配套课件-模拟电子技术项目教程.ppt

1、 电子元器件的检测及常用仪器的使用电子元器件的检测及常用仪器的使用 常用的导体一般为银、铜、铝等物体；绝缘常用的导体一般为银、铜、铝等物体；绝缘体为橡胶、塑料、胶木等；体为橡胶、塑料、胶木等；导电能力介于导体和导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为绝缘体之间的物质称为半导体半导体。用来制造半导体器件的材料主要是用来制造半导体器件的材料主要是硅硅(Si)、锗锗(Ge)和和砷化镓砷化镓(GaAs)等。等。半导体材料进行特殊加工，使其成为性能可半导体材料进行特殊加工，使其成为性能可控，即可用来制造构成电子电路的基本元件控，即可用来制造构成电子电路的基本元件半半导体器件导体器件。自然界中的物质根据导电

2、能力的不同分为自然界中的物质根据导电能力的不同分为导导体体、绝缘体绝缘体和和半导体半导体。一、本征半导体一、本征半导体本征半导体本征半导体 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子载流子 自由运动的带电粒子。半导体中的载自由运动的带电粒子。半导体中的载流子有两种，自由电子和空穴。流子有两种，自由电子和空穴。共价键共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。相邻原子共有价电子所形成的束缚。+4+4+4+4硅硅(锗锗)的原子结构的原子结构Si2 8 4Ge2 8 18 4简化简化模型模型+4硅硅(锗锗)的共价键结构的共价键结构价电子价电子自自由由电电子子(束缚电子束缚电子)空

3、空穴穴空穴空穴空穴可在共空穴可在共价键内移动价键内移动本征激发：复复 合：合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。成对消失的过程。漂漂 移：移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。动。在室温或光照下价电子获得足够能量摆在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位中留下一个空位(空穴空穴)的过程。的过程。两种载流子两种载流子电子电子(自由电子自由电子)空穴空穴两种载流子的运动两种载流子的运动自由电子自由电子(在共价键以外在共价键以外)

4、的运动的运动空穴空穴(在共价键以内在共价键以内)的运动的运动 结论结论：1.本征半导体中电子和空穴成对出现，且数量少；本征半导体中电子和空穴成对出现，且数量少；2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；3.本征半导体导电能力弱，并与温度有关本征半导体导电能力弱，并与温度有关。二、杂质半导体二、杂质半导体（一）（一）N 型半导体型半导体N 型型+5+4+4+4+4+4磷原子磷原子自由电子自由电子电子为电子为多多数载流数载流子子空穴为空穴为少少数载流数载流子子载流子数载流子数 电子数电子数 在本征半导体中掺入微量杂质元素，掺杂后在本征半导体中掺入微量杂质元

5、素，掺杂后的半导体称为的半导体称为杂质半导体杂质半导体。可分为。可分为N型半导体型半导体和和P型半导体型半导体。施主施主离子离子施主施主原子原子受主受主离子离子+3+4+4+4+4+4（二）（二）P 型半导体型半导体P 型型空穴空穴硼原子硼原子空穴空穴 多子多子电子电子 少子少子载流子数载流子数 空穴数空穴数受主受主原子原子注意注意:杂质半导体中载流子虽有多少之分，由杂质半导体中载流子虽有多少之分，由于还有不能移动的杂质离子，因而于还有不能移动的杂质离子，因而整个半导体整个半导体仍呈电中性仍呈电中性。三、三、PN 结结（一）（一）PN 结的形成结的形成1.载流子的载流子的浓度差浓度差引起多子的

6、引起多子的扩散扩散2.复合使交界面复合使交界面形成空间电荷区形成空间电荷区(耗尽层耗尽层)空间电荷区特点空间电荷区特点:无载流子，无载流子，阻止扩散进行，阻止扩散进行，利于少子的漂移。利于少子的漂移。3.扩散和漂移达到扩散和漂移达到动态平衡动态平衡扩散电流扩散电流 等于漂移电流，等于漂移电流，总电流总电流 I=0。内建电场内建电场（二）（二）PN 结的单向导电性结的单向导电性1.外加外加正向正向电压电压(正向偏置正向偏置)P 区区N 区区内电场内电场+UR外电场外电场外电场使多子向外电场使多子向 PN 结移动结移动,中和部分离子中和部分离子使空间电荷区使空间电荷区变窄。变窄。IF限流电阻限流电

7、阻扩散运动加强形成正向电流扩散运动加强形成正向电流 IF。IF=I多子多子 I少子少子 I多子多子2.外加外加反向反向电压电压(反向偏置反向偏置)P 区区N 区区 +UR内电场内电场外电场外电场外电场使少子背离外电场使少子背离 PN 结结移动，移动，空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。IRPN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零。反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流漂移运动加强形成反向电流 IRIR=I少子少子 0一、一、二极管的结构与符号二极管的结构与符号二、二、二极管的伏安特性二极管的

8、伏安特性三、三、二极管的主要参数二极管的主要参数四、四、其他二极管其他二极管五、五、二极管的应用二极管的应用一、一、二极管的结构二极管的结构构成：构成：PN 结结+引线引线+管壳管壳=二极管二极管符号：符号：VD分类：分类：按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝N 型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型N型锗型锗PN 结结 正极引线正极引线铝合金铝合金小球小球底座底座金锑金锑合金合金平面型平面型正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型PNP

9、型支持衬底型支持衬底二、二极管的伏安特性二、二极管的伏安特性OuV/ViV/mA正向特性正向特性Uth死区死区电压电压iV=0Uth=0.5 V 0.1 V(硅管硅管)(锗管锗管)U UthiV 急剧上升急剧上升0 U Uth Uth=(0.6 0.8)V 硅管硅管 0.7 V(0.1 0.3)V锗管锗管 0.3 V反向特性反向特性IRU BR反向击穿反向击穿UBR U 0 iV=IR 0.1 A(硅硅)几十几十 A(锗锗)U UBR反向电流急剧增大反向电流急剧增大(反向击穿反向击穿)反向击穿类型：反向击穿类型：电击穿电击穿热击穿热击穿特别注意特别注意：温度对二极管的特性有显著影响。当温度对二

10、极管的特性有显著影响。当温度升高温度升高时，时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。变化规律是：变化规律是：在室温附近，温度每升高在室温附近，温度每升高1，正向正向压降约减小压降约减小22.5mV，温度每升高，温度每升高10，反向电反向电流约流约增大一倍增大一倍。PN 结未损坏，断电即恢复。结未损坏，断电即恢复。PN 结烧毁。结烧毁。温度对二极管特性的影响温度对二极管特性的影响604020 0.0200.42550IV/mAUV/V20 C80 CT 升高时，升高时，UV(th)以以(2 2.5)mV/C 下降下降硅管的伏安特性硅管的伏安特性锗管的伏

11、安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.040 0.4 0.82550IV/mAUV/VIV/mAUV/V0.20.4 25 50510150.010.020三、三、二极管的主要参数二极管的主要参数1.IF 最大整流电流最大整流电流(最大正向平均电流最大正向平均电流)2.URM 最高反向工作电压最高反向工作电压，为，为 UBR/2 3.IR 反向饱和电流反向饱和电流(越小单向导电性越好越小单向导电性越好)IVUVU(BR)I FURMO4.fM 最高工作频率最高工作频率(超过时单向导电性变差超过时单向导电性变差)影响工作频率的原因影响工作频率的原因 PN 结的电容效应结的电容效应 结论

12、：结论：1.低频低频时，因结电容很小，对时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。结影响很小。高频高频时，因容抗减小，使时，因容抗减小，使结电容分流结电容分流，导致，导致单向单向 导电性变差。导电性变差。2.结面积小时结电容小，工作频率高。结面积小时结电容小，工作频率高。二极管电路的分析方法二极管电路的分析方法1、理想模型、理想模型特性特性uViV符号及符号及等效模型等效模型SS2、恒压降模型、恒压降模型uViVUthuv=Uth0.7 V(Si)0.3 V(Ge)Uth3、二极管的折线近似模型、二极管的折线近似模型uvivUthUIIUrv斜率斜率1/rDrvUth4、小信号模型、小信号模型如

13、果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有。如果二极管在它的伏安特性的如果二极管在它的伏安特性的某一小范围某一小范围内内工作，例如静态工作点工作，例如静态工作点Q Q 附近工作，则附近工作，则可把可把伏安特性看成一条直线伏安特性看成一条直线，其，其斜率的倒数斜率的倒数就是所就是所求的小信号模型的求的小信号模型的微变电阻微变电阻。univ等效电路模型等效电路模型伏安特性伏安特性VD16VR 1K12VAB15VR 1K12VABVD26K 6KVD1 VD3VD2 VD46V0V8VAB+12V-12V【例例】下图中下图中,设设VD1VD1、VD2VD2、VD3VD3、V

14、D4VD4均为理想二均为理想二极管极管,试判断各二极管的状态试判断各二极管的状态,并求出并求出VAB=?VAB=?（一）（一）稳压二极管稳压二极管伏安特性伏安特性符号符号iZ/mAuZ/VO UZ IZmin IZmax UZ IZ IZ主要参数主要参数1.稳定电压稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。两端的反向电压值。2.稳定电流稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，越大稳压效果越好，小于小于 IZmin 时不稳压。时不稳压。3.动态电阻动态电阻 rZ几几 几十几十 rZ=UZ/IZ 越小稳压效果越好。越小稳压效果越好。4.最大工作电流最大工作电流 IZM和

15、最大耗和最大耗散功率散功率 PZMPZM=UZ IZmax四、四、其他二极管其他二极管【例例】分析简单稳压电路的工作原理分析简单稳压电路的工作原理;已知稳压管的已知稳压管的稳定电压稳定电压UZ=6V,UI=21V最小稳定电流最小稳定电流IZmin=5mA,最大最大稳定电流稳定电流IZmax=20mA,负载电阻负载电阻RL=600,计算计算限流电阻限流电阻R 的取值范围。的取值范围。UIUORRLILIRIZIR=IZ+ILUO=UI IR R当当 UI 波动时波动时(RL不变不变)IUOUZIRIOU当当 RL 变化时变化时(UI 不变不变)IROUZIRIOU反之反之,也可维持也可维持UO稳

16、定稳定。为保证稳压管正常工作，无论如何都要满足为保证稳压管正常工作，无论如何都要满足I IZminZminI IZ ZI IZmaxZmax即：即：则有：则有：经整理可得经整理可得：ZmaxLZZIZminIRURUUILZZminZIRUIUURLZZmaxZIRUIUURLZZminZImaxRUIUURLZZmaxZIminRUIUUR对于限流电阻对于限流电阻R的取值必须满足：的取值必须满足：RminRRmax（二）（二）发光二极管发光二极管1.符号和特性符号和特性符号符号u/Vi /mAO2工作条件：工作条件：正向偏置正向偏置一般工作电流几十一般工作电流几十 mA，导通电压导通电压(1

17、 2)V。2.发光类型：发光类型：可见光：可见光：红、黄、绿红、黄、绿不可见光：不可见光：红外光红外光特别注意特别注意:发光二极管的导通压降大于发光二极管的导通压降大于1V1V，一般红色发光，一般红色发光二极管约为二极管约为1.61.61.8V1.8V，黄色约为，黄色约为2.02.02.2V2.2V，绿色，绿色约为约为2.22.22.4V2.4V，工作时必须串接限流电阻。，工作时必须串接限流电阻。（三）（三）光电二极管光电二极管符符号号uiO暗电流暗电流E=200 lxE=400 lx特性特性工作条件：工作条件：反向偏置反向偏置2.主要参数主要参数:暗电流，光电流，最高工作范围暗电流，光电流，

18、最高工作范围光学参数：光学参数：光谱范围，灵敏度，峰值波长等光谱范围，灵敏度，峰值波长等实物照片实物照片（四）（四）变容二极管变容二极管 变容二极管是利用变容二极管是利用PNPN结反偏时势垒电容大小随外结反偏时势垒电容大小随外加电压而变化的特性制成的。加电压而变化的特性制成的。它主要用在高频电路中作自动调谐、调频、调相等。它主要用在高频电路中作自动调谐、调频、调相等。（一）整流电路（一）整流电路所谓所谓整流整流，就是，就是将交流电变成脉动直流电将交流电变成脉动直流电。单相半波整流单相半波整流桥式全波整流桥式全波整流（二）钳位电路（二）钳位电路 钳位电路钳位电路是指能把一个周期信号转变为单向是指

19、能把一个周期信号转变为单向的（只有正向或只有负向）或叠加在某一直流电的（只有正向或只有负向）或叠加在某一直流电平上，而平上，而不改变它的波形不改变它的波形的电路。的电路。五、二极管的应用五、二极管的应用正钳位电路正钳位电路输出波形输出波形输入波形输入波形touO1t2t3ttiuO1t2t3tmUmU（三）限幅电路（三）限幅电路 当当输入信号输入信号电压在电压在一定范围内变化一定范围内变化时时,输出输出电压电压随输入电压随输入电压相应变化相应变化；而当输入电压；而当输入电压超出该超出该范围范围时时,输出电压输出电压保持不变保持不变,这就是限幅电路。这就是限幅电路。上限幅上限幅下限幅下限幅上限幅

20、电路上限幅电路下限幅电路下限幅电路touOmUmUtiuOmUmUtiuOmUmUtiuOmUmUE=0V时时0EUmV时时-UmE0V时时touOmUmUtouOmUmU（四）元器件保护电路（四）元器件保护电路 在电子电路中常用在电子电路中常用二极管二极管来来保护其他元器保护其他元器件件免受过高电压免受过高电压损害损害的电路。的电路。一、三极管的结构和工作原理一、三极管的结构和工作原理二、三极管的特性曲线二、三极管的特性曲线三、三极管的主要参数三、三极管的主要参数一、三极管的结构和工作原理一、三极管的结构和工作原理（一）三极管（一）三极管（BJT）结构）结构NNP发射极发射极 E基极基极 B

21、集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型分类：分类：按材料分：按材料分：硅管、锗管硅管、锗管按结构分：按结构分：NPN、PNP按使用频率分：按使用频率分：低频管、高频管低频管、高频管按功率分：按功率分：小功率管小功率管 1 WECBECB三极管的实物图三极管的实物图金属封装金属封装小功率管小功率管 塑封塑封小功率管小功率管 塑封塑封大功率管大功率管金属封装金属封装大功率管大功率管（二）工作原理（二）工作原理三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓

22、度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏外加电源与管子的连接方式外加电源与管子的连接方式VCCRCICecbVBBRbIBUBEUCEIEVCCRCICecbVBBRbIBUBEUCEIENPN型管的连接方式型管的连接方式PNP型管的连接方式型管的连接方式三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程(以以NPN型为例型为例)1)在在VBB提供的正偏电压作用提供的正偏电压作用下下,发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子，形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结

23、方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN。I BNI CBOIBIC2)电子到达基区后电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略)ICNI IC CIBNI IB B基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供(IB)集电区少子漂移集电区少子漂移(ICBO)IB三个电极的电流关系三个电极的电流关系:IE=IC+IB直流电流放大系数直流电流放大系数:BCII满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极电路共发射极电路共集电极电路共集电极电路共基极电路共基极电路实现电路实现电路uiuo

24、RBRCuouiRCRE二、三极管的特性曲线二、三极管的特性曲线（一）输入特性（一）输入特性输入输入回路回路输出输出回路回路常数常数 CE)(BEBuufi0CE u与二极管特性相似与二极管特性相似RCVCCiBIERB+uBE+uCE VBBCEBiC+iBRB+uBE VBB+BEuBiO0CE uV 1CE u0CE uV 1CE u特性基本特性基本重合重合(电流分配关系确定电流分配关系确定)特性右移特性右移(因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子)导通电压导通电压 UBE(on)硅管：硅管：(0.6 0.8)V锗管：锗管：(0.2 0.3)V取取 0.7 V取取 0.2 VVBB+R

25、B（二）输出特性（二）输出特性常数常数 B)(CECiufiiC/mAuCE/V100 A80 A60 A40 A20 AiB=0O 2 4 6 8 43211.截止区：截止区：iB 0 iC=ICEO 0 条件：条件：两个结反偏两个结反偏2.放大区：放大区：CEOBCIii3.饱和区：饱和区：uCE u BEuCB=uCE u BE 0条件：条件：两个结正偏两个结正偏特点：特点：iC iB临界饱和时：临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：深度饱和时：0.3 V(硅管硅管)uCE=U(CES)=0.1 V(锗管锗管)放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区条件：条件：发射结正偏发射结正偏 集电结反

26、偏集电结反偏特点：特点：水平、等间隔水平、等间隔ICEO（三）温度对三极管特性曲线的影响（三）温度对三极管特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线温度升高，输入特性曲线向左移。向左移。温度每升高温度每升高 1 C，UBE (2 2.5)mV。温度每升高温度每升高 10 C，ICBO 约增大约增大 1 倍。倍。2.温度升高，输出特性曲线温度升高，输出特性曲线向上移。向上移。BEuBiOT1T2 iCuCE T1iB=0T2 iB=0iB=0温度每升高温度每升高 1 C，(0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O三、三极管的主要参数三、三极管的主要参数1、电流放大系数、电流放

27、大系数（1）共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数iC/mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 4321 直流电流放大系数直流电流放大系数BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII 交流电流放大系数交流电流放大系数 BiiC一般为几十一般为几十 几百几百（2）共基极电流放大系数）共基极电流放大系数 11BCCECIIIII 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。Q82A1030A1045.263 80108.0A1010A10)65.145.2(63 2、极间反向饱和电流、极间反向饱和电流CB 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICBO，CE

28、极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICEO。988.018080 3、极限参数、极限参数1.ICM 集电极最大允许电流，超过集电极最大允许电流，超过时时 值明显降低。值明显降低。U(BR)CBO 发射极开路时发射极开路时 C、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。2.PCM 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PC=iC uCE。3.U(BR)CEO 基极开路时基极开路时 C、E 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U(BR)EBO 集电极极开路时集电极极开路时 E、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBOiCICMU(BR)CEO

29、uCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 区区二、二、结型场效应管结型场效应管三、场效应管的主要参数三、场效应管的主要参数一、一、MOS场效应管场效应管（一）（一）N 沟道增强型沟道增强型MOS场效应晶体管场效应晶体管一、一、MOS场效应管场效应管（IGFET）1.结构与符号结构与符号P 型衬底型衬底(掺杂浓度低掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法用扩散的方法制作两个制作两个 N 区区在硅片表面生一在硅片表面生一层薄层薄 SiO2 绝缘层绝缘层S D用金属铝引出用金属铝引出源极源极 S 和漏极和漏极 DG在绝缘层上喷金在绝缘层上喷金属铝引出栅极属铝引出栅极 GB耗尽层耗尽层S 源极源极 Sour

30、ceG 栅极栅极 Gate D 漏极漏极 DrainSGDB2.工作原理工作原理（1）uGS 对对iD的控制作用的控制作用a.当当 uGS=0，D、S 间为两个背对背的间为两个背对背的 PN 结；结；b.当当 0 uGS UT)D、S 间的电位差间的电位差使沟道呈楔形，使沟道呈楔形，uDS，靠近漏极端的沟道厚靠近漏极端的沟道厚度变薄。度变薄。预夹断预夹断(UGD=UT)：漏极附近反型层消失。漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：预夹断发生之前：uDS iD。预夹断发生之后：预夹断发生之后：uDS iD 不变。不变。3.特性曲线特性曲线DS)(GSDUufi 2 4 64321uGS/ViD/mA

31、UDS=10 VUT当当 uGS UT 时：时：2TGSDOD)1(UuIiuGS=2UT 时的时的 iD 值值输出特性曲线输出特性曲线GS)(DSDUufi 可变电阻区可变电阻区uDS 0 此时此时 uGD=UP；沟道楔型沟道楔型耗尽层刚相碰时称耗尽层刚相碰时称预夹断。预夹断。预夹断预夹断当当 uDS ，预夹断预夹断点点下移。下移。（三）（三）转移特性和输出特性转移特性和输出特性当当 UP uGS 0 时时,2PGSDSSD)1(UuIiuGSiDIDSSuDSiDuGS=3 V 2 V 1 V0 V 3 VUPOO工作工作状态状态可变电阻区可变电阻区饱和区（恒流区）饱和区（恒流区）击穿区击

32、穿区三、三、场效应管的主要参数场效应管的主要参数1.开启电压开启电压 UT(增强型增强型)夹断电压夹断电压 UP(耗尽型耗尽型)指指 uDS=某值，使漏极电流某值，使漏极电流 iD 为某一小电流时的为某一小电流时的 uGS 值。值。UTUP2.饱和漏极电流饱和漏极电流 IDSS耗尽型场效晶体管，当耗尽型场效晶体管，当 uGS=0 时所对应的漏极电流。时所对应的漏极电流。3.直流输入电阻直流输入电阻 RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。电阻。JFET：RGS 107 MOSFET：RGS=109 1015IDSSuGS/ViD/mA

33、O（一）直流参数（一）直流参数1.低频跨导低频跨导 gm 常数常数 DSGSDmUuig反映了反映了uGS 对对 iD 的控制能力，的控制能力，单位单位 S(西门子西门子)。一般为几。一般为几毫西毫西(mS)PDM=uDS iD，受温度限制。，受温度限制。2.输出电阻输出电阻 rd常数GSDDS duiur 6.最大漏极功耗最大漏极功耗 PDMuGS/ViD/mAQO（二）交流参数（二）交流参数3.极间电容极间电容CGS、CGDCGS 是栅源极间的电容，是栅源极间的电容，CGD 是栅漏极间的电容。是栅漏极间的电容。4.最大漏源电压最大漏源电压U(BR)DS5.最大栅源电压最大栅源电压U(BR)

34、GS（三）极限参数（三）极限参数1.2.1直流稳压电源的使用直流稳压电源的使用一、直流稳压电源的主要技术参数一、直流稳压电源的主要技术参数二、直流稳压电源的使用二、直流稳压电源的使用1.输入电压：输入电压：AC 100V/120V/220V/230V10%50 Hz/60Hz2.额定输出电压：额定输出电压：2（030）V（连续可调）（连续可调）3.额定输出电流：额定输出电流：2（03）A（连续可调）（连续可调）4.其它：其它：双路电源可进行串联和并联，串、并联时可双路电源可进行串联和并联，串、并联时可由一路主电源进行输出电压调节，此时从电源输出电压由一路主电源进行输出电压调节，此时从电源输出电

35、压严格跟随主电源输出电压值。串联模式下，输出电压是严格跟随主电源输出电压值。串联模式下，输出电压是CH1的两倍；并联模式下，输出电流是的两倍；并联模式下，输出电流是CH1的两倍。的两倍。5.固定输出电源输出电压：固定输出电源输出电压：可选择电压值可选择电压值2.5V、3.3V和和5V输出输出6.固定输出电源输出电流：固定输出电源输出电流：3A7.保护：保护：过载保护、极性接反保护及过压保护过载保护、极性接反保护及过压保护一、直流稳压电源的主要技术参数一、直流稳压电源的主要技术参数二、直流稳压电源的使用二、直流稳压电源的使用 1.开机启动开机启动 打开电源前，从后板选择交流输入电压，连接交流电源

36、线到后面板插打开电源前，从后板选择交流输入电压，连接交流电源线到后面板插座，按下电源开关打开电源。机器开始初始化，显示机器的型号，之后座，按下电源开关打开电源。机器开始初始化，显示机器的型号，之后将显示上次关机时的设定值。将显示上次关机时的设定值。2.输出打开输出打开/关闭关闭 按下输出键打开所有通道输出，按键灯也会点亮，再按一下输出键将按下输出键打开所有通道输出，按键灯也会点亮，再按一下输出键将关闭所有的输出，按键灯也会熄灭。关闭所有的输出，按键灯也会熄灭。3.CH1/CH2独立模式独立模式确定并联和串联键关闭（按键灯不亮），确定并联和串联键关闭（按键灯不亮），连接负载到前面板子，如图所示，

37、设置连接负载到前面板子，如图所示，设置CH1输出电压和电流。按下输出电压和电流。按下CH1开关（灯点亮）开关（灯点亮）和使用电压和电流旋钮。通常，电压和电流和使用电压和电流旋钮。通常，电压和电流旋钮工作在粗调模式。启动细调模式，按下旋钮工作在粗调模式。启动细调模式，按下按钮按钮FINE灯亮。灯亮。CH2的操作重复上述步骤。的操作重复上述步骤。打开输出，按下输出键，按键灯点亮并且显打开输出，按下输出键，按键灯点亮并且显示示CV或或CC模式。模式。二、直流稳压电源的使用二、直流稳压电源的使用 4.CH3独立模式独立模式 连接负载到前面板连接负载到前面板CH3+/-端子，如图所示，设定输出电压端子，

38、如图所示，设定输出电压2.5V/3.3V/5V，使用电压选择开关，打开输出，按下输出键，按键灯点亮。，使用电压选择开关，打开输出，按下输出键，按键灯点亮。5.CH1/CH2串联模式串联模式 （1）无公共端串联）无公共端串联 串联模式下，按下串联模式下，按下SER/INDEP键来启动串联模式，按键灯点亮。连接键来启动串联模式，按键灯点亮。连接方法如图所示，即连接负载到前面板端子方法如图所示，即连接负载到前面板端子CH1&CH2，按下，按下CH2开关开关（灯点亮）和电流旋钮来设置（灯点亮）和电流旋钮来设置CH2输出电流到最大值。通常，电压和电输出电流到最大值。通常，电压和电流旋钮工作在粗调模式。按

39、下按钮流旋钮工作在粗调模式。按下按钮FINE灯亮，启动细调模式。按下灯亮，启动细调模式。按下CH1开关（灯点亮）和使用电压和电流选通来设置输出电压和电流值。按下开关（灯点亮）和使用电压和电流选通来设置输出电压和电流值。按下输出键打开输出，按键灯打开。输出键打开输出，按键灯打开。二、直流稳压电源的使用二、直流稳压电源的使用 （2）有公共端串联）有公共端串联 串联模式下，按下串联模式下，按下SER/INDEP键来启动串联模式，按键灯点亮。连接方法键来启动串联模式，按键灯点亮。连接方法如图所示，如图所示，即连接负载到前面板端子即连接负载到前面板端子CH1&CH2，使用，使用CH1端子作为公端子作为公

40、共线连接。按下共线连接。按下CH1开关（灯点亮）和使用电压选通来设置主从输出电压（开关（灯点亮）和使用电压选通来设置主从输出电压（2组组通道相同值）。通常，电压和电流旋钮工作在粗调模式。启动细调模式，按下通道相同值）。通常，电压和电流旋钮工作在粗调模式。启动细调模式，按下按钮按钮FINE灯亮。使用电流选通来设置主输出电流。按下输出键打开输出，按键灯亮。使用电流选通来设置主输出电流。按下输出键打开输出，按键灯打开。按下灯打开。按下CH2开关（开关（LED灯点亮）和使用电流选通来设置主从输出电流。灯点亮）和使用电流选通来设置主从输出电流。二、直流稳压电源的使用二、直流稳压电源的使用 6.CH1/C

41、H2并联模式并联模式 并联模式下，按下并联模式下，按下PAR/INDEP键来启动并联模式，按键灯点亮。连接方法如键来启动并联模式，按键灯点亮。连接方法如图图1-所示，所示，即连接负载到前面板端子即连接负载到前面板端子CH1/端子，按下输出键打开输出，按端子，按下输出键打开输出，按键灯打开。键灯打开。CH2指示灯显示红色，表明为并联模式。按下指示灯显示红色，表明为并联模式。按下CH1键（键（CH1灯点亮），灯点亮），使用电压和电流选通来设置输出电压和电流值，使用电压和电流选通来设置输出电压和电流值，CH2控制作用被关闭。控制作用被关闭。1.2.2信号发生器的使用信号发生器的使用一、信号发生器的分

42、类一、信号发生器的分类二、信号发生器的主要技术参数二、信号发生器的主要技术参数三、信号发生器的使用三、信号发生器的使用一、信号发生器的分类一、信号发生器的分类1.按发生器输出信号波形分类按发生器输出信号波形分类 2.按工作频率分类按工作频率分类 类型类型频率范围频率范围超低频信号发生器超低频信号发生器0.0001Hz1kHz低频信号发生器低频信号发生器1Hz1MHz视频信号发生器视频信号发生器20Hz10MHz高频信号发生器高频信号发生器200kHz30MHz甚高频信号发生器甚高频信号发生器30MHz300MHz超高频信号发生器超高频信号发生器300MHz以上以上 根据所输出信号波形的不同，信

43、号发生器可分为正弦信号发生器、矩形信号发生器、脉冲信号发生器、三角波信号发生器、钟形脉冲信号发生器和随机信号发生器等。一、信号发生器的分类一、信号发生器的分类3.按调制方式分类按调制方式分类按调制方式的不同，信号发生器分为调幅、调频、调相、脉冲调制等类型。按调制方式的不同，信号发生器分为调幅、调频、调相、脉冲调制等类型。二、信号发生器的主要技术参数二、信号发生器的主要技术参数3.调制特性调制特性1.频率特性频率特性（1）有效频率范围）有效频率范围（2）频率准确度）频率准确度（3）频率稳定度）频率稳定度2.输出特性输出特性（1）输出阻抗）输出阻抗（2）输出电平及其平坦度）输出电平及其平坦度（3）

44、输出形式）输出形式（4）输出波形及谐波失真）输出波形及谐波失真三、信号发生器的使用三、信号发生器的使用AFG-2225型任意波形发生器的前面板 （1）LCD显示：TFT彩色LCD显示，320 x 240分辨率；（2）功能键、返回键：F1F5：位于LCD屏右侧，用于功能激活；Return：返回上一层菜单；（3）可调旋钮：用于编辑值和参数；（4）方向键：当编辑参数时，可用于选择数字；（5）输出端口CH1为通道一输出端口；CH2为通道二输出端口；（6）通道切换：用于切换两个通道；（7）开机按钮；（8）输出键：用于打开或关闭波形输出；（9）操作键：Waveform用于选择波形类型；FREQ/Rate用

45、于设置频率或采样率；AMP用于设置波形幅值；DC Offset设置直流偏置；UTIL用于进入存储和调取选项、更新和查阅固件版本、进入校正选项、系统设置、耦合功能、计频计；ARB用于设置任意波形参数；MOD、Sweep、Burst用于设置调制、扫描和脉冲串选项和参数；Preset用于调取预设状态；（10）数字键盘：用于键入值和参数，常与方向键和可调旋钮一起使用。1.2.3示波器的使用示波器的使用一、概述一、概述二、示波器的基本测量方法二、示波器的基本测量方法三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍四、基本使用方法四、基本使用方法一、概述一、概述1.示波器的选用示波器的选用 （1）根据被测信号特性

46、选择合适的示波器）根据被测信号特性选择合适的示波器 （2）根据示波器性能选择合适的示波器）根据示波器性能选择合适的示波器2.使用注意事项使用注意事项3.示波器的使用技术要点示波器的使用技术要点4.仪器使用前的自校仪器使用前的自校二、示波器基本测量方法二、示波器基本测量方法1.测量直流电压测量直流电压 H H U=H(div)Dy(V/div)KH扫描迹线垂直偏转距离扫描迹线垂直偏转距离Dy所选用的所选用的Y轴偏转因数轴偏转因数K探头衰减系数探头衰减系数零电平线若若Dy=0.5V/div，探头衰减倍，探头衰减倍数为数为10，则则U=70.510V=35V2.测量正弦电压测量正弦电压 H HUP=

47、H（div）Dy（V/div）K，本例中设本例中设Dy=2V/div,K=1，则则UP=321=6V。3.测量周期和频率测量周期和频率 ABT=x(div)Dx(t/div)K，K为扫为扫描速度扩展倍数，描速度扩展倍数，图中设图中设Dx=10mS/div，不扩展。，不扩展。则则T=8(div)10(ms/div)1=80mS三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍三、示波器的面板介绍四、基本使用方法四、基本使用方法1.测量准备测量准备在开机前首先应检查电源电压是否符合仪器要求；将电源线接入后面板

48、在开机前首先应检查电源电压是否符合仪器要求；将电源线接入后面板插座，接通电源，先将主电源开关切换到插座，接通电源，先将主电源开关切换到ON（后面板），开机约持续（后面板），开机约持续30s，等仪器预热几分钟后再进行操作。等仪器预热几分钟后再进行操作。2.基本使用方法菜单项、参数或变量的选择按下标注1所示即底部菜单键进入右侧菜单；按下标注2所示即右侧菜单栏设置参数或进入子菜单；如果需要进入子菜单或设置变量参数，可以使用可调旋钮调节菜单栏或变量；Select键用于确认和退出；再次按底部菜单键，返回右侧菜单。四、基本使用方法四、基本使用方法通道的激活和关闭通道的激活和关闭按按channel键开启输入

49、通道，激活后，通道键变亮，同时显示相应的通道键开启输入通道，激活后，通道键变亮，同时显示相应的通道菜单，每个通道以不同颜色表示：菜单，每个通道以不同颜色表示：CH1：黄色，：黄色，CH2：蓝色，：蓝色，CH3：粉：粉色，色，CH4：绿色，激活通道显示在底部菜单；再按相应：绿色，激活通道显示在底部菜单；再按相应channel键关闭通键关闭通道，如果通道菜单已关闭，则按两次道，如果通道菜单已关闭，则按两次channel键。键。波形的水平移动和刻度的选择波形的水平移动和刻度的选择使用水平位置旋钮左使用水平位置旋钮左/友移动波形，波形移动时，屏幕上方的位置指示符友移动波形，波形移动时，屏幕上方的位置指

50、示符显示出波形在内存中的水平位置；按显示出波形在内存中的水平位置；按Acquire键，然后按底部菜单的键，然后按底部菜单的Reset H Position to 0s重设水平位置，也可以按水平位置旋钮将位置置零。重设水平位置，也可以按水平位置旋钮将位置置零。旋转水平刻度旋钮改变时基（旋转水平刻度旋钮改变时基（time/div），范围为），范围为1ns100s/div，调整水，调整水平刻度后，时基指示符跟新。平刻度后，时基指示符跟新。四、基本使用方法四、基本使用方法（1）测量准备在开机前首先应检查电源电压是否符合仪器要求；将电源线接入后面板插座，接通电源，先将主电源开关切换到ON（后面板），开机