第9讲-场效应管及其放大电路(2-6)课件.ppt

1、第九讲第九讲 场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路一、场效应管一、场效应管二、场效应管放大电路静态工作点二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法的设置方法三、场效应管放大电路的动态分析三、场效应管放大电路的动态分析四、复合管四、复合管1.4场效应三极管场效应三极管只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为电流的三极管，称为场效应管场效应管，也称，也称单极型三极管。单极型三极管。场效应管分类场效应管分类结型场效应管结型场效应管绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管特点特点单极型器件单极型器件(一种载流子导电一种载流子导电)；输入电阻高；输

2、入电阻高；工艺简单、易集成、功耗小、体积小、工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。成本低。DSGN符符号号1.4.1结型场效应管结型场效应管一、结构一、结构图图 1.4.1N 沟道结型场效应管结构图沟道结型场效应管结构图N型型沟沟道道N型硅棒型硅棒栅极栅极源极源极漏极漏极P+P+P 型区型区耗尽层耗尽层(PN 结结)在漏极和源极之间加在漏极和源极之间加上一个正向电压，上一个正向电压，N 型半型半导体中多数载流子电子可导体中多数载流子电子可以导电。以导电。导电沟道是导电沟道是 N 型的，型的，称称 N 沟道结型场效应管沟道结型场效应管。P 沟道场效应管沟道场效应管图图 1.4.2P 沟道结型

3、场效应管结构图沟道结型场效应管结构图N+N+P型型沟沟道道GSD P 沟道场效应管是在沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺型硅棒的两侧做成高掺杂的杂的 N 型区型区(N+)，导电沟导电沟道为道为 P 型型，多数载流子为，多数载流子为空穴。空穴。符号符号GDS二、工作原理二、工作原理 N 沟道结型场效应管沟道结型场效应管用改变用改变 UGS 大小来控制漏极电大小来控制漏极电流流 ID 的。的。GDSNN型型沟沟道道栅极栅极源极源极漏极漏极P+P+耗尽层耗尽层*在栅极和源极之间在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的

4、电阻值增大，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流漏极电流 ID 减小，反之，减小，反之，漏极漏极 ID 电流将增加。电流将增加。*耗尽层的宽度改变耗尽层的宽度改变主要在沟道区。主要在沟道区。1.设设UDS=0，在栅源之间加负电源在栅源之间加负电源 VGG，改变，改变 VGG 大小。观察耗尽层的变化。大小。观察耗尽层的变化。ID=0GDSN型型沟沟道道P+P+(a)UGS=0UGS=0 时，耗时，耗尽层比较窄，尽层比较窄，导电沟比较宽导电沟比较宽UGS 由零逐渐增大，由零逐渐增大，耗尽层逐渐加宽，导耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。电沟相应变窄。当当 UGS=UGS(off)，耗，耗尽层合拢，导电沟被

5、尽层合拢，导电沟被夹 断，夹 断 电 压夹 断，夹 断 电 压 UGS(off)为负值。为负值。ID=0GDSP+P+N型型沟沟道道 (b)UGS 0，在栅源间加负，在栅源间加负电源电源 VGG，观察，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极变化时耗尽层和漏极 ID。UGS=0，UDG ，ID 较大。较大。GDSP+NISIDP+P+VDDVGG UGS 0，UDG 0 时，耗尽层呈现楔形。时，耗尽层呈现楔形。(a)(b)(offGSU)(offGSUGDSP+NISIDP+P+VDDVGGUGS|UGS(off)|,ID 0,夹断夹断GDSISIDP+VDDVGGP+P+(1)改变改变 UGS ，改

6、变了改变了 PN 结中电场，控制了结中电场，控制了 ID，故称场效应管，故称场效应管或电压控控元件；或电压控控元件；(2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。(c)(d)三、特性曲线三、特性曲线1.转移特性转移特性(N 沟道结型场效应管为例沟道结型场效应管为例)常数常数 DS)(GSDUUfIO UGSIDIDSSUGS（off）图图 1.4.6转移特性转移特性UGS=0，ID 最大；最大；UGS 愈负，愈负，ID 愈小；愈小；UGS=UP，I

7、D 0。两个重要参数两个重要参数饱和漏极电流饱和漏极电流 IDSS(UGS=0 时的时的 ID)夹断电压夹断电压 UGS（off)(ID=0 时的时的 UGS)UDSIDVDDVGGDSGV+V+UGS图图 1.4.5特性曲线测试电路特性曲线测试电路+mA1.转移特性转移特性O uGS/VID/mAIDSSUP图图 1.4.6转移特性转移特性2.漏极特性漏极特性当栅源当栅源 之间的电压之间的电压 UGS 不变时，漏极电流不变时，漏极电流 ID 与漏源与漏源之间电压之间电压 UDS 的关系，即的关系，即 结型场效应管转移特结型场效应管转移特性曲线的近似公式：性曲线的近似公式：常数常数 GS)(D

8、SDUUfI)0()1(GSGS(off)2GS(off)GSDSSD时当UUUUIIIDSS/VGS(off)GSDSUUUID/mAUDS/VOUGS=0V-1-2-3-4-5-6-7 VUoffGS8)(预夹断轨迹预夹断轨迹恒流区恒流区击穿区击穿区 可变可变电阻区电阻区漏极特性也有三个区：漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和击穿可变电阻区、恒流区和击穿区。区。2.漏极特性漏极特性UDSIDVDDVGGDSGV+V+UGS图图 1.4.5特性曲线测试电路特性曲线测试电路+mA图图 1.4.6(b)漏极特性漏极特性场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏场效应管的两组特性曲线之间互相

9、联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。极特性用作图的方法得到相应的转移特性。UDS=常数常数ID/mA0 0.5 1 1.5UGS/VUDS=15 V5ID/mAUDS/V0UGS=0 0.4 V 0.8 V 1.2 V 1.6 V10 15 20250.10.20.30.40.5结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高，结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高，可达可达 107 以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝缘栅场效应管。缘栅场效应管。图图 1.4.7在漏极特性上用作图法求转移特性在漏极特性上用作图法求转移特性1.4.2

10、绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成。称为由金属、氧化物和半导体制成。称为金属金属-氧化物氧化物-半半导体场效应管导体场效应管，或简称，或简称 MOS 场效应管场效应管。特点：输入电阻可达特点：输入电阻可达 109 以上。以上。类型类型N 沟道沟道P 沟道沟道增强型增强型耗尽型耗尽型增强型增强型耗尽型耗尽型UGS=0 时漏源间存在导电沟道称时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；耗尽型场效应管；UGS=0 时漏源间不存在导电沟道称时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。增强型场效应管。一、一、N 沟道增强型沟道增强型 MOS 场效应管场效应管1.结构结构P 型衬底型衬底N

11、+N+BGSDSiO2源极源极 S漏极漏极 D衬底引线衬底引线 B栅极栅极 G图图 1.4.8N 沟道增强型沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图场效应管的结构示意图2.工作原理工作原理 绝缘栅场效应管利用绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制来控制“感应电荷感应电荷”的多的多少，改变由这些少，改变由这些“感应电荷感应电荷”形成的导电沟道的状况，形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流以控制漏极电流 ID。工作原理分析工作原理分析(1)UGS=0 漏源之间相当于两个背靠漏源之间相当于两个背靠背的背的 PN 结，无论漏源之间加何结，无论漏源之间加何种极性电压，种极性电压，总是不导电总是不导电。SBD图图

12、 1.4.9(2)UDS=0，0 UGS UT)导电沟道呈现一个楔形。导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流漏极形成电流 ID。b.UDS=UGS UGS(th)，UGD=UGS(th)靠近漏极沟道达到临界开靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。启程度，出现预夹断。c.UDS UGS UGS(th)，UGD UGS(th)由于夹断区的沟道电阻很大，由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变，沟道两端电压基本不变，ID 因而基本不变。因而基本不变。a.UDS UGS(th)P 型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDDP 型衬底型衬底N+N+BGSDVG

13、GVDDP 型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区夹断区DP型衬底型衬底N+N+BGSVGGVDDP型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区夹断区图图 1.4.11UDS 对导电沟道的影响对导电沟道的影响(a)UGD UGS(th)(b)UGD=UGS(th)(c)UGD UGS(th)3.特性曲线特性曲线(a)转移特性转移特性(b)漏极特性漏极特性ID/mAUDS/VOGS(th)GSUU预夹断轨迹预夹断轨迹恒流区恒流区击穿区击穿区 可变可变电阻区电阻区UGS UGS(th)时时)三个区：可变电阻区、三个区：可变电阻区、恒流区恒流区(或

14、饱和区或饱和区)、击穿、击穿区。区。UT 2UTIDOUGS/VID/mAO图图 1.4.12(a)图图 1.4.12(b)二、二、N 沟道耗尽型沟道耗尽型 MOS 场效应管场效应管P型衬底型衬底N+N+BGSD+制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在这些正离子电场在 P 型衬底中型衬底中“感应感应”负电荷，形成负电荷，形成“反反型层型层”。即使。即使 UGS=0 也会形成也会形成 N 型导电沟道。型导电沟道。+UGS=0，UDS 0，产生，产生较大的漏极电流；较大的漏极电流；UGS 0；UGS 正、负、正、负、零均可。零均

15、可。ID/mAUGS/VOUP(a)转移特性转移特性IDSS图图 1.4.15MOS 管的符号管的符号SGDBSGDB(b)漏极特性漏极特性ID/mAUDS/VO+1VUGS=0 3 V 1 V 2 V432151015 20图图 1.4.14特性曲线特性曲线1.4.3场效应管的主要参数场效应管的主要参数一、直流参数一、直流参数1.饱和漏极电流饱和漏极电流 IDSS2.夹断电压夹断电压 UGS(off)3.开启电压开启电压 UGS(th)4.直流输入电阻直流输入电阻 RGS为耗尽型场效应管的一个重要参数。为耗尽型场效应管的一个重要参数。为增强型场效应管的一个重要参数。为增强型场效应管的一个重要

16、参数。为耗尽型场效应管的一个重要参数。为耗尽型场效应管的一个重要参数。输入电阻很高。结型场效应管一般在输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 以上，绝以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于缘栅场效应管更高，一般大于 109 。二、交流参数二、交流参数1.低频跨导低频跨导 gm2.极间电容极间电容 用以描述栅源之间的电压用以描述栅源之间的电压 UGS 对漏极电流对漏极电流 ID 的控的控制作用。制作用。常数常数 DSGSDmUUIg单位：单位：ID 毫安毫安(mA)；UGS 伏伏(V)；gm 毫西门子毫西门子(mS)这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括

17、CGS、CGD、CDS。极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。般为几个皮法。三、极限参数三、极限参数1.漏极最大允许耗散功率漏极最大允许耗散功率 PDM2.漏源击穿电压漏源击穿电压 U(BR)DS3.栅源击穿电压栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。热能使管子的温度升高。当漏极电流当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS。场效应管工作时，栅源间场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若结处于反偏状态，若U

18、GS U(BR)GS，PN 将被击穿，这种击穿与电容击穿的将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。情况类似，属于破坏性击穿。3.各类场效应管工作在恒流区时各类场效应管工作在恒流区时g-s、d-s间的电压间的电压极性极性)0(P)0(N)00(P)00(N)00(P)00(NDSGSDSGSDSGSDSGSDSGSDSGS极性任意，沟道极性任意，沟道耗尽型，沟道，沟道增强型绝缘栅型，沟道，沟道结型场效应管uuuuuuuuuuuuuGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？可工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？才工作在恒流区的场效应管有哪几种？

19、uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？才工作在恒流区的场效应管有哪几种？种种 类类符符 号号转移特性转移特性漏极特性漏极特性 结型结型N 沟道沟道耗耗尽尽型型 结型结型P 沟道沟道耗耗尽尽型型 绝缘绝缘栅型栅型 N 沟道沟道增增强强型型SGDSGDIDUGS=0V+UDS+o oSGDBUGSIDOUT表表 1-2各类场效应管的符号和特性曲线各类场效应管的符号和特性曲线+UGS=UTUDSID+OIDUGS=0V UDSOUGSIDUPIDSSOUGSID/mAUPIDSSO种种 类类符符 号号转移特性转移特性漏极特性漏极特性绝缘绝缘栅型栅型N 沟道沟道耗耗尽尽型型绝缘绝缘栅型栅型P 沟道

20、沟道增增强强型型耗耗尽尽型型IDSGDBUDSID_UGS=0+_OIDUGSUPIDSSOSGDBIDSGDBIDIDUGSUTOIDUGSUPIDSSO_ _IDUGS=UTUDS_ _o o_ _UGS=0V+_ _IDUDSo o+双极型和场效应型三级管的比较双极型和场效应型三级管的比较双极型和场效应型三级管的比较双极型和场效应型三级管的比较二、二、场效应管放大电路场效应管放大电路场效应管的特点：场效应管的特点：1.场效应管是电压控制元件；场效应管是电压控制元件；2.栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高；栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高；3.一种极性的载流子导电，噪声小，受外界温度及一

21、种极性的载流子导电，噪声小，受外界温度及辐射影响小；辐射影响小；4.制造工艺简单，有利于大规模集成；制造工艺简单，有利于大规模集成；5.存放管子应将栅源极短路，焊接时烙铁外壳应接存放管子应将栅源极短路，焊接时烙铁外壳应接地良好，防止漏电击穿管子；地良好，防止漏电击穿管子；6.跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低。跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低。1）基本共源极放大电路）基本共源极放大电路图图 2.7.3共源极放大电路原理电路共源极放大电路原理电路VDD+uO iDVT+uIVGGRGSDGRD与双极型三极管对应关系与双极型三极管对应关系b G,e S,c D 为了使场效应管为了使场效应管工

22、作在恒流区实现放工作在恒流区实现放大作用，应满足：大作用，应满足：GS(th)GSDSGS(th)GS UuuUu图示电路为图示电路为 N 沟道增强型沟道增强型 MOS 场效应管场效应管组成的放组成的放大电路。大电路。(UT：开启电压：开启电压)二、场效应管静态工作点的设置方法二、场效应管静态工作点的设置方法 一、静态分析一、静态分析VDD+uO iDVT+uIVGGRGSDGRD图图 2.7.3共源极放大电路原理电路共源极放大电路原理电路两种方法两种方法近似估算法近似估算法图解法图解法(一一)近似估算法近似估算法MOS 管栅极电流管栅极电流为零，当为零，当 uI=0 时时UGSQ=VGG而而

23、 iD 与与 uGS 之间近似满足之间近似满足2TGSDOD)1(UuIi(当当 uGS UT)式中式中 IDO 为为 uGS=2UT 时的值。时的值。2TGSQDODQ)1(UUIIDDQDDDSQRIVU 则静态漏极电流为则静态漏极电流为(二二)图解法图解法图图 2.7.4用图解法分析共源极用图解法分析共源极放大电路的放大电路的 Q 点点VDDDDDRVIDQUDSQQ利用式利用式 uDS=VDD iDRD 画出直流负载线。画出直流负载线。图中图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。即为静态值。2.自给偏压电路自给偏压电路sDQSQGQGSQsDQSQGQ0RIUUURIUU，2GS(off)

24、GSQDSSD)1(UUII)(sdDQDDDSQRRIVU+由正电源获得负偏压由正电源获得负偏压称为自给偏压称为自给偏压哪种场效应管能够采用这种电路形式设置哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？点？+VDDuOuIRgRdRsRL3分压分压自偏压式共源放大电路自偏压式共源放大电路一、静态分析一、静态分析(一一)近似估算法近似估算法根据输入回路列方程根据输入回路列方程图图 2.7.7分压分压-自偏式共源自偏式共源放大电路放大电路+VT+RGSDGRDR2VDD+RLRSR1C1CSC2+iUoU +2TGSQDODQSDQDD211GSQ)1(UUIIRIVRRRU解联立方程求出解联立方程

25、求出 UGSQ 和和 IDQ。+VT+RGSDGRDR2VDD+RLRSR1C1CSC2+iUoU图图 2.7.7分压分压-自偏式共源自偏式共源放大电路放大电路列输出回路方程求列输出回路方程求 UDSQUDSQ=VDD IDQ(RD+RS)(二二)图解法图解法由式由式可做出一条直线，另外，可做出一条直线，另外，iD 与与 uGS 之间满足转移特性曲之间满足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工作点。确定线的规律，二者之间交点为静态工作点。确定 UGSQ，IDQ。SDDD211SDGQGSRiVRRRRiUu+SDDDRRV+根据漏极回路方程根据漏极回路方程在漏极特性曲线上做直流负载线，在漏极

26、特性曲线上做直流负载线，与与 uGS=UGSQ 的的交点确定交点确定 Q，由，由 Q 确定确定 UDSQ 和和 IDQ值。值。UDSQuDS=VDD iD(RD+RS)3 uDS/ViD/mA012152 V105uGS4.5V4V3.5V UGSQ3 VVDDQIDQuGS/ViD/mAO24612QIDQUGSQSGQRUUGQ图图 2.7.8用图解法分析图用图解法分析图 2.7.7 电路的电路的 Q 点点二、动态分析二、动态分析),(DSGSDuufi iD 的全微分为的全微分为DSDSDGSGSDDdddGSDSuuiuuiiUU +上式中定义：上式中定义：DSGSDmUuig GSD

27、SDSD1Uuir 场效应管的跨导场效应管的跨导(毫毫西门子西门子 mS)。场效应管漏源之间等效电阻。场效应管漏源之间等效电阻。1.微变等效电路微变等效电路二、动态分析二、动态分析如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。成为：成为：dSDSgsmd1UrUgI+根据上式做等效电路如图所示。根据上式做等效电路如图所示。图图 2.7.5场效应管的微变等效电路场效应管的微变等效电路+gsUgsmUgdsUdIDSrGDS由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。是一个受控源。是一个受控源。gsmUg微变参数微变参数 g

28、m 和和 rDS (1)根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。(2)用求导的方法计算用求导的方法计算 gmDDOGS(th)GS(th)GSGS(th)DOGSDm2)1(2ddiIUUuUIuig在在 Q 点附近，可用点附近，可用 IDQ 表示上式中表示上式中 iD，则则DQDOGS(th)m2IIUg一般一般 gm 约为约为 0.1 至至 20 mS。rDS 为几百千欧的数量级。为几百千欧的数量级。当当 RD 比比 rDS 小得多时，可认为等效电路的小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路开路。2.共源极放大电路的动态性能共源极放大电路的动态性能V

29、DD+uO iDVT+uIVGGRGSDGRD图图 2.7.6共源极放大电路的微变等效电路共源极放大电路的微变等效电路将将 rDS 开路开路gsiUU 而而DgsmDdoRUgRIU 所以所以DmioRgUUAu 输出电阻输出电阻Ro=RDMOS 管输入电阻高达管输入电阻高达 109 。D+gsUgsmUgoUdIDRGSRG+iU二、二、分压式共源放大电路分压式共源放大电路动态分析动态分析微变等效电路入右微变等效电路入右图所示。图所示。图图 2.7.9图图 2.7.7 电路的电路的微变等效电路微变等效电路D+gsUgSmUgoUDRGSdIiULR+GR1R2R由图可知由图可知DgsmDdo

30、RUgRIU LDD/RRR 电压放大倍数电压放大倍数DmioRgUUAu 输入、输出电阻分别为输入、输出电阻分别为Do21Gi )/(RRRRRR+2.7.4共漏极放大电路共漏极放大电路源极输出器或源极跟随器源极输出器或源极跟随器图图 2.7.10源极输出器源极输出器典型电路如右图所典型电路如右图所示。示。+VT+SDGR2VDD+RLRSR1C1C2+iUOU RG静态分析如下：静态分析如下：分析方法与分析方法与“分压分压-自偏压式共源电路自偏压式共源电路”类类似，可采用估算法和图似，可采用估算法和图解法。解法。动态分析动态分析1.电压放大倍数电压放大倍数图图 2.7.11微变等效电路微变

31、等效电路D+gSUgsmUgoUSRGSiULR+GR1R2RLsssgsmoRRRRUgU/gssmogsiURgUUU)1(+而而所以所以SmSmio1RgRgUUAu+.11 1Sm uuARgA时时，当当可可见见，2.输入电阻输入电阻Ri=RG+(R1/R2)3.输出电阻输出电阻图图 2.7.11微变等效电路微变等效电路oUD+gSUgsmUgSRGS0i UGR1R2ROI在电路中，外加在电路中，外加 ，令，令 ，并使，并使 RL 开路开路OU0i UgsmSooUgRUI 因输入端短路，故因输入端短路，故ogsUU 则则omSomSoo)1(UgRUgRUI+所以所以SmSmooo

32、/111RgRgIUR+实际工作中经常实际工作中经常使用的是共源、使用的是共源、共漏组态。共漏组态。3.基本共漏放大电路的动态分析基本共漏放大电路的动态分析+ismsmsdgssdio1RRgRgRIURIUUAu若Rs=3k，gm=2mS，则?uAgmUg sUg sRgUoUiRs+VD DRguouiRsVGG基本共漏放大电路输出电阻的分析基本共漏放大电路输出电阻的分析msomsooooo1gRUgRUUIUR+若Rs=3k，gm=2mS，则Ro=?RsgmUg s+Ug s RgUoRs四、四、复合管复合管复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。21)1)(1(211BE+ii 不同类型的管子复合不同类型的管子复合后，其类型决定于后，其类型决定于T1管。管。目的：增大目的：增大，减小前级驱动电流，改变管子的类型。，减小前级驱动电流，改变管子的类型。讨论一讨论一判断下列各图是否能组成复合管判断下列各图是否能组成复合管 在合适的外加电压下，在合适的外加电压下，每只管子的电流都有合每只管子的电流都有合适的通路，才能组成复适的通路，才能组成复合管。合管。清华大学 华成英 Ri=?Ro=?)(1()1(Le2be21be1biRRrrRR+21sbbe1be2eo11+RRrrRR讨论二讨论二