1、工艺集成工艺集成 Process Integration大规模集成电路制造工艺大规模集成电路制造工艺工艺集成工艺集成2集成电路的工艺集成:集成电路的工艺集成:运用各类单项工艺技术(外延、氧化、气相沉积、光运用各类单项工艺技术(外延、氧化、气相沉积、光刻、扩散、离子注入、刻蚀以及金属化等工艺)形成电路刻、扩散、离子注入、刻蚀以及金属化等工艺)形成电路结构的制造过程。结构的制造过程。薄膜形成薄膜形成光刻光刻掺杂、刻蚀掺杂、刻蚀工艺集成工艺集成3 形成薄膜:化学反应,形成薄膜:化学反应,PVDPVD,CVDCVD,旋涂,电镀;,旋涂,电镀;光刻:实现图形的过渡转移;光刻:实现图形的过渡转移;改变薄膜
2、:注入,扩散,退火;改变薄膜:注入,扩散,退火;刻蚀:最后图形的转移;刻蚀:最后图形的转移;器件的制备:器件的制备:各种工艺的集成各种工艺的集成 MOS MOS,CMOSCMOS,BJTBJT,MESFETMESFET,BiCMOSBiCMOS,工艺目的:工艺目的:工艺的选择工艺的选择4工艺条件:工艺条件:温度温度,压强压强,时间时间,功率功率,剂量剂量,气体流量气体流量,工艺参数:工艺参数:厚度厚度,介电常数介电常数,应力应力,浓度浓度,速度速度,器件参数:器件参数:阈值电压阈值电压,击穿电压击穿电压,漏电流漏电流,增益增益,工艺的限制工艺的限制5 MOSMOS:阈值电压束缚了氧化层厚度;:
3、阈值电压束缚了氧化层厚度;BJTBJT:电流增益束缚了基区宽度;:电流增益束缚了基区宽度;内连线:内连线:RCRC延迟束缚了电阻率;延迟束缚了电阻率;AlAl的存在限制了工艺温度;的存在限制了工艺温度;刻蚀的选择比限制了材料的选择;刻蚀的选择比限制了材料的选择;器件特性要求对工艺的限制:器件特性要求对工艺的限制:工艺兼容性的限制:工艺兼容性的限制:集成电路中器件的隔离集成电路中器件的隔离6 由于MOSFET的源、漏与衬底的导电类型不同,所以本身就是被PN结所隔离,即自隔离(self-isolated);MOSFETMOSFET晶体管是自隔离,可有较高的密度,但邻近的器件会有寄生效应;LOCOS
4、 隔离隔离7希望场区的V VT T大,保证寄生MOSFETMOSFET的电流小于1pA1pA;增加场区V VT T 的方法:场氧化层增厚:栅氧化层的7-107-10倍;增加场氧化区下面掺杂浓度(Channel-Stop ImplantChannel-Stop Implant,沟道阻断注入);/x222sA DBTFBBoqNVVC/=lnA DBiNkTqnLOCOS隔离工艺隔离工艺8氮化硅氮化硅P型型衬底衬底p+p+P型型衬底衬底氮化硅氮化硅p+p+SiO2LOCOS隔离工艺隔离工艺9改进的LOCOS工艺 PBL:polybuffered LOCOS10在LPCVD Si3N4前,先淀积一层
5、多晶硅,让多晶硅消耗场氧化时横向扩散的O2。鸟嘴可减小至0.1-0.2um。浅阱隔离浅阱隔离(Shallow Trench Isolation)11与与LOCOS相比相比,STI尺寸按比例缩小更容易!尺寸按比例缩小更容易!MESFET器件制备工艺流程器件制备工艺流程12GaAs优点:优点:电子迁移率高;电子迁移率高;更高的饱和漂移速度;更高的饱和漂移速度;衬底可以实现半绝缘;衬底可以实现半绝缘;GaAs缺点:缺点:体缺陷多;体缺陷多;少子寿命短;少子寿命短;氧化物质量差;氧化物质量差;光刻胶光刻胶 外延生长外延生长n型有源层;型有源层;外延生长外延生长n+接触层;接触层;Mask#1 刻蚀形成
6、隔离刻蚀形成隔离MESFET器件制备工艺流程器件制备工艺流程13Mask#2 形成源漏欧姆接触形成源漏欧姆接触金属蒸发沉积金属蒸发沉积 Lift-off工艺形工艺形 成金属图形;成金属图形;蒸发沉积金属;蒸发沉积金属;Mask#3 刻蚀刻蚀n+层层GaAs,源漏间形成断路;源漏间形成断路;光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶MESFET器件制备工艺流程器件制备工艺流程14Mask#4 将沟道区刻薄;将沟道区刻薄;定义栅极图形;定义栅极图形;金属蒸发沉积金属蒸发沉积光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶Lift-off工艺形成栅电极工艺形成栅电极npn型型BJT器件制备工艺流程器件制备工艺流程 15SiO2隔
7、离隔离金属电极金属电极npn BJT:基区为:基区为p型半导体,少数载流子为电子,型半导体,少数载流子为电子,具有更高的迁移率,器件工作速度更快;具有更高的迁移率,器件工作速度更快;横向隔离用横向隔离用SiO2,相对于,相对于pn结隔离,寄生电容更小;结隔离,寄生电容更小;纵向利用纵向利用n+p结隔离;结隔离;n+埋层,也可以减少集电极的串联电阻;埋层,也可以减少集电极的串联电阻;npn型型BJT器件制备工艺流程器件制备工艺流程 16Mask#1 定义埋层注入区定义埋层注入区 杂质注入杂质注入+扩散;扩散;n型外延层生长,型外延层生长,避免埋层杂质扩散;避免埋层杂质扩散;npn型型BJT器件制
8、备工艺流程器件制备工艺流程 17Mask#2 形成隔离形成隔离 减压减压SiO2生长;生长;Si3N4沉积;沉积;硅阱刻蚀;硅阱刻蚀;沟道阻挡离子注入;沟道阻挡离子注入;隔离隔离SiO2形成;形成;Si3N4去除;去除;npn型型BJT器件制备工艺流程器件制备工艺流程 18Mask#3 基区注入掺杂基区注入掺杂Mask#4 薄氧化层刻蚀薄氧化层刻蚀Mask#5 基区接触基区接触p+注入掺杂注入掺杂npn型型BJT器件制备工艺流程器件制备工艺流程 19n n+发射极发射极/集电极接触区集电极接触区P/AsP/As离子注入离子注入Mask#6 发射极注入;发射极注入;集电极金属接触区注入;集电极金
9、属接触区注入;低能量,高剂量注入;低能量,高剂量注入;绝缘层绝缘层npn型型BJT器件制备工艺流程器件制备工艺流程 20PECVD PECVD SiNSiNx x 钝化层钝化层内连金属内连金属纵向纵向npnBJTnpnBJTMask#7 开接触孔;开接触孔;Mask#8 形成金属电极;形成金属电极;l 8次光刻次光刻l 5次注入次注入l 7次成膜次成膜l 5次刻蚀次刻蚀p p+n n+n n+n n+NMOS制备工艺流程制备工艺流程21Mask#1 定义有源区定义有源区(沟道阻止注入)NMOS制备工艺流程制备工艺流程22LOCOS隔离隔离 去除去除Si3N4;去除压力释放氧化层;去除压力释放氧
10、化层;NMOS制备工艺流程制备工艺流程23多晶硅多晶硅栅氧化层栅氧化层 自对准源自对准源/漏漏/栅注入栅注入 源源漏漏沟道沟道 栅栅 开栅接触孔开栅接触孔 多晶硅区多晶硅区l 栅氧化层生长;栅氧化层生长;l 多晶硅层沉积;多晶硅层沉积;Mask#2 形成栅极形成栅极NMOS制备工艺流程制备工艺流程24 内连金属内连金属(Al-Si-Cu)(Al-Si-Cu)内连绝缘层内连绝缘层接触孔接触孔Mask#3 开接触孔;开接触孔;Mask#4 形成金属电极形成金属电极金属半导体金属半导体NMOS制备工艺流程制备工艺流程25 源漏接触源漏接触 外联接触外联接触钝化层钝化层PECVD PECVD SiNS
11、iNx xMask#5 开外联接触窗口开外联接触窗口基于基于LOCOS的的CMOS工艺工艺26AlCuSi PSGp+p+n+n+p+p+SiO2CMOS集成电路制造工艺集成电路制造工艺I27技术特点:技术特点:LOCOS隔离工艺;隔离工艺;平坦化层:平坦化层:PSG,re-flow at 1100oC Al-Si金属作为内联金属;金属作为内联金属;最小图形尺寸:最小图形尺寸:30.8umP型基片基于基于LOCOS的的CMOS工艺工艺2829释放压力氧化层P型基片生长释放压力生长释放压力氧化層氧化層P型基片氮化硅LPCVD沉积沉积氮化氮化硅硅30P型基片光刻胶氮化硅光光刻胶旋涂刻胶旋涂31Ma
12、sk#1,LOCOS隔离隔离32P型基片光刻胶氮化硅Mask#1,LOCOS隔离隔离33P型基片光刻胶氮化硅对准对准和曝光和曝光34氮化硅P型基片光刻胶显显影影35氮化硅P型基片光刻胶刻蚀氮化硅刻蚀氮化硅36氮化硅P型基片去除光刻胶去除光刻胶37氮化硅P型基片p+p+沟道阻止注入沟道阻止注入38P型基片氮化硅p+p+SiO2氧化形成氧化形成LOCOS39P型基片p+p+SiO2去除氮化硅去除氮化硅/压力释放氧化硅压力释放氧化硅,清洗清洗40P型基片p+p+p+SiO2生长遮蔽氧化层生长遮蔽氧化层41光刻胶P型基片p+p+p+SiO2光刻胶旋涂光刻胶旋涂42Mask#2,N型型阱区阱区43光刻胶
13、P型基片p+p+p+SiO2Mask#2,N型型阱区阱区44光刻胶P型基片p+p+p+SiO2曝光曝光45光刻胶P型基片p+p+p+SiO2显影显影46磷离子注入光刻胶P型基片p+p+p+SiO2N型阱区N型型阱区注入(预沉积)阱区注入(预沉积)47P型基片p+p+p+SiO2N型阱区去除去除光光刻胶刻胶48P型基片p+p+N型阱区SiO2N型型阱区驱入(阱区驱入(Drive-in)49P型基片p+p+N型阱区SiO2去除遮蔽氧化层去除遮蔽氧化层50P型基片p+p+N型阱区SiO2生长栅极氧化层生长栅极氧化层51多晶硅P型基片p+p+N型阱区SiO2栅极氧化层沉积多晶硅沉积多晶硅52多晶硅P型
14、基片p+p+N型阱区SiO2光刻胶旋涂光刻胶旋涂53Mask#3,栅极图形,栅极图形54P型基片p+p+N型阱区SiO2多晶硅Mask#3,栅极图形,栅极图形55 多晶硅P型基片p+p+N型阱区SiO2曝光曝光56多晶硅P型基片p+p+N型阱区SiO2显显影影57P型基片p+p+N型阱区SiO2光刻胶多晶硅栅极刻蚀多晶硅刻蚀多晶硅光刻胶58多晶硅栅极P型基片p+p+N型阱区SiO2去除光刻胶去除光刻胶59多晶硅栅极光刻胶P型基片p+p+N型阱SiO2光刻胶旋涂光刻胶旋涂60光刻胶P型基片p+p+N型阱SiO2Mask#4 NMOS源漏注入源漏注入61光刻胶P型基片p+p+N型阱SiO2曝光曝光
15、62光刻胶P型基片p+p+N型阱SiO2显影显影63P型基片p+p+SiO2磷/砷离子注入NMOS源漏栅自对准注入源漏栅自对准注入6465P型基片p+p+SiO2去除光刻胶去除光刻胶P型基片p+p+SiO2光刻胶旋涂光刻胶旋涂66P型基片p+p+SiO2Mask#5 PMOS源漏注入源漏注入67P型基片p+p+N型阱区SiO2显显影影68硼离子注入P型基片p+p+SiO2P型型源漏栅自对准注入源漏栅自对准注入69P型基片p+p+SiO2去除光刻胶去除光刻胶70p+p+P型基片SiO2n+n+p+p+退火退火71p+p+SiO2n+n+p+p+LPCVD氮化氮化硅阻挡层沉积硅阻挡层沉积72PSG
16、p+p+SiO2n+n+p+p+CVD沉积沉积PSG/BPSG73PSGp+p+SiO2n+n+p+p+PSG Re-Flow74PSGp+p+SiO2n+n+p+p+光刻胶旋涂光刻胶旋涂75PSGp+p+SiO2n+n+p+p+Mask#6 形成接触孔形成接触孔76BPSGp+p+SiO2n+n+p+p+显显影影77 PSGp+p+SiO2n+n+p+p+接触孔刻蚀接触孔刻蚀78 PSGp+p+n+n+p+p+SiO2去除光刻胶去除光刻胶79AlCuSiPSGp+p+n+n+p+p+SiO2金属沉积金属沉积80AlCuSiPSGp+p+n+n+p+p+SiO2光刻胶旋涂光刻胶旋涂81AlCu
17、Si PSGp+p+n+n+p+p+SiO2Mask#7 形成金属连线形成金属连线82AlCuSiPSGp+p+n+n+p+p+SiO2显显影影83AlCuSiBPSGp+p+n+n+p+p+SiO2金属刻蚀金属刻蚀84AlCuSi PSGp+p+n+n+p+p+SiO2去除去除光光刻胶刻胶85CMOS集成电路制造集成电路制造II86技术特点:技术特点:消除单晶硅衬底内氧杂质的影响,外延生长器件层;消除单晶硅衬底内氧杂质的影响,外延生长器件层;STI绝缘替代绝缘替代LOCOS绝缘;绝缘;引入引入LDD结构减小热载流子效应结构减小热载流子效应 利用金属硅化物减小寄生电阻;利用金属硅化物减小寄生电
18、阻;利用利用BPSG作为金属前电介质作为金属前电介质;RTA活化注入杂质;活化注入杂质;最小图形尺寸:最小图形尺寸:0.80.13umP型硅衬底准备型硅衬底准备P型硅衬底轻掺杂外延生长轻掺杂外延生长p-硅外延层P型硅衬底89Mask#1:N型型阱区阱区 N型型阱区注入阱区注入p-外延层P型衬底光刻胶N型阱区磷离子Mask#2:P型型阱区阱区92P型型阱区注入阱区注入硼离子P型阱区N型阱区光刻胶93杂质扩散杂质扩散N型阱区P型阱区94生长氧化层生长氧化层,LPCVD 沉积氮化硅沉积氮化硅N型阱区P型阱区氮化硅95Mask#3:浅浅沟槽绝缘沟槽绝缘(STI)刻蚀沟槽刻蚀沟槽N型阱P型阱氮化硅氮化硅
19、97HDP-CVD 沉积沉积USG 填充沟道填充沟道N型阱P型阱氮化硅氮化硅USGUSG98CMP USG,停止停止于氮化硅层于氮化硅层N型阱P型阱NitrideNitrideUSG99去除氧化硅去除氧化硅/氮化硅氮化硅N型阱P型阱USGSTI100Mask#4:NMOS沟道沟道 VT 调整掺杂调整掺杂101光刻胶磷离子N型阱P型阱USGSTINMOS沟道沟道 VT 调整掺杂调整掺杂102Mask#5:PMOS沟道沟道 VT 调整掺杂调整掺杂103光刻胶硼离子N型阱P型阱STIUSGPMOS沟道沟道 VT 调整掺杂调整掺杂104热氧化层生长热氧化层生长/多晶硅沉积多晶硅沉积多晶硅N型阱P型阱S
20、TIUSG105Mask#6:栅极栅极(俯视图俯视图)106刻蚀多晶硅刻蚀多晶硅 多晶硅栅极N型阱P型阱STIUSG 光刻胶栅极氧化层107Mask#7:NMOS LDD掺杂掺杂108NMOS LDD掺杂掺杂光刻胶砷离子N型阱P型阱USGSTI109Mask#8:PMOS LDD掺杂掺杂110PMOS LDD掺杂掺杂,BF2+光刻胶BF2+离子N型阱P型阱STIUSG111侧壁层侧壁层(Spacer)栅极氧化层n-LDDn-LDD侧壁层侧壁层多晶硅栅极多晶硅栅极栅极氧化层n-LDDn-LDD112Mask#9:NMOS源漏注入源漏注入113NMOS源漏注入源漏注入光刻胶磷离子N型阱P型阱n+n
21、+STIp-p-USG114Mask#9:PMOS 源漏注入源漏注入115PMOS 源漏注入源漏注入光刻胶硼离子N型阱P型阱n+n+STIp+p+USG116金属硅化物制备金属硅化物制备多晶多晶硅栅极硅栅极侧壁层侧壁层侧壁层栅极氧化层n-n-n+n+Ar+Ar+Ti多晶多晶硅栅极硅栅极n-n-n+n+TiSi2TiSi2Ti多晶多晶硅栅极硅栅极n-n-n+n+TiSi2TiSi2多晶多晶硅栅极硅栅极n-n-n+n+117BPSG沉积沉积/回流回流(Re-Flow)n+n+p+p+STIUSGBPSGn+n+p+p+STIUSGBPSG118Mask#10:接触孔接触孔119接触孔刻蚀接触孔刻蚀
22、N型阱P型阱BPSGn+n+p+p+STIUSG120CVD钨沉积钨沉积N型阱P型阱BPSGn+n+p+p+STIUSG钨钛/氮化钛121金属沉积金属沉积N型阱P型阱BPSGn+n+p+p+STIUSG铝铜合金钛TiN ARCW122Mask#Mask#11:11:金属金属1 1连线连线123金属刻蚀金属刻蚀P-型外延层P型晶圆衬底N型阱P型阱BPSGn+n+p+p+STIUSG钛TiN ARCW铝铜合金124P-型硅外延层P型晶圆金属3铝铜 合金IMD 3USG金属 4铝铜USG氮化硅铝铜 合金N型阱P型阱BPSGn+n+p+p+STIUSGW铝铜 合金USGM1M2铝铜USGWIMD 1I
23、MD 2TiSi2多晶硅TiTiN ARCWTi/TiNTi/TiN侧壁层,USG PMD 阻挡层,氮化硅 IMD 3钝化层 1钝化层2PMDCMOS截面截面CMOS集成电路制造集成电路制造III125技术特点:技术特点:使用SOI和STI技术;利用铜连接和低介电常数介电质,减少RC延迟;使用金属CMP代替金属刻蚀;图形最小尺寸:0.13um126裸晶裸晶圆圆P型晶圆127大电流氧离子注入大电流氧离子注入P型晶圆氧离子,O+128氧化退火氧化退火P型晶圆深埋 SiO2 层129晶圓清洗晶圓清洗去除表面自然氧化层去除表面自然氧化层P型晶圆深埋 SiO2 层130外延层沉积外延层沉积P型外延层13
24、1晶圓清洗晶圓清洗P型外延层132压力释放氧化层生长压力释放氧化层生长P型晶圆深埋 SiO2 层P型外延层133LPCVD 氮化氮化硅沉积硅沉积P型晶圆深埋 SiO2 层P型外延层氮化硅134旋涂光刻胶旋涂光刻胶P型外延层光刻胶氮化硅135Mask#1:浅沟槽隔离浅沟槽隔离(STI)136对准和曝光对准和曝光P型外延层光刻胶氮化硅 137显影显影P型外延层光刻胶氮化硅138氮化硅氮化硅/氧化硅刻蚀氧化硅刻蚀P型外延层光刻胶氮化硅 139去除光刻胶去除光刻胶P型外延层氮化硅 140刻蚀硅刻蚀硅P型外延层氮化硅 P型外延层141晶圓清洗晶圓清洗P型外延层氮化硅 P型外延层142P型外延层P型外延层
25、保护氧化层生长保护氧化层生长氮化硅 143P型外延层P型外延层未掺杂氧化层沉积未掺杂氧化层沉积(undoped silicate glass,USG)氮化硅 USGUSG144P型外延层P型外延层CMP刻蚀刻蚀USG氮化硅 USGUSG145P型外延层P型外延层去除氮化硅去除氮化硅USGUSG146P型多晶硅P型多晶硅去除释放压力氧化层去除释放压力氧化层USGUSGSTI147P型外延层 P型外延层牺牲氧化层生长牺牲氧化层生长USGUSGSTI148P型外延层P型外延层光刻胶旋涂光刻胶旋涂USGUSGSTI光刻胶149Mask#2:N-型型阱阱150P型外延层P型外延层曝光曝光USGUSGST
26、I光阻151P型外延层P型外延层显影显影USGUSGSTI光刻胶152P型外延层N-型型阱注入阱注入P型晶圓USGUSGSTI光刻胶N型阱区磷离子,P+不同能量,多次注入,形成均匀分布不同能量,多次注入,形成均匀分布153P型外延层PMOS VT 调整注入调整注入USGUSGSTI光刻胶N型阱区 硼离子,B+利用同一次光刻形成图形利用同一次光刻形成图形154P型外延层去除光刻胶去除光刻胶USGUSGSTIN型阱区155P型外延层光刻胶旋涂光刻胶旋涂USGUSGSTIN型阱区光刻胶156Mask#3:P型型阱阱157P型外延层曝光曝光USGUSGSTIN型阱光刻胶158P型外延层显影显影USGU
27、SGSTIN型阱光刻胶159P型阱P-型型阱注入阱注入USGUSGSTIN型阱光刻胶硼离子,B+多次不同能量注入形成均匀分布多次不同能量注入形成均匀分布160P型阱NMOS VT 调整注入调整注入USGUSGSTIN型阱光刻胶 磷离子,P+161P型阱去除光刻胶去除光刻胶USGUSGSTIN型阱162P型阱去除牺牲氧化层去除牺牲氧化层USGUSGSTIN型阱163P型阱晶圓清洗晶圓清洗USGUSGSTIN型阱164P型阱生长栅极氧化层生长栅极氧化层USGUSGSTIN型阱165P型阱LPCVD 沉积非晶硅沉积非晶硅USGSTIN型阱非晶硅栅极氧化层USG非晶硅相对于多晶硅表面更加平整非晶硅相对
28、于多晶硅表面更加平整166P型阱光刻胶旋涂光刻胶旋涂USGUSGSTIN型阱非晶硅光刻胶167Mask#4,栅极和局部互联栅极和局部互联168P型阱曝光曝光USGUSGSTIN型阱非晶硅光刻胶169P型阱显影显影USGUSGSTIN型阱非晶硅刻胶170P型阱非晶非晶硅刻蚀硅刻蚀USGUSGSTIN型阱非晶硅光刻胶栅极氧化层171P型阱去除光刻胶去除光刻胶USGUSGSTIN型阱非晶硅172P型阱非晶硅非晶硅退火退火USGUSGSTIN型阱多晶硅173P型阱光刻胶旋涂光刻胶旋涂USGUSGSTIN型阱光刻胶多晶硅174Mask#5,NMOS LDD 注入注入175P型阱曝光曝光USGUSGSTI
29、N型阱多晶硅光刻胶176P型阱显影显影USGUSGSTIN型阱光刻胶177P型阱NMOS LDD 注入注入USGUSGSTIN型阱光刻胶锑离子,Sb+178P型阱去除去除光光刻胶刻胶USGUSGSTIN型阱179P型阱光刻胶旋涂光刻胶旋涂USGUSGSTIN型阱多晶硅光刻胶180Mask#6:PMOS LDD 注入注入181P型阱曝光曝光USGUSGSTIN型阱多晶硅光刻胶182P型阱显影显影USGUSGSTIN型阱多晶硅光刻胶183P型阱PMOS LDD 注入注入USGUSGSTIN型阱多晶硅光刻胶BF2+184P型阱去除去除光光刻胶刻胶USGUSGSTIN型阱185P型阱氧化硅氧化硅氮化硅
30、沉积氮化硅沉积USGUSGSTIN型阱186P型阱氮化硅氮化硅/氧化硅刻蚀氧化硅刻蚀USGUSGSTIN型阱 侧壁层(spacer)多晶硅栅极187P型阱光刻胶旋涂光刻胶旋涂USGUSGSTIN型阱光刻胶188Mask#7,NMOS S/D 注入注入189P型阱曝光曝光USGUSGSTIN型阱光刻胶190P型阱显影显影USGUSGSTIN型阱光刻胶191P型阱NMOS S/D注入注入USGN型阱光刻胶STIUSG砷砷离离子子,As+192P型阱去除光刻胶去除光刻胶USGN型阱STIUSGn+n+193P型阱涂胶涂胶USGN型阱STIUSGn+n+光刻胶194Mask#8,PMOS S/D注入注
31、入195P型阱曝光曝光USGN型阱STIUSGn+n+光刻胶196P型阱显影显影USGN型阱STIUSGn+n+光刻胶197P型阱PMOS S/D注入注入USGN型阱STIUSGn+n+光刻胶硼离子,B+198P型阱去除光刻胶去除光刻胶USGN型阱STIUSGn+n+p+p+199P型阱RTA退火退火USGN型阱STIUSGn+n+p+p+200P型阱氩离子溅射刻蚀氩离子溅射刻蚀USGN型阱STIUSGn+n+p+p+去除表面自然氧化层去除表面自然氧化层201P型阱钴钴(Co)和和TiN沉积沉积USGN型阱STIUSGn+n+p+p+钴氮化钛TiN 保护保护Co不被氧化不被氧化202P型阱RT
32、A退火退火USGN型阱STIUSGn+n+p+p+钴硅化物(CoSi2)钴氮化钛203P型阱去除去除TiN,CoUSGN型阱STIUSGn+n+p+p+钴硅化物(CoSi2)204P型阱PECVD 沉积氮化硅沉积氮化硅USGN型阱STIUSGn+n+p+p+小尺寸器件下,热预算的要求不能使用小尺寸器件下,热预算的要求不能使用LPCVD氮化硅氮化硅205P型阱沉积沉积PSGUSGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSGPECVD 氮化硅用来阻止氮化硅用来阻止P的扩散的扩散206P型阱CMP刻蚀刻蚀PSGUSGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG207P型阱光光刻胶旋涂刻胶旋涂USGN型阱ST
33、IUSGn+n+p+p+PSG光光刻胶刻胶208Mask#9,接触孔接触孔209P型阱曝光曝光USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG光刻胶210P型阱显影显影USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG光刻胶211P型阱刻蚀刻蚀PSGUSGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG光刻胶212P型阱去除光刻胶去除光刻胶USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG213P型井區氩离子溅射刻蚀氩离子溅射刻蚀P型晶圓深埋 SiO2 層USGN型井區STIUSGn+n+p+p+PSG清洁表面清洁表面214P型阱Ti/TiN溅射沉积溅射沉积USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSGTi/氮
34、化钛附着层/阻挡层215 钨P型阱CVD沉积钨(沉积钨(W)USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSGTungstenWCVD沉积具有良好的太阶覆盖性和填空性能沉积具有良好的太阶覆盖性和填空性能216P型阱CMP金属刻蚀金属刻蚀USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨217PECVD 沉积沉积SiC密封层密封层P型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SiC致密性高,可以阻止致密性高,可以阻止Cu扩散;扩散;SiC的介电常数的介电常数:4-5,SiNx的介电常数的介电常数:7-8;218SOD旋涂旋涂SODP型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SO
35、D:spin-on-dielectric219SOD 烘烤烘烤硬化硬化 SODP型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨220PECVD 沉积沉积SiC刻蚀停止层刻蚀停止层SODP型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨221SOD 旋涂旋涂及硬化及硬化SODSODP型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨222沉积沉积 PE-TEOS 覆盖层覆盖层SODSODP型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SOD具有吸水性具有吸水性223光刻胶旋涂光刻胶旋涂SODSOD光刻胶USGSTIUSGn+n+p+p+PSG钨钨224Mask#10,金
36、属接触孔金属接触孔1225曝光曝光SODSOD光刻胶P型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨226显影显影SODSOD光刻胶USGSTIUSGn+n+p+p+PSG钨钨227刻蚀刻蚀PE-TEOS和和SOD,并并在在SiC层停止层停止SODSOD光刻胶USGSTIUSGn+n+p+p+PSG钨钨228去除去除光光刻胶刻胶SODSODUSGSTIUSGn+n+p+p+PSG钨钨229光刻胶旋涂光刻胶旋涂SODSOD光刻胶USGSTIUSGn+n+p+p+PSG230Mask#11,金属沟槽金属沟槽 1231對準和曝光對準和曝光SODSOD光刻胶USGSTIUSGn+n+p+p+P
37、SG232显影显影SODSOD光刻胶USGSTIUSGn+n+p+p+PSG233沟槽刻蚀沟槽刻蚀USGSTIUSGn+n+p+p+PSGSODSOD光刻胶234去除光刻胶去除光刻胶SODUSGSTIUSGn+n+p+p+PSGSOD235氩离子刻蚀清洁氩离子刻蚀清洁SODP型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SOD236PVD沉积钽和氮化钽阻挡层沉积钽和氮化钽阻挡层SODP型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SOD钽和氮化钽:阻挡铜的扩散钽和氮化钽:阻挡铜的扩散237USGSTIUSGn+n+p+p+PSGPVD 沉积沉积Cu 籽晶层籽晶层SODSOD23
38、8铜电镀沉积铜电镀沉积P型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SODSOD铜 1铜1铜1铜1239銅退火銅退火P型阱USGN型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SODSOD铜1铜1铜1铜1250oC,减小电阻减小电阻240CMP金属刻蚀金属刻蚀USGSTIUSGn+n+p+p+PSGSODSOD銅1銅1銅1銅1241P-型阱P-型晶圆 深埋 SiO2层USGN-型阱STIUSGn+n+p+p+PSG钨钨SODSODCu 1铜 1Cu 1铜 1Cu 1铜 1Cu 1铜 1SODSOD铜 2SODSOD铜 3铜 3SOD铜 4SODSOD铜 5PSG氮化硅铅锡合金-SOD碳化硅密封层氮化硅阻挡层PE-TEOS覆盖层碳化硅密封层氮化硅密封层Ta/TaN 阻挡层碳化硅刻蚀阻挡层多晶硅栅极钴硅化物铬铜金衬底切割,测试,封装切割,测试,封装242Good Luck!人有了知识,就会具备各种分析能力,明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书,广泛阅读,古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识,培养逻辑思维能力;通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平,培养文学情趣;通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操,给我们巨大的精神力量,鼓舞我们前进。
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