MOSFET与IGBT的结构与工作原理课件.ppt

1、 直流牵引传动具有调速性能好、控制简单等优点，调节端直流牵引传动具有调速性能好、控制简单等优点，调节端电压与励磁，就可以方便地调速。但是由于直流牵引电机防空转电压与励磁，就可以方便地调速。但是由于直流牵引电机防空转的性能较差，换向器与电刷结构存在一系列缺点，如：等功率下的性能较差，换向器与电刷结构存在一系列缺点，如：等功率下电动机的体积与重量较大，换向困难，易产生环火与繁杂的维护，电动机的体积与重量较大，换向困难，易产生环火与繁杂的维护，特别是高电压大功率时，换向变得困难，电位条件恶化，使得电特别是高电压大功率时，换向变得困难，电位条件恶化，使得电动机的可靠性与稳定性降低。而交流电动机相对直流

2、电机来说优动机的可靠性与稳定性降低。而交流电动机相对直流电机来说优点更有更明显的优势：没有换向器、结构简单、成本低、工作可点更有更明显的优势：没有换向器、结构简单、成本低、工作可靠、寿命长、维修与运行费用低、防空转性能好等。目前城市轨靠、寿命长、维修与运行费用低、防空转性能好等。目前城市轨道交通车辆普遍采用的是交流异步牵引电动机。道交通车辆普遍采用的是交流异步牵引电动机。通过城轨车辆交流牵引传动系统维护与调试项目的学习，通过城轨车辆交流牵引传动系统维护与调试项目的学习，使学生掌握城轨车辆交流牵引传动系统的结构及主电路工作原理使学生掌握城轨车辆交流牵引传动系统的结构及主电路工作原理与基本控制原理

3、，培养学生利用相关仪器、设备对城轨车辆交流与基本控制原理，培养学生利用相关仪器、设备对城轨车辆交流牵引传动系统维护、调试及常见故障分析与检修的能力；掌握牵牵引传动系统维护、调试及常见故障分析与检修的能力；掌握牵引变流器检查维护的安全操作规范。引变流器检查维护的安全操作规范。【项目描述【项目描述】n1、掌握城轨车辆交流牵引传动系统的结构及主电路工作原理与基本控制原理n2、了解城轨车辆交流牵引传动系统的主要设备，掌握交流牵引电机的结构、工作原理；n3、掌握城轨车辆直交变频调速的工作原理与能耗制动、再生制动方法；n4、培养学生利用相关仪器、设备对城轨车辆交流牵引传动系统维护、调试及常见故障分析与检修

4、的能力；n5、掌握城轨车辆牵引变流器检查维护的安全操作规范。【学习目标学习目标】n城轨车辆电气系统由主牵引传动系统、辅助供电系统、牵引制动控制系统、车门控制系统四大系统组成，如图3-1所示。本项目主要介绍城轨车辆交流主牵引传动系统，如图3-2所示。n城轨车辆采用DC1500V或750供电，经过滤波环节，然后经过逆变器逆变为变压变频（VVVF）的三相交流电，供给三相异步牵引电动机，对牵引电动机实现调速与功率调节。n电传动系统主电路一般是指一个车辆单元的牵引动力电路。由以下部分组成：受流器、牵引箱（PA）、牵引电机、制动电阻箱、电抗器、电气开关等。【项目导入【项目导入】图3-1 城轨车辆电气系统示

5、意图图3-2 城轨车辆交流传动主电路示意图【项目导入【项目导入】3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性的结构、工作原理与特性n逆变器是将输入的直流电通过电力电子装置变换为变压变逆变器是将输入的直流电通过电力电子装置变换为变压变频的三相交流电。目前城轨车辆逆变器普遍采用的电力电频的三相交流电。目前城轨车辆逆变器普遍采用的电力电子器件是子器件是MOSFET与与IGBT。下面介绍。下面介绍MOSFET与与IGBT的结构、工作原理与特性。的结构、工作原理与特性。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn功率场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field E

6、ffect Transistor）简称MOSFET。与GTR相比，功率MOSFET具有开关速度快、损耗低、驱动电流小、无二次击穿现象等优点。它的缺点是电压还不能太高、电流容量也不能太大。所以目前只适用于小功率电力电子变流装置。3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性的结构、工作原理与特性（1）功率MOSFET的结构及工作原理1）结构n功率场效应晶体管是压控型器件，其门极控制信号是电压。n它的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。n功率场效应晶体管有N沟道和P沟道两种。N沟道中载流子是电子，P沟道中载流子是空穴，都是多数载流子。其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。功率MOSFET绝大多数是N

7、沟道增强型。这是因为电子作用比空穴大得多。N沟道和P沟道MOSFET的电气图形符号如图4-12所示。3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性的结构、工作原理与特性（a）功率MOSFET的结构 （b）电气图形符号3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性的结构、工作原理与特性一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn功率场效应晶体管与小功率场效应晶体管原理基本相同，功率场效应晶体管与小功率场效应晶体管原理基本相同，但是为了提高电流容量和耐压能力，在芯片结构上却有很但是为了提高电流容量和耐压能力，在芯片结构上却有很大不同：电力场效应晶体管采用小单元集成结构来提高电大不同：电力场效应晶

8、体管采用小单元集成结构来提高电流容量和耐压能力，并且采用垂直导电排列来提高耐压能流容量和耐压能力，并且采用垂直导电排列来提高耐压能力。力。n几种功率场效应晶体管的外形如图几种功率场效应晶体管的外形如图4-13。3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性的结构、工作原理与特性一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFET图4-13 几种功率场效应晶体管的外形一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn2）工作原理n当D、S加正电压（漏极为正，源极为负），UGS=0时，P体区和N漏区的PN结反偏，D、S之间无电流通过；如果在G、S之间加一正电压UGS，由于栅极是绝缘的，所以不会有电

9、流流过，但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于某一电压UT时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型半导体反型成N型半导体而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。电压UT称开启电压或阀值电压，UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流越大。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn（2）功率）功率MOSFET的特性与参数的特性与参数n1）功率MOSFET的特性n转移特性nID和UGS的关系曲线反映了输入电压和输出电流的关系，称为MOSFET的转移特性。如图414（a）所示。从

10、图中可知，ID较时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导，即：nMOSFET是电压控制型器件，其输入阻抗极高，输入电流非常小。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn输出特性n图414(b）是MOSFET的漏极伏安特性，即输出特性。从图中可以看出，MOSFET有三个工作区：n截止区。UGSUT，ID=0，这和电力晶体管的截止区相对应。n饱和区。UGSUT，UDSUGS-UT，当UGS不变时，ID几乎不随UDS的增加而增加，近似为一常数，故称饱和区。这里的饱和区并不和电力晶体管的饱和区对应，而对应于后者的放大区。当用做线性放大时，MOSFET工作在该区。

11、一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn非饱和区。UGSUT，UDSUGS-UT，漏源电压UDS和漏极电流ID之比近似为常数。该区对应于电力晶体管的饱和区。当MOSFET作开关应用而导通时即工作在该区。n在制造功率MOSFET时，为提高跨导并减少导通电阻，在保证所需耐压的条件下，应尽量减小沟道长度。因此，每个MOSFET元都要做得很小，每个元能通过的电流也很小。为了能使器件通过较大的电流，每个器件由许多个MOSFET元组成。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn开关特性n图图415是用来测试是用来测试MOSFET开关特性的电路。图中开关特性的电路。图中up为矩形脉

12、冲电为矩形脉冲电压信号源，压信号源，n波形见图波形见图415(b），），Rs为信号源内阻，为信号源内阻，RG为栅极电阻，为栅极电阻，RL为漏极负为漏极负载电阻，载电阻，RF用于检测漏极电流。因为用于检测漏极电流。因为MOSFET存在输入电容存在输入电容Cin，所，所以当脉冲电压以当脉冲电压up的前沿到来时，的前沿到来时，Cin有充电过程，栅极电压有充电过程，栅极电压UGS呈指数呈指数曲线上升，如图曲线上升，如图4-15所示。当所示。当UGS上升到开启电压上升到开启电压UT时开始出现漏极时开始出现漏极电流电流iD。从。从up的前沿时刻到的前沿时刻到uGS=UT的时刻，这段时间称为开通延迟时的时刻

13、，这段时间称为开通延迟时间间td(on)。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn此后，此后，iD随随UGS的上升而上升。的上升而上升。uGS从开启电压上升到从开启电压上升到MOSFET进进入非饱和区的栅压入非饱和区的栅压UGPS这段时间称为上升时间这段时间称为上升时间tr，这时相当于电力，这时相当于电力晶体管的临界饱和，漏极电流晶体管的临界饱和，漏极电流iD也达到稳态值。也达到稳态值。iD的稳态值由漏极电的稳态值由漏极电压和漏极负载电阻所决定，压和漏极负载电阻所决定，UGPS的大小和的大小和iD的稳态值有关。的稳态值有关。uGS的的值达值达UGPS后，在脉冲信号源后，在脉冲信号

14、源up的作用下继续升高直至到达稳态值，的作用下继续升高直至到达稳态值，但但iD已不再变化，相当于电力晶体管处于饱和。已不再变化，相当于电力晶体管处于饱和。MOSFET的开通时间的开通时间ton为开通延迟时间为开通延迟时间td(on)与上升时间与上升时间tr之和，即：之和，即：nton=td(on)+tr n当脉冲电压当脉冲电压up下降到零时，栅极输入电容下降到零时，栅极输入电容Cin通过信号源内阻通过信号源内阻Rs和栅极电阻和栅极电阻RG（Rs）开始放电，栅极电压）开始放电，栅极电压uGS按指数曲线下降，按指数曲线下降，当下降到当下降到UGPS时，漏极电流时，漏极电流iD才开始减小，这段时间称

15、为关断延迟才开始减小，这段时间称为关断延迟时间时间td(off)。n此后，此后，Cin继续放电，继续放电，uGS从从UGPS继续下降，继续下降，iD减小，到减小，到uGS小于小于UT时沟时沟道消失，道消失，iD下降到零。这段时间称为下降时间下降到零。这段时间称为下降时间tf。关断延迟时间。关断延迟时间td(off)和之和下降时间和之和下降时间tf为关断时间为关断时间toff，即：，即：ntoff=td(off)+tf n从上面的分析可以看出，从上面的分析可以看出，MOSFET的开关速度和其输入电容的的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系。使用者虽然无法降低其充放电有很大关系。使用者虽然无法降

16、低其Cin值，但可以降低栅极值，但可以降低栅极驱动回路信号源内阻驱动回路信号源内阻Rs的值，从而减小栅极回路的充放电时间常数，的值，从而减小栅极回路的充放电时间常数，加快开关速度。加快开关速度。MOSFET的工作频率可达的工作频率可达100kHz以上。以上。nMOSFET是场控型器件，在静态时几乎不需要输入电流。但是是场控型器件，在静态时几乎不需要输入电流。但是在开关过程中需要对输入电容充放电，仍需要一定的驱动功率。开关在开关过程中需要对输入电容充放电，仍需要一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。频率越高，所需要的驱动功率越大。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFET

17、图415 功率MOSFET的开关过程（a）MOSFET开关特性的测试电路 （b）波形一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn2）功率MOSFET的主要参数n漏极电压UDSn它就是MOSFET的额定电压，选用时必须留有较大安全余量。n漏极最大允许电流IDMn它就是MOSFET的额定电流，其大小主要受管子的温升限制。n栅源电压UGSn栅极与源极之间的绝缘层很薄，承受电压很低，一般不得超过20V，否则绝缘层可能被击穿而损坏，使用中应加以注意。n总之，为了安全可靠，在选用MOSFET时，对电压、电流的额定等级都应留有较大余量。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFET（3）功率

18、）功率MOSFET的驱动与保护的驱动与保护1）功率）功率MOSFET的驱动的驱动对栅极驱动电路的要求对栅极驱动电路的要求 能向栅极提供需要的栅压，以保证可靠开通和关断能向栅极提供需要的栅压，以保证可靠开通和关断MOSFET。减小驱动电路的输出电阻，以提高栅极充放电速度，从而提高减小驱动电路的输出电阻，以提高栅极充放电速度，从而提高MOSFET的开关速度。的开关速度。应具有较强的抗干扰能力，这是由于应具有较强的抗干扰能力，这是由于MOSFET通常工作频率高、通常工作频率高、输入电阻大、易被干扰的缘故。输入电阻大、易被干扰的缘故。理想的栅极控制电压波形，如图理想的栅极控制电压波形，如图4-16所示

19、。提高正栅压上升率可所示。提高正栅压上升率可缩短开通时间，但也不宜过高，以免缩短开通时间，但也不宜过高，以免MOSFET开通瞬间承受过高的电开通瞬间承受过高的电流冲击。正负栅压幅值应要小于所规定的允许值。流冲击。正负栅压幅值应要小于所规定的允许值。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFET图4-16 理想的栅极控制电压波形一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn2）栅极驱动电路举例n图4-17是功率MOSFET的一种驱动电路，它由隔离电路与放大电路两部分组成。隔离电路的作用是将控制电路和功率电路隔离开来；放大电路是将控制信号进行功率放大后驱动功率MOSFET，推挽输出级

20、的目的是进行功率放大和降低驱动源内阻，以减小功率MOSFET的开关时间和降低其开关损耗。n驱动电路的工作原理是：当无控制信号输入时（ui=“0”），放大器A输出低电平，V3导通，输出负驱动电压，MOSFET关断；当有控制信号输入时（ui=“1”），放大器A输出高电平，V2导通，输出正驱动电压，MOSFET导通。n一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFET图4-17 功率MOSFET的一种驱动电路一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn（1）MOSFET的保护电路n功率MOSFET的薄弱之处是栅极绝缘层易被击穿损坏。一般认为绝缘栅场效应管易受各种静电感应而击穿栅极绝缘层，

21、实际上这种损坏的可能性还与器件的大小有关，管芯尺寸大，栅极输入电容也大，受静电电荷充电而使栅源间电压超过20V而击穿的可能性相对小些。此外，栅极输入电容可能经受多次静电电荷充电，电荷积累使栅极电压超过20V而击穿的可能性也是实际存在的。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn为此，在使用时必须注意若干保护措施。n1）防止静电击穿n功率MOSFET的最大优点是具有极高的输入阻抗，因此在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。防止静电击穿应注意：n在测试和接入电路之前器件应存放在静电包装袋，导电材料或金属容器中，不能放在塑料盒或塑料袋中。取用时应拿管壳部分而不是引线部分。工作人

22、员需通过腕带良好接地。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn将器件接入电路时，工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时烙铁应断电。n在测试器件时，测量仪器和工作台都必须良好接地。器件的三个电极未全部接入测试仪器或电路前不要施加电压。改换测试范围时，电压和电流都必须先恢复到零。n注意栅极电压不要过限。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn2)防止偶然性振荡损坏器件n功率MOSFET与测试仪器、接插盒等的输入电容、输入电阻匹配不当时可能出现偶然性振荡，造成器件损坏。因此在用图示仪等仪器测试时，在器件的栅极端子处外接10k串联电阻，也可在栅极源极之间外接大约0.5F的电容器

23、。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn3)防止过电压n首先是栅源间的过电压保护。如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电压的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接约20V的稳压管。特别要防止栅极开路工作。n其次是漏源间的过电压保护。如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变会产生比电源电压还高得多的漏极电压，导致器件的损坏。应采取稳压管箝位、二极管-RC箝位或RC抑制电路等保护措施。一、功率场效应晶体管一、功率

24、场效应晶体管MOSFETn4)消除寄生晶体管和二极管的影响n由于功率MOSFET内部构成寄生晶体管和二极管，通常若短接该寄生晶体管的基极和发射极就会造成二次击穿。另外寄生二极管的恢复时间为150ns，而当耐压为450V时恢复时间为5001000ns。因此，在桥式开关电路中功率MOSFET应外接快速恢复的并联二极管，以免发生桥臂直通短路故障。一、功率场效应晶体管一、功率场效应晶体管MOSFETn1 1IGBTIGBT的结构和基本工作原理的结构和基本工作原理n绝缘门极晶体管绝缘门极晶体管IGBTIGBT（Insulated Gate Bipolar TransistorInsulated Gate

25、 Bipolar Transistor）也称）也称绝缘栅极双极型晶体管，是一种新发展起来的复合型电力电子器件。绝缘栅极双极型晶体管，是一种新发展起来的复合型电力电子器件。n由于它结合了由于它结合了MOSFETMOSFET和和GTRGTR的特点，既具有输入阻抗高、速度快、热的特点，既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有输入通态电压低，耐压高和稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有输入通态电压低，耐压高和承受电流大的优点，这些都使承受电流大的优点，这些都使IGBTIGBT比比GTRGTR有更大的吸引力。有更大的吸引力。n在变频器驱动电机，中频和开关电源以及要求快速、低损耗的

26、领域，在变频器驱动电机，中频和开关电源以及要求快速、低损耗的领域，IGBTIGBT有着主导地位。有着主导地位。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）（1 1）IGBTIGBT的基本结构与工作原理的基本结构与工作原理1 1）基本结构）基本结构IGBTIGBT也是三端器件，三个极为漏极（也是三端器件，三个极为漏极（D D）、栅极（）、栅极（G G）和源极（）和源极（S S）。）。（a)a)内部结构内部结构 （b b）简化等效电路）简化等效电路（c c）电气图形符号）电气图形符号3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）2 2）工作原理）工作原理nIGBTIGBT的驱动原理与

27、电力的驱动原理与电力MOSFETMOSFET基本相同，它是一种压控型器件。基本相同，它是一种压控型器件。n开通和关断是由栅极和发射极间的电压开通和关断是由栅极和发射极间的电压U UGEGE决定的，当决定的，当U UGEGE为正且为正且大于开启电压大于开启电压U UGEGE（thth）时，）时，MOSFETMOSFET内形成沟道，并为晶体管提供内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。基极电流使其导通。n当栅极与发射极之间加反向电压或不加电压时，当栅极与发射极之间加反向电压或不加电压时，MOSFETMOSFET内的沟道内的沟道消失，晶体管无基极电流，消失，晶体管无基极电流，IGBTIGBT关断

28、。关断。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）（2 2）IGBTIGBT的基本特性与主要参数的基本特性与主要参数 IGBTIGBT的转移特性和输出特性的转移特性和输出特性（a)a)转移特性转移特性 （b)b)输出特性输出特性3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）1 1）IGBTIGBT的基本特性的基本特性 静态特性静态特性nIGBTIGBT的转移特性，它描述的是集电极电流的转移特性，它描述的是集电极电流I IC C与栅射电压与栅射电压U UGEGE之间的关系，之间的关系，与功率与功率MOSFETMOSFET的转移特性相似。的转移特性相似。n开启电压开启电压U UGE

29、GE（thth）是）是IGBTIGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。能实现电导调制而导通的最低栅射电压。nU UGEGE（thth）随温度升高而略有下降，温度升高）随温度升高而略有下降，温度升高1C1C，其值下降，其值下降5mV5mV左右。左右。在在+25C+25C时，时，U UGEGE（thth）的值一般为）的值一般为26V26V。nIGBTIGBT的输出特性，也称伏安特性，它描述的是以栅射电压为参考变量时，的输出特性，也称伏安特性，它描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流集电极电流I IC C与集射极间电压与集射极间电压U UCECE之间的关系。之间的关系。二、绝缘门极晶体管（二

30、、绝缘门极晶体管（IGBT）3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）IGBTIGBT的开关过程的开关过程3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）2 2）主要参数主要参数集电极集电极发射极额定电压发射极额定电压UCES栅极栅极发射极额定电压发射极额定电压UGES额定集电极电流额定集电极电流IC（3）IGBT的擎住效应和安全工作区的擎住效应和安全工作区n从从IGBT的结构可以发现，的结构可以发现，IGBT电流可能发生失控的现象，就像普通晶闸电流可能发生失控的现象，就像普通晶闸管被触发以后，即使撤消触发信号晶闸管仍然因进入正反馈过程而维持导管被触发以后，即使撤消触发信号晶闸管

31、仍然因进入正反馈过程而维持导通的机理一样，因此被称为擎住效应或自锁效应。通的机理一样，因此被称为擎住效应或自锁效应。n引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能是最大允许电压上升率是最大允许电压上升率duCE/dt过大（动态擎住效应），温度升高也会加重过大（动态擎住效应），温度升高也会加重发生擎住效应的危险。发生擎住效应的危险。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）n动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小，动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小，因此所允许的最大集电极电流实际上是

32、根据动态擎住因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。效应而确定的。n根据最大集电极电流、最大集电极间电压和最大集电根据最大集电极电流、最大集电极间电压和最大集电极功耗可以确定极功耗可以确定IGBTIGBT在导通工作状态的参数极限范围；在导通工作状态的参数极限范围；根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率可以确定电压上升率可以确定IGBTIGBT在阻断工作状态下的参数极在阻断工作状态下的参数极限范围，即反向偏置安全工作电压。限范围，即反向偏置安全工作电压。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）（1)1

33、)对驱动电路的要求对驱动电路的要求IGBTIGBT是电压驱动的，具有一个是电压驱动的，具有一个2.55.0V2.55.0V的阀值电压，有一个容性的阀值电压，有一个容性输入阻抗，因此输入阻抗，因此IGBTIGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与靠，保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBTIGBT的连线的连线要尽量短。要尽量短。用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压U UCECE有有足够陡的前后沿，使足够陡的前后沿，使IGBTIGBT

34、的开关损耗尽量小。另外，的开关损耗尽量小。另外，IGBTIGBT开通后，开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBTIGBT不退出饱和而损坏。不退出饱和而损坏。驱动电路中的正偏压应为驱动电路中的正偏压应为+12+15V+12+15V，负偏压应为，负偏压应为-2-10V-2-10V。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）IGBTIGBT多用于高压场合，故驱动电路应整个控制电路在电位上严格多用于高压场合，故驱动电路应整个控制电路在电位上严格隔离。隔离。驱动电路应尽可能简单实用，具有对驱动电路应尽可能简单实用，具有对IGBTIGBT的自保护功能，并有

35、较的自保护功能，并有较强的抗干扰能力。强的抗干扰能力。若为大电感负载，若为大电感负载，IGBTIGBT的关断时间不宜过短，以限制的关断时间不宜过短，以限制d di/i/d dt t所形所形成的尖峰电压，保证成的尖峰电压，保证IGBTIGBT的安全。的安全。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）（2)2)驱动电路驱动电路n因为因为IGBTIGBT的输入特性几乎与的输入特性几乎与MOSFETMOSFET相同，所以用于相同，所以用于MOSFETMOSFET的驱动电路同的驱动电路同样可以用于样可以用于IGBTIGBT。n在用于驱动电动机的逆变器电路中，为使在用于驱动电动机的逆变器电路中，

36、为使IGBTIGBT能够稳定工作，要求能够稳定工作，要求IGBTIGBT的驱动电路采用正负偏压双电源的工作方式。的驱动电路采用正负偏压双电源的工作方式。n为了使驱动电路与信号电隔离，应采用抗噪声能力强，信号传输时间端为了使驱动电路与信号电隔离，应采用抗噪声能力强，信号传输时间端的光耦合器件。的光耦合器件。n基极和发射极的引线应尽量短，基极驱动电路的输入线应为绞合线基极和发射极的引线应尽量短，基极驱动电路的输入线应为绞合线n为抑制输入信号的振荡现象，基极和发射极并联一阻尼网络。为抑制输入信号的振荡现象，基极和发射极并联一阻尼网络。n驱动电路的输出级采用互补电路的形式以降低驱动源的内阻，同时加速驱

37、动电路的输出级采用互补电路的形式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBTIGBT的关断过程。的关断过程。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）IGBT IGBT基极驱动电路基极驱动电路 （a)a)阻尼滤波阻尼滤波 （b)b)光电隔离光电隔离3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）（3)3)集成化驱动电路集成化驱动电路IGBTIGBT有与其配套的集成驱动电路。有与其配套的集成驱动电路。这些专用驱动电路抗干扰能力强，集成化程度高，速度快，保护功能这些专用驱动电路抗干扰能力强，集成化程度高，速度快，保护功能完善，可实现完善，可实现IGBTIGBT的最优驱动。的最优驱动。因为因为

38、IGBTIGBT是的保护主要是栅源是的保护主要是栅源过电压保护、静电保护、采用过电压保护、静电保护、采用R-C-VDR-C-VD缓冲电路缓冲电路等等。等等。在在IGBTIGBT电控系统中设置过压、欠压、过流和过热保护单元，以保证电控系统中设置过压、欠压、过流和过热保护单元，以保证安全可靠工作。安全可靠工作。必须保证必须保证IGBTIGBT不发生擎住效应；具体做法是，实际中不发生擎住效应；具体做法是，实际中IGBTIGBT使用的最使用的最大电流不超过其额定电流。大电流不超过其额定电流。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）（1 1）缓冲电路）缓冲电路几种用于几种用于IGBTIGBT

39、桥臂的典型缓冲电路。桥臂的典型缓冲电路。（a)a)（b)b)（c)c)3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）na)a)图是最简单的单电容电路，适用于图是最简单的单电容电路，适用于50A50A以下的小容量以下的小容量IGBTIGBT模模块，由于电路无阻尼组件，易产生块，由于电路无阻尼组件，易产生LCLC振荡，故应选择无感电容振荡，故应选择无感电容或串入阻尼电阻或串入阻尼电阻RSRS；nb)b)图是将图是将RCDRCD缓冲电路用于双桥臂的缓冲电路用于双桥臂的IGBTIGBT模块上，适用于模块上，适用于200A200A以下的中等容量以下的中等容量IGBTIGBT；nc)c)图中，将两个

40、图中，将两个RCDRCD缓冲电路分别用在两个桥臂上，该电路将缓冲电路分别用在两个桥臂上，该电路将电容上过冲的能量部分送回电源，因此损耗较小，广泛应用于电容上过冲的能量部分送回电源，因此损耗较小，广泛应用于200A200A以上的大容量以上的大容量IGBTIGBT。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）（2 2）IGBTIGBT的保护的保护n过电流保护措施主要是检测出过电流信号后迅速切断栅极控制信号来过电流保护措施主要是检测出过电流信号后迅速切断栅极控制信号来关断关断IGBTIGBT。实际使用中，要求在检测到过电流后，通过控制电路产生负的栅极驱实际使用中，要求在检测到过电流后，通过控

41、制电路产生负的栅极驱动信号来关断动信号来关断IGBTIGBT。只要。只要IGBTIGBT的额定参数选择合理，的额定参数选择合理，1010内的过电流一内的过电流一般不会使之损坏。般不会使之损坏。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）n采用集电极电压识别方法的过流保护电路。采用集电极电压识别方法的过流保护电路。集电极电压识别方法的过流保护电路集电极电压识别方法的过流保护电路 为了避免为了避免IGBT过电流的时间超过允许的短路过电流时间，过电流的时间超过允许的短路过电流时间，保护电路应当采用快速光耦合器等快速传送组件及电路。保护电路应当采用快速光耦合器等快速传送组件及电路。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）n检测发射极电流过流的保护电路。检测发射极电流过流的保护电路。3.2、绝缘门极晶体管（、绝缘门极晶体管（IGBT）