1、高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件0高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 双极晶体管的工作原理双极晶体管的工作原理 少子的分布少子的分布 低频共基极电流增益低频共基极电流增益 非理想效应非理想效应 等效电路模型等效电路模型 频率上限频率上限 大信号开关大信号开关 小结小结1高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件：在器件的两个端点之间施加：在器件的两个端点之间施加电压，从而控制第三端的电流。电压，从而控制第三端的电流。 最基本的三种晶体管最基本的三种晶体管：双极晶体管、金属：双极晶体管、金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管。半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管。晶
2、体管：在此器件中包含电子和空穴晶体管：在此器件中包含电子和空穴两种极性两种极性不同不同的载流子运动。的载流子运动。有有2个个pn结，结电压的正负情况可以有多种结，结电压的正负情况可以有多种组合，导致器件有不同的工作模式。组合，导致器件有不同的工作模式。 是一种电压控制的电流源。是一种电压控制的电流源。 两种等效电路模型，适用于不同的情况。两种等效电路模型，适用于不同的情况。2高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 三个掺杂不同的扩散区、两个三个掺杂不同的扩散区、两个pn结结 三端分别为发射极（三端分别为发射极（E）、基极（）、基极（B）、集电极（）、集电极（C） 相对于少子扩散长度，相对于少
3、子扩散长度，基区宽度很小基区宽度很小 发射区掺杂浓度最高发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低集电区掺杂浓度最低 pn结的结论将直接应用于双极晶体管的研究结的结论将直接应用于双极晶体管的研究 双极晶体管不是对称器件，包括双极晶体管不是对称器件，包括掺杂浓度掺杂浓度和和几几何形状何形状3高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件(a)npn型型(b)pnp型双极晶体管的简化结构图及电路符号型双极晶体管的简化结构图及电路符号(a)集成电路中的常规集成电路中的常规npn型双极晶体管型双极晶体管(b)氧化物隔离的氧化物隔离的npn型双极晶体管截面图型双极晶体管截面图4高等半导体物理与器件高等半导体物理与
4、器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管（1）基本工作原理）基本工作原理均匀掺杂的均匀掺杂的npn型双极晶体管的理想化掺杂浓度分布图型双极晶体管的理想化掺杂浓度分布图(a)npn型双极晶体管工作在正向有源区的偏置情况型双极晶体管工作在正向有源区的偏置情况(b)工作于正向有源区，工作于正向有源区，npn型型双极晶体管中少子的分布双极晶体管中少子的分布(c)零偏和正向有源区时，零偏和正向有源区时，npn型双极晶体管的能带图型双极晶体管的能带图图中显示了正向有源模式下电子从图中显示了正向有源模式下电子从n型发射区注入（因此称为型发射区注入（因此称为发发射区射区）和电子在集电区被收集（因此称为）和电
5、子在集电区被收集（因此称为集电区集电区）的截面图）的截面图B-E结正偏结正偏，B-C结反偏结反偏（正向有源模式正向有源模式）-共基共基B-E结正偏结正偏：电子从发射区越过发射结：电子从发射区越过发射结注入到基区；注入到基区；B-C结反偏结反偏：理想情况下：理想情况下B-C结边界处，结边界处，少子电子的浓度为零。少子电子的浓度为零。图图(b)中电子浓度梯度标明：发射区注中电子浓度梯度标明：发射区注入的电子会越过基区扩散到入的电子会越过基区扩散到B-C结的空结的空间电荷区，那里的电场会把电子扫到集间电荷区，那里的电场会把电子扫到集电区。电区。为了使尽可能多的电子到达集电区，而为了使尽可能多的电子到
6、达集电区，而不是和基区多子空穴复合；与少子电子不是和基区多子空穴复合；与少子电子扩散长度相比，扩散长度相比，基区宽度必须很小基区宽度必须很小。当基区宽度很小时，少子当基区宽度很小时，少子电子浓度是电子浓度是B-E结电压和结电压和B-C结电压的函数结电压的函数。两个结距离很近两个结距离很近互作用互作用pn结结。npn型双极晶体管的横截面图型双极晶体管的横截面图5高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件（2）晶体管电流的简化表达式）晶体管电流的简化表达式短基区短基区理想情况下，理想情况下，基 区 少 子 电基 区 少 子 电子 浓 度 是 基子 浓 度 是 基区 宽 度 的区 宽 度 的 线线性
7、函 数性 函 数 ， 表， 表明明 没 有 复 合没 有 复 合发 生发 生 。 电 子。 电 子扩散过基区，扩散过基区，后被后被B-C结空结空间 电 荷 区 电间 电 荷 区 电场场 扫 入 集 电扫 入 集 电区区。6高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 000BCnBEnBEBdn xnieD AeD Adxx 集电极电流：扩散电流集电极电流：扩散电流 00expBEBBtVnnV0expexpnBEBEBECBsBtteD AVVinIxVV 仅考虑大小晶体管晶体管基本工作原理基本工作原理：器件：器件一端的电流一端的电流由加到由加到另外两端的电压另外两端的电压控制控制集电极电流集电
8、极电流基极和发射基极和发射极间的电压极间的电压7高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 发射极电流：发射极电流：expBECstViIV称为称为共基极电流增益共基极电流增益。该增益尽可能接近。该增益尽可能接近1 1。总的发射极电流为：总的发射极电流为：一部分一部分电流是发射区注入基区的电子电流，即电流是发射区注入基区的电子电流，即iC。另一部分另一部分电流是正偏电流是正偏B-E结电流，即结电流，即iE2。22expBEEstViIV2expBEECEsEtViiiIVCEii常数8高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 基极电流：基极电流：expBEBbtViV为为共发射极电流增益共发射极
9、电流增益，其值远大于，其值远大于1（数量级为（数量级为100或更大）。或更大）。总的基极电流为：总的基极电流为：一部分一部分电流电流iBa是是B-E结电流，即结电流，即iE2。另一部分另一部分是基区空穴复合电流，记为即是基区空穴复合电流，记为即iBb。直接依赖于基区中少子电子的数量。直接依赖于基区中少子电子的数量。22expBEEstViIV2expBEBEBbtViiiVCBii常数9高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件B-E反偏反偏，B-C反偏反偏：截止截止。B-E正偏正偏，B-C反偏反偏：正向有正向有源区源区。B-E正偏正偏，B-C正偏正偏：饱和饱和。 B-E反偏反偏，B-C正偏正偏
10、：反向有反向有源区源区。共射共射10高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 双极晶体管和其他元件相连，双极晶体管和其他元件相连，可实现电压、电流放大。可实现电压、电流放大。 正向有源区，电压增益，电压正向有源区，电压增益，电压放大器放大器共射共射11高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件双极晶体管的电流是由双极晶体管的电流是由少子的扩散少子的扩散决定的。决定的。12高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 均匀掺杂均匀掺杂npn双极晶体管。双极晶体管。 单独考虑每个区域时，将起点移到空间电荷区边界，采用正单独考虑每个区域时，将起点移到空间电荷区边界，采用正的坐标值。的坐标值。 中性集电区长
11、度中性集电区长度比集电区内少子扩散长度大得多。比集电区内少子扩散长度大得多。 中性发射区中性发射区有限长，假设有限长，假设x=xE处处表面复合速率表面复合速率无限大，即此无限大，即此处过剩少子浓度为零。处过剩少子浓度为零。13高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件基区基区稳态下，稳态下，过剩少子过剩少子电子电子浓度浓度可通过可通过双极输运方程双极输运方程得到。得到。中性区，电场为零，无过剩载流子产生，稳态下输运方程中性区，电场为零，无过剩载流子产生，稳态下输运方程 2200BBBBnxnxDx expexpBBBxxnxABLL通解表示为通解表示为 00exp1BEBBeVnnkTB-E结正
12、偏结正偏边界条件：边界条件：B-C结反偏结反偏0BBBnxn 0exp1BBEBBBneVnxxxxxkT通过通过线性近似线性近似得：得：14高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件发射区发射区同样，使用稳态下过剩少子的双极输运方程同样，使用稳态下过剩少子的双极输运方程 2200EEEEpxpxDx expexpEEExxpxCDLL 通解表示为通解表示为 00exp1BEEEeVppkTB-E结正偏结正偏边界条件：边界条件：x =xE处，表面复合速度无限大处，表面复合速度无限大0EEpx 0exp1EBEEEEpeVpxxxxkT通过通过线性近似线性近似得：得：15高等半导体物理与器件高等半
13、导体物理与器件集电区集电区稳态下过剩少子输运方程稳态下过剩少子输运方程2200CCCCpxpxDxexpexpCCCxxpxEFLL 通解表示为通解表示为 00CpE 集电区无限长集电区无限长边界条件：边界条件：B-C结反偏结反偏 00CCpp 0expCCCxpxpL 集电区过剩少子浓度：集电区过剩少子浓度：16高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 00exp1EBEEEEEEpeVpxpxpxxxkT 00exp1BBEBBBBBneVnxnxnxxxxkT00 expCCCCCpxpxpxpL 17高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件（a）截止截止：B-E结，结，B-C结均反偏，
14、空间电荷结均反偏，空间电荷区边界少子浓度均为零。区边界少子浓度均为零。（b）饱和饱和：B-E结，结，B-C结均正偏，空间电荷结均正偏，空间电荷区边界存在过剩少子。区边界存在过剩少子。18高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 反向有源区反向有源区：B-E结反偏，结反偏，B-C结正偏。结正偏。 与正向有源区中的发射与正向有源区中的发射极、集电极极、集电极电流反向电流反向。 由于由于B、E区相对掺杂浓区相对掺杂浓度和度和B、C区相对掺杂浓区相对掺杂浓度不同，度不同，非几何对称非几何对称，两者的特性大不相同。两者的特性大不相同。19高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件npn型晶体管，正向有源区
15、，粒子流密度和粒子流成分型晶体管，正向有源区，粒子流密度和粒子流成分从发射区注入到基区中的电子从发射区注入到基区中的电子流流到达集电区的电子流到达集电区的电子流从基区注入发从基区注入发射区的空穴流射区的空穴流正偏正偏B-E结结空间电荷区空间电荷区复合电子流复合电子流反偏反偏B-C结空间电结空间电荷区产生空穴流荷区产生空穴流B-C结的反结的反向饱和电流向饱和电流基区复合时需要基区复合时需要补充的空穴流补充的空穴流20高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件流入基区补充因复流入基区补充因复合而消失合而消失 的空穴流的空穴流发射区发射区x=0处少处少子空穴扩散电流子空穴扩散电流正偏正偏B-E结中载结
16、中载流子复合电流流子复合电流基区基区x=0处少子处少子电子扩散电流电子扩散电流基区基区x=xB处少子处少子电子扩散电流电子扩散电流反偏反偏B-C结中结中产生电流产生电流反偏反偏B-C结结饱和电流饱和电流21高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件小信号或是正弦信号的共基极电流增益小信号或是正弦信号的共基极电流增益CnCTEnERpEJJJJJJ nEnEpEJJJ 发射极注入效率系数发射极注入效率系数nCTnEJJ基区输运系数基区输运系数nEpEnERpEJJJJJ复合系数复合系数考虑了考虑了发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响。考虑了考虑了基区
17、中过剩少子电子的复合的影响基区中过剩少子电子的复合的影响。考虑了考虑了正偏正偏B-E结中的复合的影响结中的复合的影响。22高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件（1）基区宽度调制效应（厄尔利效应）基区宽度调制效应（厄尔利效应） B-C结反偏电压增加结反偏电压增加B-C结空间电荷区宽结空间电荷区宽度增加度增加基区扩散区宽度减小基区扩散区宽度减小少子浓度梯度增加少子浓度梯度增加集电极电流增加集电极电流增加23高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 IC受受VBE控制，因此两者有一对应关系控制，因此两者有一对应关系 理想情况下，理想情况下，Ic与与VBC无关（上图中曲线斜率为零）无关（上图中曲线
18、斜率为零） 由于存在基区宽度调制效应，上图中曲线倾斜由于存在基区宽度调制效应，上图中曲线倾斜 厄尔利电压（厄尔利电压（|VA|），描述晶体管特性一共有参数），描述晶体管特性一共有参数 制造误差引起窄基区晶体管制造误差引起窄基区晶体管xB变化，导致变化，导致IC变化变化24高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 大注入晶体管发生两种效应大注入晶体管发生两种效应发射极注入效率会降低发射极注入效率会降低基区过剩少子浓度和集电极电基区过剩少子浓度和集电极电流随流随B-E结电压增大的速度变缓结电压增大的速度变缓 发射极注入效率系数发射极注入效率系数 左图为小注入和大注入时，左图为小注入和大注入时，基区
19、中少子和多子浓度基区中少子和多子浓度nEnEpEJJJ实线实线为小注入，为小注入，虚线虚线为大注入为大注入25高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 小电流小电流时增益较小：时增益较小：复合系数较小复合系数较小 大电流大电流时增益下降：时增益下降：大注入效应的影响大注入效应的影响26高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 基区过剩少子浓度和集电极电流随基区过剩少子浓度和集电极电流随B-E结电压增大的速度变缓结电压增大的速度变缓小注入基区空间电荷区边界处小注入基区空间电荷区边界处 00expappeVnnkT 00pppp 00exp2appeVnnkT 0000expappppeVnpnp
20、kT则则大注入大注入np(0)、pp(0)基本处于同一量级基本处于同一量级同同pn结二极管中的串联电阻效应近似结二极管中的串联电阻效应近似27高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件发射区发射区掺杂很高掺杂很高时，由于禁带变窄效应，使电流增益比预期小。时，由于禁带变窄效应，使电流增益比预期小。发射区掺杂浓度对基区掺杂浓度比值增加，发射极注入效率会发射区掺杂浓度对基区掺杂浓度比值增加，发射极注入效率会增加并接近于增加并接近于1。28高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 基区宽度很小（典型值基区宽度很小（典型值1微米）微米） 基区电阻相当大基区电阻相当大 导致发射区下存在横向电势差导致发射区下
21、存在横向电势差 相对于中心，较多电子从边缘注入相对于中心，较多电子从边缘注入 发射极电流集中在边缘发射极电流集中在边缘29高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件两种击穿机制：两种击穿机制： 穿通穿通 随着反偏随着反偏B-C结电压的增加，结电压的增加，B-C空间电荷区宽空间电荷区宽度扩展进中性基区中，度扩展进中性基区中，B-C结耗尽区穿透基区到结耗尽区穿透基区到达达B-E结。结。 雪崩击穿雪崩击穿30高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件（1）E-M模型：适用于任何模式模型：适用于任何模式E-M模型中定义的电流模型中定义的电流方向、电压极性方向、电压极性基本基本E-M模型等效电路模型等效电路
22、31高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 与与E-M模型相比，考虑了更多的物理特性，可用于模型相比，考虑了更多的物理特性，可用于分析分析基区为非均匀掺杂基区为非均匀掺杂的情况。的情况。（3）H-P模型模型 小信号，线性放大电路，正向有源区小信号，线性放大电路，正向有源区H-P等效电路等效电路32高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件（1）延时因子）延时因子 双极晶体管是一种时间渡越器件双极晶体管是一种时间渡越器件 发射区到集电区的总时间常数可由发射区到集电区的总时间常数可由4个相互独立的时间常数组个相互独立的时间常数组成成（2）晶体管截止频率）晶体管截止频率 电流增益是频率的函数电流增益
23、是频率的函数 截止频率截止频率f：共基极电流增益幅值变为其低频值的：共基极电流增益幅值变为其低频值的0.707时的时的频率频率 截止频率截止频率fT：共发射极电流增益的幅值为：共发射极电流增益的幅值为1时的频率时的频率 截止频率截止频率f：共发射极电流增益幅值下降到其低频值的：共发射极电流增益幅值下降到其低频值的0.707时时的频率的频率33高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件（1）开关特性）开关特性（a）研究晶体管开）研究晶体管开关特性所用的电路关特性所用的电路（b）驱动晶体管的基极输入）驱动晶体管的基极输入（c）晶体管工作状态转换过）晶体管工作状态转换过程中集电极电流随时间的变化程中集
24、电极电流随时间的变化轻微正偏轻微正偏延迟时间延迟时间B-C反偏，下降时间反偏，下降时间上升时间上升时间存储时间存储时间34高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件（a）肖特）肖特基钳位晶体基钳位晶体管管（b）电路符号）电路符号减小存储时间、提高晶体管转换速度的一种常用方法减小存储时间、提高晶体管转换速度的一种常用方法一个普通一个普通npn型晶体管，加一个肖特基二极管（基极、集电极间）型晶体管，加一个肖特基二极管（基极、集电极间）正向有源区，正向有源区，B-C结反偏，肖特基二极管反偏，不起作用，普通晶体管结反偏，肖特基二极管反偏，不起作用，普通晶体管饱和区，饱和区，B-C结正偏，肖特基二极管正偏
25、（结正偏，肖特基二极管正偏（开启电压小开启电压小），），减小存储时间减小存储时间35高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件 双极晶体管的基本工作原理，互作用双极晶体管的基本工作原理，互作用pn结结 4种工作模式，正向有源区的少子分布情况种工作模式，正向有源区的少子分布情况 几个非理想效应：几个非理想效应： 基区宽度调制、大注入、发射区禁带变窄、电基区宽度调制、大注入、发射区禁带变窄、电流集边、击穿机制流集边、击穿机制 三种等效模型，主要适用范围三种等效模型，主要适用范围 截止频率、开关特性截止频率、开关特性36高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件37此课件下载可自行编辑修改，供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！38
