1、OutlineArray 5 mask Array 4 maskPRPR的工的工作原理作原理PR Test1.Metal 1(GATE):镀上镀上Mo(钼钼)，Al(铝铝)2.G:Gate SiNx(氮矽化合物氮矽化合物，绝缘层绝缘层)I:-Si(非结晶矽，通道层非结晶矽，通道层)N:N+-Si(高浓度磷高浓度磷(PH3)的矽的矽)降低界面电位差降低界面电位差,使成为欧姆接触使成为欧姆接触(ohmic contact)3.Metal 2(source,drain3.Metal 2(source,drain):Mo(Mo(钼钼),Al),Al 4.Passivation(Via):SiNx，保护
2、层，保护层,把金属盖住把金属盖住,另另有有Via和和ITO连通连通5.ITO(画素电极画素电极)1 Array 5 mask简介简介工艺流程Photo ResistThin FilmGlass曝光LightPhoto Mask剥膜Thin FilmGlass成膜Photo Resist显影蚀刻2023-2-6UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,显影Wet etchSTP(去光阻)Metal 1 processABMo/Al Mo在Al上层 避免Al氧化2.38%TMAHAl蚀刻液(磷酸，醋酸，硝酸)Stripper-剥离液：MEA+DMSO(7:3)2023-2-6GIN
3、 processABGIN sputterCVD（化学气相沉积）Photo(涂布,曝光,显影)Dry etchSTP(去光阻)SF6/Cl2，SiF4，SiCl42023-2-6Metal sputter（Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,显影)WET(M2湿蚀刻)DET(N+蚀刻)STP(去光阻)ABMetal 2 process2023-2-6ABCVD SiNxPhoto(涂布,曝光,显影)DET(Pass蚀刻)STP(去光阻)Pass process2023-2-6ABITO sputter(PVD)Photo(涂布,曝光,显影)WET(ITO湿蚀刻)STP(去光阻)OVN(I
4、TO oven)ITO process2023-2-62 Array 4 mask2023-2-62023-2-63 正型正型PR成份介绍成份介绍定义定义 光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。作作用用 a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中；b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。2023-2-6 成份成份 树脂20%感光剂5%溶剂75%添加剂0%PAC type 成份比例树脂感光剂溶剂添加剂树脂树脂感光剂感光剂溶剂溶剂添加剂添加剂粘附性、胶膜厚度粘附性、胶膜厚度曝光时间、光
5、线强度曝光时间、光线强度赋予组合物流动性赋予组合物流动性如防止如防止PR反射等特性反射等特性2023-2-64 正型正型PR的工作原理的工作原理Esterification 2023-2-6UVN2Wolff 重组H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2023-2-65 PR TestTestEOPMarginThermal StabilityFilm LossStripper TestResoluti-on涂布Pre-bake曝光显影Post-bakeStripper2023-2-6EOP TestEOP Test：将光罩上的图案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2023-2-6Margi
6、n TestMargin Test：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下，PR显影 后的CD变化2023-2-62023-2-6Thermal Stability TestThermal Stability Test：post-bask后PR形状的变化测试2023-2-6Stripper TestStripper Test：PR的剥离时间2023-2-6Resolution TestResolution Test：能显影出完整图像的较小CD（a.图案完整性；b.CD变化）2023-2-6H/T Margin TestH/T Margin Test：测试需要Ashing的PR膜厚均匀性（4 Mask）2023-2-6
