1、第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子0第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子1 载流子的产生与复合载流子的产生与复合 过剩载流子的性质过剩载流子的性质 双极输运双极输运 准费米能级准费米能级第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子2考虑直接带间跃迁：考虑直接带间跃迁：电子电子-空穴对空穴对产生产生：价带电子：价带电子跃迁跃迁到导带到导带形成导带电子，同时在价带留下空位。形成导带电子，同时在价带留下空位。电子电子-空穴对空穴对复合复合：导带电子：导带电子落回落回到价带到价带空位上，使导带中电子数减少一个，同空位上
2、，使导带中电子数减少一个，同时价带中空穴数减少一个。时价带中空穴数减少一个。热平衡状态，电子、空穴净浓度与热平衡状态，电子、空穴净浓度与时间无关，电子、空穴产生率（时间无关，电子、空穴产生率（Gn0、Gp0）与其复合（）与其复合（Rn0、Rp0）率相等。）率相等。0000npnpGGRR第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子3除去热激发，可借助其它方法产生载流子，使电除去热激发，可借助其它方法产生载流子，使电子和空穴浓度偏离热平衡载流子浓度子和空穴浓度偏离热平衡载流子浓度n0、p0，此时，此时的载流子称为的载流子称为非平衡载流子非平衡载流子（n、p），偏离平衡），偏
3、离平衡值的那部分载流子称为值的那部分载流子称为过剩载流子过剩载流子（n、p）。）。0nnn0ppp产生非平衡载流子的方法：电注入（如产生非平衡载流子的方法：电注入（如pn 结）、光注入（如光探测器）等。结）、光注入（如光探测器）等。00npn p第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子4 假设高能光子注入半导体，导致价带中电子被激发跃入导假设高能光子注入半导体，导致价带中电子被激发跃入导带，产生过剩电子、过剩空穴。带，产生过剩电子、过剩空穴。 直接带间，过剩电子和空穴成对出现、成对复合：直接带间，过剩电子和空穴成对出现、成对复合： 直接带间复合是一种自发行为，因此电子
4、和洞穴的复合率直接带间复合是一种自发行为，因此电子和洞穴的复合率相对时间是一个常数。而复合的概率同时与电子和空穴的相对时间是一个常数。而复合的概率同时与电子和空穴的浓度成比例。浓度成比例。 外力撤除的情况下，电子浓度变化的比率为外力撤除的情况下，电子浓度变化的比率为 0ndn tGRdt 2rinn t p tnpRRnpggnp复合系数复合系数第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子5热平衡态：热平衡态：20000nnrriGRn pn 00rrRn t p tnn tpp t非非热平衡态热平衡态，电子的复合率，电子的复合率：方程方程 可简化为：可简化为： 2rid
5、n dtann t p t 200 rin tp tdn tdn tnnn tpp tdtdt注意：注意：n(t)既表示过剩多数载流子，也表示过剩少数载流子既表示过剩多数载流子，也表示过剩少数载流子 00rn tnpn t 第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子6 在某种注入下，在某种注入下，产生的过剩载流子产生的过剩载流子浓度远小浓度远小于热平衡多子于热平衡多子浓度浓度，此时称，此时称小注入小注入。 小注入下，半导体的导电性仍然由自身的掺杂条件所决定。小注入下，半导体的导电性仍然由自身的掺杂条件所决定。小注入条件小注入条件下的下的p型半导体型半导体，前式前式可简化
6、为：可简化为： 0rdn tpn tdt 0000rnp ttn tnene 过剩少数载流子寿命，过剩少数载流子寿命，在小注入时是一个常在小注入时是一个常量。量。100nrp注意注意：过过剩剩少 数 载少 数 载流 子 寿 命流 子 寿 命和多数载和多数载流子浓度流子浓度有关有关上式的解上式的解为：为： 000000pn tpnprrdn tn tnpn tn tpn tdt 小注入条件型半导体第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子7过剩少数载流子的复合率过剩少数载流子的复合率 00nrndn tn tRpn tdt 由于电子和空穴为成对复合，因而由于电子和空穴为成
7、对复合，因而 0npnn tRRn型半导体的小注入型半导体的小注入，过剩少数载流子空穴的寿命为过剩少数载流子空穴的寿命为100prn 0nppn tRR第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子8过剩载流子在过剩载流子在电场电场作用下的作用下的漂移漂移作用作用过剩载流子在过剩载流子在浓度梯度浓度梯度下的下的扩散扩散作用作用hE+-h对于小注入掺杂半导体，对于小注入掺杂半导体，有效扩散系数和迁移率有效扩散系数和迁移率都是对应少数载流子。都是对应少数载流子。过剩电子和过剩空穴过剩电子和过剩空穴的运动并不是相的运动并不是相互独立，它们的扩散和漂移都具有互独立，它们的扩散和漂移
8、都具有相相同的有效扩散系数同的有效扩散系数和和相同的迁移率相同的迁移率。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子9空间中一个微元体积内空间中一个微元体积内粒子数随时间的变化关系粒子数随时间的变化关系与流入流出该区域的与流入流出该区域的粒子流密度粒子流密度及该区域内的及该区域内的产产生复合生复合的关系。的关系。 pxFxpxFxdxdxdydz连续性方程的根本出发点：电荷守恒定律连续性方程的根本出发点：电荷守恒定律xyz第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子10将将x+dx处的粒子流密度进行泰勒展开，只取前两项：处的粒子流密度进行泰勒展开，只
9、取前两项： pxpxpxFFxdxFxdxx微微分分体积体积元中，元中，单位时间内由单位时间内由x方向的方向的粒子流粒子流产生的产生的净增加量：净增加量： pxpxpxFpdxdydzFxFxdxdydzdxdydztx 空穴的产生率和复合率也会影响微分空穴的产生率和复合率也会影响微分体积体积中的空穴浓度。于是中的空穴浓度。于是微分体积单元中单位时间空穴的总微分体积单元中单位时间空穴的总增加量增加量为为：ppptFppdxdydzdxdydzg dxdydzdxdydztx dt时间内空时间内空穴浓度增量穴浓度增量该空间位置该空间位置的的流量散度流量散度复合率复合率微微分分体积元体积元产生产生
10、率率第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子11方程两侧除以微元体积，得到单位时间的空穴浓度净增加量方程两侧除以微元体积，得到单位时间的空穴浓度净增加量为为ppptFppgtx 同理，电子的一维连续性方程：同理，电子的一维连续性方程：nnntFnngtx 其中，其中，pt、nt包括热平衡载流子寿命以及过剩载流子寿命。包括热平衡载流子寿命以及过剩载流子寿命。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子12 pppnnnpnJepEeDJenEeDxx pnpppnnnJJpnFpEDFnEDexex 一维空穴和电子的电流密度：一维空穴和电子的电流密
11、度：粒子流密度和电流密度有如下关系：粒子流密度和电流密度有如下关系：从中可以求出散度从中可以求出散度 或或 ：pFxnFx2222 pnppnnFpEnEFpnDDxxxxxx 代入连续性方程代入连续性方程pxpptFppgtx nxnntFnngtx 第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子132222 pppnnnptntpEnEpppnnnDgDgtxxtxx 对于一维情况对于一维情况 pEnEpEnEEpEnxxxxxx得到电子和空穴的扩散方程得到电子和空穴的扩散方程2222pppptnnnntppEppDEpgxxxtnnEnnDEngxxxt得到：得到：第
12、六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子14电子和空穴的扩散方程电子和空穴的扩散方程：2222pppptnnnntppEppDEpgxxxtnnEnnDEngxxxt 上述两式是有关电子和空穴与时间相关的上述两式是有关电子和空穴与时间相关的扩散方程扩散方程。由于电。由于电子和空穴的浓度中都包含了过剩载流子的成分，因此上述两子和空穴的浓度中都包含了过剩载流子的成分，因此上述两式也就是描述式也就是描述过剩载流子随着时间和空间变化的方程过剩载流子随着时间和空间变化的方程。 由于电子和空穴浓度中既包含热平衡载流子浓度，也包含非由于电子和空穴浓度中既包含热平衡载流子浓度，也包含非
13、平衡条件下的过剩载流子浓度；热平衡载流子浓度平衡条件下的过剩载流子浓度；热平衡载流子浓度n0、p0不不是时间的函数；在是时间的函数；在均匀均匀半导体中，半导体中，n0和和p0也与空间坐标无关。也与空间坐标无关。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子15因此利用关系：因此利用关系： ，上述，上述方程可改写为：方程可改写为：2222pppptnnnntpppEpDEpgxxxtnnnEnDEngxxxt注意：上述两个时间相关的扩散方程中，既包含与注意：上述两个时间相关的扩散方程中，既包含与总载流子总载流子浓度浓度n、p相关的项，也包含仅与相关的项，也包含仅与过剩载流子浓
14、度过剩载流子浓度n、p相关相关的项。因此，上述两式就是的项。因此，上述两式就是均匀半导体均匀半导体中中过剩载流子浓度随过剩载流子浓度随着时间和空间变化着时间和空间变化的方程。的方程。00nnnppp，第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子16 第第5章中引起漂移电流的电场实际上指的是章中引起漂移电流的电场实际上指的是外加电场外加电场，该电，该电场在场在6.2节的扩散方程中仍出现。节的扩散方程中仍出现。 在外加电场下，半导体中某一点产生过剩电子和过剩空穴，在外加电场下，半导体中某一点产生过剩电子和过剩空穴，这些过剩电子、空穴在外加电场作用下朝这些过剩电子、空穴在外加电
15、场作用下朝相反方向相反方向漂移。漂移。 由于这些过剩电子、空穴都是带电载流子，因此其空间由于这些过剩电子、空穴都是带电载流子，因此其空间位位置上的分离置上的分离会在这两类载流子间诱生出会在这两类载流子间诱生出内建电场内建电场，而这内，而这内建电场反过来又将这些过剩电子、空穴往一起拉，即内建建电场反过来又将这些过剩电子、空穴往一起拉，即内建电场倾向于将过剩电子、空穴保持在同一空间位置。电场倾向于将过剩电子、空穴保持在同一空间位置。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子17考虑内建电场后，考虑内建电场后，6.2节导出的电子和空穴与时间相关的扩散方节导出的电子和空穴与时间
16、相关的扩散方程中的电场同时包含外加电场和内建电场，即：程中的电场同时包含外加电场和内建电场，即：intappEEE由于过剩电子和过剩空穴分离所诱生的内建电场示意图由于过剩电子和过剩空穴分离所诱生的内建电场示意图其中，其中，Eapp为外加电场，而为外加电场，而Eint则为内建电场。则为内建电场。带负电的过剩电子和带正电的过剩空穴以同一个迁移率或扩散带负电的过剩电子和带正电的过剩空穴以同一个迁移率或扩散系数一起漂移或扩散。这种现象称为系数一起漂移或扩散。这种现象称为双极扩散双极扩散或或双极输运过程。双极输运过程。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子18扩散方程描述了过
17、剩载流子浓度随时间和空间的变化规律，但扩散方程描述了过剩载流子浓度随时间和空间的变化规律，但还需还需增加一个方程来建立过剩电子浓度及过剩空穴浓度与内建增加一个方程来建立过剩电子浓度及过剩空穴浓度与内建电场间的关系，该方程为泊松方程电场间的关系，该方程为泊松方程：intappEEintintSepnEEx其中，其中，S是半导体材料的介电常数。是半导体材料的介电常数。为便于求解，做适当近似。可以证明只需很小的内建电场就足为便于求解，做适当近似。可以证明只需很小的内建电场就足以保证过剩电子和过剩空穴在一起共同漂移和扩散，因此假设：以保证过剩电子和过剩空穴在一起共同漂移和扩散，因此假设：第六章第六章
18、半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子19intEE npggg对于对于直接带间产生直接带间产生，电子和空穴成对产生电子和空穴成对产生，因此电子和空穴的，因此电子和空穴的产生率总是相等：产生率总是相等：此外，此外，电子和空穴成对复合电子和空穴成对复合，因此电子和空穴的复合率是相等：，因此电子和空穴的复合率是相等：可证，过剩电子浓度可证，过剩电子浓度n和过剩空穴浓度和过剩空穴浓度p只要有只要有1差别，其差别，其引起的扩散方程中内建电场散度（如下式所示）不可忽略。引起的扩散方程中内建电场散度（如下式所示）不可忽略。npntptnpRRR上式中载流子寿命既包括热平衡载流子寿命，也包括过
19、剩载流子寿命。上式中载流子寿命既包括热平衡载流子寿命，也包括过剩载流子寿命。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子20利用上述条件，可把电子和空穴与时间相关的两个扩散方程：利用上述条件，可把电子和空穴与时间相关的两个扩散方程：2222pppptnnnntpppEpDEpgxxxtnnnEnDEngxxxtpn继续沿用电中性条件，有：继续沿用电中性条件，有：简化为：简化为：2222ppnnnnnEDEpgRxxxtnnnEDEngRxxxt第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子2122 nppnnpnpnpnnnDpDpn ExxnnpgR
20、npt 消去上述两个方程中的电场微分项消去上述两个方程中的电场微分项E/x，则：，则：将上式进一步化简为：将上式进一步化简为：22nnnDEgRxxtnppnnpnDpDDnp npnppnnp 上式称为上式称为双极输运方程双极输运方程：描述过剩电子和空穴在空间和时间中：描述过剩电子和空穴在空间和时间中的状态。其中：的状态。其中：第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子22D和和分别称为分别称为双极扩散系数双极扩散系数和和双极迁移率双极迁移率。根据扩散系数和迁移率之间的爱因斯坦关系：根据扩散系数和迁移率之间的爱因斯坦关系：注意注意：双极扩散双极扩散系数系数中包含迁移中
21、包含迁移率，反映过剩载率，反映过剩载流子扩散行为受流子扩散行为受到内建电场影响到内建电场影响。pnnpeDDkTnppnnpnDpDDnp npnppnnp 双极扩散系数双极扩散系数D可表示为：可表示为：npnpD DnpDD nD p D和和均为载流子浓度的函数，均为载流子浓度的函数，n、p都包含都包含n ，因此双极输运，因此双极输运方程中的方程中的D和和都不是常数，由此双极输运方程是一个都不是常数，由此双极输运方程是一个非线性非线性的微分方程的微分方程。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子23 利用利用半导体掺杂半导体掺杂和和小注入小注入对上述非线性的双极输对
22、上述非线性的双极输运方程进行简化和线性化处理。运方程进行简化和线性化处理。根据前面的推导，双极扩散系数根据前面的推导，双极扩散系数D可表示为：可表示为：其中其中，n0和和p0分别是热平衡时电子和空穴浓度，分别是热平衡时电子和空穴浓度，n是过剩载流子浓度。是过剩载流子浓度。以以p型半导体型半导体为例（为例（p0n0），假设），假设小注入条件小注入条件（np0）和小注入（）和小注入（n0时，时，g=0。若假设。若假设过剩载流过剩载流子浓度远小于热平衡电子浓度，即小注入状态，试计算子浓度远小于热平衡电子浓度，即小注入状态，试计算t0时过时过剩载流子浓度的时间函数。剩载流子浓度的时间函数。220ppp
23、ppppDEgxxt解：解：n型半导体少子空穴型半导体少子空穴的双极输运函数为：的双极输运函数为：220pppppDgxt无外加电场无外加电场0pdppdt浓度均匀的过剩载流子，在浓度均匀的过剩载流子，在t0时，时，g=0，则，则第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子30 00ptp tpe由上式可得：由上式可得：由电中性原理可得过剩电子浓度为由电中性原理可得过剩电子浓度为 00ptn tp tpe过剩载流子浓度随着时间的指数衰减过程示意图过剩载流子浓度随着时间的指数衰减过程示意图光照停止后的载流子复合过程光照停止后的载流子复合过程过剩空穴的浓度过剩空穴的浓度随着时
24、间指数衰随着时间指数衰减，时间常数为减，时间常数为少子空穴的寿命。少子空穴的寿命。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子31例题例题6.4：无限大均匀无限大均匀p型半导体，无外加电场。一维晶型半导体，无外加电场。一维晶体，过剩载流子只在体，过剩载流子只在x=0产生（右图所示）。产生（右图所示）。产生的载流子分别向产生的载流子分别向-x和和+x方向扩散。试将方向扩散。试将稳态过剩稳态过剩载流子浓度表示为载流子浓度表示为x函数。函数。220nnnnnnnDEgxxt解：解：p型半导体少子电子型半导体少子电子的双极输运函数为：的双极输运函数为：无外加电场无外加电场220n
25、nnnnDgxt稳态且稳态且x0时时g=0，则，则2200nnnnDx第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子3222222220000nnnnnnnnnnnDxxDxL根据无穷远处过剩载流子浓度衰减为零的边界条件可得：根据无穷远处过剩载流子浓度衰减为零的边界条件可得：其中其中Ln2=Dnn0，称为，称为少数载流子电子的扩散长度少数载流子电子的扩散长度。上式的通解为：上式的通解为： nnx Lx Ln xAeBe 0 0nx Ln xnex 0 0nx Ln xnex其中，其中，n(0)是是x=0处过剩载流子的浓度。处过剩载流子的浓度。由上式可见：稳态过剩电子浓度从由
26、上式可见：稳态过剩电子浓度从x=0的源处向两侧呈指数衰减；的源处向两侧呈指数衰减；根据电中性原理，过剩空穴浓度随着空间位置的变化也呈现出根据电中性原理，过剩空穴浓度随着空间位置的变化也呈现出同样的指数衰减分布，如下页图所示。同样的指数衰减分布，如下页图所示。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子33x=0处有稳态过剩载流子产生时的电子和空穴浓度空间分布示意图处有稳态过剩载流子产生时的电子和空穴浓度空间分布示意图小注入条件下，多数小注入条件下，多数载流子的浓度几乎没载流子的浓度几乎没有变化，而少数载流有变化，而少数载流子浓度则可能以数量子浓度则可能以数量级的方式增加级
27、的方式增加。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子34准电中性条件准电中性条件的验证的验证设想一种情形，如下图所示，一块均匀掺杂设想一种情形，如下图所示，一块均匀掺杂n型半导体，在其一型半导体，在其一端表面附近突然注入均匀浓度的空穴端表面附近突然注入均匀浓度的空穴p，此时这部分过剩空穴就，此时这部分过剩空穴就不会有相应的过剩电子来与之抵消，现在的问题是电中性状态如不会有相应的过剩电子来与之抵消，现在的问题是电中性状态如何实现？需要何实现？需要多长时间多长时间才能实现？才能实现？pn第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子35此情况下，决定过
28、剩载流子浓度分布的方程主要有三个。此情况下，决定过剩载流子浓度分布的方程主要有三个。（2）电流方程电流方程，即欧姆定律：，即欧姆定律：（3）电流连续性方程电流连续性方程，忽略产生和复合之后，即：，忽略产生和复合之后，即：上式中，上式中，为净电荷密度，其初始值为为净电荷密度，其初始值为e(p)，假设，假设p在表面在表面附近的一个区域内均匀。附近的一个区域内均匀。EJEJt （1 1）泊松方程泊松方程：第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子36对电流方程求散度，并利用泊松方程：对电流方程求散度，并利用泊松方程：代入连续性方程：代入连续性方程：解得：解得：JE 0ddtd
29、tdt /0dtted介电驰豫时间常数介电驰豫时间常数例例6.6：在近似：在近似4倍时间常数的时刻，净电荷密度为零；与过剩倍时间常数的时刻，净电荷密度为零；与过剩载流子寿命相比，该过程非常迅速。这证明载流子寿命相比，该过程非常迅速。这证明准电子中性条件准电子中性条件。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子37其中，其中，EF和和EFi分别是费米能级和分别是费米能级和本征费米能级，本征费米能级，ni是本征载流子浓是本征载流子浓度。对于度。对于n型和型和p型半导体，型半导体，EF和和EFi的位置分别如右图所示。的位置分别如右图所示。热平衡下，电子和空穴的浓度是费米能级位
30、置的函数：热平衡下，电子和空穴的浓度是费米能级位置的函数：0expFFiiEEnnkT0expFiFiEEpnkTn型型p型型第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子38过剩载流子过剩载流子的存在使半导体不再处于热平衡状态，费米能级也的存在使半导体不再处于热平衡状态，费米能级也会改变，为电子和空穴分别定义一个非平衡下的会改变，为电子和空穴分别定义一个非平衡下的准费米能级准费米能级：其中，其中，EFn和和EFp分别是电子和空穴的分别是电子和空穴的准费米能级准费米能级。非平衡条件下，总电子浓非平衡条件下，总电子浓度和总空穴浓度度和总空穴浓度分别分别是其是其准费米能级准费米
31、能级的函数。的函数。0expFnFiiEEnnnkT0expFiFpiEEppnkT左图为热平衡状态下的费米能级能带图，左图为热平衡状态下的费米能级能带图，Nd=1015cm-3，ni=1010cm-3；右图为；右图为非热平衡状态下的能带图，过剩载流子浓度非热平衡状态下的能带图，过剩载流子浓度n=p=1013cm-3。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子39准费米能级与准热平衡准费米能级与准热平衡外界条件外界条件附加产生率附加产生率导带电子和价带空穴数目导带电子和价带空穴数目增加增加。原则上非热平衡状态下载流子不再符合原则上非热平衡状态下载流子不再符合费来费来-狄
32、拉克狄拉克分布。但电子分布。但电子热平衡态热平衡态是由电子是由电子热跃迁热跃迁决定；一般，在同一个能带的范围内，电决定；一般，在同一个能带的范围内，电子子热跃迁热跃迁十分频繁，在极短时间内（十分频繁，在极短时间内（10-10s）就可达到带）就可达到带内热平衡内热平衡。导带价带内存在非平衡载流子导带价带内存在非平衡载流子10-10s带内趋于带内趋于平衡分布平衡分布；两带；两带间间的热跃迁几率较小的热跃迁几率较小10-8到到10-3s（过剩载流子寿命）（过剩载流子寿命）热平衡。热平衡。两带未平衡前，可认为导带和价带两带未平衡前，可认为导带和价带各自内部各自内部是是平衡平衡准热平衡准热平衡。准费米能
33、级可描述这种非平衡状态：可认为导带电子和价带空穴准费米能级可描述这种非平衡状态：可认为导带电子和价带空穴自自身身处于处于热平衡热平衡状态，而准费米能级的状态，而准费米能级的不同不同描述导带和价带间的描述导带和价带间的非平非平衡状态衡状态。第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子40 非平衡状态下，半导体中载流子非平衡状态下，半导体中载流子的产生、复合的产生、复合 双极输运方程，少子运动规律双极输运方程，少子运动规律 双极扩散系数和双极迁移率双极扩散系数和双极迁移率 准费米能级准费米能级第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子416.126.216.30第六章第六章 半导体中的非平衡过剩载流子半导体中的非平衡过剩载流子
