1、铝栅CMOS IC制造工艺流程序号序号工工 序序 名名 称称工工 艺艺 要要 求求1硅 片 准 备3”N型100，电阻率36cm，数量：3片，划标记A1A3，B1B32工艺准备一次氧化清洗程序A，干氧氧化，tox = 200nm 300nm3光刻P阱区、刻蚀湿法腐蚀，不去胶4P阱区硼注入（外协）注入能量：80KEV，注入剂量：2.0E135P阱推进及氧化1200干氧氧化，时间5小时，tox =300nm 500nm，R 2500/，Xj 4.0m6光刻PMOS管源漏区、刻蚀清洗程序E7PMOS管源漏区硼预扩散清洗程序A，950，30分钟源8PMOS管源漏区硼再扩散（氧化） 清洗程序B ，950
2、干湿干 tox =250nm 350nm9光刻NMOS管源漏区、刻蚀清洗程序E10NMOS管源漏区磷扩散扩散前清洗程序A，950，30分钟 源扩散后清洗程序B11光刻栅孔、刻蚀清洗程序E12栅氧化清洗程序A 950干氧氧化，tox = 40nm 60nm13光刻接触孔、刻蚀清洗程序E14蒸发铝清洗程序C，tAl = 0.5m 1.0m15光刻铝电极、刻蚀铝清洗程序E16芯片测试Vtp0.3V3.0V ，Vtn0.3V3.0V，BVds10V 图图A A为为1K1K的电阻单元、以及一个二极管单元的电阻单元、以及一个二极管单元 n图图H H为简单三极管测试图形。通过最基本三极管结为简单三极管测试图形。通过最基本三极管结构的测试，来了解三极管的工作特性构的测试，来了解三极管的工作特性图图K K两管单元简化与非门，其等效电路图如下两管单元简化与非门，其等效电路图如下
