1、1.3 晶体三极管晶体三极管管中有两种不同极性的载流子参与导电，管中有两种不同极性的载流子参与导电，所以又称做所以又称做双双极型晶体管极型晶体管由由两个两个 PN 结结组合而成，是一种组合而成，是一种CCCS器件器件BJT第1页，共24页。2 2较薄，掺杂较薄，掺杂浓度低浓度低面积很大面积很大掺杂浓度很高掺杂浓度很高集电结集电结发射结发射结 NPN型型PNN发射区发射区集电区集电区基区基区基极基极b发射极发射极e集电极集电极c1.3.1 晶体管的结构及类型第2页，共24页。3 3集电结集电结发射结发射结NPN型型cPNNeb发射区发射区集电区集电区基区基区基极基极发射极发射极集电极集电极发射结
2、发射结集电区集电区PNP型型NPPeb基区基区集电结集电结发射区发射区集电极集电极c发射极发射极基极基极cbeecb第3页，共24页。4 4第4页，共24页。5 5我国晶体管的型号命名方法我国晶体管的型号命名方法 3AX81第5页，共24页。6 6以以 NPN 型三极管为例讨论型三极管为例讨论cNNPebbec表面看表面看三极管若实三极管若实现放大，必须从现放大，必须从三极管内部结构三极管内部结构和和外部所加电源的外部所加电源的极性极性来保证。来保证。不 具 备不 具 备放大作用放大作用1.3.2 晶体管的电流放大作用第6页，共24页。7 7三极管内部结构要求：三极管内部结构要求：NNPebc
3、1.发射区高掺杂。发射区高掺杂。2.基区做得很薄基区做得很薄。通常只有几微。通常只有几微米到几十微米，而且米到几十微米，而且掺杂较少掺杂较少。外加电源的极性应使外加电源的极性应使发射结处于正向偏置发射结处于正向偏置状态，而状态，而集电结处于反向偏置集电结处于反向偏置状态。状态。3.集电结面积大。集电结面积大。三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件：第7页，共24页。8 8VBBVCC-uo+RbRc 共射放大电路共射放大电路电流单位：电流单位：mAiB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95iE uBECEB+-
4、+晶体管晶体管C、E之间相当于开路之间相当于开路第14页，共24页。1515iCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA放大区放大区BCBCiiII ,输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域:放大区放大区发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏uBE Uon,且且uCE uBE 曲线基本平行等距。曲线基本平行等距。CEB+-+输出曲线具输出曲线具有恒流特性有恒流特性第15页，共24页。1616iCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA饱和区饱和区输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区饱和区发射结正偏发射结正偏集电结正偏集电结正偏uBE Uon,且且uCEVE有可能有可能NPN1.5VTRbRciC-6VVE=0VB0即即 VBVE不可能不可能PNP第24页，共24页。
