1、1.3 双极型晶体管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入、输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数一、三极管的结构和符号一、三极管的结构和符号多子浓度高多子浓度高多子浓度很多子浓度很低，且很薄低，且很薄面积大面积大晶体管有三个极、三个区、两个晶体管有三个极、三个区、两个PN结。结。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管二、晶体管的放大原理二、晶体管的放大原理（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBONBE0uuuUu 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极，复合运动形成基极电流电流IB，漂移运形成集电极电流，漂
2、移运形成集电极电流IC。少数载少数载流子的流子的运动运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的扩散的扩散l 电流分配：电流分配：I IE EI IB BI IC C I IE E扩散运动形成的电流扩散运动形成的电流 I IB B复合运动形成的电流复合运动形成的电流 I IC C漂移运动形
3、成的电流漂移运动形成的电流CBOCEOBCBC)(1 IIiiII穿透电流穿透电流集电结反向电流集电结反向电流直流电流直流电流放大系数放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数三、晶体管的共射输入特性和输出特性三、晶体管的共射输入特性和输出特性CE)(BEBUufi 对于小功率晶体管，对于小功率晶体管，UCE大于大于1V的一条输入特性曲线的一条输入特性曲线可以取代可以取代UCE大于大于1V的所有输入特性曲线。的所有输入特性曲线。1、输入特性、输入特性2 2、输出特性、输出特性B)(CECiufi 对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。饱和区饱和区放大区放大
4、区截止区截止区BiCi常量CEBCUii晶体管的三个工作区域晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路电流晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几乎仅仅决几乎仅仅决定于输入回路电流定于输入回路电流 iB；即可将输出回路等效为电流；即可将输出回路等效为电流 iB 控制控制的电流源的电流源iC。状态状态UBEICUCE截止截止UonICEOVCC放大放大 UoniB uBE饱和饱和 UoniB uBE四、温度对晶体管特性的影响四、温度对晶体管特性的影响BEBBBECEO )(uiiuIT不变时，即不变时五、主要参数 直流参数直流参数：、ICBO、ICEOc-e间击穿电压间击穿电压最
5、大集电最大集电极电流极电流最大集电极耗散功最大集电极耗散功率，率，PCMiCuCE安全工作区安全工作区 交流参数：交流参数：、fT（使（使1的信号频率）的信号频率）极限参数极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEOECII1ECii讨论一1、分别分析、分别分析uI=0V、5V时时T是工作在截止状态还是导通状态；是工作在截止状态还是导通状态；2、已知、已知T导通时的导通时的UBE0.7V，若当，若当uI=5V，则，则在什么范围在什么范围内内T处于放大状态，在什么范围内处于放大状态，在什么范围内T处于饱和状态？处于饱和状态？通过通过uBE是否大于是否大于Uon判断管子判断管子是否导通。是否导通。A431007.05bBEIBRUuimA4.2512cCCCmaxRVi56BCmaxii临界饱和时的临界饱和时的讨论二由图示特性求出由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、。CECCMuiP2.7iCCEBCUiiuCE=1V时的时的iC就是就是ICMU（BR）CEO
