4常用半导体分立器件课件.ppt

1、中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.21第四章第四章 常用半导体分立器件常用半导体分立器件 Diode, Transistor半导体的基本知识与半导体的基本知识与PN结结半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路双极型三极管双极型三极管绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.22学习要求：学习要求：中国石油大

2、学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名322.6.24.1 半导体的基本知识与半导体的基本知识与PN结结一、一、 半导体的基本知识半导体的基本知识体积小、重量轻、寿命长、能耗低。体积小、重量轻、寿命长、能耗低。 1. 半导体半导体 器件的特点器件的特点2. 物质的分类（按其导电能力的大小）物质的分类（按其导电能力的大小）导体导体 如：金、银、铜、锡如：金、银、铜、锡, ,电阻率电阻率, , 10-4cm 绝缘体绝缘体 如：橡胶、陶瓷、塑料、木制品等如：橡胶、陶瓷、塑料、木制品等 1012c

3、m半导体半导体 如：锗、硅、砷化镓，一些硫化物和氧化物如：锗、硅、砷化镓，一些硫化物和氧化物（导电性能介于导体与绝缘体之间，受温度、光照和（导电性能介于导体与绝缘体之间，受温度、光照和 掺杂程度影响极大。）掺杂程度影响极大。） 10-3cm VT时时,VT称为死区电压。称为死区电压。硅管：硅管： VT0.5V，锗管：锗管：VT0.1V。导通时的正向压降导通时的正向压降硅管：硅管：0.6 0.7V，锗管：锗管：0.2 0.3V。正向特性正向特性1) 正向特性正向特性2) 反向特性反向特性当当u0时，时，i= Is（反向饱和反向饱和电流，很小，几乎为零）电流，很小，几乎为零） 。+iDuD3. 二

4、极管伏安特性二极管伏安特性小功率硅管：小功率硅管：1 A小功率锗管：小功率锗管：10100 A中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.223 当反向电压增大至当反向电压增大至U(BR)时，反向电流将突然增大。时，反向电流将突然增大。这种现象称为击穿，二极管失去单向导电性。这种现象称为击穿，二极管失去单向导电性。3 3）反向击穿特性）反向击穿特性604020 0.02 0.0400.4 0.82550I / mAU / V反向特性反向特性击穿电压击穿电压U(BR)4.2半导

5、体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.224中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2254. 主要参数（教材主要参数（教材P114） 2) 最高反向工作电压最高反向工作电压 UDRM 保证二极管不被击穿而给出的最高反向电压，一保证二极管不被击穿而给出的最高反向电压，一般是反向击穿电压的一半或三分之二。般

6、是反向击穿电压的一半或三分之二。1) 最大整流电流最大整流电流 IFM 二极管长时间使用时允许流过的最大正向平均电流。二极管长时间使用时允许流过的最大正向平均电流。3) 最大反向电流最大反向电流 IRM 二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路 用于描述二极管的导电特性，是选择和使用二极用于描述二极管的导电特性，是选择和使用二极管的依据。管的依据。4.2半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子

7、学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.226 二极管是一种非线性器件，一般采用非线性电二极管是一种非线性器件，一般采用非线性电路的路的分析法。分析法。oiDuD 二极管导通后，二极管导通后，管压降是管压降是恒定值恒定值。硅管：硅管：uD0.7V，锗管：锗管：uD0.3V。相当于一相当于一理想开关理想开关。2.恒压降模型恒压降模型1. 理想模型理想模型+iDuDAK 正向偏置时，二极管正向偏置时，二极管正向导通，管压降正向导通，管压降vD0，相当于短路；相当于短路； 反向偏置时，二极管反向偏置时，二极管反向截止，电流反向截止，电流iD0，相，相当于开路。当于开路。+iDuD

8、中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.227 在电子技术中二极管电路得到广泛应用。基本电在电子技术中二极管电路得到广泛应用。基本电路有限幅电路、整流电路、钳位电路、开关电路等。路有限幅电路、整流电路、钳位电路、开关电路等。1.1.判断二极管在电路中的工作状态判断二极管在电路中的工作状态常用的方法是：常用的方法是： 2)2)只含一个二极管只含一个二极管D D时时：先假设二极管断开，然先假设二极管断开，然后求得二极管后求得二极管阳极阳极与与阴极阴极之间将承受的电压之间将承受

9、的电压U 1）由于二极管的特性为非线性，通常用比较二由于二极管的特性为非线性，通常用比较二极管极管2个电极的电位高低个电极的电位高低来确定其工作状态。来确定其工作状态。U 导通电压，二极管正向偏置，导通，导通电压，二极管正向偏置，导通，D D两端两端的实际压降为导通压降（理想时取零）；的实际压降为导通压降（理想时取零）；U 0，D导通，导通，uo=us；半波整流电路半波整流电路当当usUON时，时，D1导通，导通，D2截止，截止， uo=0.7V； 当当uS UON时，时，D2导通，导通，D1截止，截止， uo=0.7V； 当当| uS | UON时，时，D1、D2均截止，均截止， uo= u

10、s。输出。输出电压被限幅在电压被限幅在 0.7V，称，称双向限幅电路。双向限幅电路。+中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.233例例4.2.34.2.3在图中，输入电位在图中，输入电位 VA = + 3 V， VB = 0 V， 电阻电阻 R 接接负电源负电源 12 V。设二极管的正向压降是设二极管的正向压降是 0.3V, ,求输出求输出端电位端电位 VO。 因为因为VA 高于高于VB ，所以，所以D1 优先优先导通。二极管的正向压降是导通。二极管的正向压降是 0.3

11、V，则，则 VO = + 2.7V。 当当 D1 导通后导通后, D2 因反偏而截因反偏而截止。止。 D1起起钳位作用钳位作用，将输出端电位，将输出端电位钳制在钳制在 + 2.7 V。 解：解：D112VVoD2VAVB4.2半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.234三、三、 特殊二极管特殊二极管 一种特殊的面接触型半一种特殊的面接触型半导体硅二极管，工作于反导体硅二极管，工作于反向击穿区。向击穿区。I/mAOUZIZI

12、ZM+ 正向正向 +反向反向 UZ IZU/V1. 稳压管稳压管 稳压管反向击穿后，电稳压管反向击穿后，电流虽在很大范围内变化，流虽在很大范围内变化，但其两端的电压变化很但其两端的电压变化很小。小。稳压特性，利用稳压特性，利用此特性，稳压管在电路中此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。可起稳压作用。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1 1）符号及特性）符号及特性中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.235 2 2）稳压管的主要参数：）稳压管的主要参数：1.

13、稳定电压稳定电压UZ 4. 稳定电流稳定电流 IZ、最大、最小稳定电流、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。3. 动态电阻动态电阻 rZ2. 电压温度系数电压温度系数 U （%/）5. 最大允许耗散功率最大允许耗散功率 PZMZZZIUr maxZZZMIUP 稳压值受温度变化影响的系数。稳压值受温度变化影响的系数。4.2半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.236 电阻的作用电阻的作用: 起限流作用，以保护稳起限流

14、作用，以保护稳压管；压管； 当输入电压或负载电流当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。稳压作用。稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。3）稳压二极管应用）稳压二极管应用中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.237正常稳压时正常稳压时 UO =UZ 稳压条件是什么？稳压条件是什么？

15、IZmin IZ IZmax不加不加R可以吗？参见书可以吗？参见书上上P116-117当当Ui为正弦波，且幅值大于为正弦波，且幅值大于UZ ， UO的波形是怎样的？的波形是怎样的？4.2半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2382.2.发光二极管发光二极管ak 当电流流过时，发光二极当电流流过时，发光二极管将发出光来，光的颜色由管将发出光来，光的颜色由二极管材料（如砷化镓、磷二极管材料（如砷化镓、磷化镓）决定。化镓）决定

16、。 发光二极管通常用作显示发光二极管通常用作显示器件，工作电流一般在几器件，工作电流一般在几mA至几十至几十mA之间。之间。另一重要作用：将电信号变另一重要作用：将电信号变为光信号，通过光缆传输，为光信号，通过光缆传输，然后用光电二极管接收，再然后用光电二极管接收，再现电信号。现电信号。发光二极管的符号发光二极管的符号中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2393.3.光电二极管光电二极管akakipup+ （a）光电二极管的符号）光电二极管的符号（b）光电二极管的等效

17、电路）光电二极管的等效电路 光电二极管可将光信号转变为电信号。其特光电二极管可将光信号转变为电信号。其特点是它的反向电流与光照强度成正比。点是它的反向电流与光照强度成正比。4.2半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名4022.6.24.3 4.3 双极型三极管双极型三极管三极管的结构和工作原理三极管的特性曲线和主要参数中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学

18、 chapter 4 随机点名随机点名22.6.241一、半导体三极管的结构和工作原理一、半导体三极管的结构和工作原理三极管的结构与符号三极管的结构与符号电流分配与放大作用电流分配与放大作用4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.242我国：我国：19571957年，通过还原氧化锗，锗单晶，并制年，通过还原氧化锗，锗单晶，并制作出锗晶体管。作出锗晶体管。19591959年，年，硅（硅（Si）单晶。）单晶。 半导体三极管中由于有电子和空

19、穴两种载流半导体三极管中由于有电子和空穴两种载流参与导电，也称双极型晶体管（参与导电，也称双极型晶体管（BJT），简称晶体），简称晶体管或三极管。按频率可分为：高频管，低频管；管或三极管。按频率可分为：高频管，低频管；按材料可分为：硅管，锗管；按结构可分为：按材料可分为：硅管，锗管；按结构可分为：NPN型和型和PNP型。型。19471947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管（锗管触式晶体管（锗管) )，从而开创了人类的硅文，从而开创了人类的硅文明时代。明时代。次年，制作出第一只次年，制作出第一只SiSi管管 中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电

20、工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2431. 1. 三极管的结构与符号三极管的结构与符号N 型硅型硅BECN 型硅型硅P 型硅型硅( (a) ) 平面型平面型二氧化硅二氧化硅保护膜保护膜铟球铟球N 型锗型锗ECBPP( (b) )合金型合金型铟球铟球 半导体三极管，简称晶体管或三极管，由于有电半导体三极管，简称晶体管或三极管，由于有电子和空穴两种载流子参与导电，也称双极型晶体管子和空穴两种载流子参与导电，也称双极型晶体管（bipolar junction transistor, BJT）；是由）；是由2个个

21、PN结结背靠背构成的：背靠背构成的：具有电流放大作用。具有电流放大作用。4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.244 三极管按结构可分为：三极管按结构可分为：NPNNPN型和型和PNPPNP型。我们型。我们主要以主要以NPNNPN型三极管为例来学习，一切方法和结论型三极管为例来学习，一切方法和结论都可以用于都可以用于PNPPNP型。型。集电极集电极，用，用C或或c表示表示（Collector）集电区集电区，掺，掺杂浓度低杂浓度低基极

22、基极，用，用B或或b表表示（示（Base）基区基区，薄，薄发射极发射极，用，用E或或e表表示（示（Emitter）发射区发射区，掺，掺杂浓度高杂浓度高发射结发射结(Je)集电结集电结(Jc)，面，面积比发射结大积比发射结大中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.245 符号中，发射极的符号中，发射极的箭头箭头代表发射极电流代表发射极电流的的实际实际方向。方向。becbec NPN型与型与PNP型三极管的工作原理相似，型三极管的工作原理相似，只是使用时所加电源的极性不同。只

23、是使用时所加电源的极性不同。4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.246mA AVVmAICECIBIERB+UBE +UCE EBCEB3DG100 用实验说明三极用实验说明三极管的电流分配与放大管的电流分配与放大作用。作用。 实验电路采用共发实验电路采用共发射极接法，射极接法，NPN 型管。型管。 为了使三极管具有放大作用，电源为了使三极管具有放大作用，电源 EB 和和 EC 的的极性必须使极性必须使发射结上加正向电压发射结上加

24、正向电压(正向偏置正向偏置)，集电结，集电结加反向电压加反向电压(反向偏置反向偏置)。 改变可变电阻改变可变电阻 RB，则基极电流，则基极电流 IB、集电极电、集电极电流流 IC 和发射极电流和发射极电流 IE 都发生变化。都发生变化。2.2.电流分配与放大作用电流分配与放大作用中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.247IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE/mA 0

25、UBC VB VEPNP 型三极管应满足型三极管应满足: UBE 0即即 VC VB VB VE +iBiCuBEuCEIC IB（2） 截止区截止区对应对应IB = 0 以下的区域。以下的区域。 三极管要处于截止状态：三极管要处于截止状态： 发射结和集电结均处于反向偏置发射结和集电结均处于反向偏置 。为了使三极管。为了使三极管可靠截止，常使可靠截止，常使 UBE 0，此时，此时, IC 0 。 PNP 型管型管: VC VB VE 中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6

26、.252（3） 饱和区饱和区 三极管处于饱和状态：三极管处于饱和状态：发射发射结和集电结均处于正向偏置状态。结和集电结均处于正向偏置状态。 在饱和区，在饱和区，IC 和和IB 不成正比不成正比:iC VBVE， PNP型有型有VCVBVE。可见。可见基极电位基极电位总是总是居中居中，据此可确定，据此可确定基极基极。2）硅管）硅管|UBE|=0.60.8V，锗管，锗管 |UBE|=0.20.4V，则，则与与基极电位相差此值的电极为发射极基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是，并可判断是硅管还是锗管。硅管还是锗管。3）余下一电极为集电极。）余下一电极为集电极。4）集电极电位集电极电位为为最高最

27、高的是的是NPN型管，集电极电位型管，集电极电位为为最低最低的是的是PNP型管。型管。中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.256（c）PNP型硅管，型硅管，-集电极，集电极，-基极，基极，-发射极发射极（a）NPN型硅管，型硅管，-发射极，发射极，-基极，基极，-集电极集电极（d）NPN型锗管，型锗管，-基极，基极，-集电极，集电极，-发射极发射极（b）PNP型锗管，型锗管，-集电极，集电极，-基极，基极，-发射极发射极4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大

28、学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.257例例4.3.2 测得电路中三极管测得电路中三极管3个电极的电位如图所示。个电极的电位如图所示。问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些已损坏？倒置状态，哪些已损坏？ （a a） （b b） （c c） （d d） （e e） （f f） （g g） （h h）中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子

29、学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.258 （a a） （b b） （c c） （d d） （a）发射结、集电结均反偏，管子截止。）发射结、集电结均反偏，管子截止。（b）发射结反偏、集电结正偏，管子倒置。）发射结反偏、集电结正偏，管子倒置。（c）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。（d）发射结、集电结均正偏，管子饱和。）发射结、集电结均正偏，管子饱和。4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.

30、6.259（e）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。（f）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。（g）发射结偏、集电结均正偏，管子饱和。）发射结偏、集电结均正偏，管子饱和。（h）VBE=2.7V，远大于发射结正偏时的电压，远大于发射结正偏时的电压， 故管子已损坏。故管子已损坏。 中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2602.2.三极管的主要参数三极管的主要参数（1）电流放大系数）电流放大系数 ，直流放大

31、系数直流放大系数BCII QIIBC 交流放大系数交流放大系数 在输出特性曲线近于平行等距并且在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较较小的情况下小的情况下, ,可近似认为可近似认为 iCuCEoICEO4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.261（2）极间反向电流）极间反向电流1）集）集-基极间反向饱和电流基极间反向饱和电流 ICBOA+ICBOUCC 其大小取决于温度和少数载其大小取决于温度和少数载流子的浓度。流子的浓度。小

32、功率锗管：小功率锗管：ICBO10A，小功率硅管：小功率硅管：ICBO1A。测量电路测量电路2）集）集-射极间反向饱和（穿透）电流射极间反向饱和（穿透）电流 ICEOAICEOUCCICEO=（1+）ICBO ICEO大的管子性能不稳定，通常大的管子性能不稳定，通常把把ICEO作为判断管子质量的重要依作为判断管子质量的重要依据。据。当工作环境温度变化范围较大时应选硅管。当工作环境温度变化范围较大时应选硅管。中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.262（3）极限参数）极限

33、参数1）集电极最大允许电流）集电极最大允许电流ICM 当当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流电流，称为集电极最大允许电流 ICM 。2）集）集射反相击穿电压射反相击穿电压 U(BR)CEO表示三极管电极间承受反向电压的能力。表示三极管电极间承受反向电压的能力。当当UCE U(BR)CEO时，时，ICEO，管子损坏。，管子损坏。4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2

34、633）集电极最大允许功率损耗）集电极最大允许功率损耗PCMPCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值，集电结会过热烧毁。此值，集电结会过热烧毁。 PCM= iCuCE 对大功率管为了提对大功率管为了提高高PCM ，通常采用加，通常采用加散热装置的方法。散热装置的方法。iCU(BR)CEOuCEPCMoICEO安安 全全 工工 作作 区区ICM中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2643. 3. 三极管的其它形式三极管的其它

35、形式1）复合三极管）复合三极管1 2复合管的类型复合管的类型取决于取决于T1管管4.3三极管结构及原理三极管结构及原理中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.2652）光电三极管和光电耦合器（）光电三极管和光电耦合器（P137） 将光信号转变为电流信号，且可将光电流放大将光信号转变为电流信号，且可将光电流放大倍。倍。光电三极管光电三极管光电耦合器光电耦合器实现电实现电-光光-电的传电的传输和转换。输和转换。中国石油大学电工电子教学中心中国石油大学电工电子教学中心下一页下一页返回返回上一页上一页目录目录电工电子学电工电子学 chapter 4 随机点名随机点名22.6.266第三次实验：实验四第三次实验：实验四 一阶一阶RC电路过渡过程的研究（电路过渡过程的研究（P87） 需要预习仪器的使用方法：示波器、信号发生器、需要预习仪器的使用方法：示波器、信号发生器、交流毫伏表（参见实验书第三章内容）交流毫伏表（参见实验书第三章内容）第四次实验：实验五第四次实验：实验五 单管交流放大电路（单管交流放大电路（P90）第五次实验：实验三第五次实验：实验三 集成运算放大器实现的运算电路集成运算放大器实现的运算电路 （P111）作业作业:4.1（b）、（）、（d）