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方差分析表课件.ppt

1、School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用31多指标问题的处理多指标试验衡量试验效果的指标只有一个衡量试验效果的指标有多个科学试验单指标试验School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用多指标试验多个指标之间可能存在一定的矛盾,这时需要兼顾各个指标,寻找使得每个指标都尽可能好的生产条件School of Microelectronicsand Solid-State Elect

2、ronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用多指标问题处理方法综合评分法综合平衡法排队评分法在对各个指标逐个测定后,按照由具体情况确定的原则,对各个指标综合评分,将多个指标综合为单指标。将各个指标的最优条件综合平衡,找出兼顾每个指标都尽可能好的条件。综合各个指标,按效果好坏,进行排队打分。这也是将多个指标转化为单指标。三种方法综合应用School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用一、综合评分法在对各个指标逐个测定后,按照由具体情况确定的原则,对各个指标综合评分,将多个指标

3、综合为单指标。此方法关键在于评分的标准要合理。评分标准即权值,综合评分法也称加权评分法。得分得分=K=K1 1第一个指标第一个指标+K+Kn n第第n n个指标值个指标值 (K K为常数)为常数)School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用例例3 31 1 白地雷核酸生产工艺的试验白地雷核酸生产工艺的试验 试验目的:原来生产中核酸的试验目的:原来生产中核酸的得率太低得率太低,成本太成本太高高,甚至造成亏损。试验目的是提高含量,寻找,甚至造成亏损。试验目的是提高含量,寻找好的工艺条件。好

4、的工艺条件。本例介绍由北京大学生物系与生产厂联合攻关中本例介绍由北京大学生物系与生产厂联合攻关中的第一批的第一批L L9 9(3 34 4)正交试验的情况。正交试验的情况。表3-1 核酸生产因素水平表School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用49(3)L表3-2 试验方案及结果计算分数2.5纯度0.5回收率2.517.8+0.529.8=59.4极差判断因素主次:ADBCSchool of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章

5、多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用50454035 A3 A2 A1 B3 B2 B1 C3 C2 C1 D3 D2 D1因素指标指标(得分)因素图最优条件:A1B3C2D1School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用从图上和表上的极差都可以看出,因素的主次为所以,A取A1,D取D1,PH值选取便于操作的水平C2,B取B3,故,最优条件为:A1B3C2D1事实上,试验结果也证明,上述最优条件效果很好。投产后核酸质量得到显著提高,做到了不经提纯一次可以入库。ADBC主次School

6、 of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用正交设计助手极差分析School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用极差分析School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用指标因素图School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章

7、 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用二、综合平衡法(1)对各个指标进行分析,与单指标的分析方法完全一样,找出各个指标的最优生产条件。(2)将各个指标的最优生产条件综合平衡,找出兼顾每个指标都尽可能好的条件。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用例32 液体葡萄糖生产工艺选取 试验目的:生产中存在的主要问题是出率低,质量不稳定,经过问题分析,认为影响出率、质量的关键在于调粉、糖化这两个工段,决定将其它工段的条件固定,对调粉、糖化的工艺条件进行探索。(1)出率:越高越好(2)总

8、还原糖:在3240之间(3)明度:比浊度越小越好,不得大于300mg/l(4)色泽:比色度越小越好,不得大于20ml。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用表3-3 葡萄糖生产工艺优选因素水平表产量还原糖明度色泽指标前进School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用四个因素对四个指标的主次关系为:四个因素对四个指标的主次关系为:产量:产量:DCA B 还原糖:还原糖:BDA

9、C 明度:明度:ABCD 色泽:色泽:BACD 分析顺序确定(分析顺序确定(BADC)主 次B对还原糖和色泽影响均最大,应首先分析;A对明度影响最大,对色泽影响较大,次要分析;然后是D、Cif权重:权重:8 4 2 1则:则:A16、B21、C9、D14分析顺序:分析顺序:BADC返回前进School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用综合考察四个指标,还原糖含量要求在3240之间,从趋势及因素主次知道B的影响最重要,取1.5和2.5都不行,只有选2.0最合适。B取B2最好。从色泽来看,B

10、最重要,而且仍然以B2最好;从明度来看,B为次要因素,但也仍以B2为好;因此可确定B2是最优水平。粉浆浓度A对产量影响很大,取A1最好。但对于明度来说,取A1时大于300不合适,浓度A2时比A1略低一些,但其它指标,除色泽外,都能达到要求。因此粉浆浓度定位A2。返回前进School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用工作压力对产量影响最大,取D3最好。但它的色泽不好,用2.7产量会低一些,但其余指标都还比较好,因此确定为D2。稳压时间对四个指标来说,对产量影响最大,对还原糖没有什么影响,对

11、明度、色泽影响也不大,照顾产量应选C25分钟。但此时色泽、明度都不好,考虑将时间延长一些,定为57分钟。最后得出最优条件为:A2 B2 C2 D2事实上,结果证明采用后各项指标都有明显提高。前进返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用列号试验号123456789K1K2K3k1k2k3RA1B1C3D4L9(34)3266325731201088.71085.7104048.73125325832331050.710861077.735.33174330831611058110

12、2.71053.749303932163318101310701129.3116试验结果产量(斤)99611351135115410241079100210991019试验方案及结果计算表-1返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics11301110107010401010 A1 A2 A3 B1 B2 B3 C1 C2 C3 D1 D2 D3因素产量(斤)指标因素图-1返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用

13、列号试验号123456789K1K2K3k1k2k3RA1B1C3D4L9(34)112109.813337.336.337.711.1126.4117.291.242.139.130.411.7112.4111.8110.637.537.336.90.6108.811211436.337.3381.7试验结果还原糖()41.639.43142.437.230.242.440.630试验方案及结果计算表-2返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics42383430 A1 A2 A3 B1 B2 B3 C1 C2 C3 D1 D

14、2 D3因素还原糖含量()指标因素图-2返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用列号试验号123456789K1K2K3k1k2k3RA1B1C3D4L9(34)130 525 525 433.3 175 175258.3 825 625 900 275 208.3 30091.7 800 800 650 266.7 300 216.783.3 925 725 700 308.3 241.7 233.375试验结果明度(mg/l)近 500近 400近 400 200 125近

15、 200 125 100 300试验方案及结果计算表-3返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics450390330270210150 A1 A2 A3 B1 B2 B3 C1 C2 C3 D1 D2 D3因素明度(mg)指标因素图-3返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用列号试验号123456789K1K2K3k1k2k3RA1B1C3D4L9(34)4580801526.726.811.760509520

16、16.731.7156080652026.721.76.770607523.320255试验结果色泽(ml)101025 30近 20近 30近 20 20ECDFBif权重:32 16 8 4 2 1则:A48、B3、C24、D6、E33、F4分析顺序:AECDFB前进下页School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用电沉积的最佳工艺水平:镀速:E5A5C4D2F5B4 光亮度:A4C5(B4D2F2)E4分析顺序:AECDFB综合两个指标后,得出最佳工艺水平为:A4B4C4D2E5F

17、4 A4B4C4D2E5F5亦可前进返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用确定电沉积光亮镍铁合金的最佳配方及工艺条件为:硫酸镍:NiSO47H2O:25g/l 硫酸亚铁:FeSO47H2O:3-5g/l 硼酸:H3BO3:9g/l 温度:50 PH值:3.84.2 电流密度:3.5A/dm2前进返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用指标因素图-A镀速光亮度返

18、回最优条件:A4因素A对镀速和光亮度都重要School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用指标因素图-B镀速光亮度返回最优条件:B4因素B对镀速和光亮度都不重要School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用指标因素图-C镀速光亮度返回最优条件:C4因素C对镀速和光亮度都重要School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章

19、 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用指标因素图-D镀速光亮度返回最优条件:D2因素D对镀速和光亮度在同一点出现最优School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用指标因素图-E镀速光亮度返回最优条件:E5因素E对镀速重要,对光亮度不重要School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用指标因素图-F镀速光亮度返回最优条件:F4/F5因素F对镀速和光亮度都不太重要School of

20、Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用三、排队打分法根据试验结果,综合全部指标,按效果好坏,进行排队打分对综合评分进行直观分析缺点:分数平均分布,会影响指标主次关系返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用lA4B4C4D2E5F5,但指标主次关系不具有意义,但指标主次关系不具有意义返回School of Microelectronicsand Solid-State Electron

21、ics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用32 水平数不同的正交表的使用水平数不同安排各因素的水平数相同安排各因素的水平数不同正交试验水平数相同School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用混合正交表拟水平法水平数不同的正交表直接套用并列法School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用一、直接套用混和正交表例33 为了探索某胶压板的制造工艺,因素水平如下表此试验方案可以

22、直接套用混和正交表此试验方案可以直接套用混和正交表L8(424),P333School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用表表3-9 胶压板的制造工艺试验方案及结果胶压板的制造工艺试验方案及结果因素水平12345678A1B2C345四块胶板得分指标总分112233441212121212122121122112211212211266442446653414356423142444221212221911135141017正交表正交表L8(424)School of Microelect

23、ronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用K1K2K3K4k1k2k3k4RRS412419275.13.02.43.42.73.433.3448633.03.90.92.67.03164474.02.91.13.19.0357540.2859521.53K=111P=385.03前进试验方案及计算结果表(续表)试验方案及计算结果表(续表)School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用混合正交表的极差分析当两因素对指

24、标有同等影响时,水平多的因素极差应大一些:折算系数折算系数表School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用RRdmRdqr调整极差R-极差d-折算系数m-该因素每水平试验重复数q同一号试验重复数rSchool of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用(3 1)2.7 0.4583.40.9 0.71162.61.1 0.71163.1ABCRRdmRRR所以:因素主次顺序为:ACB主次采用

25、极差分析法分析即可得出结果返回School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用1122112121(2234)1(2235)(2236)1(2237)1()(2241)(rnrijijnrijijniipiixPKnrWxRXrQKqrpqP49有重复试验的方差分析实际计算公式如下:K=水平,每水平 个试验号,同号试验重复 次)混合正交表的方差分析AASQPQPWRWPe1空列e2TSSSSchool of Microelectronicsand Solid-State Electroni

26、cs第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用1166.42111nrijijxK=2211111385.038 4PKnr84221111465nrijijijijWxx2222111(2419.17)436.254niiRXrSchool of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用222111()(41.27)418.3752 4pAiiQKqr因素A因素B、C222111()(4863)4 4pBiiQKqr222111()(6447)4 4pciiQKqrSchool of Micr

27、oelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用452()()1.81TABCeABCABCSSSSSSSWPSSSWRRPSSSe1S465436.2528.75465385.0379.97WRWPe2TSSSchool of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用110.05122/(,)/eeeeeSfFfffe2比较F=和的大小S有显著性差异,不可合并CB方差分析表方差分析表0.01(3,26)4.6F0.01(1

28、,26)7.7F0.05(1,26)4.2FSchool of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用二、并列法对于有混和水平的问题,除了直接应用混和水平的正交表外,还可以将原来已知正交表加以适当的改造,得到新的混和水平的正交表。L8(424)表就是由L8(27)改造而来School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用新列新列试验号试验号1 212345678111122221122112211

29、223344规则:规则:(1,1)1(1,2)2(2,1)3(2,2)4列号试验号1 2 3 4 5 6 7 123456781122334412121212121221211221122112212112L8(424)正交表正交表列号试验号1 2 3 4 5 6 7 1234567811112222112211221122221112121212121221211221122112212112L8(27)正交表正交表School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用并列法步骤:(1)从L8

30、(27)中任意选两列,横行组成的8个有序数对,每种搭配用一个数字来表示(2)将交互作用列去除,选中的两列成具有4水平的新列,3列合并成新的4水平列School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用新表L8(424)仍然是正交表,具有均衡分散、整齐可比的性质。任一列中各水平出现的次数相同(四水平列各水平出现二次,二水平列各水平出现四次)。任意两列中各横行的有序数对出现的次数相同(对于两个二水平列显然满足;对一列四水平,一列二水平,它们各横行的八种不同搭配(1,1)、(1,2)、(2,1)、(2

31、,2)、(3,1)、(3,2)、(4,1)、(4,2)各出现一次。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用取 任两列(例取1,2列),删去所取两例的交互作用列(第3列)就可得。可方便记为:1、2、(3)新1它表示新的第1列是由 的第1,2列改得的,同时删去了交互作用列。同样地:4、8(12)新25、10(15)新37、9(14)新46、11(13)新5School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表

32、在试验设计中的灵活运用表3-13 并列法改造表School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用三、拟水平法在正交设计中,某个或某几个试验因素的水平个数是自然形成的,只有确定的个数,不能随意选取水平数,或有的因素由于受某种条件的限制,不能多取水平,而又没有现成的混合型正交表可用,这时可采用拟水平设计法。它是把水平少的因素虚拟一个或几个水平,使之与正交表相应列的水平数相等,这种虚拟水平称为拟水平,其设计方法就称为拟水平法。该方法用多水平正交表安排水平数较少的因素School of Microe

33、lectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用拟水平实例在高效液相色谱法测定食品中胡萝卜素的研究中,欲通过正交试验选择柱层析法净化条件,试验指标为胡萝卜素回收率,不考虑交互作用,试验因素水平表如下。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用A、C均为三水平,而因素B由于受试验条件的限制,只能取二水平。选L18(2*37)表安排试验,但试验次数太多。若B取三水平,就可直接用L9(34)表安排试验。选取重点要考察

34、的那个水平进行虚拟另一水平。(1)拟水平试验方案设计School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用拟水平法的极差分析方法与一般正交试验的极差分析方法基本相同。所不同的是,计算拟水平的那个因素的K值和极差R时,应与其他因素有所区别。对本例,9次试验B1重复了三次,B2重复了六次。拟水平法的方差分析步骤与一般正交试验的方差分析基本相同;主要区别在于拟水平列的偏差平方和及自由度的计算。(2)拟水平试验结果分析School of Microelectronicsand Solid-State E

35、lectronics66第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用拟水平法极差分析School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用SQP拟水平法方差分析2222121111()()275.55223636BBBQKK211()piipQKq水平,每水平q次试验School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用School of Microelectronicsand Solid-S

36、tate Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用方差分析结果:因素C显著,因素A、B不显著,因素主次顺序为CAB。最优组合为A1B1C3。采用拟水平法时,所拟因素和水平一般以不超过两个为宜。拟水平列自由度小于所在正交表该列自由度School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用四、混和水平有交互作用的正交设计例3-4 聚氨酯合成橡胶的试验中,要考察A、B、C、D对抗张强度的影响,其中因素A取4水平,因素B、C、D均取二水平,还需要考察交互作用AB、AC。Sch

37、ool of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用这是4123因素的试验设计自由度计算如下:fA=4-1=3 fB=fC=fD=2-1=1 fAB=fAC=(4-1)(2-1)=3 f总=3+31+23=12可以选用L16(41 212)混和正交表School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用(1)将L16(215)中的第1、2、3列改造为四水平列,得到L16(41212)表;(2)将A占1

38、、2、3列,如果B放第4列,则由交互作用表知:1,45;2,46;3,47。于是AB要占5、6、7三列;(3)将C排在第8列,可以查得:1,89;2,810;3,811。于是AC要占9、10、11三列;(4)D可以安排在剩余的任何一列,假如放在第12列。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 表头设计如下:表头设计 A B AB C AC D列号1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15School of Microelectronicsand Sol

39、id-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用L16(215)两列间交互列School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用123481256791011131415ABCDA BA CeSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSS各因素及误差偏差平方和的计算School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用33 活动水平与组合因素法一、活动水平法

40、 在多因素试验中,有时两因素和多因素直接存在着相互依存的关系。即一个因素的水平的选取将由另一因素的水平来决定,或者一因素水平的选取将随着另一因素水平的选取情况而变化,此时可采用活动水平法School of Microelectronicsand Solid-State Electronics77第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用磨矿细度捕收剂用量抑制剂用量活化剂用量调整剂用量浮选温度浮选试验因素浮选浓度搅拌强度搅拌浓度搅拌时间考查因素较多的科学实验浮选时间School of Microelectronicsand Solid-State Electronics78第三章 多指标问

41、题及正交表在试验设计中的灵活运用一次一因素法变动一个因素,固定其他因素的方法。这种方法常因因素之间存在交互作用,而水平又未固定的适宜搭配关系,致使试验需反复多次,试验周期长。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics79第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用活动水平法将多个有交互作用的因素水平,按适宜的搭配转化为单因素,有的因素水平据实际情况灵活选定。活动水平法,可大大节省试验的工作量,同时可迅速找到试验条件的最佳点。优点:消除不合理的试验条件消除因素间的交互作用School of Microelectronicsand

42、 Solid-State Electronics80第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用二元图两直线交叉可判断黄药和氰化物之间有交互作用,黄药水平的取值受氰化物水平取值的影响,二者最佳条件为A1B1和A2B2。A2School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用结果表明二者均选取低水平为好,不仅指标最高,而且可节省药剂用量。有经验的一般事先知道黄药和氰化物用量之间的搭配关系是同时取高水平或同时取低水平,而一高一低的搭配关系就明显不合理。此时可采用活动水平法消除这种不合理的试验条

43、件。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics82第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用因子B的水平取值随A而定,即因子A取活动水平,当B取低水平50克/吨时,相应地A取低水平40克/吨和80克/吨。当B取高水平200克/吨时,相应地A取高水平120克/吨和160克/吨。这样安排就消除了黄药50克/吨、氰化物160克/吨;黄药200克/吨、氰化物40克/吨的一高一低的不合理的试验条件。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验

44、设计中的灵活运用镀银工艺试验硝酸银用量氰化钾用量硫代硫酸铵温度电流密度槽液配方工艺条件不合理配比:(2)、(3)号School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用250/183150274/100167:100氰化钾:硝酸银183:100如果这个比值不变,硝酸银用量是150克/升时,则氰化钾的用量应该是16715两个合理比例为0克 升100克:升School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的

45、灵活运用表3-21 活动水平设计氯化钾用量因素水平氰化钾的用量这个因素的两个水平命名为:少、多,而它的少、多的量是随硝酸银的用量改变的School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用表3-22活动水平设计中电流密度因素水平表School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用表3-23 活动水平设计试验方案表School of Microelectronicsand Solid-State

46、 Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用表3-24 活动水平表优化结果计算表A B C D E活动水平活动水平主次:ADCBE1.A1和C1直接取2.D1为“小”,D受E影响,E不重要,考虑“温度E”高时效率高,E取E2,E2时“小”为“5A”3.B节约取B1,B受A影响,A1时B1为“250g/l”School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用分析顺序A1D1C1,A1和C1直接取D1为“小”,D受E影响,E不重要,考虑“温度E”高时效率高,E取E2,E

47、2时“小”为“5A”。B节约取B1,B受A影响,A1时B1为“250g/l”ADCBE主次School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用111123A B C D E6AAgNO:150/KCN:250/C 6A4223所以初步确定了五个因素的水平为:从提高镀银速度来看,可试验将电流密度提高为,其余因素水平不变。试验后发现效果很好,这样就定了好的配方和工艺是:克 升克 升(NH)S O:不用温度:50电流密度:School of Microelectronicsand Solid-Sta

48、te Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用二、组合因素法在用正交试验设计安排试验时,减少试验次数的有效方法就是把两个或两个以上的因素组合起来当作一因素看待。组合成的因素叫组合因素,采用组合因素法时,安排试验和试验结果分析的方法和一般正交试验相同。也称为并因子法School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用组合因素法-例1School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试

49、验设计中的灵活运用组合因素法,可使试验工作量减少一半。如果影响因素很多,其优越性更加突出。School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用某锑矿浮选分离试验,需考查捕收剂用量、抑制剂用量、活化剂用量、搅拌强度、搅拌浓度、搅拌时间等6个因素。首先用一张L9表安排试验,找到前三种药剂的用量配比关系,然后将三种药剂用量配比做为一个因子与后三个因子再用一张L9表安排试验,结果能迅速找到分离的最佳试验条件。School of Microelectronicsand Solid-State Elect

50、ronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用组合因素法-例2School of Microelectronicsand Solid-State Electronics第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用34 分割试验法分割试验法又称为裂区法基本思想:在比较复杂的试验中,要经过好几道工序才能得出结果,这些工序重复起来难易不等。为了对这类试验进行设计,我们可以既按照工序的先后,又按照工序重复的难易成度,把因素区分为一级因素、二级因素、三级因素等。安排试验时,尽可能使重复困难的工序少做试验,而让重复容易的工序多做些试验。School of Microelectronics

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