PCM测试培训全课件.ppt

1、PCM 测试培训测试培训概概 述述PCM PCM 测试的作用测试的作用测参数参数有什么作用参数有什么作用?建立器件模型 制定出片标准 监控工艺质量 寻找低良原因PCM PCM 设备类型设备类型CMOS/BICMOS/E2CMOS/BICMOS/E2等低压器件测试设备等低压器件测试设备:4070/4062/450/425;4070/4062/450/425;DMOSDMOS测试设备测试设备:FET3600(FET3600(兼顾兼顾CPCP测试和中测打点的功能测试和中测打点的功能)二极管测试设备二极管测试设备:APD01APD01概概 述述三三 PCM PCM 测试系统结构测试系统结构控制终端控制

2、终端 测测 试试 仪仪TESTER探针台探针台PROBER概概 述述开关矩阵开关矩阵和针卡和针卡电容仪电容仪万用表万用表脉冲发射器脉冲发射器PCM程序描述4070:语言BASIC程序结构:子程序 主程序 PRINT文件 LIMIT文件 坐标文件TESTSUBS.6TESTSUBS.6TESTS.TESTS.6 6printprintTSTLSTTSTLST/TLbkup/TLbkup.std.std产品测试程产品测试程序序:CODE名名TESTS.6TESTS.6printprintTSTLSTTSTLST/TLbkup/TLbkup.std.std450程序描述:语言:C子程序 主程序 标准

3、测试模块 LIMIT FILE 坐标文件产品测试程产品测试程序序:CODE名名pgmpgmklfklfplansplans.wdu.wduPLANSPLANSNMOS/PMOSNMOS/PMOS klf klf.wdu.wduPGMPGM cpf/wpf cpf/wpf开发PCM程序需要与PCM确认什么信息?测试需要的硬件配(电容仪/脉冲发生仪等)针卡信息针卡上的针间距是否可以与开发产品WAFER上的PAD间距一致;针卡上的针的个数与排列是否与开发产品WAFER上的PAD个数与排列一致测试电压电流要求PCM测试机台是否可以满足4070/4062:见后页450/425:200ma/200vFET

4、3600:5A/2000V4070450PCM测试程序开发开发PCM程序需要提供什么资料?测试模块坐标测试电学条件参数规范PCM程序开发需要填写的表单?E状态产品的更改路径:Fas920aFab1文件库特别共享PI电性测量课TD程序调试申请报表M/N/P/ER状态的更改使用路径,工作流路径:什么时候需要写什么时候需要写申请申请:单个产品更单个产品更改的时候改的时候,子程序子程序优化走优化走PCMPCM人员走人员走-PCCB-PCCB程序开发完后PCM人员做什么?E状态产品:M/N/P/ER状态产品:EIP系统里会有附件附上.PCM异常处理流程PCM测试问题分析流程测试问题反馈测试问题思考方向:

5、针卡/机台/操作习惯/程序经典案例分析450 IOFF-弥补设备硬件差异MGLV P+测试问题-解决工艺缺陷VTFOX测试问题-TESTKEY设计问题导致PCM问题FAIRCHART 扎偏移-找目标对测试的影响450 IOFF产品反映IOFF 450/4070测试值有台阶,导致工艺SPC不达标准450 IOFF为什么会有漏电类参数,450测试结果比4070漏电小的呢?450 IOFF检查程序寻找差异,450漏电更小的原因是使用了皮安表450 IOFF优化程序解决问题 LVMG产品一直以来都存在P+测试不出的问题，现在以在北京生产的ICET316/314尤为突出 分析认为是PCM TEST设计结

6、构不合理导致PCM测试有问题MGLV P+测试问题MGLV P+测试问题-PCM P+测试结构备注：红色：备注：红色：N+；兰色：；兰色：P+；绿色：；绿色：ALALSIO2N+NSUB探针探针结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿AL/SIO2（1100A）直）直接与接与N+连通，即发生漏电，电阻测量不出。当探针轻扎时，连通，即发生漏电，电阻测量不出。当探针轻扎时，P+是可以测是可以测试出来的，与实验吻合，见附录一。试出来的，与实验吻合，见附录一。MGLV P+测试问题PCM N+测试结构备注：红色：备注：红色：N+；兰色：；兰色：P+；绿色

7、：；绿色：AL结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿AL/SIO2（1100A）直）直接与接与N+连通，因为所接触的还是连通，因为所接触的还是N+，不会漏电，这就是，不会漏电，这就是N+从没有出现测从没有出现测量不出的原因量不出的原因ALSIO2N+PWELLNSUBMGLV P+测试问题 结论：因为模块设计问题，导致会有测试不出的问题发生，与PCM工艺无关经过单点扎针测试经过单点扎针测试,发现当高度为发现当高度为310时时,测试结果为片子真实值测试结果为片子真实值(同一点同一点).针高针高=310=310Default_XDefault_XR

8、s_pplusRs_pplusratioratio1 1768.311768.3111.118641.118642 2771.354771.3541.127121.127123 3771.354771.3541.136751.136754 4772.876772.8761.117651.117655 5777.44777.441.126051.126056 6772.876772.8761.127121.127127 7785.047785.0471.123971.123978 8774.397774.3971.117651.117659 9777.44777.441.099171.09917

9、附件一：PCM探针高度实验同一片在310高度测试的结果05.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 710.5 0 0 UUU.U 500 90005.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 53.8 -33.17 26.05 105.9 581 53.8 .U.O 0 25025.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90025.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT -506.3 -192.2 130.3 2.3E+04 443.7 130.3 UU.O

10、o 0 25012.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 814 0 0 0 0 U.UUU 500 90012.dat_5:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 2.4E+04 100.5 4.2E+04 2E+21 2E+21 4.2E+04 O.OOO 0 250发现有的点能测试出发现有的点能测试出,而有些点测不出而有些点测不出.加深为加深为311,则测试结果如下则测试结果如下:15.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 739.4 0 734.8 0 0 0 .U.UU 500 90015.dat_4:PPLUS SHEET R

11、ES OHMS/SQ 0 721.1 713.5 0 744 713.5 U.U.500 90017.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 715.1 745.5 721.1 696.8 742.4 721.1 .500 900认为针的高度对测试结果有很重要的结果认为针的高度对测试结果有很重要的结果,但很难保证测试高度合适但很难保证测试高度合适17.dat_6:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90021.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 710.5 0 0 748.5 0 U.UU.

12、500 90022.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 705.9 709 0 744 705.9 U.U.500 90025.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 712 0 724.2 0 0 U.U.U 500 900加深为加深为312,则测试结果如下则测试结果如下:不难发现当针高由不难发现当针高由311变为变为312时时,17片的片的P+测试不出来测试不出来 TEST UFORCE I如上图所示，如上图所示，PPLUS RES 测试为范德堡测试方法。即在相邻两端加电测试为范德堡测试方法。即在相邻两端加电流，测另外两端的电压（一共可测

13、出四组值），然后再流，测另外两端的电压（一共可测出四组值），然后再 电压除电流得出电压除电流得出所要测的电阻所要测的电阻。具体公式为具体公式为：Rs=U/I*4.532=rs_ pplusi （i=1，2，3，4）P+附录二：PCM P+/N+范德堡测试方法：PPLUS RES=（rs_pplus1+rs_pplus2+rs_pplus3+rs_pplus4)/4 即即:PPLUS RES 是所测四组值的平均值是所测四组值的平均值：IF MAX(rs_pplus1；rs_pplus2；rs_pplus3；rs_pplus4)MIN(rs_pplus1 rs_pplus2；rs_pplus3；r

14、s_pplus4)X1.5 ，RATIOMAXMIN 则则 PPLUS RES=0即：如果所测四组值中的最大值大于最小值的即：如果所测四组值中的最大值大于最小值的.倍倍(RATIO1.5)，那么那么PPLUS RES 被赋值为被赋值为 2.主要涉及产品有主要涉及产品有SG5306和和SG6827(NFOX0.8*20Vtf 测试值都在测试值都在10.2V左右左右),比正常比正常 均值低均值低1V以上以上)10.2V1.异常起因异常起因:3月产品月产品Owner反映反映6S05SPSM-ST0100 NFOX 0.8X20 VTF SPC不达标不达标VTFOX测试问题VTFOX测试问题1.SG5

15、306（SPC异常值产品）异常值产品）NFOX VTF调用调用Vtfox测试子程序测试子程序2.SG6827（SPC异常值产品）异常值产品）NFOX VTF调用调用Vtfox测试子程序测试子程序3.HL0548（SPC正常值产品）正常值产品）NFOX VTF调用调用Vgsearchn测试子程序测试子程序分析：分析：SPC TREND CHART异常点涉及的两个产品异常点涉及的两个产品 SG5306和和SG6827，都调用，都调用Vtfox测试子程序，测试子程序，且且G、D调用同一调用同一PAD（第（第5PAD），），S是第是第7PAD，B是第是第8PAD。而其他正常产品（如而其他正常产品（如H

16、L0548）调用）调用Vgsearchn测试子程序，测试子程序，G(6)、D(5)、S(7)，B(8)。VTFOX测试问题1.SG5306_NFOX gds2.SG6827_NFOX gds3.HL0548_NFOX gds分析：分析：从从GDS的实际结构来看，的实际结构来看，SG5306和和SG6827场管与场管与HL0548类似，类似，G、D并未短接。并未短接。VTFOX测试问题Vgsearchn子程序：子程序：程序算法：二分查找法；测试机理是Vd=5V,Vg扫描，S、B接地，Id=1uA时的Vg。用于测试正常结构的场管Vtfox子程序：子程序：程序算法：线性查找法；测试机理是G、D同步扫

17、描电压，S、B接地，Id=1uA时的Vg。可测试正常结构的场管或者或者G、D短接的特殊场管。短接的特殊场管。DGSTDGSTVTFOX测试问题Vtfox的渊源：针对G、D短接的“特殊”场管 针对这种针对这种G、D短接的场管只能使用短接的场管只能使用Vtfox（G、D同步扫描方式）子程序来测试已到同步扫描方式）子程序来测试已到PCM的实际产品，并将子程序中调用的的实际产品，并将子程序中调用的G、D都写成第都写成第5个个PAD，即，即P（31）。）。SC0612：典型的典型的G、D短短接至第接至第5个个PAD实际测试的实际测试的是场管的单是场管的单结击穿结击穿.VTFOX测试问题CE 场管场管LA

18、YOUT部分老产品部分老产品维持GD短接的场管新产品新产品使用GD分离的场管PCM编程更改编程更改 Vtfox&GD短接PCM新品编程新品编程根据工艺相近原则直接COPY同工艺下某产品的测试主程序TESTS.6部分老产品部分老产品GD分离的正常场管PCM编程编程Vtfox(GD分离)or Vgsearchn PCM场管程序场管程序同工艺下产品场管的测试程序有不同的模板！同工艺下产品场管的测试程序有不同的模板！Issue：1）从什么时间更改的？哪些产品使用）从什么时间更改的？哪些产品使用了改后的结构？了改后的结构？2）哪些老产品维持旧的场管结构？）哪些老产品维持旧的场管结构？Comment：产品

19、Owner未收到CE通知，不清楚同工艺 FRAME场管结构更新，故无法通知PCM。PCM编程人员只收到含Test Key名称及坐标 的Checklist（并不知道其中的场管结构已更改）CS80产品测试扎偏情况CS80CS80产品产品PCMPCM测试针迹与实际对应测试针迹与实际对应padpad位置不符，向上偏移大概位置不符，向上偏移大概9 9个个padpad的距离，由于该产品比较特殊，片内只有五个插花内有测试图的距离，由于该产品比较特殊，片内只有五个插花内有测试图形，因此对测试参数影响较大，扎偏后直接导致部分参数测试失效。形，因此对测试参数影响较大，扎偏后直接导致部分参数测试失效。CS80产品测

20、试扎偏原因分析1 1、设备走位异常：、设备走位异常：圆片在设备上运行时由于设备硬件故障导致走位异常，移动位置圆片在设备上运行时由于设备硬件故障导致走位异常，移动位置发生偏差，从而导致探针针尖无法扎到正确的测试模块，导致扎发生偏差，从而导致探针针尖无法扎到正确的测试模块，导致扎偏。偏。2 2、找目标异常：、找目标异常：EG2001EG2001探针台的找目标动作是由探针台的找目标动作是由VISION MODULEVISION MODULE来对目标图形进行来对目标图形进行处理分析的，其原理是将所选定的目标图形进行黑白对比度的分处理分析的，其原理是将所选定的目标图形进行黑白对比度的分析，将图形信号转变

21、为电信号进而识别出目标图形的过程。在找析，将图形信号转变为电信号进而识别出目标图形的过程。在找目标操作时，目标操作时，CCDCCD光强的明暗度、选取的目标图形都会影响找目标光强的明暗度、选取的目标图形都会影响找目标效果，若定义的不好，会使设备在进行找目标动作时识别到其他效果，若定义的不好，会使设备在进行找目标动作时识别到其他相似图形，进而使测试模块位置发生偏差，导致扎偏。相似图形，进而使测试模块位置发生偏差，导致扎偏。CS80产品测试扎偏原因确认找目标情况确认：找目标情况确认：使用假片进行找目标操作，按照作业员定义的目标图形进行操作，发现使用假片进行找目标操作，按照作业员定义的目标图形进行操作

22、，发现在同一插花内有一相似图形，当重复进行找目标操作时有可能会误选到在同一插花内有一相似图形，当重复进行找目标操作时有可能会误选到该类似图形，两个图形相差大概该类似图形，两个图形相差大概9 9个个padpad的距离，而实际扎偏恰好也是的距离，而实际扎偏恰好也是9 9个个padpad的距离，两者情况相吻合，因此可以判定是在找目标操作时选取的距离，两者情况相吻合，因此可以判定是在找目标操作时选取的目标图形不良导致的扎偏。的目标图形不良导致的扎偏。CS80产品测试扎偏解决方法1 1、重新定义找目标时的、重新定义找目标时的CCDCCD光强明暗度及目标图形，反复实验以确光强明暗度及目标图形，反复实验以确

23、定在定在CCDCCD光强明暗度一定时，附近区域内无此图形的类似图形，这样光强明暗度一定时，附近区域内无此图形的类似图形，这样就会避免因找目标判定到其他类似的图形上而导致走位异常的扎偏。就会避免因找目标判定到其他类似的图形上而导致走位异常的扎偏。2 2、在确定最佳、在确定最佳CCDCCD光强明暗度及目标图形后，按此标准对作业员进光强明暗度及目标图形后，按此标准对作业员进行相应培训，同时将该信息更新至行相应培训，同时将该信息更新至PCMPCM测试菜单测试菜单中，并要求作业中，并要求作业员严格按照菜单中的操作信息执行。员严格按照菜单中的操作信息执行。结 论 VISION MODULE VISION

24、MODULE的工作原理是由的工作原理是由CCDCCD识别目标图形后，将图形信识别目标图形后，将图形信号转变为黑白对比度的电信号，找目标操作时的号转变为黑白对比度的电信号，找目标操作时的CCDCCD光强明暗度，目光强明暗度，目标图形的黑白对比度都会对找目标操作产生一定的影响。目前标图形的黑白对比度都会对找目标操作产生一定的影响。目前PCMPCM测测试所使用的试所使用的EG2001EG2001探针台由于使用时间、硬件细节等方面有所不同，探针台由于使用时间、硬件细节等方面有所不同，在找目标操作时，机台与机台间的找目标效果会有所差异，因此，在在找目标操作时，机台与机台间的找目标效果会有所差异，因此，在作业某些特殊产品时，需根据机台本身的情况来选取目标图形及定义作业某些特殊产品时，需根据机台本身的情况来选取目标图形及定义合适的光强明暗度，这样才能有效的减少测试扎偏的情况发生。合适的光强明暗度，这样才能有效的减少测试扎偏的情况发生。Thanks!