1、半导体及二极管半导体及二极管 1.1.半导体的导电特性半导体的导电特性 本征半导体本征半导体 硅硅 锗锗 两种载流子:两种载流子:空穴空穴自由电子自由电子N N 型半导体型半导体P P 型半导体型半导体PN PN 结的形成结的形成 多数载流子的扩散运动多数载流子的扩散运动形成形成 PN PN 结结扩散运动与漂移运动扩散运动与漂移运动PN PN 结的结的单向导电性单向导电性结加正向电压结加正向电压PNPN(导通)结加反向电压结加反向电压PNPN(截止)2.2.半导体二极管半导体二极管 二极管的二极管的伏安特性伏安特性二极管的主要参数二极管的主要参数(1 1)最大整流电流)最大整流电流 I IF
2、F(2 2)反向击穿电压反向击穿电压 V VBRBR(3 3)反向电流反向电流 I IR R二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法(1 1)二极管正向)二极管正向V-IV-I特性的建模特性的建模 理想化模型理想化模型 恒压降模型恒压降模型(2 2)模型分析法应用举例)模型分析法应用举例1 1)静态工作情况分析)静态工作情况分析2 2)限幅电路)限幅电路3 3)开关电路)开关电路4 4)低电压稳压电路)低电压稳压电路齐纳二极管齐纳二极管(稳压管)(稳压管)简单的稳压电路简单的稳压电路半导体三极管半导体三极管 及及放大电路基础放大电路基础 1.1.半导体三极管(晶体管)半导体三极管(
3、晶体管)NPN NPN 型三极管结构及符号型三极管结构及符号PNP PNP 型三极管结构及符号型三极管结构及符号晶体管中的载流子运动和电流分配晶体管中的载流子运动和电流分配晶体管的电流方向、晶体管的电流方向、发射结和集电结的极性发射结和集电结的极性 晶体管晶体管的输入的输入特性曲特性曲线线晶体管晶体管的输出的输出特性曲特性曲线线晶体管的主要参数晶体管的主要参数(1)(1)电流放大系数电流放大系数(2)(2)集集-基极反向电流基极反向电流 ICBO(3)(3)集集-射极反向电流射极反向电流 ICEO集集-基极反向电流基极反向电流 ICBO集集-射极反向电流射极反向电流 ICEO(穿透电流)穿透电
4、流)(4)(4)集电极最大允许电流集电极最大允许电流 ICM(5)(5)集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率 PCM2.2.基本放大电路基本放大电路晶体管工作在放大状态必须:晶体管工作在放大状态必须:发射结为正向偏置发射结为正向偏置 集电结为反向偏置集电结为反向偏置共射极基本放大电路共射极基本放大电路共射极基本放大电路的简化及习惯画法共射极基本放大电路的简化及习惯画法(1)静态分析)静态分析直流直流通路通路(2)动态分析)动态分析放大电路输出端接有负载电阻的电路放大电路输出端接有负载电阻的电路晶体管的晶体管的 H 参数小信号等效模型参数小信号等效模型晶体管的晶体管的 小信号模型的简化小信号模型的简化共射极放大电路的共射极放大电路的 小信号等效电路小信号等效电路求共射极放大电路的输入电阻求共射极放大电路的输入电阻求共射极放大电路的输出电阻求共射极放大电路的输出电阻3.3.静态工作点的稳定静态工作点的稳定