1、精华模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析西电微电子：模拟集成电路原理本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析西电微电子：模拟集成电路原理概述基准是直流量，与电源和工艺参数的关系小，与温度的关系是确定的。目的：建立与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压和电流。形式：与绝对温度成正比（PTAT）常数Gm特性 与温度无关西电微电子：模拟集成电路原理概述西电微电子：模拟集成电路原理本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PT
2、AT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析西电微电子：模拟集成电路原理与电源无关的偏置21111LWLWgRVImDDout如何产生IREF？西电微电子：模拟集成电路原理与电源无关的偏置22111/2kRLWCISNoxnoutSoutTHNOXnoutTHNOXnoutRIVLWKCIVLWCI2122SoutNOXnoutRIKLWCI112西电微电子：模拟集成电路原理8与电源无关的偏置DDTHTHTHVVVV351DDGSTHGSVVVV351西电微电子：模拟集成电路原理9本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析西电微电子：模拟集成电路原
3、理与温度无关的偏置TqEVmVVkTETVmIITVTVgTBETgTSCTBE44ln2负温度系数电压当VBE750mV，T300K，为1.5mV/K西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关的偏置nVIIVInIVVVVTSTSTBEBEBElnlnln201021正温度系数电压nqkTVBEln西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关的偏置VREF=1VBE+2(VTln n)1=1 根据室温时温度系数之和为零，得到：2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关的偏置3221lnRRnVVVTBEout西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关
4、的偏置西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关的偏置OSTBEoutVnVRRVVln1322西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关的偏置OSTBEoutVmnVRRVV)ln(212322西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关的偏置西电微电子：模拟集成电路原理与温度无关的偏置西电微电子：模拟集成电路原理本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析西电微电子：模拟集成电路原理PTAT电流的产生西电微电子：模拟集成电路原理PTAT电流的产生nVRRVVTBEREFln123西电微电子：模拟集成电路原理本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析西电微电子：模拟集成电路原理恒定Gm偏置西电微电子：模拟集成电路原理本讲内容 概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析西电微电子：模拟集成电路原理实例分析PMOS 电流镜保证Q1Q4的集电极电流相等西电微电子：模拟集成电路原理实例分析西电微电子：模拟集成电路原理实例分析西电微电子：模拟集成电路原理实例分析西电微电子：模拟集成电路原理实例分析西电微电子：模拟集成电路原理
