1、FAETV 基本架构简介重要功能模块介绍 -威健代理的产品线 -基本原理电源板主板（系统板/接口板）按键板IR接收板喇叭Panel(液晶面板)前框，后壳，底座Audio R/L of CVIAudio AMPSTA339BWTRDIF +/-NVM 24C128SpeakersUART ( ISP & Factory alignment )SPDIF OutRC Audio R/L of SCART1 Audio R/L of CVBS1System I2CKey pad YPbPr x 1Side CVBS x 1 RF Tuner HDMI x 2 ( or 3 :spot deal )
2、Audio R/L of PC/ DVI Audio Pre-Amp NJM4580 SCART1 L/R outUSB x 1 Full SCART x 1 NAND Flash 128MByteDDR2 1GHz128 M Byte x 2PC VGATSCI card slot (CAM)Min LVDS LVDS Mutil DC/DCPF57Gamma/ V-comMAX9668 12V Headphone Amp TPA6132/TPA6211 for 1WHeadphoneNOR Flash 512KByteI2S Min LVDS HDMI 1x 2 SW TMDS 251/3
3、51DBV-T/C DEMOD CI+ controllerMT5135Tuner I2CCI/CI+ Analog Audio inputs : Analog Video inputs :DVB-T/C modelDeMux I2CPanel (50Hz)w/o T-conSource /Gate boardMT5366.MCU ARM11.MPEG/video/audio decoder.Scaling.Video enhancement.3D comb.LVDS Transmitter.HDMI 1.4.ADC.H.264.T-con IC.Build-in HDMI EDID x4.m
4、in LVDS Transmitter.Sawless ATD build-inEDID 24C02EDID 24C02Level ShiftTPS65192RHDREDID 24C02 Light sensorNVM 非挥发性NOR flash 存放Boot loader用于启动主芯片MT5366；NAND flash 存放SW，实现TV的各种功能飞索半导体兆易创新 海量存储器-NAND结构 当成ROM使用-NOR结构 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的读速度比NAND稍
5、快一些NAND的写入速度比NOR快很多NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快 应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 EEPROM:24C02 存放PC source 和 HDMI source的EDID 数据24C128 存放System的数据（如色温调整值，ADC校正值，HDMI HDCP KEY等）EDID: Extended Display Identification Data（扩展显示标识数据）一种VESA 标准数据格式，其中包含有关监视器及其性能的参数，包括供应商信息、最大图像大小、颜色设置、厂商预设置、频率范围的限制以及显示器名和序列号的字符串。这些信
6、息保存在 display 节中，用来通过一个 DDC（Display Data Channel）与系统进行通信.对于E2P而言，可以实现每个字节的擦写操作，对于Flash而言，一般只能支持页擦页写操作。相比之下，E2P的电路实现要复杂一些，需要更大的芯片面积，因此E2P不能做到很高的容量，而Flash的容量则可以高得多。RAM 挥发性SDRAM是同步动态随机存储器的简称，采用3.3v工作电压，带宽64位，将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作第三代DDR2 SDRAM工作电压：1.8V力积电子三种电视制式NTSC制-正交平衡调幅制
7、-主要国家有美国、加拿大和日本等。PAL制-正交平衡调幅逐行倒相制中国、德国、英国和其它一些西北欧国家采用这种制式。SECAM制-行轮换调频制采用这种制式的有法国、前苏联和东欧一些国家。DVB - 数字视频广播按传输方式的不同可分为四种类别：卫星 (DVB-S 及 DVB-S2) ；有线 (DVB-C) ；地面无线 (DVB-T) ；手持地面无线 (DVB-H) 这些传输方式的主要区别在于使用的调制方式，因为不同它们应用的频率带宽的要求也不同。利用高频载波的DVB-S使用QPSK调制方式，利用低频载波的DVB-C使用QAM-64调制方式，而利用VHF 及 UHF载波的DVB-T使用COFDM调
8、制方式。麦瑞半导体松下半导体瑞科美国卓然联咏科技HDMI1.4HDMI1.4版本新增功能版本新增功能HDMI以太网通道音频回授通道HDMI 3D功能支持更高分辨率 分辨率将达到4K2K，四倍于目前的1080p 具体格式：38402160 24Hz/25Hz/30Hz；40962160 24Hz 高清晰度多媒体接口（英文：High Definition Multimedia Interface，HDMI）是一种数字化视频/音频接口技术，是适合影像传输的专用型数字化接口，其可同时传送音频和影音信号，最高数据传输速度为5Gbps。同时无需在信号传送前进行数/模或者模/数转换。HDMI可搭配宽带数字内
9、容保护（HDCP），以防止具有著作权的影音内容遭到未经授权的复制。USB 3.0 优势：极大提高了带宽-高达5Gbps5Gbps全双工全双工（USB2.0则为480Mpbs半双工） 实现了更好的电源管理 -需要时能提供更多电力 ,不需要时就自动减少耗电能够使主机为器件提供更多的功率-实现USB-充电电池、LED照明和迷你风扇等应用。 能够使主机更快的识别器件 新的协议使得数据处理的效率更高 USB 3.0可以在存储器件所限定的存储速率下传输大容量文件（如HD电影）。例如，一个采用USB 3.0的闪存驱动器可以在3.3秒钟将1GB的数据转移到一个主机，而USB 2.0则需要33秒。1.调制器将音
10、频信号调制到脉冲信号中，产生带音频信息的PWM波(脉宽调制)或PDM波(脉冲持续时间调制)；2.D类功放一个脉冲控制的大电流开关放大器，把PWM信号变成一个高电压大电流的大功率PWM信号；3.音频信号还原因为电流大，采用LC低通滤波电路，利用C通电时间长度来恢复信号。覆盖物覆盖物铜铺地铜铺地铜铺地铜铺地电容感应按键电容感应按键介质介质CPCPCF感应电容 = CXCX = CP + CFReset的原因：在上电或复位过程中，控制Scalar IC的复位状态：这段时间内让Scalar IC保持复位状态，而不是一上电或刚复位完毕就工作，防止CPU发出错误的指令、执行错误操作，也可以提高电磁兼容性能
11、。如何实现reset: 比较电路TVS 瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。工作原理：工作原理：在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，它在极短的时间内（最高可达到110-12
12、秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。29PFC Control AC InletBridge DiodeInverter ControlInverter Transformer5V SBEMI FILTERPWM ControlPower TransformerLamp LStandby PowerStandbyTransformer24VAudio power12VPanel power
13、Lamp R压敏电阻压敏电阻 以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。 压敏电阻的最大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值UN时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过UN时，流过它的电流激增，相当于阀门打开。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害。抑制二极管抑制二极管 具有箝位限压功能，它是工作在反向击穿区扼流线圈扼流线圈 一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件，它由两个尺寸相同，匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上，形成一个四端器件，对于共模信号呈现出大电感具有抑制作用
14、，而对于差模信号呈现出很小的漏电感几乎不起作用。扼流线圈使用在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号（如雷电干扰），而对线路正常传输的差模信号无影响。MOSFET IGBTPFC ICPWM ICDiodes & Rectifier国际整流器公司美信麦瑞半导体绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。原因： 交流输入电源经整流和滤波后，非线性负载使得输入电流波形畸变，输入电流呈脉冲波形，含有大量的谐波分量，使得功率因数很低。目的： 将畸变电流校正为正弦电流，并使之与电压同相位，从而使功率因数接近于1。Tks!
