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(完整版)SEMIKRON-IGBT模块命名方法.doc

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(完整版)SEMIKRON-IGBT模块命名方法.doc

1、SEMIKRON IGBT模块SEMITRANS命名方法SK M 100 G B 123 D L SEMIKRON元件 M:MOS技术 D:七单元模块(三相整流桥加IGBT斩波器) 集电极电流等级(Tcase25时的Ic/A) IGBT开关线路 A:单只开关 AL: 斩波器模块(IGBT加集电极端续流二极管) AR: 斩波器模块(IGBT加发射极端续流二极管) AH: 非对称H桥 AX: 单只IGBT加集电极端串联二极管(反向阻断) AY: 单只IGBT加发射极端串联二极管(反向阻断) B:两单元模块(半桥) BD: 两单元模块(半桥)加串联二极管(反向阻断) D:六单元(三相桥) DL:

2、七单元(三相桥加AL斩波器) H:单相全桥 M:两只IGBT在集电极端相连集电极发射极电压等级(Vce/V/100) IGBT系列号 0: 第一代产品(1988-1991,集电极额定电流为Tcase=80时值) 1、2:第一代产品(1992-1996,集电极额定电流为Tcase=25时值);600V产品:集电极额定电流为Tcase=80时值 3: 第二代产品(600V和1200V:高密度NPT型IGBT);1700V为第一代NPT型IGBT.CAL二极管.600V产品:集电极额定电流为Tcase=80时值.1200V与1700V产品:集电极额定电流为Tcase=25时值4: 高密度、低饱和压降NPT型IGBT(1200V、1700V)5: 高密度、高速NPT型IGBT(600V、1200V)6: 沟道式NPT型IGBT特点D:快回复二极管K:SEMIKRON五号外壳带螺栓端子L:六单元外壳带焊接端子S:集电极检测端子I:加强的反向二极管(高功率输出)