集成电路前道工艺、设备及市场分析-终-ppt课课件.ppt

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1、2RC3sLRRW氧化膜氧化膜pnnP型扩散层型扩散层(电阻)(电阻)基区扩散电阻基区扩散电阻VCCLw4氧化膜氧化膜pN+平板型电容平板型电容铝电极铝电极N-epi隔离隔离槽槽N叠式结构电容叠式结构电容氧化膜氧化膜电容极板电容极板n5BECpn+n-epin+P-SiP+P+S发射区发射区(N+型型)基区基区(P型型)集电区集电区(N型外延层型外延层)衬底衬底(P型型)n+-BLnpnBECCBENPNBEC6Sisourcedrain上层的氮化物上层的氮化物金属连接的源极金属连接的源极金属连接的栅极金属连接的栅极漏极金属连接漏极金属连接多晶硅栅极多晶硅栅极掺杂的多晶硅掺杂的多晶硅氧化层氧化

2、层栅极氧化层栅极氧化层源极源极(S)漏极漏极(D)栅极栅极(G)n+n+P型硅基板型硅基板栅极(多晶硅)栅极(多晶硅)绝缘层(绝缘层(SiO2)半半导导体体基基板板漏极漏极源极源极78silicon substrate9silicon substrate氧化层氧化层10silicon substrate11Shadow on photoresist曝光曝光区区掩模版掩模版Ultraviolet Lightsilicon substrate12非感光区域非感光区域silicon substrate感光区域感光区域13silicon substrate14silicon substratesili

3、con substrate15silicon substratesilicon substrate16silicon substrate沉积氧化层沉积氧化层17silicon substrate栅极氧化层栅极氧化层栅极氧化层栅极氧化层18silicon substrate栅极氧化层栅极氧化层19silicon substrategate栅极氧化层栅极氧化层多晶硅栅极多晶硅栅极20silicon substrategate离子注入形成源极离子注入形成源极sourcedrain离子源离子源光刻胶在离子注入后去除光刻胶在离子注入后去除21silicon substrategatesourcedrai

4、n22silicon substratesourcedrain氮化物氮化物23silicon substrate连接孔连接孔drainsource24silicon substrate连接孔连接孔drainsource25silicon substratedrainsource连接点连接点2627282930光刻313233PVDCVDALD34353637数据来源:应用材料,西南证券整理38数据来源:中国报告网39数据来源:中国报告网40数据来源:Screen41数据来源:Screen数据来源:Screen42数据来源:盛美半导体4344数据来源:中国产业信息网45数据来源:中国产业信息网数

5、据来源:各公司官网总结462011-2017年度全球光刻机总销售情况u2011-2017累计销售销售光刻机1920台,其中ASML1209台,Nikon302台,Canon409台。公司EUV 光刻机(台)ArFi 光刻机(台)ArF 光刻机(台)KrF光刻机(台)i-line光刻机(台)总计(台)ASML26539494691261209Nikon0734664119302Canon00090319409总计26612956235641920数据来源:各公司官网总结47数据来源:ASML官网48数据来源:ASML官网49数据来源:Canon官网50数据来源:SMEE官网51u美国的泛林半导体

6、(LAM)52.7%;u日本的东京电子(TEL)19.7%;u美国的应用材料(AMAT)18.1%;uTOP3 市场占率高达90.5%;其他9.5%u国内厂家有中微半导体、北方华创、上海新阳、沈阳芯源、苏州伟仕泰克、中电科48所数据来源:中国产业信息网52数据来源:BARRONS53数据来源:LAM Research数据来源:LAM Research545556数据来源:应用材料官网5758数据来源:Variant Market Research数据来源:Variant Market Research59数据来源:中国产业信息网60数据来源:中国产业信息网61数据来源:应用材料数据来源:应用材

7、料62数据来源:北方华创63数据来源:北方华创64数据来源:应用材料6566数据来源:67数据来源:VLSI6869数据来源:wind数据来源:wind70数据来源:wind数据来源:科磊官网7172数据来源:各公司官网73排名排名公司公司主要产品领域主要产品领域2017年营收年营收(单位:亿(单位:亿美元)美元)较较2016年年增长率(增长率(%)1美国应用材料(Applied Materials)沉积、刻蚀、离子注入、化学机械研磨等107382美国泛林半导体(Lam Research)刻蚀、沉积、清洗等84.4623日本东京电子(Tokyo Electron)沉积、刻蚀、匀胶显影设备等72

8、.03484荷兰阿斯麦(ASML)光刻设备71.86415美国科磊半导体(KLA-Tencor)硅片检测、量测设备28.32176日本迪恩士(Screen Semiconductor Solution)清洗、刻蚀设备13.917韩国的细美事(SEMES)清洗、封装设备10.51428日本日立高新(Hitachi high-technologies)沉积、刻蚀、封装贴片设备10.359日本日立国际电气(Hitachi KOKUSAI)热处理设备9.78410日本大幅(Daifuku)无尘室搬运设备6.94611荷兰先域(ASM International)沉积、封装键合设备6.53112日本尼康(Nikon)光刻设备6.3-16数据来源:SEMI747576u随着5G、AI、大数据、云计算、物联网等新兴行业需求的逐步提升是重要的行业驱动力,2018年半导体销售数量超过1万亿u2018年半导体设备销售额627.3亿美元,增长10.8%,中国销售额82.3亿美元数据来源:wsts数据来源:wind77u2017-2020全球集成电路设备投资规模小幅增长,CAGR=6.2%;中国集成电路设备投资额高速增长,CAGR=44.8%。2018年中国集成电路设备投资全球占比达20%,超越台湾,成为仅次于韩国的全球第二大半导体设备投资大国数据来源:北方华创78数据来源:中国产业信息网798081

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