存储芯片国产化现状与厂商情况分析课件.pptx

1、6.1 EEPROM国产国产化现化现状状11聚辰股份：聚辰股份：EEPR O M 市占率市占率最最高的国内高的国内企业企业聚辰股份目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条产品线，2019年EEPROM收入占比为88.14%，为公司核心业务。聚辰股份在聚辰股份在E E P R O M 芯片领域市占率全球第芯片领域市占率全球第三三，是手机摄像头是手机摄像头E E P R O M 领域占领域占 比超比超过过4成成，客户范围基本涵盖国内一线手机厂商，在此细分领域内是毫无争议的龙头企业。公司在2018年公司基于1.01um2 EEPROM存储单元的容量128KBit的产品实现量产，此外，公

2、司将不断加码研发 投入，开发新型EEPROM产品，提升公司的份额和竞争力。表表：聚辰股份：聚辰股份EEPROM应用应用手手机品牌机品牌使使用聚用聚辰辰股股份份EEPROM的的产品产品三星Galaxy S系列、A系列、2017New A系列、2018 A系列、J系列、2017 New J系列、2018 J 系列等华为Mate系列、P系列、荣耀V系列、荣耀Note系列、Nova系列等小米小米系列、红米系列、MIX系列、Note系列等OPPOR系列、Find X、A系列等vivoX系列、Y系列、S系列、Z系列、U系列、IQ00、NEX等表表：聚辰股份：聚辰股份E E P R O M 产品产品产产品系

3、列品系列容量容量应应用领域用领域I2C接口系列2Kbit-1024Kbit消费类电子、通讯、白色家电、汽车电子、医疗、电表等SPI接口系 列2Kbit-512Kbit无线局域网、网络硬盘、WIFI、蓝牙等消费类电 子市场Microwire系列1Kbit-16Kbit汽车音呐、移动硬盘、无绳电话等汽车电子以及消费类电子市场SPD/SPD+TS系列2Kbit/4Kbi t计算机和服务器的内存条等相关产品6.1 EEPROM国产国产化现化现状状2普冉半导普冉半导体体：EEPR O M 国内国内的的后起之后起之秀秀图：普冉半导体图：普冉半导体E E P R O M 产 品 示 意产 品 示 意图：图：

4、E E P R O M 芯 片 升 级 研 发 及 产 业 化 项 目芯 片 升 级 研 发 及 产 业 化 项 目公司目前的EEPROM产品覆盖了2Kbit-1Mbit的容量需求，在EEPROM产品上，普冉半导体自成立以来一 直采用130nm工艺平台进行EEPROM研发设计，目前正在进行新一代95nm及以下EEPROM产品研发。同时 支持SOP/TSSOP/DFN等传统封装，随着摄像头模组对EEPROM产品的小型化封装和高可靠性需求，公司 面向摄像头模组应用推出了全系列WLCSP封装的产品。目前公司已经递交上市申请，扣除发行费用后，本次募集资金将投资于闪存芯片升级研发及产业化项目、EEPRO

5、M芯片升级研发及产业化项目、以及总 部基地及前沿技术研发项目。EEPROM芯片升级研发及产业化芯片升级研发及产业化对对手机手机摄摄像像头头模模组组 等等消费消费类类 E E P R O M 以以及智及智能能电电表表、智智 慧慧通信通信等等工工业业类类EEPROM存储存储器器芯芯片片 进进行升行升级级研研发发开开发车发车载载EEPROM产产 品品，通，通过过运运用用纠纠错错 校校验验（ECC）和和差差 分分存储存储技技术术，使使其其 具具备超备超高高擦擦写写能能 力力、超、超长长数数据据保保存存 时时间等间等特特点点26.2 NOF Flash国国产厂商步入产厂商步入第第一梯一梯队队1兆易兆易创

6、新：创新：国国产产NOF Flash龙龙头厂头厂商商兆易创新兆易创新是是一家一家致致力于各力于各类类存储存储器器、控制器控制器及及周边周边产品产品的设计的设计研研发的发的全球全球化芯片化芯片设设计公计公司司。公司立足 于最初的NOF Flash不断研发，陆续推出NAND Flash和MCU。其中NOF Flash收入占比超过70%。兆兆易创易创新新的的SPI NOF Flash在中在中国国市市场上占场上占有有率为第率为第一一，同时，同时也也是全球是全球排排名前三名前三的的供应商供应商之之一一，2020Q1兆易创兆易创新新NOF Flash市场份市场份额额已已达达18.8%，累计出货量超130亿

7、颗，年出货量超28亿颗。NOFFlash 根据容量可分为高容量（1Gb及以上）、中（128Mb-1Gb）容量和低容量（128Mb以下），兆兆 易创新易创新主主要供要供应中应中低容低容量量NOF Flash 产品，产品，其其市占市占率仍率仍在伴随在伴随着着美光美光和和Cypress在低在低端端NOF Flash市市 场场的退的退出出、公公司技司技术术能力能力的的进进步步而持而持续续提提升升。随着随着市市场场空空间与间与市市场份场份额额的的同同步提步提升升，公，公司的司的NOFFlash销销量量未未来来仍仍有有较较大大的的提提升升空空间间。兆易创新旺宏、华邦表表 ：1Q20 N O F Flash

8、供应商市场份供应商市场份额额图图：N O F Flash五大厂商竞争格局五大厂商竞争格局排名排名公司公司市场份额市场份额高端市场为主Cypress、Micron1MXIC26.20%2Winbond24.50%3GigaDevice18.80%中低端市场4Cypress为主11.54%Others19%36.2 NOF Flash国国产厂商步入产厂商步入第第一梯一梯队队1兆易兆易创新：创新：国国产产NOF Flash龙龙头厂头厂商商兆易创新提供全容量的NOF Flash产品，电压覆盖1.65-3.6V。目目前公前公司司NOF Flash产产品工艺处品工艺处于行于行业业 内主流技术内主流技术水水

9、平平，工艺节点主，工艺节点主要要为为65nm，同同时有少时有少量量55nm工工艺艺节节点产品处于国际先进水点产品处于国际先进水平平，未来未来计计 划推划推进进45nm。2020年公司将在现有基础上着力推进55nm先进工艺节点系列产品，保持中低端市保持中低端市场持场持 续竞争续竞争力力，加加大大研研发发力力度度推推进进大大容量容量、高性、高性能能、高高可可靠靠性性产品产品，提提高高高端高端产产品品市市场场占占有有率率。2019年，兆易创兆易创新新GD25全系全系列列SPI NOF Flash产品通产品通过过AEC Q100认认证证，是目前是目前唯唯一的一的全国全国产化车规产化车规 闪闪存存产品产

10、品，可为汽车前装市场以及需要车规级产品的特定应用提供高性能高可靠性的闪存解决方案。2020年，公司推公司推出出国内首款国内首款2Gb大容量高性大容量高性能能SPI NOF Flash产品，产品，主要面向需要大容量存储、高可靠性与超高速数据吞吐量的工业、车载、AI以及5G等相关应用领域。市占率高、车规认证亮点表表 ：兆易创新：兆易创新N O F Flash主要产主要产品品图：兆易创新图：兆易创新N O F Flash 业务亮点应用业务亮点应用产品系列产品系列电压范围电压范围 容量范围容量范围生产进程生产进程制程制程NOF Flash3.0 Volt2.7V-3.6V 1Mb-512Mb大部分实现

11、量 产2.5 Volt2.3V-3.6V 2Mb-128Mb全部实现量产1.8 Volt1.65V-2.1V512Kb-1Gb大部分实现量 产当前应用消费电子计算通讯55nm/65nm1.65-3.6Volt1.65V-3.6V512Kb-128Mb半数实现量产未来应用汽车电子工业控制46.2 NOF Flash国国产厂商步入产厂商步入第第一梯一梯队队2武汉新芯武汉新芯：从：从代工到自代工到自主品牌主品牌武汉新芯集成电路制造有限公司（“XMC”），成立于2006年，紫光集团旗下核心企业，专专注注于于NOFFlash与晶圆级与晶圆级XtackingTM技技术术。在NOF Flash领域，武汉新芯

12、有深耕多年的代工业务，自2008年开始向客户提供专业的300MM晶圆代 工服务，一直是飞索半导体和兆易创新的核心代工商，目前已推出自有品牌的产品，发展前景可期；公司近年来还着力打造自有品牌的NOF Flash，2017年，武汉新芯正式宣布进军自有品牌NOF Flash，致力于开发高性价比的SPI NOF Flash产品。图：武汉新芯图：武汉新芯50nm N O F Flash图：武汉新芯厂区近况图：武汉新芯厂区近况30000片片/月月30000片片/月月56.2 NOF Flash国国产厂商步入产厂商步入第第一梯一梯队队2武汉新芯武汉新芯：从：从代工到自代工到自主品牌主品牌2020年，武汉新芯

13、自主研发的50nm浮栅式SPI NOF Flash芯片全线量产，存储单元面积和密度达国际 先进水平。武汉武汉新新芯还是芯还是全全球首球首家量家量产产45nm NOF Flash 的制造商的制造商，单单颗颗容量达到容量达到8Gb。截至2018年 底，武汉新芯NOF Flash 晶圆累计出货量达78 万片。武汉新芯的NOF Flash产品主要应用领域为消费电子、通信、笔记本电脑、TWS耳机、智慧电网。其中，NOF Flash在笔记本在笔记本电电脑市脑市场场占占15%，且笔记本用NOF Flash将由128M在明年转入256M的容量需 求；在智慧电网市场，也同样存在对128M和256M的NOF Fl

14、ash的需求；在国内安防市场领域，武汉新 芯NOF Flash占据3成市场份额。此外，武汉新芯正在加速研发5G基站所需的512M-1GbNOF Flash，有望有望为为国国内内5G基基站站客客户户批批量量供供货货。图：武汉新图：武汉新芯芯N O F Flash下游应用下游应用电脑/笔记本电脑移动/网络物联网/消费类工业用电子电脑笔记本电脑电脑主板移动电话 路由器蓝牙 智能家电 网络摄像机机顶盒 电视电信 智能电表66.2 NOF Flash国国产厂商步入产厂商步入第第一梯一梯队队3普冉普冉半导半导体体：国产国产NOF Flash新星新星普冉半导体2016年于上海成立，公司的主营业务是非易失性存

15、储器芯片的设计与销售，主要产品包括主要产品包括NOF Flash 和和EEPROM 两大两大类类非非易失易失性性存储存储器器芯芯片，片，其中NOF Flash营业收入占比高达70%。目前普冉半导NOF Flash产品采用电荷俘获工艺结构，工艺制程为55nm，较于行业主流的浮栅65nm 工艺制程，具备更优的功耗和芯片尺寸，且正在积极推进40nm的NOF Flash产品研发。提供512Kbit 到128Mbit容量的系列产品，覆盖1.65V-3.6V 的操作电压区间，主要针对消费电子领域推出了低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的NOF Flash 产品，应用领域集中在蓝牙耳机、TDDI、AMOL

16、ED 等 相关市场，终端用户主要包括三星、华为、OPPO、vivo、小米、联想、惠普等国内外知名企业。图：普冉图：普冉N O F Flash 产品示意图产品示意图图：普冉图：普冉N O F Flash营收及占比营收及占比0.00%10.00%20.00%30.00%50.00%40.00%60.00%70.00%80.00%0500010000150002000025000300002017201820192020年1-3月NOR Flash营收（万元）NOR Flash营收占比76.2 NOF Flash国国产厂商步入产厂商步入第第一梯一梯队队3普冉普冉半导体半导体：国国产产NOF Flas

17、h新星新星公司NOF Flash 产品使用SONOS 工艺结构进行设计，在此基础上进行NOF Flash 的产品研发和设计。相相较于较于同同行业行业竞竞争争对对手在手在芯芯片尺片尺寸寸、产产品性品性能能、成本方成本方面面具备一具备一定定优优势势。具体来看，公司NOF Flash 产品在中小容量（512Kbit-64Mbit）具备竞争力，并持续推进大容量产品的研发设计，主要系公司的 NOF Flash 产品的功耗、读写速度等性能具备较强竞争力且在中小容量领域具备较高的成本优势。在NOF Flash 业务方面，公司已经和汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂，深天马、合力泰、华星光电等手

18、机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系，随着客户认可度的提升和业务合作的 深入，公司的NOF Flash 出货量呈现爆发式增长。图：普冉图：普冉N O F Flash产品优势产品优势芯片 尺寸采用55nm的工艺制程，有效降低存储单元的单位面积；采用电荷俘获技术的SONOS工艺进行生产，芯片的控制电路更加简单，布局面积更小。产品 性能普冉的NOF Flash具备较低的读写功耗，SONOS工艺结构下生产的NOF Flash 产品操作电压更低，避免了不必要的能量损耗；擦写次数超过10万次，数据 保持超过20年。芯片 成本公司采用SONOS工艺结构所需要的光罩较少，使得晶圆的制造成本更低，同 时NOF F

19、lash芯片面积较小，因此NORFlash 产品的单位成本更低。86.3 NAND Flash 全面全面开开拓拓大容量大容量3D&利利基基型型2D市场市场为打造“处理器+存储”双平台，北京君正于2019年9月拟发行股份收购北京矽成，目前收购方案已经 获得证监会审核通过，收购北京矽成为北京君正带来存储业务，其中包括了NAND Flash业务。北京北京 矽成矽成的的NAND Flash存存储芯片主储芯片主攻攻1G-4G的大容量规格，广泛应用于工的大容量规格，广泛应用于工业业、消费、通讯和汽消费、通讯和汽车车领领域域。此此项项业业务务来来自自2019年。年。在FLASH产品上，北京矽成的未来研发计划

20、包括提供更高质量的、完整系列 的串行NOF Flash芯片，开发OctalFLASH芯片、具有显著成本优势的SLC NAND Flash芯片和低容量 的eMMC芯片产品。1北京君正北京君正：显：显著成本优著成本优势的势的 SLC N A N D Flash细分产品名细分产品名称称产品规产品规格格应用领域应用领域SPI NAND FLASH普通型 3.3V-1G工业、消费、通讯SPI NAND FLASH车规型 3.3V-1G汽车NAND FLASH普通型 1.8V-1G/2G/4G工业、消费、通讯NAND FLASH普通型 3.3V-1G/2G/4G工业、消费、通讯NAND FLASH车规型

21、1.8V-1G/2G/4G汽车NAND FLASH车规型 3.3V-1G/2G/4G汽车表：北京矽成表：北京矽成N A N D FLASH产品信产品信息息17年年占比占比18年年占占比比9年年1-5月月 占比占比DRAM16.4165.35%16.81 58.43%6.959.18%SPAM5.4621.74%5.64 19.60%2.0917.92%FLASH1.957.77%3.52 12.23%1.5713.46%ANALOG1.295.14%2.89.73%1.19.43%表：北京矽成主营构表：北京矽成主营构成成（亿（亿元元）96.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3

22、D&利利基基型型2D市场市场2公司公司 NAND Flash 产品属于产品属于 SLC NAND（2D），广泛应用于网络通讯、语音存储、智能电视、工业 控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等。目前 SLC Nand 主流工艺结点在 19nm-38nm，公司成熟工公司成熟工 艺节点为艺节点为 38nm（已量产已量产），），产产品容品容量从量从 1Gb 至至 8Gb 覆盖主覆盖主流流容量容量类类型型，电压涵盖 1.8V 和 3.3V，提供传统并行接口和新型 SPI 接口两个产品系列，提供完备的高性能、高可靠性嵌入式应用 NANDFlash 产品线。公司将持公司将持续续投入投入力量力量研发研发 24nm

23、 NAND Flash 工艺节点工艺节点，推进基于 24nm 工艺节点的NAND Flash产品研发，不断提升产品竞争力。图：兆易创图：兆易创新新4GB N A N D -GD5F4GQ4UCYIGR图：兆易创新图：兆易创新 N A N D Flash 产品型号产品型号兆易创新兆易创新：专：专注低容注低容量量2D N A N D 市场市场106.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场在 NAND Flash 产品上，目前行业龙头厂商主要有三星电子、东芝、海力士、美光科技等企业，占据 全球主要市场，产品类型以大容量存储的 3D NAND 为主。而在低容

24、量而在低容量 2D NAND 领域，市领域，市场场规模相规模相 对对较较小小，公公司司通过通过差差异化异化产产品品需需求切求切入入该细该细分分领领域域市场市场以以实现实现局局部部应应用领用领先先。如小容量 SPI NANDFlash 产品，可广泛应用于手机、机顶盒、数据卡、网通产品、通讯设备等消费类产品，公司在技术、产品以及市场应用方面都处于领先地位，可持续扩大和扩展在 SPI NAND 产品的开发和市场推广，并 取得一定市场份额。2兆易创新兆易创新：专：专注低容注低容量量2D N A N D 市场市场80706050403020100图图：3D VS 2D N A N D 市场规模（十亿美元

25、）市场规模（十亿美元）3D NAND2D NAND图图:小米小爱智能音箱小米小爱智能音箱Play-兆易创新兆易创新1Gb SPI N A N D116.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场3DNAND闪存项目 正式启动长江存储 有限责任 公司成立9层3D NAND闪存 测试芯片通过电 气性能验证32层3D NAND闪存测试芯 片设计完成长江存储1 期 工 厂 破土动工32层3D NAND闪存设计完成长江存储1期 工厂实现提 前封顶32层3D NAND闪存实现首 次流片14.1015.616.716.1217.717.917.1118.818Q319

26、Q364层3D NAND闪存实现首次流片在闪存峰会上首次发 布Xtacking架构并获 得Best of Show奖项32 层 3DNAND闪存实现量产64 层 3DNAND闪存 实现量产长长江江存储成存储成立立于于2016年年7月月，总部，总部位位于武于武汉汉，是一，是一家家专注专注于于3D N A N D 闪存闪存芯芯片设片设计计、生产生产和和销售销售的的IDM 存储企业存储企业，是紫是紫光光集集团旗下团旗下重重要要的的存存储储芯片厂芯片厂商商。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有 研发中心，全球共有员工5000余人，其中研发工程师约2000人。公司于2016年底开工建设，并于20

27、18 年底实现32层3D NAND的量产。公司首创了Xtacking技术，并使用该技术顺利研发出64层3D NAND，并 于2019年下半年量产256Gb（32GB）TLC 3D NAND。公司宣布将直接研发128层3D NAND Flash，距离 国外厂商的技术差距逐步缩短。图：长江存储发展历程图：长江存储发展历程312长江存储长江存储：专：专注注3D N A N D6.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场武汉新芯集成电 路制造有限公司长存创芯（北京）集成电路设计有 限公司武汉长江存储科 技服务有限公司紫光长存（上海）集成电路有限公司紫光宏茂微电

28、子（上海）有限公 司长江先进存储产 业创新中心有限 责任公司湖北紫光国器科 技控股有限公司51.04%国家集成电路产 业投资基金股份 有限公司24.09%湖北省科技投资集团有限公司12.99%湖北国芯产业投 资基金合伙企业(有限合伙)11.88%长江存储科技控 股有限责任公司100%长江存储科技有限责任公司100%100%100%100%50.94%34.48%长江存储由湖北紫光国器科技、国家集成电路基金、湖北省科技投资和湖北国芯产业投资基金共同控 股。其其中中湖湖北紫北紫光光国器国器科科技为技为最最大股大股东东，占，占比比51.04%。图：长江存储股权结构图图：长江存储股权结构图3长江存储长

29、江存储：湖：湖北紫光国北紫光国器控股器控股 136.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场Xtacking为长江存储首创为长江存储首创，此项技术此项技术对对3D NAND闪闪存架构做出存架构做出重重大创大创新新，通过金属互联通道VIAs把 两片独立制造的晶圆键合，成为一个牢固的整体。Xtacking创新架构使3D NAND拥有更快的I/O接口 速度和更高的存储密度。同时，模块化设计工艺能够提升研发效率并缩短生产周期。3长江存储长江存储：首：首创创Xtacking技术技术图：图：Xtacking基本架构基本架构CMOS外围电路晶圆14XtackingN

30、AND存储整列晶圆资料来源：长江存储官网，国元证券研究中心更快更快：更快的I/O接口速度可选择合适的先进逻辑工艺独立加工负责数据I/O的CMOS外围 电路晶圆，亿提升I/O接口速度，再通过VIA于存储晶圆键合。更高更高：更高的存储密度传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的2030%，降低 了芯片的存储密度Xtacking技术将外围电路置于存储单元之 上，从而实现更高的存储密度，芯片面积可减少约25%。更灵活更灵活：提升研发效率&缩短生产周期利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了模块化的产 品设计及制造，开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%。此外，模块化也为引入NAND外围

31、电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。6.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场2018年8月，长江存储在全球FMS（闪存峰会）上发布了Xtacking 架构，并获得大会最高荣誉“Best of Show”奖项。2019年9月2日，长江存储在IC China 2019前夕宣布，将在其第三代3D NAND闪存中 应用Xtacking 2.0，进一步提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新 商业模式。搭搭载载Xtacking 2.0技术技术的长的长江江存存储储第第三三代代产产品品（128L)将被广将被广泛泛应应

32、用用于于数数据据中中心心，企企业业级级 服务服务器、器、个个人电人电脑脑和移和移动动设备设备等等领领域域，并将并将开开启高启高性性能、能、定定制化制化NAND解解决决方案的方案的全全新篇新篇章章。3长江存储：长江存储：128层层 3D N A N D 搭载搭载Xtacking 2.0图图：Xtacking 获得获得F M S “Best of Show”奖项奖项图图：Xtacking 2.0 宣传广告宣传广告156.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场长长江存江存储储专专注注3D N A N D 闪闪存存业业务务，于于2020年年4月月10日日推出

33、第推出第三三代产代产品品128层层 3D N A N D 存存储芯储芯片片，直直接接跳跳 过过96层，加速层，加速赶超赶超国外厂商先国外厂商先进进技技术术,128层层 3D N A N D 缩小与海外缩小与海外厂厂商差商差距距至至1年。年。未来，128层QLC版 本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多 元化数据存储需求。3长江存储长江存储：技：技术发展加术发展加速赶速赶超国际厂超国际厂商商图：长江存储图：长江存储128L Q L C 3D N A N D表：长江存储表：长江存储3D N A N D 产品信产品信息息表：全球存储企表：全球存

34、储企业业128层层3D NAND进展进展公司公司产品产品容量容量实施情况实施情况三星第六代V-NAND128层TLC 3D NAND第六代V-NAND128层TLC 3D NAND256GB512GB2019.8量产2019.11推出SK海力士128层TLC 4D NAND Flash1TB2019.6首推美光第四代128层3D NAND-2019.10量产铠侠112层TLC 3D NAND-2020.1发布英特尔144层 QLC 3D NAND-2020量产长江存储128层TLC 3D NAND128层QLC 3D NAND512GB1.33TB2020.4发布2020.4发布层数层数产品型

35、号产品型号 NAND类类型型容量容量传输速度传输速度技术技术研发完成研发完成流片流片量产量产与国外差距与国外差距32L-8GB-Conventional2017.72017.112018Q33-4年64L-TLC256GB-Xtacking-2018.82019Q32年128LX2-9060TLC512GB(3Bit/cell)1.6GbpsXtacking2020.42021E2021E1年128LX2-6070QLC1.33TB1.6GbpsXtacking2020.42021E2021E1年192L-1Xtacking6-2022E2022E-6.3 NAND Flash全面全面开拓开拓

36、大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场3长江存储长江存储：产：产能扩张进能扩张进一步一步提升全球提升全球市占市占率率长江长江存存储国储国家家存储存储器项器项目目于于2016 年底年底开开工工，总投资总投资240 亿亿美美元，元，分分两期两期建建设设3D N A N D 闪闪存存晶圆晶圆厂厂。一一期主期主要要实实现现技技术术 突破，突破，并并建建成成10 万万片片月产月产能能，计，计划划于于2020 年底年底满满产产，考虑到国外厂商扩产情况，届时长江存储市全球占率将达5%左 右。二期项二期项目目追加追加产产能能20 万万片片，建，建成成后长后长江江存储存储总总产能产能将将达达30 万万片片，

37、预计到2023年，长江存储在全球3D NAND Flash 产能中的占比将提高到10.8%，届时将实现“赶英超美”，即实现对于英特尔（6.6%）和美光（10.3%）的赶超。根据 规划2030 年长江存储计划实现100万片月产能，进一步提升自身全球市占率。图：长江存储核心厂区近况图：长江存储核心厂区近况图：长江存储产能图：长江存储产能&全 球 市 占 率全 球 市 占 率0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%120100806040200产能(万片/月）全球市占率表：长江存储产能规划表：长江存储产能规划项目项目投资投资地点地点产品类型产品类型规划产能规划产能开建时间开建时间投产时间投产时

38、间1期80亿美元武汉东湖高新区3D NAND10万片/月2016.1220182期160亿美元武汉东湖高新区3D NAND20万片/月2020.62021E17186.3 NAND Flash全面全面开拓开拓大大容容量量3D&利利基基型型2D市场市场3长江存储长江存储：加：加速提升产速提升产线国线国产化产化率率随着产能的随着产能的增长增长，长江存储也，长江存储也不不断加大国产半导断加大国产半导体体设备的采设备的采购购。截至今年 7 月初，长江存储已累计 释放 2048 台工艺设备，其中国产设备 290 台，国产化率 14%。其中，北方华创中标3台刻蚀设备，3台薄膜沉积设备及4台退火设备，对应领

39、域占比分别为6%、5%和18%；中微半导体中标9台刻蚀设备，占比19%；华海清科中标6台CMP设备，占比18%；精测电子中标3台检测设备，占比13%。相较其相较其他他产产线线，长江存长江存储储产线产线国内国内厂商中厂商中标标率更率更高，高，长江存长江存储储密集密集招标招标有望推有望推动动国产国产化率化率加速提加速提升升。表：中国半导体设备行业各类制程设备国产化情况表：中国半导体设备行业各类制程设备国产化情况设备类型设备类型国产化率国产化率本土品牌本土品牌去胶设备20%屹唐半导体清洗设备20%盛美半导体、北方华创刻蚀设备20%中微半导体、北方华创、屹唐半导体热处理设备20%北方华创、屹唐半导体P

40、VD设备10%北方华创CMP设备10%华海清科CVD设备0%中科信、凯世通涂胶显影设备0%沈阳芯源光刻设备0%上海微电子6.4国产国产DRAM蓄势待发蓄势待发1兆易创新兆易创新：自：自主研发利主研发利基基型型D R A MDRAM新新晋设计晋设计产产商：兆易创商：兆易创新新是一家致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发的全球化芯 片设计公司。公司最初产品为NOF Flash存储器，陆续推出NAND Flash和MCU。与合肥产投合作开 发合肥长鑫DRAM项目、并购思立微切入人机交互生物识别传感市场。2020年6月，兆易创新公告成功募集资金43.24亿元，资金来自新加坡政府、葛卫东等投资方。

41、其中其中33.24亿元将投入研亿元将投入研发发1Xnm级级（19nm、17nm）工艺制程下工艺制程下的的DRAM芯芯片研发及产业化项目片研发及产业化项目，设计 和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM，瞄准汽车、家电、工业控制等利基型DRAM 市场领域。图：兆易创图：兆易创新新32位位M C U图：兆易创新图：兆易创新G D 2 5 SPI N O R196.4国产国产DRAM蓄势待发蓄势待发1兆易创新兆易创新：自：自主研发利主研发利基基型型D R A M2020年2022年2021年完成首款产品设计与流 片试样完成首款产品客户验证 及量产多系列产品陆续研发及 量产20

42、25年自2017年收购北京矽成失败后，兆易创新投资合肥长鑫，迈进DRAM市场。此次募集资金助力兆易创 新在DRAM领域继续深耕，支持公司自主研发利基型DRAM。兆易创新表示，服务器、电脑、手机等 产品大概占据90%的市场份额，剩余10%市场有汽车、家电、工业控制等领域涉及行业多、应用散、产品没有主流应用的高端要求，属于利基型市场，是公司的研究方向。产品研发成功后，由合肥长鑫 代为生产。图：研发产品应用领域图：研发产品应用领域资料来源：公司公告，国元证券研究中心图：研发项目阶段规划图：研发项目阶段规划 电视机顶盒、路由器、车载电子、安防、通讯、工业控制 手机、平板电脑、掌上游戏机、可穿戴设备消费

43、型DRAM 移动型DRAM206.4国产国产DRAM蓄势待发蓄势待发2北京君正北京君正：收：收购矽成开购矽成开拓拓D R A M 设计业务设计业务SI EN Cayman100%100%I SSIISSI Cayman利基利基型型DRAM头部公司北京头部公司北京矽矽成近成近来来有了新股有了新股东东：北：北京京君君正正。北京君正成立于2005年，2011年于A股 上市。主营业务为微处理器芯片、智能视频芯片等ASIC芯片产品及整体解决方案，主要面向智能家居 家电、二维码、智能门锁、智能穿戴、生物识别和智能视频等领域。2019年，北京北京君君正正公告拟以发行股份、支付现金的方式合计支支付付72亿元收

44、购北京矽亿元收购北京矽成成100%股股权结权结构构，并通过证监会审核。北京矽成原名为北京闪盛，成立于2014年，于2015年对纳斯达克上市公司ISSI实 施私有化收购。ISSI成立于1993年，目前是北京矽成业务开展的经营主体，矽成自身暂未开展业务。图：北京矽成股权结构示意图图：北京矽成股权结构示意图北京矽成100%上海闪胜100%闪胜科技100%216.4国产国产DRAM蓄势待发蓄势待发2北京君正北京君正：收：收购矽成开购矽成开拓拓D R A M 设计业务设计业务（万美元）（万美元）2019201920202020202120212022202220232023营业收入40,50045,10

45、051,40056,50060,300研发费用3,9004,0424,2724,6994,838北京矽成的主营业务为集成电路存集成电路存储储芯片、模拟芯片芯片、模拟芯片的的研发和销售研发和销售。产品包括DRAM、SRAM、FLASH 及ANALOG。2018年，DRAM与SRAM收入占北京矽成收入分别为58.41%与19.60%。代工厂包括南亚 科、台积电、中芯国际等。利基利基型型DRAM市市场场品种较多、稳定性要求较高，需要长期供货，是具有较高技术壁垒的专业级应用领域，三大行业龙头企业对专用领域市场投入有限，为北京矽成提供了合适的发展空间。矽成产品涵盖16M、64M、128M到1G、2G等多

46、种容量规格，能够满足工业等级和车规等级产品的要求，具备在极端环境下 稳定工作以及节能降耗等特点。本次收购完成后，北京君正将形成形成“处理器存储处理器存储器器”的技术和产品格局的技术和产品格局，并运用公司雄厚的资金实力和研发能力，助推原矽成DRAM产品在汽车电子、工业控制和物联网领域的应用。图图：ISSI LPDDR4图：北京矽成营业收入、研发投入预测图：北京矽成营业收入、研发投入预测226.4国产国产DRAM蓄势待发蓄势待发国内国内存储存储龙龙头企头企业业紫光紫光集集团大团大手手笔投笔投入入DRAM研研发，并进发，并进军军DRAM制制造领域。造领域。目前紫光集团内DRAM设计与销售的经营主体是

47、西安紫光国芯，其最初为奇梦达西安子公司，于2015 年被紫光收购。在2019年集邦科技举办的2020存储产业趋势峰会上，西安国芯展出从颗粒到模组全 系列的内存产品，包括DDR、LPDDR系列，SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM等模组产品以及世界首款商用内嵌自纠错DRAM，ECC DRAM产品。其设计的DRAM产品主要应用于服务器、个 人计算机、机顶盒、电视机等领域。图：西安紫光国图：西安紫光国芯芯DDR3 E C C D R A M图：西安紫光国芯官网产品示意图：西安紫光国芯官网产品示意3紫光集团紫光集团：组：组建建D R A M 综合综合事事业业群群236.4国产国产D

48、RAM蓄势待发蓄势待发2019年6月，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集组建紫光集团团DRAM事业群，全力加速发展国产内事业群，全力加速发展国产内存存。同年8 月，紫光集团与重庆市人民政府签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议，将在重庆设立紫光国芯集 成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总总部研发中部研发中心心在内的紫光DRAM 事业群总部、DRAM存存储储芯片芯片制制造工造工厂厂、紫光科技园等，预计2022年完工。紫光重庆DRAM存储芯片 制造工厂主要专注于12英寸DRAM存储芯片的制造，预计产能为每月10万片晶圆。2020年6月，紫光集团宣布引入重庆两江产业集团作为

49、集团新的战略投资人。此后，清华控股、两江 产业集团、健坤投资将各持有紫光集团三分之一股权。图：紫光与重庆政府签约图：紫光与重庆政府签约图：紫光科技园图：紫光科技园3紫光集团紫光集团：组：组建建D R A M 综合综合事事业业群群246.4国产国产DRAM蓄势待发蓄势待发国国内目内目前前仅仅有有一一家家DRAM制制造造商商，合合肥肥长长鑫鑫。合肥长鑫由合肥产投在2016年牵头成立，主攻DRAM方 向。2017年，兆易创新与合肥产投签署协议，预算180亿在合肥开展19nm 12英寸DRAM项目，兆易创新初始投资36亿，并约定公司在未来收购合肥产投在该项目中的权益，同时约定，合肥长鑫优先为 兆易创新

50、代工利基产品（由兆易设计）项目依托的是合肥长鑫旗下睿力集成。长鑫通过合作与协议的方式获取专利避免福建晋华的悲剧。2019年5月，合肥长鑫对外公布，其DRAM技术来源于奇梦达，通过合作获得了一千多万份与DRAM相关的技术文件（约2.8TB数据），以及16000份专利。此后合肥长鑫又与Polaris Innovations Ltd.、蓝铂世签订协议，获得DRAM芯片技术文件和专利许可。图：合肥长鑫发展历史图：合肥长鑫发展历史4合肥长鑫合肥长鑫：国：国内领内领先先D R A M 制制造厂造厂商商2016.2016.6 62020.2020.4 42019.2019.5 5合肥长鑫由合肥 产投牵头成立