冷却降温使溶液变成过饱和，基本上不去除溶剂过程。饱和，基本上不去除溶剂过程。适用于溶解度随温度的降低

27、而显著下降的适用于溶解度随温度的降低而显著下降的物系。物系。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备冷却结晶方法冷却结晶方法：自然冷却、间壁换热冷却和直接接触冷却。：自然冷却、间壁换热冷却和直接接触冷却。 自然冷却法自然冷却法：将热的结晶溶液置于的结晶釜中，靠大气自：将热的结晶溶液置于的结晶釜中，靠大气自然冷却而降温结晶。然冷却而降温结晶。特点特点: :产品纯度较低，粒度分布不均，易发生结块现象产品纯度较低，粒度分布不均，易发生结块现象。 设备所占空间大，容积生产能力较低。但结晶过程设设备所占空间大，容积生产能力较低。但结晶过程设备造价低。备造价低。 间壁换热冷却结晶：间壁换热冷却结晶：

28、典型的内循环式，冷却量由夹套换热典型的内循环式，冷却量由夹套换热器传递。换热面积的较小，换热量不大。器传递。换热面积的较小，换热量不大。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备内循环式间壁冷却结晶器内循环式间壁冷却结晶器外循环式结晶器传热系数较大，换热面积可变，但必须外循环式结晶器传热系数较大，换热面积可变，但必须选用合适的循环泵，以避免悬浮晶体的磨损破碎。选用合适的循环泵，以避免悬浮晶体的磨损破碎。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备外循环式间壁冷却结晶器直接接触冷却结晶直接接触冷却结晶：通过冷却介质与热母液的直接混合而达到通过冷却介质与热母液的直接混合而达到冷却结晶的过程。

29、冷却结晶的过程。冷却介质有空气、与结晶溶液不互溶的碳冷却介质有空气、与结晶溶液不互溶的碳氢化合物和专用的液态冷冻剂。氢化合物和专用的液态冷冻剂。 冷却介质可能对结晶产品产生污染，选用冷却介质可能对结晶产品产生污染，选用的冷却介质不能与结晶母液中的溶剂互溶或的冷却介质不能与结晶母液中的溶剂互溶或者虽互溶但应易于分离。者虽互溶但应易于分离。 11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备2.蒸发结晶蒸发结晶:使溶液在常压或减压下蒸发使溶液在常压或减压下蒸发浓缩而达到过饱和的结晶过程。浓缩而达到过饱和的结晶过程。适用于溶解度随温度降低而变化不大或适用于溶

30、解度随温度降低而变化不大或具有逆溶解度特性的物系。对晶体的粒度具有逆溶解度特性的物系。对晶体的粒度不能有效的加以控制。消耗的热能较多，不能有效的加以控制。消耗的热能较多，加热面问题也给操作带来困难。加热面问题也给操作带来困难。 蒸发结晶器常在真空度不高的减压下操蒸发结晶器常在真空度不高的减压下操作。降低操作温度，以利于热敏性产品的作。降低操作温度，以利于热敏性产品的稳定，并减少热能损耗。稳定，并减少热能损耗。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备3.真空绝热冷却结晶真空绝热冷却结晶：使溶剂在真空下闪使溶剂在真空下闪急蒸发而使溶液绝热冷却的结晶法。急蒸发而使溶液绝热冷却的结晶法。适用于具

31、有正溶解度特性而溶解度随温适用于具有正溶解度特性而溶解度随温度的变化率中等的物系。度的变化率中等的物系。操作原理操作原理：把热浓溶液送入绝热保温的密：把热浓溶液送入绝热保温的密闭结晶器中，器内维持较高的真空度，由于闭结晶器中，器内维持较高的真空度，由于对应的溶液沸点低于原料液温度，溶液闪急对应的溶液沸点低于原料液温度，溶液闪急蒸发而绝热冷却到与器内压强相对应的平衡蒸发而绝热冷却到与器内压强相对应的平衡温度。温度。溶液通过蒸发浓缩及冷却两种效应来产生溶液通过蒸发浓缩及冷却两种效应来产生过饱和度。过饱和度。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备4.盐析盐析(溶析溶析)结晶结晶盐析盐析(溶析

32、溶析)结晶：结晶：向溶液中加入某些物质，以降低向溶液中加入某些物质，以降低溶质在原溶剂中的溶解度，产生过饱和度的方法。溶质在原溶剂中的溶解度，产生过饱和度的方法。盐析剂的要求：能溶解于原溶液中的溶剂，但不盐析剂的要求：能溶解于原溶液中的溶剂，但不（很少）溶解被结晶的溶质，而且溶剂与盐析剂的混（很少）溶解被结晶的溶质，而且溶剂与盐析剂的混合物易于分离合物易于分离(用蒸馏法用蒸馏法)。NaCl是一种常用的盐析剂，如在联合制碱法中，向是一种常用的盐析剂，如在联合制碱法中，向低温的饱和氯化铵母液中加入低温的饱和氯化铵母液中加入NaCl，利用同离子效，利用同离子效应，使母液中的氯化铵尽可能多地结晶出来，

33、以提高应，使母液中的氯化铵尽可能多地结晶出来，以提高结晶收率。结晶收率。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备溶析结晶溶析结晶：向溶液中加入其他的溶剂使溶质析出的：向溶液中加入其他的溶剂使溶质析出的过程。过程。如使不溶于水的有机物质从可溶于水的有机溶剂中如使不溶于水的有机物质从可溶于水的有机溶剂中结晶出来，此时加入酌量的水于溶液中。制药行业中，结晶出来，此时加入酌量的水于溶液中。制药行业中，常向含有医药物质的水溶液中加入某些有机溶剂常向含有医药物质的水溶液中加入某些有机溶剂(如低如低碳醇、酮、酰胺类等碳醇、酮、酰胺类等)的方法使产物结晶出来。的方法使产物结晶出来。特点特点：结晶：结晶温

34、度较低温度较低，对热敏性物质的结晶有利；，对热敏性物质的结晶有利；一般杂质在溶剂与盐析剂的混合物中有较高的溶解度，一般杂质在溶剂与盐析剂的混合物中有较高的溶解度，以利于以利于提高产品的纯度提高产品的纯度；与冷却法结合，可；与冷却法结合，可提高结晶提高结晶收率收率。需要回收设备来处理结晶母液，以需要回收设备来处理结晶母液，以回收溶剂和盐析回收溶剂和盐析剂剂。11.4 溶液结晶过程与设备溶液结晶过程与设备5反应结晶反应结晶 气体与液体或液体与液体之间发生化学反应以产生气体与液体或液体与液体之间发生化学反应以产生固体沉淀，固体的析出是由于反应产物在液相中的浓度固体沉淀，固体的析出是由于反应产物在液相

35、中的浓度超过了饱和浓度或构成产物的各离子的浓度超过了溶度超过了饱和浓度或构成产物的各离子的浓度超过了溶度积的结果。积的结果。 反应结晶过程可分为反应和结晶两步，随着反应的反应结晶过程可分为反应和结晶两步，随着反应的进行，反应产物的浓度增大并达到过饱和，在溶液中产进行，反应产物的浓度增大并达到过饱和，在溶液中产生晶核并逐渐长大为较大的晶体颗粒。生晶核并逐渐长大为较大的晶体颗粒。 反应结晶产生的固体粒子一般较小。要想获得符合反应结晶产生的固体粒子一般较小。要想获得符合粒度分布要求的晶体产品，必须小心控制溶液的过饱和粒度分布要求的晶体产品，必须小心控制溶液的过饱和度，如将反应试剂适当稀释或适当延长沉

36、淀时间。度，如将反应试剂适当稀释或适当延长沉淀时间。 11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用 一、一、结晶操作特性结晶操作特性 结晶是在过饱和溶液中生成新相的过程，结晶是在过饱和溶液中生成新相的过程，涉及固液相平衡。对特定的目标产物及物涉及固液相平衡。对特定的目标产物及物系，需通过实验确定合适的结晶操作条件，系，需通过实验确定合适的结晶操作条件，满足结晶产品质量要求，提高结晶生产能满足结晶产品质量要求，提高结晶生产能力，降低过程成本。力，降低过程成本。结晶操作中的问题。结晶操作中的问题。1过饱和度过饱和度 增大溶液过饱和度可提高增大溶液过饱和度可提高成核速率和生长速率，有利于提高结晶生

37、成核速率和生长速率，有利于提高结晶生产能力。产能力。11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用过饱和度过大会出现问题过饱和度过大会出现问题：1） 成核速率过快，产生大量微小晶体，成核速率过快，产生大量微小晶体，结晶难以长大；结晶难以长大；2） 结晶生长速率过快，影响结晶质量；结晶生长速率过快，影响结晶质量；3） 结晶器壁容易产生晶垢。结晶器壁容易产生晶垢。 存在最大过饱和度，可保证在较高成核存在最大过饱和度，可保证在较高成核和生长速率的同时，不影响结晶的质量。和生长速率的同时，不影响结晶的质量。在不易产生晶垢的过饱和度下进行。在不易产生晶垢的过饱和度下进行。 11. .5 结晶操作及其应用

38、结晶操作及其应用2温度温度 温度的不同，生成的晶形和结晶水会发生改温度的不同，生成的晶形和结晶水会发生改变，变，温度一般控制在较小的温度范围内温度一般控制在较小的温度范围内。冷却结晶时，。冷却结晶时，若降温速度过快，溶液很快达到较高的过饱和度，生成若降温速度过快，溶液很快达到较高的过饱和度，生成大量微小晶体，影响结晶产品的质量。温度最好控制在大量微小晶体，影响结晶产品的质量。温度最好控制在饱和温度与过饱和温度之间饱和温度与过饱和温度之间。蒸发结晶时，蒸发速度过快，则溶液的过饱度较大，蒸发结晶时，蒸发速度过快，则溶液的过饱度较大，生成微小晶体，附着在结晶表面，影响结晶产品的质量。生成微小晶体，附

39、着在结晶表面，影响结晶产品的质量。蒸发速度应与结晶生长速率相适应，保持溶液的过饱和蒸发速度应与结晶生长速率相适应，保持溶液的过饱和度一定。度一定。工业结晶操作常采用真空绝热蒸发，不设外部工业结晶操作常采用真空绝热蒸发，不设外部循环加热装置，蒸发室内温度较低，可防止过饱和度的循环加热装置，蒸发室内温度较低，可防止过饱和度的剧烈变化。剧烈变化。11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用3搅拌与混合搅拌与混合增大搅拌速度可提高成核和生长速率，增大搅拌速度可提高成核和生长速率，搅拌速度过快会造成晶体的剪切破碎，影搅拌速度过快会造成晶体的剪切破碎，影响结晶产品质量响结晶产品质量。为获得较好的混合状态

40、，。为获得较好的混合状态，同时避免结晶的破碎，可采用气提式混合同时避免结晶的破碎，可采用气提式混合方式，或利用直径或叶片较大的搅拌桨，方式，或利用直径或叶片较大的搅拌桨，降低桨的转速。降低桨的转速。11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用4溶剂与溶剂与pH值值结晶操作采用的溶剂和结晶操作采用的溶剂和pH值应使目标溶值应使目标溶质的溶解度较低，以提高结晶的收率。溶质的溶解度较低，以提高结晶的收率。溶剂和剂和pH值对晶形有影响。如普鲁卡因青霉值对晶形有影响。如普鲁卡因青霉素在水溶液中的结晶为方形晶体，在醋酸素在水溶液中的结晶为方形晶体，在醋酸丁酯中的结晶为长棒状。在设计结晶操作丁酯中的结晶为

41、长棒状。在设计结晶操作前需实验确定使结晶晶形较好的溶剂和前需实验确定使结晶晶形较好的溶剂和pH值。值。11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用5.晶种晶种向处于介稳区的过饱和溶液中添加颗粒向处于介稳区的过饱和溶液中添加颗粒均匀的晶种。对于溶液粘度较高的物系，均匀的晶种。对于溶液粘度较高的物系，晶核很难产生，而在高过饱度下，一旦产晶核很难产生，而在高过饱度下，一旦产生晶核，就会同时出现大量晶核，容易发生晶核，就会同时出现大量晶核，容易发生聚晶现象，产品质量不易控制。生聚晶现象，产品质量不易控制。高粘度物系必须用在介稳区内添加晶种高粘度物系必须用在介稳区内添加晶种的操作方法的操作方法。 11

42、. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用6晶浆浓度晶浆浓度晶浆浓度越高，单位体积结晶器中结晶晶浆浓度越高，单位体积结晶器中结晶表面积越大，结晶生长速率越快，有利于表面积越大，结晶生长速率越快，有利于提高结晶生产速度提高结晶生产速度(产量产量)。但晶浆浓度过。但晶浆浓度过高时，悬浮液的流动性差，混合操作困难。高时，悬浮液的流动性差，混合操作困难。晶浆浓度应在操作条件允许的范围内取晶浆浓度应在操作条件允许的范围内取最大值。最大值。在间歇操作中，晶种的添加量应在间歇操作中，晶种的添加量应根据最终结晶产品的大小，满足晶浆浓度根据最终结晶产品的大小，满足晶浆浓度最大的高效生产要求。最大的高效生产要求。

43、 11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用7循环流速循环流速用外部循环式结晶器时，循环流速的设定要合理。用外部循环式结晶器时，循环流速的设定要合理。提高循环流速提高循环流速1）有利于消除设备内的过饱和度分布，使设备内的）有利于消除设备内的过饱和度分布，使设备内的结晶成核速率及生长速率分布均匀；结晶成核速率及生长速率分布均匀；2）可增大固液表面传质系数，提高结晶生长速率；）可增大固液表面传质系数，提高结晶生长速率；3）提高换热效率，抑制换热器表面晶垢的生成；）提高换热效率，抑制换热器表面晶垢的生成；循环流速过高会造成结晶的磨损破碎。循环流速过高会造成结晶的磨损破碎。循环流速应在循环流速应在

44、无结晶磨损破碎的范围内取较大的值无结晶磨损破碎的范围内取较大的值。如果结晶器具备。如果结晶器具备结晶分级功能，循环流速也不宜过高，应保证分级功能结晶分级功能，循环流速也不宜过高，应保证分级功能的正常发挥。的正常发挥。 11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用8结晶系统的晶垢结晶系统的晶垢 结晶器壁及循环系统中产生晶垢，影响结晶过程效率。结晶器壁及循环系统中产生晶垢，影响结晶过程效率。防止晶垢或除去晶垢方法防止晶垢或除去晶垢方法：1）壁内表面采用有机涂料壁内表面采用有机涂料，保持壁面光滑保持壁面光滑，防止在，防止在器壁上的二维成核现象的发生；器壁上的二维成核现象的发生；2）提高提高结晶系统

45、中结晶系统中流体流速流体流速，使流速分布均匀，消，使流速分布均匀，消除低流速区；除低流速区；3）若外循环液体为过饱和溶液，使其中不含有晶种；）若外循环液体为过饱和溶液，使其中不含有晶种；4）采用夹套保温方式防止壁面附近过饱和度过高；）采用夹套保温方式防止壁面附近过饱和度过高；5）增设晶垢铲除装置，定期添加溶剂溶解产生的晶）增设晶垢铲除装置，定期添加溶剂溶解产生的晶垢；垢；6）蒸发室壁面极易产生晶垢，可采用喷淋溶剂的方）蒸发室壁面极易产生晶垢，可采用喷淋溶剂的方式溶解晶垢。式溶解晶垢。11. .5 结晶操作及其应用结晶操作及其应用9共存杂质的影响共存杂质的影响结晶的对象是多组分物系，要选择性结结晶的对象是多组分物系，要选择性结晶目标产物。晶目标产物。如果如果共存杂质的浓度较低，一般对目标共存杂质的浓度较低，一般对目标产物的结晶无明显影响产物的结晶无明显影响。但如果在结晶操。但如果在结晶操作中杂质含量不断升高作中杂质含量不断升高(如采用蒸发式结晶如采用蒸发式结晶操作时操作时)，杂质的积累会严重影响目标产物杂质的积累会严重影响目标产物结晶的纯度结晶的纯度。结晶操作中需要控制杂质的含量，往往结晶操作中需要控制杂质的含量，往往在结晶系统中增设除杂设备在结晶系统中增设除杂设备。离子交换柱离子交换柱或废液排放。或废液排放。