1、增强型MOS管的伏安特性 学习目标了解1、MOS场效应管的漏源电压与漏极电流之间的关系；2、MOS场效应管的栅源电压与漏极电流之间的关系。掌握1、增强型MOS管的输出特性的特点；2、增强型MOS管的转移特性的特点。增强型MOS管的伏安特性 （1）增强型NMOS管的伏安特性输出特性N沟道增强型沟道增强型MOS管管输出特性曲线输出特性曲线常数常数 GS)(DSDuufiGS(th)GSUu GS(th)GSDSUuu GS(th)GSUu 64201020/DimA/DSuV放大区恒流区饱和区截止区可变电阻区各区的特点：可变电阻区 uDS较小，沟道尚未夹断增强型MOS管的伏安特性 GS(th)GS
2、Uu GS(th)GSDSUuu GS(th)GSUu 64201020/DimA/DSuV可变电阻区 管子相当于受uGS控制的电阻 uDSuGSUGS(th)或者uGD=uGS-uDSUGS(th)各区的特点：放大区（恒流区、饱和区）增强型MOS管的伏安特性 GS(th)GSUu GS(th)GSDSUuu GS(th)GSUu 64201020/DimA/DSuV放大区 导电沟道预夹断 iD几乎与uDS无关uDSuGSUGS(th)或者uGD=uGS-uDSUGS(th)iD只受uGS的控制各区的特点：截止区增强型MOS管的伏安特性 GS(th)GSUu GS(th)GSDSUuu GS(
3、th)GSUu 64201020/DimA/DSuV截止区 uGSUGS(th)iD=0没有导电的沟道增强型MOS管的伏安特性 （2）增强型NMOS管的伏安特性转移特性N沟道增强型沟道增强型MOS管管转移特性曲线转移特性曲线/DimA/GSuV0()GS thU增强型MOS管的伏安特性 管子工作于放大区时：/DimA/GSuV0()GS thUu 上式中为与管子有关的参数。2PK WKLu 其中为本征跨导系数，W为沟道宽度，L为沟道长度。u 为MOS管的宽长比，在MOS集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。PnOXKC/WL小结增强型MOS管的伏安特性 u 这次课我们学习了MOS场效应管的伏安特性，重点对增强型MOS管的输出特性和转移特性进行分析，请同学们针对教学重点，认真学习总结。用心学好模拟电子用心聆听真实和虚拟世界的声音
