半导体制造工艺-03硅的氧化课件.pptx

1、2022年11月11日星期五半导体制造工艺半导体制造工艺_03硅的硅的氧化氧化v 硅易氧化 几个原子层厚，1nm左右 氧化膜化学性质稳定，绝缘性好v SiO2的存在形态 晶体：石英、水晶等 石英砂，主要成分为SiO2，为制备硅原料的核心材料 非晶体：玻璃等（热氧化方法制备的SiO2）v在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分v作为集成电路的隔离介质材料v作为电容器的绝缘介质材料v作为多层金属互连层之间的介质材料v作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料v扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层SiO2的制备的制备+光刻光刻+扩散扩散 硅平面工艺硅平

2、面工艺返回返回2.1.1 SiO2的结构v 无论是结晶形还是无定形无论是结晶形还是无定形SiOSiO2 2，都是以，都是以SiSi为中为中心，心，Si-OSi-O原子组成的正四面体，其中原子组成的正四面体，其中OOSi Si O O键键桥的键角为桥的键角为109.5109.5，是固定的。，是固定的。2.1 SiO2的结构及性质的结构及性质结晶形SiO2的结构v 结晶形SiO2是由Si-O四面体在空间规则排列所构成。每个顶角上的氧原子都与相邻的两个Si-O四面体中心的硅形成共价键，氧原子的化合价也被满足。无定形SiO2的结构v Amorphous SiOAmorphous SiO2 2 中中Si

3、-O-SiSi-O-Si键角为键角为110 180 110 180 桥键氧：与两个相邻的桥键氧：与两个相邻的Si-OSi-O四面体中心的硅原子形成四面体中心的硅原子形成共价键的氧共价键的氧 非桥键氧：只与一个非桥键氧：只与一个Si-OSi-O四面体中心的硅原子形成共四面体中心的硅原子形成共价键的氧价键的氧v 非桥键氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密非桥键氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小度越小，折射率越小v 无定形无定形SiOSiO2 2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数函数v 结晶态和无定形态区分结晶态和无定形态

4、区分非桥联氧是否存在非桥联氧是否存在v硅要运动，打破四个OSi 键v氧要运动，打破两个OSi 键，对非桥键氧，只需打破一个OSi 键n故氧的运动同硅相比更容易，氧的扩散系数比硅的大几个数量级v氧化时，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si-SiO2界面，与硅反应，而非硅向外表面运动，在表面与氧化剂反应生成SiO2。2.1.2 SiO2的主要性质（1）v密度：表征致密程度 结晶形：2.65g/cm3 非结晶形：2.152.25g/cm3v折射率：表征光学性质 密度较大的SiO2具有较大的折射率 波长为5500A左右时，SiO2的折射率约为1.46v电阻率：与制备方法及所含杂质数量等因素有关，

5、高温干氧氧化制备的电阻率达1016 cm v介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿 电压电压 大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关 一般为一般为106107V/cm（1011V/nm）v介电常数介电常数:表征电容性能表征电容性能 SiO2的相对介电常数为的相对介电常数为3.9dSC2SiOoSiO2的主要性质（2）v 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应 还可与强碱缓慢反应v 薄膜应力为压应力OHSiFHHFSiOSiFHHFSiFOHSiFHFSiO26226242422)(6(224六氟硅酸）SiO2的

6、主要性质（3）返回返回2.2 SiO2的掩蔽作用v 2.2.1 2.2.1 杂质在杂质在SiO2SiO2中的存在形式中的存在形式杂质在杂质在SiO2中的存在形式中的存在形式v 网络形成者：可以替代SiO2网络中硅的杂质，即能代替SiO四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质 特点是离子半径与Si原子相近或者更小 三价网络形成者(如B)增加非桥键氧数目，降低SiO2强度 五价网络形成者(如P)减少非桥键氧数目，增加SiO2强度杂质在杂质在SiO2SiO2中的存在形式中的存在形式v 网络改变者：网络改变者：存在于存在于SiOSiO2 2网络间隙中的杂质网络间隙中的杂质 特点：离子半径大，多以氧化物形

7、式进入特点：离子半径大，多以氧化物形式进入SiOSiO2 2后离化，增加非桥键氧浓度，降低后离化，增加非桥键氧浓度，降低SiOSiO2 2强度，易运动，破坏电路的稳定性和可靠性。强度，易运动，破坏电路的稳定性和可靠性。NaNa、K K、PbPb、BaBa 水汽的行为类似于网络改变者水汽的行为类似于网络改变者SiHOOHSiSiOSiOH2Na2SiOOSiSiOSiONa22.2.2 杂质在杂质在SiO2中的扩散系数（中的扩散系数（1）E为杂质在为杂质在SiO2中的扩散激活能，中的扩散激活能，Do为为表观扩散系数表观扩散系数NoImage)kT/E(expDDoSiO2v 选择扩散（在集成电路

8、中的重要应用）在相同的条件下，一些杂质在SiO2中的扩散速度远小于在硅中的扩散速度，即SiO2对某些杂质起掩蔽作用。掩蔽是相对的，杂质在SiO2的扩散系数：杂质在杂质在SiO2中的扩散系数（中的扩散系数（2）v杂质在杂质在SiO2中的扩散系数中的扩散系数 B、P、As等常用杂质的扩散系数小等常用杂质的扩散系数小，SiO2对这对这类杂质可以起掩蔽作用类杂质可以起掩蔽作用 Ga、某些碱金属（、某些碱金属（Na）的扩散系数大）的扩散系数大，SiO2对对这类杂质就起不到掩蔽作用这类杂质就起不到掩蔽作用 Na离子在离子在SiO2中的扩散系数和迁移率都非常大中的扩散系数和迁移率都非常大 Na离子来源非常丰

9、富离子来源非常丰富 Na离子玷污是造成双极器件和离子玷污是造成双极器件和MOS器件性能不稳定的器件性能不稳定的重要原因之一重要原因之一NoImage2.2.3 掩蔽层厚度的确定（掩蔽层厚度的确定（1）v 有效掩蔽条件有效掩蔽条件 杂质的杂质的 SiOSiO2 2有一定厚度有一定厚度v 掺杂杂质掺杂杂质 B、P、As 等常用杂质在等常用杂质在SiO2中的扩散系数远小于中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数在硅中的扩散系数 B、P、As的杂质源制备容易、纯度高，操作方便的杂质源制备容易、纯度高，操作方便2SiOSiDD掩蔽层厚度的确定（掩蔽层厚度的确定（2）v 掩蔽层厚度的确定掩蔽层厚度的确定 杂质在

10、杂质在SiO2表面的浓度为在表面的浓度为在Si-SiO2界面浓度的界面浓度的1000倍时的倍时的SiO2的厚度为最小厚度的厚度为最小厚度 对恒定源对恒定源(余误差），浓度为余误差），浓度为C(x)所对应的深度表所对应的深度表达式为：达式为：对有限源（高斯分布），对有限源（高斯分布），A随时间变化随时间变化tDxSiO26.4mintDAxSiO2sCxCerfcA)(21其中：其中：得到：得到：)2(),(DtxerfcCtxCstDAxSiO2min图图2.5 各种温度下能掩蔽磷和硼所需各种温度下能掩蔽磷和硼所需SiO2厚度与杂质厚度与杂质在硅中达到扩散深度所需时间的关系在硅中达到扩散深度所

11、需时间的关系SiO2掩蔽P的扩散过程返回返回2.3 2.3 硅的热氧化生长动力学硅的热氧化生长动力学v CVD（化学气相淀积）v PVD（物理气相淀积）v 热氧化：硅与氧或水汽等氧化剂，在高温下经化学反应生成SiO2有什么特点？热氧化生成的SiO2掩蔽能力最强 质量最好，重复性和稳定性好 降低表面悬挂键从而使表面态密度减小，且能很好的控制界面陷阱和固定电荷2.3.1 2.3.1 硅的热氧化硅的热氧化v 每生长一单位厚度的每生长一单位厚度的 SiO2，将消耗约，将消耗约0.45单单位厚度的硅位厚度的硅（台阶覆盖性）（台阶覆盖性）SiO2 中所含中所含Si的原子密度的原子密度 CSiO2=2.21

12、022/cm3 Si 晶体中的原子密度晶体中的原子密度 CSi=5.01022/cm3硅的热氧化生长（硅的热氧化生长（1 1）v 厚度为厚度为 ，面积为一平方厘米的，面积为一平方厘米的SiOSiO2 2体内体内所含的所含的SiSi原子数为原子数为 ，而这个数值应，而这个数值应该与转变为该与转变为SiOSiO2 2中的硅原子数中的硅原子数 相等，相等，即即0 xxCxCSiSiO0202xCSiOxCSi044.0 xx 得到：得到：硅的热氧化生长（硅的热氧化生长（2 2）热氧化法热氧化法v干氧氧化v水汽氧化v湿氧氧化v 氢氧合成氧化（LSI和VLSI的理想氧化技术）v掺氯氧化（为减小SiO2中

13、的Na+玷污）干氧氧化干氧氧化v干氧氧化v氧化剂：干燥氧气v反应温度：9001200v干氧氧化制备的SiO2的特点v结构致密、干燥、均匀性和重复性好v与光刻胶粘附性好，掩蔽能力强。v生长速度非常慢v干氧氧化的应用vMOS晶体管的栅氧化层干氧氧化干氧氧化vSi表面无SiO2，则氧化剂与Si反应，生成SiO2，生长速率由表面化学反应的快慢决定。v生成一定厚度的SiO2 层，氧化剂必须以扩散方式运动到Si-SiO2 界面，再与硅反应生成SiO2，即生长速率为扩散控制。干氧氧化时，厚度超过40 湿氧氧化时，厚度超过1000 v则生长过程由表面化学反应控制转为扩散控制水汽氧化水汽氧化湿氧氧化湿氧氧化v

14、反应条件反应条件v氧化剂：高纯水（氧化剂：高纯水（95 95 左右）左右）+氧气氧气v 特点：特点：v生长速率较高生长速率较高vSiOSiO2 2结构略粗糙结构略粗糙NoImage进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图热氧化法热氧化法v 三种氧化法比较 干氧氧化 结构致密但氧化速率极低 湿氧氧化 氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜 水汽氧化 结构粗糙-不可取v 实际生产：干氧氧化+湿氧氧化 +干氧氧化 5 分钟+（视厚度而定）+5 分钟 常规三步热氧化模式既保证了SiO2表面和界面的质量，又解决了生长速率问题SsSoCkFxCCDF21热氧化生长动力学（热氧化

15、生长动力学（1）得到FFF21根据稳态条件：根据稳态条件：ks为氧化剂与为氧化剂与Si反应的化学反应常数反应的化学反应常数CS COF1F2菲克第一定律菲克第一定律)/(0skDxDCF v令令C C1 1为氧化层单位体积所含氧化剂分子数为氧化层单位体积所含氧化剂分子数）（421FdtdxC）（5)/(/101skDxCDCCFdtdx热氧化生长速率（热氧化生长速率（1 1）在氧化膜中有在氧化膜中有2.21022个个SiO2分子分子/cm3，在进行氧化时，要，在进行氧化时，要获得一个获得一个SiO2分子，在干氧环境中需要一个氧分子，在水汽分子，在干氧环境中需要一个氧分子，在水汽环境中需要两个水

16、分子）环境中需要两个水分子）热氧化生长速率（热氧化生长速率（2）010202/)/2(DCCkDdds）（7)121(120DCtkCkDxss)(22102tCDCxkDxs解关系式（解关系式（6）得：）得：微分方程（微分方程（5）的解给出了）的解给出了SiO2的生长厚度与时间的生长厚度与时间的普遍关系式（的普遍关系式（6）：）：（6）0)0(dx)(2tBAxxv SiOSiO2 2生长快慢将由氧化剂在生长快慢将由氧化剂在SiOSiO2 2中的扩散速度以及中的扩散速度以及与与SiSi反应速度中较慢的一个因素所决定：反应速度中较慢的一个因素所决定：当氧化时间很长当氧化时间很长(Thick o

17、xide)(Thick oxide)，即，即t t和和t t A A2 2/4B/4B时，则时，则SiOSiO2 2的厚度和时间的关系简化为：的厚度和时间的关系简化为：（抛物型规律，扩散控（抛物型规律，扩散控制）制）)(2tBx）（7)14/1(22BAtAx热氧化生长速率（热氧化生长速率（3 3）当氧化时间很短当氧化时间很短(thin oxide)(thin oxide)，即（，即（t+t+）A A2 2/4B/4B时，则时，则SiOSiO2 2的厚度和时间的关系简化为的厚度和时间的关系简化为 （线性规律，反应控制）（线性规律，反应控制）)(tABxoB/AB/A为线性速率常数；为线性速率常

18、数；B B为抛物型速率常数为抛物型速率常数）（7)14/1(22BAtAxo热氧化生长速率（热氧化生长速率（4 4）返回返回决定氧化速率常数的因素（决定氧化速率常数的因素（2 2）v氧化温度氧化温度 温度对抛物型速率常数温度对抛物型速率常数B B的影响是通过影响的影响是通过影响氧氧化剂在化剂在SiO2SiO2中的扩散系数中的扩散系数DDSiO2SiO2 产生的产生的 温度对线性速率常数温度对线性速率常数B/B/A A的影响是通过影响的影响是通过影响化学反应常数化学反应常数k ks s产生的产生的1*/22NCDBSiO温度对温度对B B及及B/AB/A的影响的影响图图2.13温度对温度对B的影

19、响的影响 图图2.14温度对温度对B/A的影响的影响影响影响氧化速率的因素氧化速率的因素v硅表面晶向v杂质影响氧化速率的因素（影响氧化速率的因素（1 1）v硅表面晶向对氧化速率的影响硅表面晶向对氧化速率的影响 线性速率常数线性速率常数B/AB/A受硅的晶向影响受硅的晶向影响 表达式：表达式：不同晶向所对应的晶面硅原子的密度不同，表不同晶向所对应的晶面硅原子的密度不同，表面化学反应速率（面化学反应速率（k ks s)是与硅表面的原子密度，是与硅表面的原子密度，即表面的价键密度有关即表面的价键密度有关(111)(111)面上的硅原子密度比面上的硅原子密度比(100)(100)面上大，因此，面上大，

20、因此，(111)(111)面上的线性速率常数大于面上的线性速率常数大于(100)(100)面上的线面上的线性速率常数性速率常数10/A/BCCksv硅表面晶向对氧化速率的影响硅表面晶向对氧化速率的影响 抛物型速率常数抛物型速率常数B B与硅的与硅的晶向无关晶向无关 B B的关系式的关系式 氧化剂压力氧化剂压力p pg g一定时，一定时，B B的大小只与氧化剂在的大小只与氧化剂在SiO2SiO2中的扩散能力有关中的扩散能力有关10/22CCDBSiO影响氧化速率的因素（影响氧化速率的因素（2 2）v杂质对氧化速度的影响 掺有高浓度杂质的硅，其氧化速率明显变大 B 增大抛物型速率常数，对线性速率常

21、数无明显影响k1,慢扩散，分凝到SiO2中的杂质量少，对抛物型速率常数影响不大，因大部分杂质集中在靠近硅表面的硅中，因而使线性氧化速率常数明显变大。v杂质对氧化速度的影响 水汽（极少量的水汽就会极大增大氧化速率）水汽含量110-6时，氧化700分钟，SiO2约为300 水汽含量 2510-6时，氧化700分钟，SiO2约为370 钠 以氧化物形式进入，离化后增加非桥键氧数，线性和抛物型氧化速率明显增大影响氧化速率的因素（影响氧化速率的因素（2 2）v杂质对氧化速度的影响 氯（氯（O2TCA/HCL/TCE）钝化可动离子，尤其是钠离子，生成可挥发的金属氯化物 改善Si-SiO2 界面特性氯进入S

22、i-SiO2 界面，界面态密度减小，表面固定电荷密度减小 提高氧化速率 1015 抑制层错 TCA（三氯乙烷）在高温下形成光气（COCl2），是一种剧毒物质；TCE（三氯乙烯）可能致癌；HCL腐蚀性极强影响氧化速率的因素（影响氧化速率的因素（2 2）返回返回 掺有杂质的硅在热氧化过程中，靠近界面的硅中杂质，将在界面两边的硅和二氧化硅中发生再分布。其决定因素有：v杂质的分凝现象v杂质通过SiO2表面逸散v氧化速率的快慢v杂质在SiO2中的扩散速度热氧化时杂质在界面上的再分布热氧化时杂质在界面上的再分布的诱因杂质在Si和SiO2中的溶解度不同，扩散系数不同，热氧化时，杂质在SiO2Si两边要重新分

23、布，这种规律由来描述杂质在硅中的平衡浓度杂质在二氧化硅中的平衡浓度 k=C1C2A.k1，并且杂质在氧化物中扩散很慢慢。例如B，k=0.3 杂质在杂质在SiO2界面处浓度很界面处浓度很高高B.k1，并且杂质在氧化物中扩散慢慢。例如 P，As，Sb杂质在硅界面处堆积杂质在硅界面处堆积D.k1，并且杂质在氧化杂质在氧化物中扩散快。例如物中扩散快。例如Ga，硅界面处的杂质浓度低硅界面处的杂质浓度低于体浓度。于体浓度。氧化层排斥杂质2.7 Si-SiO2 界面特界面特性性v Si-SiO2 界面电荷类型：可动离子电荷（Qm）界面陷阱电荷（Qit）氧化层固定电荷（Qf）氧化层陷阱电荷（Qot）Si-Si

24、O2界面不是绝对的断然的分开，而是存在一个界面不是绝对的断然的分开，而是存在一个10A左右的过渡层，在过渡层中左右的过渡层，在过渡层中x的配比在的配比在1-2之间，之间，是非理想的。是非理想的。可动离子电荷Qm（1）v 存在形式 网络改变者(荷正电的碱金属离子，主要是钠)主要来源于化学试剂、玻璃器皿、炉管、石英舟、人体玷污等。v 危害：在电场作用下显著漂移，引起MOS晶体管的阈值电压不稳定 分布的不均匀性引起局部电场的加速，从而引起MOS晶体管栅极的局部低击穿。v预防措施 含氯的氧化工艺 用氯周期性的清洗管道、炉管和相关容器 使用超纯净的化学物质 保证气体及气体传输过程的清洁 用BPSG和PS

25、G玻璃钝化可动离子 用等离子淀积Si3N4来封闭已经完成的器件可动离子电荷Qm（2）界面陷阱电荷Qit（1）v定义定义 存在于存在于Si-SiOSi-SiO2 2 界面（距界面（距硅界面硅界面3-5A3-5A以内），能量以内），能量处于硅禁带中的电子态。处于硅禁带中的电子态。v类型类型 高于禁带中心能级的界面高于禁带中心能级的界面态，可以得到电子，起受态，可以得到电子，起受主作用主作用 低于能带中间能级的界面低于能带中间能级的界面态可以失去电子，起施主态可以失去电子，起施主作用作用v危害：使阈值电压漂移 大量的界面态电荷会显著降低晶体管沟道迁移率（金属化后退火（PMA），减少界面态）使MOS电

26、容的C-V曲线发生畸变 成为有效的复合中心，导致漏电流的增加v界面态密度与衬底晶向、氧化层生长条件、和退火条件有关。(111)晶向界面态密度最大 (100)晶向 低温惰性气体退火（90%N2+10%H2），用H2来饱和悬挂键，可降低界面态密度界面陷阱电荷Qit（2）v解释界面态的物理机制 悬挂键 硅原子周期排列中断，存在悬挂键，当硅氧化为SiO2时，悬挂键大部分与氧结合，使Si-SiO2界面悬挂键密度减小。但仍存在少量的悬挂键，这些悬挂键上有一个未配对的电子，可以得失电子而表现为界面态。在过渡区中，硅原子的氧化状态很不相同，没有完全氧化的硅原子，即所谓的三价硅也是界面态的主要来源 荷电中心 存

27、在界面附近的化学杂质界面陷阱电荷Qit（3）氧化层固定电荷Qf（1）v简介简介 通常由通常由Si-SiOSi-SiO2 2之间过渡区之间过渡区的结构改变引起的结构改变引起 一般为正电荷，在外电场的一般为正电荷，在外电场的作用下，不会移动作用下，不会移动v机理机理 过剩硅离子模型过剩硅离子模型v危害 影响阈值电压（对NMOS、PMOS的影响？）减小沟道载流子迁移率（固定正电荷对载流子的散射）v特征：固定正电荷密度与氧化层厚度、硅衬底掺杂类型和浓度关系不大，但与氧化层生长条件关系密切。不同晶向硅材料的Qf密度有如下关系Qf（111）Qf（110）Qf（100）v解决措施：适当选择氧化、退火条件和衬

28、底晶向，降低氧化时氧气的分压，采用含氯氧化工艺氧化层固定电荷Qf（2）氧化层陷阱电荷Qot（1）v氧化层中的缺陷：在SiO2层中，存在一些电子和空穴陷阱，它们与杂质和缺陷有关。v危害：严重影响器件的可靠性v产生方式：产生方式：由于由于x x射线或射线或 射线的辐射、或是在氧化层中发生了雪射线的辐射、或是在氧化层中发生了雪崩击穿，将打破崩击穿，将打破Si-O-SiSi-O-Si键，在键，在SiOSiO2 2层中产生电子层中产生电子-空空穴对，如果氧化层中没有电场，电子和空穴将复合掉，穴对，如果氧化层中没有电场，电子和空穴将复合掉，不会产生净电荷，氧化层中存在电场时，由于电子可以不会产生净电荷，氧

29、化层中存在电场时，由于电子可以在在SiOSiO2 2中移动，可以移动到电极上，而空穴在中移动，可以移动到电极上，而空穴在SiOSiO2 2 中中很难移动，可能陷于这些陷阱中，成为正的陷阱电荷。很难移动，可能陷于这些陷阱中，成为正的陷阱电荷。v解决措施解决措施 选择适当的氧化条件，使选择适当的氧化条件，使Si-O-SiSi-O-Si键不易打破。键不易打破。在惰性气体中进行低温退火。在惰性气体中进行低温退火。氧化层陷阱电荷Qot（2）作业：v 1 1、假设经热氧化方式生长厚度为、假设经热氧化方式生长厚度为x x的二氧化硅，将要的二氧化硅，将要消耗多少硅？每摩硅的质量是消耗多少硅？每摩硅的质量是28

30、.9g28.9g，密度为，密度为2.33g/cm2.33g/cm3 3；每摩二氧化硅的质量是；每摩二氧化硅的质量是60.08g60.08g，密度，密度为为2.25g/cm2.25g/cm3 3。v 2 2、试举例说明二氧化硅在集成电路中的应用，并指、试举例说明二氧化硅在集成电路中的应用，并指出哪些应用不可以用热氧化的方法制备，为什么？出哪些应用不可以用热氧化的方法制备，为什么？v 3 3、某一硅片上面已覆盖有、某一硅片上面已覆盖有0.2um0.2um厚的厚的SiO2SiO2层，现需层，现需要在要在12001200下用干氧氧化法再生长下用干氧氧化法再生长0.1um0.1um厚的氧化厚的氧化层，问

31、干氧氧化的时间是（层，问干氧氧化的时间是（）min.min.已知：干氧已知：干氧A=0.04um,B=7.5A=0.04um,B=7.51010-4-4umum2 2/min,/min,=1.62min=1.62min。选择题：1、在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A.干氧 B.湿氧 C.水汽氧化2、二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些_ 1杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 2杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 3二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 4二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度 A2,4 B.1,3 C.1,4 D.2,33、半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）A结晶形二氧化硅 B.无定形二氧化硅