第3章场效应晶体管及其放大电路课件.ppt

1、3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。场效应管的分类、工作原理和特性曲线。第三章场效应晶体管及其放大电路3.1 结型场效应管3.2 绝缘栅型场效应管3.3 场效应管放大电路本章重点和考点：本章重点和考点：1.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。场效应管的分类、工作原理和特性曲线。2.FET三种组态的特点。三种组态的特点。1.场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它们都可以用于放大？它们都可以用于放大？2.如何根据放大电路的组成原则利用场效应管构成放大如何根据放大电路的组成原则利用场效应管构成放大电路？它有三种接法吗？电路？它有三种接法吗？

2、3.场效应管放大电路与晶体管放大电路有哪些不同处？场效应管放大电路与晶体管放大电路有哪些不同处？在不同的场合下，应如何选用放大电路？在不同的场合下，应如何选用放大电路？本章讨论的问题：本章讨论的问题：场效应三极管场效应三极管场效应管：场效应管：一种载流子参与导电，利用一种载流子参与导电，利用输入回路的电场输入回路的电场效应来控制效应来控制输出回路电流输出回路电流的三极管，又称的三极管，又称单极型三极管。单极型三极管。场效应管分类场效应管分类结型场效应管结型场效应管绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管特点特点单极型器件单极型器件(一种载流子导电一种载流子导电)；输入电阻高；输入电阻高；工艺简单、易集成、

3、功耗小、体积小、工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。成本低。N沟道沟道P沟道沟道增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道（耗尽型）（耗尽型）FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)场效应管场效应管分类：分类：DSGN符符号号3.1结型场效应管结型场效应管Junction Field Effect Transistor3.1.1结型场效应管的结构和类型结型场效应管的结构和类型图图 3.1N 沟道结型场效应管结构图沟道结型场效应管结构图N型型沟沟道道N型硅棒型硅棒栅极栅极源极源极漏极漏极P+P+P 型区型区耗尽层耗尽层(PN 结

4、结)在漏极和源极之间加在漏极和源极之间加上一个正向电压，上一个正向电压，N 型半型半导体中多数载流子导体中多数载流子电子电子可可以导电。以导电。导电沟道是导电沟道是 N 型的，型的，称称 N 沟道结型场效应管沟道结型场效应管。P 沟道场效应管沟道场效应管P 沟道结型场效应管结构图沟道结型场效应管结构图N+N+P型型沟沟道道GSD P 沟道场效应管是在沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺型硅棒的两侧做成高掺杂的杂的 N 型区型区(N+)，导电沟导电沟道为道为 P 型型，多数载流子为，多数载流子为空穴。空穴。符号符号GDS3.1.2 结型场效应管工作原理结型场效应管工作原理 N 沟道结型场效

5、应管沟道结型场效应管用改变用改变 UGS 大小来控制漏极电大小来控制漏极电流流 ID 的。的。(VCCS)GDSNN型型沟沟道道栅极栅极源极源极漏极漏极P+P+耗尽层耗尽层*在栅极和源极之间在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流漏极电流 ID 减小，反之，减小，反之，漏极漏极 ID 电流将增加。电流将增加。*耗尽层的宽度改变耗尽层的宽度改变主要在沟道区。主要在沟道区。1.当当UDS=0 时时，uGS 对导电沟道的控制作用对导电沟道的控制作用ID=0GDSN型型沟沟道道P+P

6、+(a)UGS=0UGS=0 时，耗尽时，耗尽层比较窄，导电沟层比较窄，导电沟比较宽比较宽UGS 由零逐渐减小，由零逐渐减小，耗尽耗尽层逐渐加宽，导电沟相层逐渐加宽，导电沟相应变窄。应变窄。当当 UGS=UGS（Off)，耗尽层，耗尽层合拢，导电沟被夹断合拢，导电沟被夹断.ID=0GDSP+P+N型型沟沟道道(b)UGS(off)UGS UGS（Off)，iD 较大较大。GDSP+NiSiDP+P+VDDVGG uGS UGS（Off)，iD 更小。更小。GDSNiSiDP+P+VDD注意：当注意：当 uDS 0 时，耗尽层呈现楔形。时，耗尽层呈现楔形。(a)(b)uGD uGS uDS GD

7、SP+NiSiDP+P+VDDVGGuGS 0,uGD=UGS(off),沟道变窄预夹断沟道变窄预夹断 uGS 0,uGD uGS(off),夹断，夹断，iD几乎不变几乎不变GDSiSiDP+VDDVGGP+P+(1)改变改变 uGS ，改变了改变了 PN 结中电场，控制了结中电场，控制了 iD，故称场效应管；，故称场效应管；(2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极反偏，栅极 基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。(c)(d)3.当当uGD uGS(off),时，时，,uGS 对漏极电流对

8、漏极电流iD的控制作用的控制作用场效应管用场效应管用低频跨导低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。的控制作用。场效应管为电压控制元件场效应管为电压控制元件(VCCS)。在在uGD uGS uDS uGS(off)情况下情况下,即当即当uDS uGS-uGS(off)对应于不同的对应于不同的uGS，d-s间等效成不同阻值的电阻。间等效成不同阻值的电阻。(2)当当uDS使使uGD uGS(off)时，时，d-s之间预夹断之间预夹断(3)当当uDS使使uGD U(BR)GS，PN 将被击穿，这种击穿与电容击将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击

9、穿。穿的情况类似，属于破坏性击穿。1.漏极最大允许耗散功率漏极最大允许耗散功率 PDSM3.2绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOSFEMOSFE（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）由金属、氧化物和半导体制成。称为由金属、氧化物和半导体制成。称为金属金属-氧化物氧化物-半半导体场效应管导体场效应管，或简称，或简称 MOS 场效应管场效应管。特点：输入电阻可达特点：输入电阻可达1010(有资料介绍可达有资料介绍可达1014）以上。以上。类型类型N 沟道沟道P 沟道沟道增强型增强型耗尽型耗尽型增强型增强型耗尽型耗尽型UGS=0 时漏

10、源间存在导电沟道称时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；耗尽型场效应管；UGS=0 时漏源间不存在导电沟道称时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。增强型场效应管。3.2.1、N 沟道增强型沟道增强型 MOS 场效应管场效应管 结构结构P 型衬底型衬底N+N+BGSDSiO2源极源极 S漏极漏极 D衬底引线衬底引线 B栅极栅极 G图图 3.2.1N 沟道增强型沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图场效应管的结构示意图SGDB1.工作原理工作原理 绝缘栅场效应管利用绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制来控制“感应电荷感应电荷”的多的多少，改变由这些少，改变由这些“感应电荷感应电荷”形成的导电沟道的

11、状况，形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流以控制漏极电流 ID。2.工作原理分析工作原理分析(1)UGS=0 漏源之间相当于两个背靠漏源之间相当于两个背靠背的背的 PN 结，无论漏源之间加何结，无论漏源之间加何种极性电压，种极性电压，总是不导电总是不导电。SBD(2)UDS=0，0 UGS UGS(th)导电沟道呈现一个楔形。导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流漏极形成电流 ID。b.UDS=UGS UGS(th)UGD=UGS(th)靠近漏极沟道达到临界开靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。启程度，出现预夹断。c.UDS UGS UGS(th)，UGD UGS(th)由于夹断区的沟道电阻

12、很大，由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变，沟道两端电压基本不变，iD因而基本不变。因而基本不变。a.UDS UGS(th)P 型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDDP 型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDDP 型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区夹断区DP型衬底型衬底N+N+BGSVGGVDDP型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区夹断区图图 3.2.2UDS 对导电沟道的影响对导电沟道的影响(a)UGD UGS(th)(b)UGD=UGS(th)(c)UGD UGS UGS(t

13、h)时，对应于不同的时，对应于不同的uGS就有一个确定的就有一个确定的iD。此时，此时，可以把可以把iD近似看成是近似看成是uGS控制的电流源。控制的电流源。3.特性曲线与电流方程特性曲线与电流方程(a)转移特性转移特性(b)输出特性输出特性UGS UGS(th)时时)三个区：可变电阻区、三个区：可变电阻区、恒流区恒流区(或饱和区或饱和区)、夹断、夹断区。区。UT 2UTIDOuGS/ViD/mAO图图 3.2.3(a)图图 3.2.3(b)iD/mAuDS/VOGS(th)GSUU预夹断轨迹预夹断轨迹恒流区恒流区 可变可变电阻区电阻区夹断区。夹断区。UGS增加增加3.2.2 N 沟道耗尽型沟

14、道耗尽型 MOS 场效应管场效应管P型衬底型衬底N+N+BGSD+制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在这些正离子电场在 P 型衬底中型衬底中“感应感应”负电荷，形成负电荷，形成“反反型层型层”。即使。即使 UGS=0 也会形成也会形成 N 型导电沟道。型导电沟道。+UGS=0，UDS 0，产生，产生较大的漏极电流；较大的漏极电流；UGS 0；UGS 正、负、正、负、零均可。零均可。iD/mAuGS/VOUP(a)转移特性转移特性IDSS耗尽型耗尽型 MOS MOS 管的符号管的符号SGDB(b)输出特性输出特性iD/mAu

15、DS/VO+1VUGS=0 3 V 1 V 2 V432151015 20N 沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET三、三、P沟道沟道MOS管管1.P沟道增强型沟道增强型MOS管管的开启电压的开启电压UGS(th)0当当UGS U(BR)GS，PN 将被击穿，这种击穿与电容击将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。穿的情况类似，属于破坏性击穿。1.最大漏极电流最大漏极电流IDM例例1 已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分析该管是已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分析该管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、沟道、P沟沟道、增强型、耗尽型

16、）。道、增强型、耗尽型）。分析：分析：N沟道增强型沟道增强型MOS管，开启电压管，开启电压UGS(th)4V例例2电路如左图所示，其中管子电路如左图所示，其中管子T的输出特性曲线的输出特性曲线如右图所示。试分析如右图所示。试分析ui为为0V、8V和和10V三种情三种情况下况下uo分别为多少伏？分别为多少伏？分析：分析：N沟道增强型沟道增强型MOS管，开启电压管，开启电压UGS(th)4V解：解：(1)ui为为0V，即，即uGSui0，管子处于夹断状态，管子处于夹断状态所以所以u0 VDD 15V(2)uGSui8V时，时，从输出特性曲线可知，管子工作从输出特性曲线可知，管子工作 在恒流区，在恒

17、流区，iD 1mA，u0 uDS VDD-iD RD 10V(3)uGSui10V时，时，若工作在恒流区，若工作在恒流区，iD 2.2mA。因而。因而u0 15-2.2*5 4V但是，但是，uGS 10V时的预夹断电压为时的预夹断电压为uDS=uGS UT=(10-4)V=6V可见，此时管子工作在可变电阻区可见，此时管子工作在可变电阻区从输出特性曲线可得从输出特性曲线可得uGS 10V时时d-s之间的等效电阻之间的等效电阻(D在可变电阻区，任选一点，如图在可变电阻区，任选一点，如图)KiuRDdsds3)1013(3所以输出电压为所以输出电压为VVRRRuDDddsds6.50+晶体管晶体管场

18、效应管场效应管结构结构NPN型、型、PNP型型结型耗尽型结型耗尽型 N沟道沟道 P沟道沟道绝缘栅增强型绝缘栅增强型 N沟道沟道 P沟道沟道绝缘栅耗尽型绝缘栅耗尽型 N沟道沟道 P沟道沟道C与与E一般不可倒置使用一般不可倒置使用D与与S有的型号可倒置使用有的型号可倒置使用载流子载流子 多子扩散少子漂移多子扩散少子漂移 多子运动多子运动输入量输入量 电流输入电流输入 电压输入电压输入控制控制电流控制电流源电流控制电流源CCCS()电压控制电流源电压控制电流源VCCS(gm)场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比较噪声噪声 较大较大 较小较小温度特性温度特性 受温度影响较大受温度影响较大 较小，

19、可有零温较小，可有零温度系数点度系数点输入电阻输入电阻 几十到几千欧姆几十到几千欧姆 几兆欧姆以上几兆欧姆以上静电影响静电影响 不受静电影响不受静电影响 易受静电影响易受静电影响集成工艺集成工艺 不易大规模集成不易大规模集成 适宜大规模和适宜大规模和超大规模集成超大规模集成晶体管晶体管场效应管场效应管 场效应管场效应管1.分类分类按导电沟道分按导电沟道分 N 沟道沟道P 沟道沟道按结构分按结构分 绝缘栅型绝缘栅型(MOS)结型结型按特性分按特性分 增强型增强型耗尽型耗尽型uGS=0 时，时，iD=0uGS=0 时，时，iD 0增强型增强型耗尽型耗尽型(耗尽型耗尽型)2.特点特点栅源电压改变沟道

20、宽度从而控制漏极电流栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流输入电阻高，工艺简单，易集成输入电阻高，工艺简单，易集成由于由于 FET 无栅极电流，故采用无栅极电流，故采用转移特性转移特性和和输出特性输出特性描述描述3.特性特性不同类型不同类型 FET 的特性比较参见的特性比较参见 图图1.4.13 第第 43-44页。页。第一章第一章 半导体器件半导体器件不同类型不同类型 FET 转移特性比较转移特性比较结型结型N 沟道沟道uGS/ViD/mAO增强型增强型耗尽型耗尽型MOS 管管(耗尽型耗尽型)2GS(th)GSDOD)1(UuIiIDSS开启电压开启电压UGS(th)夹断电压夹断电压UGS(o

21、ff)2GS(off)GSDSSD)1(UuIi IDO 是是 uGS=2UGS(th)时的时的 iD 值值3.3场效应管放大电路场效应管放大电路场效应管是电压控制电流元件，具有高输入阻抗。场效应管是电压控制电流元件，具有高输入阻抗。场效应管放大电路的三种接法场效应管放大电路的三种接法（以（以N沟道结型场效应管为例）沟道结型场效应管为例）图3.3.1场效应管放大电路的三种接法场效应管放大电路的三种接法（a）共源电路（b）共漏电路（c）共栅电路3.3.1场效应管放大电路的静态工作点的设置方法场效应管放大电路的静态工作点的设置方法图图 3.3.2基本共源放大电路基本共源放大电路VDD+uO iDT

22、+uIVGGRGSDGRD与双极型三极管对应关系与双极型三极管对应关系b G,e S,c D 为了使场效应管工作为了使场效应管工作在恒流区实现放大作在恒流区实现放大作用，应满足：用，应满足：TGSDSTGS UuuUu N 沟道增强型沟道增强型 MOS 场效应管组成的放大电路。场效应管组成的放大电路。(UT：开启电压：开启电压)一、基本共源放大电路一、基本共源放大电路静态分析静态分析 UGSQ、IDQ UDSQVDD+uO iDT+uIVGGRGSDGRD图图 3.3.2基本共源放大电路基本共源放大电路两种方法两种方法近似估算法近似估算法图解法图解法(一一)近似估算法近似估算法MOS 管栅极电

23、流管栅极电流为零，当为零，当 uI=0 时时UGSQ=VGG而而 iD 与与 uGS 之间近似满足之间近似满足2TGSDOD)1(UuIi(当当 uGS UT)式中式中 IDO 为为 uGS=2UT 时的值。时的值。2TGSQDODQ)1(UUIIDDQDDDSQRIVU 则静态漏极电流为则静态漏极电流为(二二)图解法图解法图图 3.3.3图解法求基本共源放图解法求基本共源放大电路的大电路的 静态工作点静态工作点VDDDDDRVIDQUDSQQ利用式利用式 uDS=VDD iDRD 画出直流负载线。画出直流负载线。图中图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。即为静态值。Q点：点：UGSQ、IDQ、

24、UDSQUGSQ=2PGSQDSSDQ)1(UUIIUDSQ=已知已知UP 或或 UGS（Off)VDD-IDQ(Rd+R)-IDQR可解出可解出Q点的点的UGS Q、IDQ、UDSQ 如知道如知道FET的特性曲线，也可采用的特性曲线，也可采用图解法。图解法。二、自给偏压电路二、自给偏压电路图图3.3.4(a)JFET自给偏压共源自给偏压共源电路电路耗尽型耗尽型MOS管自给偏压共源电路的分析方法相同。管自给偏压共源电路的分析方法相同。IDQ三、三、分压式分压式偏偏置置电路电路图图3.3.5分压式分压式偏偏置置电路电路+T+RGSDGRDR2VDD+RLRSR1C1CSC2+iUoU(一一)Q)

25、Q点点近似估算法近似估算法根据输入回路列方程根据输入回路列方程 +2TGSQDODQSDQDD211GSQ)1(UUIIRIVRRRU解联立方程求出解联立方程求出 UGSQ 和和 IDQ。列输出回路方程求列输出回路方程求 UDSQUDSQ=VDD IDQ(RD+RS)将将I IDQDQ 代入，求出代入，求出U UDSDSQ Q+T+RGSDGRDR2VDD+RLRSR1C1CSC2+iUoU图图 3.3.5分压分压 式偏置电路式偏置电路(二二)图解法图解法由式由式SDDD211SDGQGSRiVRRRRiUu+可做出一条直线，可做出一条直线，另外，另外，iD 与与 uGS 之间满之间满足转移特

26、性曲线的规律，足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工二者之间交点为静态工作点，确定作点，确定 UGSQ，IDQ。SDDDRRV+根据漏极回路方程根据漏极回路方程在漏极特性曲线上做直流负载线，在漏极特性曲线上做直流负载线，与与 uGS=UGSQ 的的交点确定交点确定 Q，由，由 Q 确定确定 UDSQ 和和 IDQ值。值。UDSQuDS=VDD iD(RD+RS)3 uDS/ViD/mA012152 V105uGS4.5V4V3.5V UGSQ3 VVDDQIDQuGS/ViD/mAO24612QIDQUGSQSGQRUUGQ3.3.2场效应管放大电路的动态分析场效应管放大电路的动态分析),

27、(DSGSDuufi iD 的全微分为的全微分为DSDSDGSGSDDdddGSDSuuiuuiiUU +上式中定义：上式中定义：DSGSDmUuig GSDSDSD1Uuir 场效应管的跨导场效应管的跨导(毫毫西门子西门子 mS)。场效应管漏源之间等效电阻。场效应管漏源之间等效电阻。一、场效应管的低频小信号等效模型一、场效应管的低频小信号等效模型如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。成为：成为：根据上式做等效电路如图所示。根据上式做等效电路如图所示。图图 3.3.6MOS管的管的低频小信号等效模型低频小信号等效模型由于没有栅极电流，所以栅

28、源是悬空的。由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。sgd是一个受控源。是一个受控源。gsmUg微变参数微变参数 gm 和和 rDS (1)根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。(2)用求导的方法计算用求导的方法计算 gmDDOTTGSTDOGSDm2)1(2ddiIUUuUIuig 在在 Q 点附近，可用点附近，可用 IDQ 表示上式中表示上式中 iD，则则DQDOTm2IIUg 一般一般 gm 约为约为 0.1 至至 20 mS。rDS 为几百千欧的数量级。为几百千欧的数量级。当当 RD 比比 rDS 小得多时，可认为等效电路的小得多时，可认为等效电路

29、的 rDS 开路。开路。二、基本二、基本 共源放大电路的动态分析共源放大电路的动态分析VDD+uO iDT+uIVGGRGSDGRD基本共源放大电路的等效电路基本共源放大电路的等效电路将将 rDS 开路开路而而所以所以输出电阻输出电阻Ro=RDMOS 管输入电阻高达管输入电阻高达 109 。1.基本共源放大电路基本共源放大电路动态分析动态分析2.分压式偏置电路的动态分析分压式偏置电路的动态分析等效电路入图所示等效电路入图所示由图可知由图可知LDD/RRR 电压放大倍数电压放大倍数输入、输出电阻分别为输入、输出电阻分别为 )/(21GiRRRR+Do RR+T+RGSDGRDR2VDD+RLRS

30、R1C1CSC2+iUoU三、基本共漏放大电路三、基本共漏放大电路源极输出器或源极跟随器源极输出器或源极跟随器图图 3.3.9基本共漏放大电路基本共漏放大电路典型电路如右图所示。典型电路如右图所示。+VT+SDGR2VDD+RLRSR1C1C2+iUOU RG1.静态分析静态分析分析方法与分析方法与“分压分压-自偏自偏压式共源电路压式共源电路”类似，类似，可采用估算法和图解法。可采用估算法和图解法。2.动态分析动态分析（1）.电压放大倍数电压放大倍数图图 2.7.10微变等效电路微变等效电路而而所以所以.11 1Sm uuARgA时时，当当可可见见，（2）.输入电阻输入电阻Ri=RG+(R1/

31、R2)（3）输出电阻）输出电阻图图 3.3.11微变等效电路微变等效电路在电路中，外加在电路中，外加 ，令，令 ，并使，并使 RL 开路开路因输入端短路，故因输入端短路，故则则所以所以实际工作中经常实际工作中经常使用的是共源、使用的是共源、共漏组态。共漏组态。1.场效应管放大电路及管子转移特性如图所示.(1)计算静态工作点参数IDQ、UGSQ、UDSQ。(IDSS=3.2mA)(2)若静态工作点处跨导gm=2mA/V,计算Au、ri、ro。+_+_UiUoVC1C2+UDD=+18V200k10k10k10k62k2.21.+_Ui2.2M200K62K10K10K+_Uo+_ugsgmugs

32、1010/102LmuRgA+kkMri62/2002.2kRrDo10(1)(2)SDDDSGGSRIUUUU+626220021PGSDSSDUUIISDDDDDSRRIUU+_+_UiUoVC1C2+RG12RG560kRS12k12K RL+UDD=+15V2.源极跟随器电路如图所示,设场效应管参数UP=-2V，IDSS=1mA(1)用解析法确定静态工作点ID、UGS、UDS及工作点跨导(2)计算Au、ri、ro。2.(1)SDGGGDDGSRIRRRUU22121PGSDSSDUUIISDDDDSRIUU(2)RsRL+_Ui2M500K12K12K+_Uo+_RG1RG2ugsgm

33、ugs+LmLmuRgRgA121/GGiRRr SmoRgr/12.(1)SDGGGDDGSRIRRRUU22121PGSDSSDUUIISDDDDSRIUU(2)RsRL+_Ui2M500K12K12K+_Uo+_RG1RG2ugsgmugs+LmLmuRgRgA121/GGiRRr SmoRgr/1返回场效应管放大电路的特点场效应管放大电路的特点1.场效应管是压控元件；场效应管是压控元件；2.栅极几乎不取用电流，输入电阻高；栅极几乎不取用电流，输入电阻高；3.一种载流子导电，噪声小，受温度及辐射影响小；一种载流子导电，噪声小，受温度及辐射影响小；4.制造工艺简单，利于大规模集成；制造工艺简单，利于大规模集成；5.存放管子应将栅源极短路，焊接时烙铁外壳应良好接存放管子应将栅源极短路，焊接时烙铁外壳应良好接地，防止静电击穿管子；地，防止静电击穿管子；6.跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低