导电聚合物薄膜材料课件.ppt

1、l导电聚合物薄膜材料的力学性能的常导电聚合物薄膜材料的力学性能的常见研究方法见研究方法lThe mechanical behaviors of conducting polymer thin film measured with a traditional methodl研究背景研究背景/Backgroundl直接测量法直接测量法/direct-measuring methodl电子散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/ESPIl导电聚合物薄膜材料电化学制备工艺导电聚合物薄膜材料电化学制备工艺/the electrochemical working technology of the samp

2、lerl薄膜技术与讨论薄膜技术与讨论/The thin films technology and discussionsl 结论结论/Conclusions年代相对重要性406080902000 20102020金属高分子材料复合材料陶瓷导电聚合物高温聚合物高模量聚合物聚脂环氧树脂聚苯乙烯研究背景研究背景/Backgroundl导电高分子材料具有以下特点：1)是多学科交叉、知识密集、技术密集、资金密集的一类新产业2)它的设计、制备、质量控制及性能测试等方面，综合利用了现代先进技术。3)它的生产规模小，但品种多，更新换代快，价格昂贵，技术保密性强属于难度较大的产业。 高分子材料通常被认为是一类导

3、电性能差的绝缘材料。20世纪70年以来，出现了具有导电性能的一些有机材料，聚乙炔则是公认的第一个有机导电高分子。这一贡献主要由日本科学家-白川英树和美国A.G. Macdiarmd 。他们将聚乙炔的导电率从10-9 S/m提高到103 S/m。从半导体变成了金属型导体（1971年）。 高分子导电机理：有离子传导理论，电子传导理论和新近提出的孤子理论。 离子性导电高分子材料是含有某离子的固体（如聚氧乙烯），他们能溶解某种无机盐，而且溶入的盐呈离子状态。离子在电场作用下移动，产生电流。 高分子中物质的移动速度因高分子本身运动性能的增加而增大因此，温度越高，这类高分子的导电率就越大。而且，这类材料中

4、一些离子浓度随湿度的增加而增大，导电率也随湿度的增加而增大，所以这类材料可以作湿敏传感器。l 导电高分子材料的制备： 要想获得具有导电性的高分子材料，有以下两种方法：1）使高分子本身具有导电性，这就是合成共轭体系的高分子并适当掺杂。2）把导电性的填充剂分散到高分子中，制成复合材料。 这类材料可以做到强度比金属高，更耐腐蚀，而且生产过程耗能低，成型加工工艺良好，成本较低，所以发展很快。特别是根据需要，通过分子设计进行试制和生产。l 导电高分子的掺杂：1）导电高分子的掺杂是指经过化学、电化学、物理和光学的过程，使高分子链变成导电结构，即产生导电载流子，并适当掺杂。2）按与单体单元的摩尔比计算，掺杂

5、剂的用量一般在百分之几到百分之几十。3）掺杂之后，掺杂剂残基嵌入高分子的分子链之间，起到离子作用，但他们本身不参加导电。4）掺杂后的高分子可以呈半导体性，也可以呈金属性，取决于掺杂的程度。l导电高分子材料的用途：导电高分子材料有多方面的用途，最主要的有：1）可以进行氧化还原掺杂和去掺杂，并且可以通过电极反应来实现，因此可以用来作充电电池的电极材料。2）高分子在一定掺杂程度上呈现半导体性质，因而可以制成二极或三极管。1986年日本用聚噻吩制成了场效应管，其效率很高。3）用于电致变色和显示。如聚吡咯等显示元件的开关时间约为20s，开关寿命达到107次，接近液晶水平，可以用全固体显示器，可能会实现显

6、示技术的一大突破。l导电高分子材料的用途：4）用于传感器和检测器。如聚呋喃湿度传感器，聚噻吩电子射线测量计，聚吡咯NO,NO2,CO气体传感器等都已问世。此外，导电高分子在电磁屏蔽和抗静电方面也有实际的应用，尤其是隐形飞机的出现，也激发了导电高分子作为微波或电磁波吸收材料的研究。l 导电聚合物薄膜材料物理化学以及力学特点：导电聚合物薄膜材料物理化学以及力学特点：l（1）导电性从绝缘到接近金属材料整个范围内）导电性从绝缘到接近金属材料整个范围内可以控制；可以控制；l（2）化学性能稳定，不易挥化；）化学性能稳定，不易挥化；l（3）具有金属铝的强度，韧性较好，形状固定，）具有金属铝的强度，韧性较好，

7、形状固定，易剪裁；易剪裁；l（4）可以制备成纳米管状的薄膜。）可以制备成纳米管状的薄膜。l导电聚合物薄膜材料应用领域：导电聚合物薄膜材料应用领域：l（1）根据其导电特性多用于各种半导体装置）根据其导电特性多用于各种半导体装置l（如二极管、（如二极管、p-n结、信息储存、塑料传感器）结、信息储存、塑料传感器）l（2）热、光、磁、电等敏感元件）热、光、磁、电等敏感元件l（3）根据其特点：可以作为抗静电、防腐、隐）根据其特点：可以作为抗静电、防腐、隐l形涂层等形涂层等l（4）根据其他特点：可以用作显像管、微波扫）根据其他特点：可以用作显像管、微波扫l描等。描等。l研究现状：研究现状：l 目前对导电高

8、分子的研究，国外有文章评价为：目前对导电高分子的研究，国外有文章评价为：已经进入从青铜时代向高分子时代转型的新时期。已经进入从青铜时代向高分子时代转型的新时期。(is in transition from the bronze age to the era of polymersG.Inzelt, et al.Electrochimica Acta 45 (2000) 2403-2421)。 l 研究重点主要集中在材料与器件的功能以及制备研究重点主要集中在材料与器件的功能以及制备中出现的物理、化学特性，电化学反应控制、聚合链中出现的物理、化学特性，电化学反应控制、聚合链上多种相互作用的分子形成

9、过程，分子聚合特性、材上多种相互作用的分子形成过程，分子聚合特性、材料微组织结构以及这些材料的物理、化学特性以及力料微组织结构以及这些材料的物理、化学特性以及力学性能参数的检测。学性能参数的检测。l 但用电子散斑干涉技术精确测试材料的力学性能但用电子散斑干涉技术精确测试材料的力学性能以及进行断裂分析的研究国内外尚未见报道。以及进行断裂分析的研究国内外尚未见报道。石油、天然气裂解、蒸馏有机原料乙炔、乙烯有机合成聚合、缩合等高分子材料聚噻吩导电聚噻吩薄膜导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺/Working technology of CPTF材料的制备技术和工艺过程对材料的性能

10、会产生巨大的影响材料的制备技术和工艺过程对材料的性能会产生巨大的影响, ,因此，对制备技术和工艺过程的研究十分必要。因此，对制备技术和工艺过程的研究十分必要。导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺/Working technology of CPTFn电极体系电极体系n聚合电位聚合电位1.3Vn三氟化硼三氟化硼乙醚体系乙醚体系n单体浓度单体浓度30mmol/L三电极电化学薄膜制备示意图三电极电化学薄膜制备示意图IM KOHElectrochemicalPolymerizationITO contactelectrodeMicroporousaluminamembrane(MA

11、M)ITO/Au/MAMAligned PthtubulesAu vapordeposition纳米管导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺纳米管导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺l 电子散斑干涉系统由光学干涉仪和信息处理系统组成。光学干涉仪形成原始散斑干涉场，由CCD探测器将其转换成标准视频信号输入到带图像卡的计算机进行图像处理，最后可以直接在屏幕上观察到与变形相关的干涉条纹。l 实验系统主要包括: (1)外腔式激光器；(2)光束提升器；(3)渐变分光器；(4)过半球扩束镜；(5)分光棱镜；(6)全反射镜；(7)变焦镜；(8)CCD摄像头；(9)偏振片；(10)带图像卡的计算机；(11)试件等。l 典型实验

12、光路如图1所示:l实验方法:l(1)按设定的实验光路布置好各光学元器件后，适当调整变焦镜，使被测试件成像清晰、大小适中；l(2)通过CCD取得一幅像，然后加载使试件产生形变后取得第二幅像，利用图像卡，自动将这两幅像相减，最后可以直接在屏幕上观察到与变形相关的干涉条纹。l测量原理：l 电子散斑干涉计量系统可直接显示等离面位移条纹以及等面内位移条纹，从而利用等位移条纹测出物的位移。l(1)测量离面位移，如图2所示；l(2)测量面内位移，如图3所示。l 设物体沿z方向(即沿与物面垂直方向)有位移Uz ，理论上证明，变形前后散斑的位相变化为：l =2/Uz(1+cosi)l式中I为照射物面激光束的入射

13、角。l 当=2N时，变化前后的散斑图像完全相同。通过计算机图像处理将记录存储的变形前散斑图与变形后的散斑图相减，得到黑条纹位置，于是，l Uz N/(1+cosi)。l 设物体沿x方向产生位移Ux ，沿y方向产生位移Uy，沿z方向产生位移Uz ，则位移前后的程差改变为： l左=Uz cosi +Uxsinil右=Uz cosi Uxsini 这里l左 、l右分别表示 左、右两边入射激光束由于物体位移而产生的程差。这两支光束相对位相改变为： =2/(2Uxsini ) 如果=2N，则位移前后散斑图相减为0，形成黑纹。于是：UxN/(2sini ) 黑条纹就是沿x方向等面内位移分量的轨迹。下夹持薄

14、膜试样力传感器加力架螺旋加力杆螺母电子散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPI2.63N时测得的条纹图3.53N时测得的条纹图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions3.71N时测得的条纹图3.82N时测得的条纹图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions0.000.010.020.030.040.050.060.070.080.090.10010203040506070809010011

15、0120 Thickness:0.026mm,Width:11mm Thickness:0.020mm,Width:11mm Thickness:0.007mm,Width:11mm Thickness:0.065mm,Width:11mm Thickness:0.007mm,Width:11mm Thickness:0.045mm,Width:11mm Thickness:0.015mm,Width:5mm Thickness:0.004mm,Width:5mmThiophene thin filmsTensile strength (MPa)Total strain (%)实验结果与讨论实

16、验结果与讨论/The experimental results and discussions实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口图微米厚度的聚噻吩薄膜断口图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口图微米厚度的聚噻吩薄膜断口图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口图微米厚度的聚噻吩薄膜断口图实验结果

17、与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口放大图微米厚度的聚噻吩薄膜断口放大图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussionsMircocrack on the surface of film实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的薄膜自由表面裂纹图微米厚度的薄膜自由表面裂纹图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and

18、discussions20微米厚度的薄膜与基底接触表面形貌图微米厚度的薄膜与基底接触表面形貌图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimentalresults and discussions20微米聚噻吩管薄膜自由表面形貌图微米聚噻吩管薄膜自由表面形貌图实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussions聚噻吩管薄膜材料的侧向图聚噻吩管薄膜材料的侧向图0.000.010.020.030.040.050.060.07012345678910 Thiophen thin filmsTensile testingYoungs mo

19、dulus E (GPa)Thickness of the thin films (mm)实验结果与讨论实验结果与讨论/The experimental results and discussionsl研究表明研究表明4微米厚左右的导电薄膜的力学强度最大。微米厚左右的导电薄膜的力学强度最大。l电子散斑干涉微测系统可以很好地测定薄膜的变形。电子散斑干涉微测系统可以很好地测定薄膜的变形。l分阶段镀膜工艺可以改变导电聚噻吩薄膜材料的力学分阶段镀膜工艺可以改变导电聚噻吩薄膜材料的力学性能参数。性能参数。l实验结果证明了薄膜厚度对其力学性能影响的主要原实验结果证明了薄膜厚度对其力学性能影响的主要原因是薄膜生长机制不同。因是薄膜生长机制不同。l 薄膜厚度在薄膜厚度在10微米以上，材料的弹性模量与厚度无关。微米以上，材料的弹性模量与厚度无关。