1、工艺工艺1清洗现场清洗现场2清洗工艺介绍清洗工艺介绍 1.化化学清学清洗、晶洗、晶圆清圆清洗洗是什是什么么 2.晶晶圆清圆清洗的重要性洗的重要性 3.晶晶圆清圆清洗的洗的研研究究内内容容 4.晶晶圆清圆清洗中的化洗中的化学学原料及作用原料及作用 5.晶晶圆清圆清洗的洗的RCA工工艺艺 化学清洗是利用各种化学试剂和有机溶剂清除附着在物体表面上的杂质的方法。在半导体行业，化学清洗是指清除吸附在半导体、金属材料以及用具表面上的各种有害杂质或油污的工艺过程。晶圆清洗是以整个批次或单一晶圆，藉由化学品的浸泡或喷洒来去除脏污，并用超纯水来洗涤杂质，主要是清除晶片表面所有的污染物，如微尘粒（Particle
2、）、有机物（Organic）、无机物、金属离子（Metal_Ions）等杂质 2.晶晶圆清圆清洗的重要性洗的重要性 在超大型集成电路（ULSI）制程中，晶圆清洗技术及洁净度，是影响晶圆制程良率、品质及可靠度最重要的因素之一。据统计，在标准的IC制造工艺中，仅涉及晶圆清洗和表面预处理的工艺步骤就有100步之多，可以说晶圆清洗的好坏直接制约了IC加工的水平。3.晶晶圆清圆清洗的洗的研研究究内内容容污染可能污染源微粒机台、环境、水汽、化学品、容器金属机台、环境、水汽、化学品、容器、离子植入、蚀刻有机物光阻残留、容器、化学品、建筑物油漆涂料挥发自然氧化物化学品、环境、水、气体SC-2 也可以也可以RC
3、A工工艺艺 微粒去除机制微粒去除机制微粒在氧化剂中被氧化微粒在氧化剂中被氧化溶于酸碱去除溶于酸碱去除离子电性排斥去除离子电性排斥去除RCA工工艺艺 微粒去除机制微粒去除机制改进的改进的RCA 清洗清洗1.水中超声清洗：灰尘、残余物去除水中超声清洗：灰尘、残余物去除2.浓硫酸、浓硫酸浓硫酸、浓硫酸+双氧水：表面污染（有机物、重金属、微粒）双氧水：表面污染（有机物、重金属、微粒）BHF去除氧化层去除氧化层（to 疏水性）疏水性）3.碱洗（双氧水、氨水、水）：颗粒、有机物去除碱洗（双氧水、氨水、水）：颗粒、有机物去除 BHF去除氧化层去除氧化层（to 疏水性）疏水性）4.酸洗（双氧水、盐酸、水）：微
4、粒、金属去除酸洗（双氧水、盐酸、水）：微粒、金属去除 BHF去除氧化层去除氧化层（to 疏水性）疏水性）5.超纯水淋洗：去除离子超纯水淋洗：去除离子工艺工艺1清洗现场清洗现场2湿法工作站主要供应商干燥机干燥机主要供应商Conventional Wet BenchConventional Wet BenchSpray Chemical Cleaning ProcessorWafer Dry TechnologyDown Flow Spin DryerIPA DryerMarangoni DryerDown Flow Spin DryerIPA DryerMarangoni Dryer清洗现场操作
5、过程清洗现场操作过程氢氟酸氢氟酸专用烧杯专用烧杯光阻、刻蚀光阻、刻蚀专用提把专用提把清洗区清洗区专用提把专用提把液面高度液面高度测量棒测量棒专用吸笔专用吸笔废弃物废弃物丢弃箱丢弃箱泄露紧急按钮泄露紧急按钮急救药品布置急救药品布置聚氯乙烯聚氯乙烯防护服防护服防酸手套防酸手套聚氯乙烯聚氯乙烯围裙围裙天然橡胶天然橡胶高筒靴高筒靴机台启动机台启动晶圆处理晶圆处理旋转脱水旋转脱水系统关闭及清理系统关闭及清理实验室常用的改进的实验室常用的改进的RCA 清洗工艺清洗工艺1.水中超声清洗：灰尘、残余物去除水中超声清洗：灰尘、残余物去除2.浓硫酸、浓硫酸浓硫酸、浓硫酸+双氧水：表面污染（有机物、重金属、微粒）双氧水：表面污染（有机物、重金属、微粒）BHF去除氧化层去除氧化层（to 疏水性）疏水性）3.碱洗（双氧水、氨水、水）：颗粒、有机物去除碱洗（双氧水、氨水、水）：颗粒、有机物去除 BHF去除氧化层去除氧化层（to 疏水性）疏水性）4.酸洗（双氧水、盐酸、水）：微粒、金属去除酸洗（双氧水、盐酸、水）：微粒、金属去除 BHF去除氧化层去除氧化层（to 疏水性）疏水性）5.超纯水淋洗：去除离子超纯水淋洗：去除离子
