1、光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术电子束通过5-10kV的电场加速后，聚焦并打到待蒸发材料表面，电子束将能量传递给待蒸发材料使其熔化，电子束迅速损失能量。电子束蒸发系统的核心部件：电子束枪（热阴极和等离子体电子）电子束聚焦方式：静电聚焦和磁偏转聚焦 电子束产生后，需要对其进行聚焦而能够直接打到被蒸发材料的表面。 光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术电子束蒸发源的优点电子束蒸发源的优点电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度 。达到104 109 W/cm2 的功率密度，可用于蒸发高熔点材料，如W、 Mo等。被蒸发材料可置于水冷坩锅中 避免容器材料
2、蒸发、及 其与蒸发材料反应热量可直接加到蒸镀 材料的表面 热效率高、热传导和热辐射损失小电子束蒸发源的缺点电子束蒸发源的缺点电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二次电子会使 蒸发原子和残余气体分子电离 影响膜层质量。可选择电子枪加以解决电子束蒸镀装置结构复杂、价格昂贵 加速电压高时，产生辐射伤害光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术 直流溅射直流溅射 ( ( 导电靶材导电靶材 ) ) 射频溅射射频溅射 ( ( 绝缘介质靶材绝缘介质靶材 ) ) 反应溅射反应溅射 ( (氧化物、氮化物靶材氧化物、氮化物靶材 ) )磁控溅射系统磁控溅射系统光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术溅
3、射的基本原理: 物质的溅射现象 溅射：荷能粒子与固体（靶材）表面相互作用过程中，发生能量和动量的转移，当表面原子获得足够大的动能而脱离固体表面，从而产生表面原子的溅射。溅射参数 溅射阀值：将靶材原子溅射出来所需的入射离子最小能量值。与入射离子的种类关系不大、与靶材有关。 溅射产额 溅射离子速度和能量光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术5+真空真空靶材固体靶材固体溅射粒子溅射粒子（离子或中性粒子）（离子或中性粒子）注入离子注入离子渗透深度渗透深度入射离子入射离子溅射物理过程溅射物理过程光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术6入射离子轰击靶材时，平均每个正离子能从靶材打出的原
4、子数为溅射产额（ ）。 M1、M2:分别为入射离子和靶材原子的质量； U0:靶材表面束缚能，eV; E:入射离子的能量，eV : 无量纲参数光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术溅射物理机制溅射物理机制(a)Under low energetic ion bombardment( single knock-On)(b)Linear collision cascade(c)Under high energetic ion bombardment (spike)光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术DC Sputtering Process pressure- compromi
5、se between the number of Ar ions and the scattering of Ar ions with neutral Ar atoms Sputter voltage- maximum yield, typical -2-5 kV Substrate bias- control ion bombardment characteristics Substrate temperature- modify deposited film properties 光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术RF SputteringFor insulating mat
6、erials due to positive charge builds up on the cathode (target) in DC systems. Alternating potential can avoid charge buildup.When frequencies less than about 50 kHz, electrons and ions in plasma are mobile When frequencies above about 50 kHz, ions (heavy) can no longer follow the switching - electr
7、ons can neutralize positive charge build up 光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Magnetron SputteringI. Magnetron Configuration: planar NdFeB bar magnet with a magnetic field of 0.5 G on the target front surface Electron motion is confined to a racetrack due to drifting by E and B perpendicular to each other.光电半
8、导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术11光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术12化学气相沉积化学气相沉积Chemical Vapor TransportChemical Vapor Transport Gas measurement and monitoring Transport of molecules by gas flow and diffusion Transport of heat by convection, conduction, and radiation Chemical reactions in the gas phase and at the surf
9、aces光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术化学气相沉积分类化学气相沉积分类 常压常压CVDCVD（APCVDAPCVD） 低压低压CVDCVD （LPCVDLPCVD） 等离子增强等离子增强CVDCVD （PECVDPECVD）光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术CVDCVD薄膜生长过程薄膜生长过程气体源进入反应器；源材料扩散至表面；源材料吸附在表面；产生化学反应；生成物形成晶核；晶核形成岛状物；形成连续薄膜；气体副产物排出光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术fundamental parametersexp
10、erimental parametersreactant concentrationpressurediffusivitygas velocityboundary layer thicknesstemperature distributionreactor geometrygas properties (viscosity . . .)Mass transport depends onCVDCVD生长过程中的质量输运生长过程中的质量输运两种传输模式：1.分子流传输（气体扩散）2.粘滞流传输 (反应物传输至衬底表面进行反应)光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术CVDCVD薄膜的主要性
11、能参数薄膜的主要性能参数1.膜厚均匀性（进行多点膜厚测量）NxxxxNave.212.台阶覆盖性： -侧壁覆盖 sidewall step coverage -底部覆盖 bottom coverage - 保角性 Conformality3.应力 -热应力 thermal stress -内应力 intrinsic stress (thickness, deposition rate, deposition temperature, impurities) 光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术 等离子体增强等离子体增强CVDCVD 在
12、射频功率条件下，反应气体从等离子中获得激活能，被激活并增强化学反应，实现高效率的化学气相沉积 等离子轰击能够去除表面杂质，增加薄膜的附着性 反应温度低于其它CVD薄膜沉积方法光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术20等离子体基本物理性质等离子体基本物理性质 等离子中包括相同数目的离子和电子，呈现电中性。 用于刻蚀的等离子体中带电粒子密度109-1012 个/cm-3。 等离子中电子温度104 K, 刻蚀过程中与室温中性气体分子生成活化自由基，与衬底材料结合生成挥发气体产物，从而刻蚀衬底。光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术 Application: masks to pr
13、event oxidation for LOCOS process final passivation barrier for moisture and sodium contamination PECVD LPCVD2450300343HSiNHNHSiHC243900700341243HNSiNHSiHC24380070032212643HHClNSiNHHSiClC沉积氮化硅沉积氮化硅光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术原子层沉积技术原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)(Atomic Layer Deposition) ALD is a metho
14、d of applying thin films to various substrates with atomic scale precision. Similar in chemistry to chemical vapor deposition (CVD), except that the ALD reaction breaks the CVD reaction into two half-reactions, keeping the precursor materials separate during the reaction. ALD film growth is self-lim
15、ited and based on surface reactions, which makes achieving atomic scale deposition control possible. By keeping the precursors separate throughout the coating process, atomic layer thickness control of film grown can be obtained as fine as atomic/molecular scale per monolayer.光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技
16、术原子层沉积过程与设备原子层沉积过程与设备1.Releases sequential precursor gas pulses to deposit a film one layer at a time on the substrate.2.The precursor gas is introduced into the process chamber and produces a monolayer of gas on the wafer surface. A second precursor of gas is then introduced into the chamber reacti
17、ng with the first precursor to produce a monolayer of film on the wafer surface.3. Two fundamental mechanisms: Chemisorption saturation process Sequential surface chemical reaction process4. Since each pair of gas pulses (one cycle) produces exactly one monolayer of film, the thickness of the result
18、ing film may be precisely controlled by the number of deposition cycles.光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Example: ALD cycle for Al2O3 depositionStep 1光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Step 2光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Step 3光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Step 4光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Step 5光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Step 6光电半导体材料科学
19、与技术光电半导体材料科学与技术After 3 cycles光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术 Each pair of gas pulses (one cycle) produces exactly one monolayer of film, the thickness of the resulting film may be precisely controlled by the number of deposition cycles.光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Main types of ALD reactors Closed system chambe
20、rs (most common) The reaction chamber walls are designed to effect the transport of the precursors.Schematic of a closed ALD systemRef: Technology Backgrounder: Atomic Layer Deposition, IC Knowledge LLC, 24 April 06. .光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术Process Temperature 1Process Temperature 1The Verano 5500A
21、 300-mm ALD system by Aviza Technology, Inc.11One cycle光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术 Candidates for High-K dielectricsFilmPrecursorsAl2O3Al(CH)3, H2O or O3 HfO2 HfCl4 or TEMAH, H2OZrO2ZrCl4, H2O High-K dielectrics for CMOSReduces leakage currentFaster switching speedCooler transistorsRef: Intels High-k/M
22、etal Gate Announcement, Intel Corporation. 26 April, 06. . Semiconductor memory (DRAM) Cu interconnect barrier Deposition in porous structures光电半导体材料科学与技术光电半导体材料科学与技术 Advantages Stoichiometric films with large area uniformity and 3D conformality. Precise thickness control. Low temperature deposition possible. Gentle deposition process for sensitive substrates. Disadvantages Deposition Rate slower than CVD. Number of different material that can be deposited is fair compared to MBE.Summary of ALD
