1、因为制造半导体器件和集成电路时，最重要的是要很好地控制掺入的杂质的种类和数量（浓度）；而且有些杂质对半导体载流子的影响也很不好（例如减短寿命、降低迁移率）。为了达到能够可控的掺杂和去掉有害杂质，就必须事先把作为原始材料的Si片提纯使之成为本征半导体。否则就难以实现有目的地掺杂和做好器件和电路。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？温度变化时候，载流子数目肯定变化。少子与多子变化数目不相同。因为少子浓度和多子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方。二者和不是定值，积是一个定值。在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？在下图电路中，
2、设二极管的正向压降可以忽略不计，当输在下图电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，当输入正弦电压入正弦电压u ui i=10sin=10sint t，试画出输出电压，试画出输出电压u uo o的波形。的波形。t tu uo o在下图电路中，在下图电路中，U=5VU=5V，u ui i=10sin=10sint t，二极管的正向压降，二极管的正向压降可以忽略不计，是分别画出输出电压可以忽略不计，是分别画出输出电压u uo o的波形。的波形。05V5V10V10Vt tu uo o05V5V10V10Vt tu uo o在下图电路中，二极管在下图电路中，二极管D D1 1、D D2 2、D D3
3、3的工作状态（的工作状态（）。）。D D1 1与与D D2 2截止、截止、D D3 3导通导通D D1 1导通、导通、D D2 2与与D D3 3截止截止D D1 1、D D2 2与与D D3 3均导通均导通D D2 2D D1 1D D3 3R+12V0V4V6VUo在下图个电路中，试问晶体管工作在何种状态。在下图个电路中，试问晶体管工作在何种状态。15.1.1 15.1.1 晶体管放大电路如下图所示，已知晶体管放大电路如下图所示，已知U UCCCC=12V=12V，R RC C=3K=3K，R RC C=240K=240K，晶体管的，晶体管的=40.=40.1 1）试用直流通路估算各静态值
4、；试用直流通路估算各静态值；2 2）试用作图法做出放大电路的静态工作点；试用作图法做出放大电路的静态工作点；3 3）在静态时（在静态时（ui=0ui=0）C1C1和和C2C2上的电压各为多少？并标出极性。上的电压各为多少？并标出极性。15.1.1 15.1.1 晶体管放大电路如下图所示，已知晶体管放大电路如下图所示，已知U UCCCC=12V=12V，R RC C=3K=3K，R RC C=240K=240K，晶体管的，晶体管的=40.=40.一固定偏置放大电路，要求 ,IC=1mA，Vcc=12V，BJT的=20。确定Rb、Rc，并计算VCE。设 。100uA如下图所示两级放大电路，晶体管的
5、如下图所示两级放大电路，晶体管的1=1=2=402=40，r rbe1be1=1.37k=1.37k,r rbe2be2=0.89k=0.89k .1 1 画出直流通路，并估算各级电路的静态工作点（计算画出直流通路，并估算各级电路的静态工作点（计算U UCE1CE1 时忽略时忽略I IB2B2：2 2 画出微变等效电路，并计算画出微变等效电路，并计算A Au1u1，A Au2u2及及A Au u;3 3 计算计算r ri i和和r ro o。如下图所示电路中，输出电压如下图所示电路中，输出电压u uo o为（）为（）1、ui 2、-ui 3、-2ui如下图所示电路中，若如下图所示电路中，若ui=1V,=1V,则输出电压则输出电压u uo o为（）为（）1、6V 2、4V 3、-6V如下图所示电路中，输出电压如下图所示电路中，输出电压u uo o与各输入电压的运算关系式。与各输入电压的运算关系式。
