射频识别技术2-基本电磁原理--精品课件.ppt

1、第二章第二章 电感耦合方式的射频电感耦合方式的射频前端前端2 射频识别技术在工作频率13.56 MHz和小于135 kHz时，基于电感耦合方式（能量及信息传递以电感耦合方式实现），在更高频段基于雷达探测目标的反向散射耦合方式（雷达发射电磁波信号碰到目标后携带目标信息返回雷达接收机）。电感耦合方式的基础是电感电容（LC）谐振回路及电感线圈产生的交变磁场，它是射频卡工作的基本原理。基于雷达探测目标的反向散射耦合方式的基础是电磁波传播和反射的形成，它用于微波电子标签。实现射频能量和信息传递的电路称为射频前端电路，简称为射频前端。32.1 阅读器天线电路阅读器天线电路2.1.1 阅读器天线电路 的选择

2、在阅读器中，串联谐振回路具有电路简单、成本低，激励可采用低内阻的恒压源，谐振时可获得最大的回路电流等特点，被广泛采用。42.1.2 串联谐振回路串联谐振回路1.电路组成电路组成R1是电感线圈L损耗的等效电阻RS是信号源sV的内阻，RL是负载电阻，回路总电阻值R=R1+RS+RL。52.谐振及谐振条件谐振及谐振条件1jjsssVVVIZRXRLC回路电流I 22221ZRXRLC阻抗 相角 1arctanarctanLXCRR2.1.2 串联谐振回路串联谐振回路610XLC串联回路的谐振条件 01LC012fLC001LLCC2.1.2 串联谐振回路串联谐振回路73、谐振特性、谐振特性串联谐振回

3、路具有如下特 （1）谐振时，回路电抗X=0，阻抗Z=R为最小值，且为纯阻（2）谐振时，回路电流最大，即，且与同相（3）电感与电容两端电压的模值相等，且等于外加电压的Q倍(Q为回路的品质因素）2.1.2 串联谐振回路串联谐振回路SSSLVjQVRLjLjRVLj IV0000SSSCVjQVCRjCRVjCjIV000011183、谐振特性、谐振特性回路的品质因数 00111LLQRCRRCR 通常，回路的Q值可达数十到近百，谐振时电感线圈和电容器两端电压可比信号源电压大数十到百倍，在选择电路器件时，必须考虑器件的耐压问题，2.1.2 串联谐振回路串联谐振回路94、谐振曲线、谐振曲线 回路中电流

4、幅值与外加频率之间的关系曲线，成为谐振曲线。任意频率下的回路电流与谐振时的回路电流之比为：000000111j()1j()1j()IRLIRLQCR取其模值 m2220m20001111211IIQQ2.1.2 串联谐振回路串联谐振回路式中，表示偏离谐振的程度，称为失谐量 010 谐振曲线串联谐振回路的谐振曲线 由图可见，回路Q值越高，谐振曲线越尖锐，回路的选择性越好 2.1.2 串联谐振回路串联谐振回路11 通频带 谐振回路的通频带通常用半功率点的两个边界频率之间的间隔表示，半功率的电流比Im/I0m为0.707 通频带 200.7002122BW2222fQQ由此可见，由此可见，Q Q值越

5、高，通频带越窄（选择性越强），在值越高，通频带越窄（选择性越强），在RFIDRFID技术中，技术中，为保证通信带宽，在电路设计时应综合考虑为保证通信带宽，在电路设计时应综合考虑Q Q值的大小。值的大小。2.1.2 串联谐振回路串联谐振回路121、磁场强度H和磁感应强度B安培定理指出，电流流过一个导体时，在此导体的周围会产生一个磁场。ai2H2.1.3 电感线圈的交变磁场电感线圈的交变磁场式中，i为电流(A)，a为半径（m)磁感应强度B和磁场强度H的关系式为HBr0式中，是真空磁导率，；是相对磁导率，用来说明材料的磁导率是 的多少倍。0mHx/104170r0132、环形短圆柱形线圈的磁感应强度

6、在电感耦合的RFID系统中，阅读器天线电路的电感常采用短圆柱形线圈结构。20 11Z0Z3 2222i N aarBH 为电流，N1为线圈匝数，a为线圈半径，r为离线圈中心的距离，为真空磁导率。1i02.1.3 电感线圈的交变磁场电感线圈的交变磁场14 电感线圈的交变磁场磁感应强度B和距离r的关系11Z02i NaBra时 211Z00Z32i N arBH2.1.3 电感线圈的交变磁场电感线圈的交变磁场152.2.1 应答器天线电路的连接Microchip 公司的13.56 MHz应答器（无源射频卡）MCRF355和MCRF360芯片的天线电路 2.2 应答器天线电路应答器天线电路16 e5

7、550芯片的天线电路 工作频率为125 kHz，电感线圈和电容器为外接。2.2 应答器天线电路应答器天线电路17 并联谐振回路串联谐振回路适用于恒压源，即信号源内阻很小的情况。如果信号源的内阻大，应采用并联谐振回路。在研究并联谐振回路时，采用恒流源（信号源内阻很大）分析比较方便。2.2 应答器天线电路应答器天线电路18 串并联阻抗等效互换 22222222112222222222(j)()jjjxRXR XR XZRRXRXRXRX2222122222221/xR XRRRRXRX2222122222221/R XXXRXXR2.2 应答器天线电路应答器天线电路19 阅读器和应答器之间的电感耦

8、合法拉第定理指出，一个时变磁场通过一个闭合导体回路时，在其上会产生感应电压，并在回路中产生电流。当应答器进入阅读器产生的交变磁场时，应答器的电感线圈上就会产生感应电压，当距离足够近，应答器天线电路所截获的能量可以供应答器芯片正常工作时，阅读器和应答器才能进入信息交互阶段。2.3阅读器和应答器之间的电感耦合 1、应答器线圈感应电压的计算 SraaitNStNtNvd2ddddddd23222102222B22ddddvNtt 2NSB d2.3阅读器和应答器之间的电感耦合 从上式可以看出，应答器线圈上感应电压和距离的三次方成反比，因此，应答器要从阅读器获得正常工作的能量，它必须要靠近阅读器，此距

9、离也称为工作距离或者读/写距离（通常情况下，读距离大于写距离）。212、应答器谐振回路端电压的计算应答器天线电路的等效电路（利用串并转换）2.3阅读器和应答器之间的电感耦合 222、应答器谐振回路端电压的计算201223 222dd2iN N a SivQtar 2012212z3/222cos22mN avQ N SItfN SQar B201z13/222cos2mN aItarB2.3阅读器和应答器之间的电感耦合 Qvv22，（谐振状态下）zB是距离阅读器电感线圈为r处的磁感应强度值。)sin(11tIim由于233、应答器直流电源电压的产生 应答器直流电源电压的产生 2.3阅读器和应答

10、器之间的电感耦合 242.3阅读器和应答器之间的电感耦合 整流与滤波 采用MOS管的全波整流电路 的值选择过大，对滤波和储能效果好，但集成电路制作代价大，因此，综合考虑，其容量通常为百pF数量级。pC252.3阅读器和应答器之间的电感耦合4、负载调制 应答器向阅读器的信息传送时采用，以下介绍基于电感耦合方式的负载调制原理 262.3阅读器和应答器之间的电感耦合2、互感耦合回路的等效阻抗关系 12111jZ IM IV1222j0M IZI1121122VIMZZ11222211j MVZIMZZ上图b中初级和次级回路的电压方程式为：从上式可以看出，初、次级回路之间的影响可以通过反射阻抗的变化来

11、进行分析272.3阅读器和应答器之间的电感耦合3、电阻负载调制 开关S用于控制负载调制电阻Rmod的接入与否，开关S的通断由二进制数据编码信号控制。282.3阅读器和应答器之间的电感耦合3、电阻负载调制二进制数据编码信号用于控制开关S。当二进制数据编码信号为“1”时，设开关S闭合，则此时应答器负载电阻为RL和Rmod并联；而二进制数据编码信号为“0”时，开关S断开，应答器负载电阻为RL。应答器的负载电阻值有两个对应值，即RL（S断开时）和RL与Rmod的并联值RL/Rmod（S闭合时）。292.3阅读器和应答器之间的电感耦合3、电阻负载调制次级回路等效电路中的端电压 2CD2f222Lm11j

12、jVVRRLCR上式可以理解为，次级回路由于 的接入，负载加重，Q值降低，谐振回路两端电压下降。modR 次级回路在负载调制时，自阻抗下降，因此其对初级线圈的反次级回路在负载调制时，自阻抗下降，因此其对初级线圈的反射阻抗上升，表现为反射电阻增加，由于反射电阻不是一个电阻实射阻抗上升，表现为反射电阻增加，由于反射电阻不是一个电阻实体，它的变化体现为初级电感线圈体，它的变化体现为初级电感线圈L1L1两端的电压变化。所以初级线两端的电压变化。所以初级线圈两端的电压变化表现为幅度调制。圈两端的电压变化表现为幅度调制。302.3阅读器和应答器之间的电感耦合 电阻负载调制数据信息传递的原理（a）是应答器上

13、控制开关S的二进制数据编码信号，（b）是应答器电感线圈上的电压波形，（c）是阅读器电感线圈上的电压波形，（d）是对阅读器电感线圈上的电压解调后的波形。312.3阅读器和应答器之间的电感耦合4、电容负载调制 电容负载调制是用附加的电容器Cmod代替调制电阻Rmod 322.3阅读器和应答器之间的电感耦合4、电容负载调制电容负载调制时初、次级回路的等效电路 332.4 功率放大电路功率放大电路 功率放大电路功率放大电路位于RFID系统的阅读器中，用于向应答器提供能量采用谐振功率放大器分为A类（或称甲类）、B类（或称乙类）、C类（或称丙类）三类工作状况在电感耦合RFID系统的阅读器中，常采用B，D和

14、E类放大器 342.4 功率放大电路功率放大电路 B类功率放大器 采用两个特性相同的功率管接成推挽电路，它使一管在正半周导通，另一管在负半周导通，而后在负载上将它们的集电极电流波形合成，就可获得完整的正弦波。35用于125 kHz阅读器的B类放大器 L3，C4和C5组成滤波网络，该带通滤波器的中心频率 03124534511125 kHz1800 68002 1 1010218006800fC CLCC36 功率传输 等效电路 从阻抗匹配的条件下负载可获得最大功率考虑，则应满足 2f12s122MRRRRR2.4 功率放大电路功率放大电路37 D类功率放大器D类谐振式功率放大器有电压开关型、电

15、流开关型等电路形式 2.4 功率放大电路功率放大电路382.4 功率放大电路功率放大电路39 功率放大器效率 电流基波幅值 CCCESCESomL()2VVVIR负载电阻RL上的输出功率 2CCCES20omL2L2122VVPIRR2.4 功率放大电路功率放大电路40 在L1C1谐振回路的设计上应注意下述问题L1C1谐振回路应准确调谐于激励信号的基波频率上 为保护功率放大管，可在其集电极C和发射极E间并接一个保护二极管 谐振回路中的负载RL在电感耦合方式的RFID系统中很容易理解为应答器反射电阻Rf1和电感线圈损耗电阻R1之和 2.4 功率放大电路功率放大电路41 电流开关型D类功率放大器

16、2.4 功率放大电路功率放大电路43 电压开关型Vs电流开关型在电压开关型电路中，两管是与电源电压VCC串联的。电流开关型电路中，两管与电源电压VCC并联电压开关型电路中，两管集电极电流是正弦半波，集电极与发射极间电压为方波，负载流过的电流是正弦波。电流开关型电路中，两管集电极电流是方波，集电极和发射极间电压是正弦半波，负载两端电压是正弦波。在电流开关型电路中，电流是方波，电压开关型电路中，两管集电极电流是正弦半波2.4 功率放大电路功率放大电路44 传输线变压器耦合功率放大器 具有两种方式：一种按传输线方式来工作，另一种是按照变压器方式工作。2.4 功率放大电路功率放大电路45（a）倒相 R

17、L RS v 1 3 2 4（b）平衡 不平衡转换 RS RS v1 v2 1 3 2 4 RL RS v 1 3 2 4 RL/2 RL/2（c）不平衡 平衡转换 1:1传输线变压器应用 2.4 功率放大电路功率放大电路46 1:4传输线变压器 信号端呈现的输入阻抗 L1 21244ivvRRii传输线的特性阻抗 CL1 2122vvZRii2.4 功率放大电路功率放大电路47v1和v2为晶体管VT1和VT2的集电极电压，很显然在输入开关信号激励下，两管集电极电压为方波，且电压反相。两管集电极电流为正弦半波，各电流的方向如箭头所指。2.4 功率放大电路功率放大电路48 E类功率放大器 单管工

18、作于开关状态，谐波成分主要为二次谐波。它选取适当的负载网络参数，以使它的瞬态响应最佳。当开关导通（或断开）的瞬间，只有当器件的电压（或电流）将为零后，才能导通（或断开）。2.4 功率放大电路功率放大电路49 E类功率放大器E类功率放大器基本电路 2.4 功率放大电路功率放大电路50 E类功率放大器等效电路图 2.4 功率放大电路功率放大电路5152设计设计一个E类功率放大器，工作频率为1 MHz，输出到负载RL=50 上的功率Po=5 W，电源电压VCC=24 V。2.4 功率放大电路功率放大电路53 电磁兼容 电子产品的电磁兼容性（EMC）包含两方面：一是电磁干扰（EMI），二是抗电磁干扰的

19、能力（EMS）。在13.56 MHz频率，FCC的15.225节的规定为：载波频率范围13.56 MHz7 kHz；基波频率的场强10 mV/m，测量距离为30 m；谐波功率基波功率的-50.45 dB 2.4 功率放大电路功率放大电路542 电感耦合方式的射频前端电感耦合方式的射频前端具有EMC滤波电路的13.56 MHz阅读器的E类功率放大器电路 552 电感耦合方式的射频前端电感耦合方式的射频前端 电感线圈的设计 经验计算式 2200LNN Lii2=0.002ln0.50049H3labLlabl 薄长方导体的电感量 单层螺管形线圈 2=H22.925.4aNLla562 电感耦合方式的射频前端电感耦合方式的射频前端572 电感耦合方式的射频前端电感耦合方式的射频前端 应答器（射频卡）常用的电感线圈的结构和外形