1、第4章 化学气相沉积4.1 化学气相沉积合成方法发展化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。化学气相沉积的英文词原意是化学蒸汽沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD），因为很多反应物质在通常条件下是液态或固态，经过汽化成蒸汽再参与反应的。化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。作为现代CVD技术发展的开始阶段在20世纪50年代主要着重于刀具涂层的应用。从20世纪6070年代以来由于半导体和集成电路技术发
2、展和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和更广泛的发展。CVD技术不仅成为半导体超纯硅原料超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等旋半导体和旋半导体单晶外延的基本生产方法。在集成电路生产中更广泛的使用CVD技术沉积各种掺杂的半导体单晶外延薄膜、多晶硅薄膜、半绝缘的掺氧多晶硅薄膜；绝缘的二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃薄膜以及金属钨薄膜等。在制造各类特种半导体器件中，采用CVD技术生长发光器件中的磷砷化镓、氮化镓外延层等，硅锗合金外延层及碳化硅外延层等也占有很重要的地位。在集成电路及半导体器件应用的CVD技术方面，美国和日本，特别是美国占有较大的优势。日本在蓝色发光器件中关键的氮
3、化镓外延生长方面取得突出进展，以实现了批量生产。1968年K .Masashi等首次在固体表面用低汞灯在P型单晶硅膜，开始了光沉积的研究。1972年Nelson和Richardson用CO2激光聚焦束沉积出碳膜，从此发展了激光化学气相沉积的工作。继Nelson后，美国S. D. Allen，Hagerl等许多学者采用几十瓦功率的激光器沉积SiC、Si3N4等非金属膜和Fe、Ni、W、Mo等金属膜和金属氧化物膜。前苏联Deryagin Spitsyn和Fedoseev等在20世纪70年代引入原子氢开创了激活低压CVD金刚石薄膜生长技术，80年代在全世界形成了研究热潮，也是CVD领域一项重大突破。
4、CVD技术由于采用等离子体、激光、电子束等辅助方法降低了反应温度，使其应用的范围更加广阔。 中国CVD技术生长高温超导体薄膜和CVD基础理论方面取得了一些开创性成果。Blocher在1997年称赞中国的低压CVD(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)模拟模型的信中说：“这样的理论模型研究不仅仅在科学意义上增进了这项工艺技术的基础性了解，而且引导在微电子硅片工艺应用中生产效率的显著提高。” 1990年以来中国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面，根据非平衡热力学原理,开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化的证
5、实反自发方向的反应可以通过热力学反应耦合依靠另一个自发反应提供的能量推动来完成。低压下从石墨转变成金刚石是一个典型的反自发方向进行的反应，它依靠自发的氢原子耦合反应的推动来实现。在生命体中确实存在着大量反自发方向进行的反应，据此可以把激活（即由外界输入能量）条件下金刚石的低压气相生长和生命体中某些现象做类比讨论。因此这是一项具有深远学术意义和应用前景的研究进展。目前，CVD反应沉积温度的耕地温化是一个发展方向，金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)是一种中温进行的化学气相沉积技术，采用金属有机物作为沉积的反应物，通过金属有机物在较低温度的分解来实现化学气相沉积。近年来发展的等离子体增强化学气相
6、沉积法(PECVD)也是一种很好的方法，最早用于半导体材料的加工，即利用有机硅在半导体材料的基片上沉积SiO2。PECVD将沉积温度从1000降到600以下，最低的只有300左右，等离子体增强化学气相沉积技术除了用于半导体材料外，在刀具、模具等领域也获得成功的应用。随着激光的广泛应用，激光在气相沉积上也都得到利用，激光气相沉积(LCVD)通常分为热解LCVD和光解LCVD两类，主要用于激光光刻、大规模集成电路掩膜的修正以及激光蒸发-沉积。在向真空方向发展方面在向真空方向发展方面，出现了超高真空/化学气相沉(UHV/CVD)法。这是一种制造器件的半导体材料的系统，生长温度低(425600)，但真
7、空度要求小于1.3310Pa，系统的设计制造比分子束外延(MBE)容易，其主要优点是能实现多片生长。此外，化学气相沉积制膜技术还有射频加热化学气相沉积(RF/CVD)、紫外光能量辅助化学气相沉积(UV/CVD)等其它新技术不断涌现。 4.2.1化学气学气相沉积积法的概概念化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。简单来说就是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：
8、在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。CVD技术的基本要求为适应CVD技术的需要，选择原料、产物及反应类型等通常应满足以下几点基本要求：(1)反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于挥发成蒸汽的液态或固态物质，且有很高的纯度；(2)通过沉积反应易于生成所需要的材料沉积物，而其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离；(3)反应易于控制。CVD技术的特点 CVD技术是原料气或蒸汽通过气相反应沉积出固态物质，因此把CVD技术用于无机合成和材料制备时具有以下特点：（1）沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有固态基底（又称衬底）的形状包覆一层薄膜。（2）涂层的化
9、学成分可以随气相组成的改变而改变从而获得梯度沉积物或得到混合镀层（3）采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。（4）在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质，或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。（5）CVD工艺是在较低压力和温度下进行的，不仅用来增密炭基材料，还可增强材料断裂强度和抗震性能是在较低压力和温度下进行的。CVD技术的分类CVD技术术根据反应类应类型或者压压力可分为为 低压CVD(LPCVD) 常压CVD(APCVD) 亚常压CVD
10、(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD) 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD)CVD技术常用的CVD技术有(1)常压化学气相沉积、(2)低压化学气相沉积、(3)等离子体增强化学气相沉积。沉积方式优点缺点APCVD反应器结构简单沉积速率快低温沉积阶梯覆盖能差粒子污染LPCVD高纯度阶梯覆盖能力极佳产量高，适合于大规模生产高温沉积低沉积速率PECVD低温制程高沉积速率阶梯覆盖性好化学污染粒子污染 表4.2 三种CVD方法的优缺点4.2.2化学气学气相沉积积法的原理 1. CVD技术术的反应应原理 CVD
11、是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述五种反应类型。 (1)热热分解反应应 热分解反应是最简单的沉积反应，利用热分解反应沉积材料一般在简单的单温区炉中进行，其过程通常是首先在真空或惰性气氛下将衬底加热到一定温度， 然后导入反应气态源物质使之发生热分解，最后在衬底上沉积出所需的固态材料。热分解发可应用于制备金属、半导体以及绝缘材料等。 最常见的热分解反应有四种。（a）氢化物分解 （b）金属有机化合物的热分解（c）氢化物和金属有机化合物体系的热分解（d）其他气态络合物及复合物的热分解(2)(2)氧化还原反应沉积氧化还原反应沉积 一些
12、元素的氢化物有机烷基化合物常常是气态的或者是易于挥发的液体或固体，便于使用在CVD技术中。如果同时通入氧气，在反应器中发生氧化反应时就沉积出相应于该元素的氧化物薄膜。例如：0325475422222CSiHOSiOH O 030050042622322215210CSiHB HOB OH O 045023 622322()1296CAl CHOAl OH OCO 许多金属和半导体的卤化物是气体化合物或具有较高的蒸气压，很适合作为化学气相沉积的原料，要得到相应的该元素薄膜就常常需采用氢还原的方法。氢还原法是制取高纯度金属膜的好方法，工艺温度较低，操作简单，因此有很大的实用价值。例如：030062
13、36CWFHWHF0115012004224CSiClHSiHCl (3) 化学合成反应沉积化学合成反应沉积化学合成反应沉积是由两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中相互作用合成得到所需要的无机薄膜或其它材料形式的方法。这种方法是化学气相沉积中使用最普遍的一种方法。与热分解法比，化学合成反应沉积的应用更为广泛。因为可用于热分解沉积的化合物并不很多，而无机材料原则上都可以通过合适的反应合成得到。075043423412CSiHNHSiNH 085090042243412CSiClNHSiNHCl (4)化学输运学输运反应应沉积积把所需要沉积的物质作为源物质，使之与适当的气体介质发生反应并形成一
14、种气态化合物。这种气态化合物经化学迁移或物理载带而输运到与源区温度不同的沉积区，再发生逆向反应生成源物质而沉积出来。这样的沉积过程称为化学输运反应沉积。其中的气体介质成为输运剂，所形成的气态化合物称为输运形式。这类反应中有一些物质本身在高温下会汽化分解然后在沉积反应器稍冷的地方反应沉积生成薄膜、晶体或粉末等形式的产物。HgS就属于这一类，具体反应可以写成：也有些原料物质本身不容易发生分解，而需添加另一种物质（称为输运剂）来促进输运中间气态产物的生成。21222( )2( )2( )( )TTHgS sIgHg gSg (5) 等离子体增强的反应应沉积积在低真空条件下，利用直流电压（DC）、交流
15、电压（AC）、射频（RF）、微波（MW）或电子回旋共振（ECR）等方法实现气体辉光放电在沉积反应器中产生等离子体。由于等离子体中正离子、电子和中性反应分子相互碰撞，可以大大降低沉积温度，例如硅烷和氨气的反应在通常条件下，约在850左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，只需在350左右就可以生成氮化硅。一些常用的PECVD反应有：035042().CxxySiHxN OSiOSiO H或035043().CxxySiHxNHSiNSiN H或035042()2CSiHaSi HH(6)其他能源增强反应应沉积积随着高新技术的发展，采用激光增强化学气相沉积也是常用的一种方法。例如： 通
16、常这一反应发生在300左右的衬底表面。采用激光束平行于衬底表面，激光束与衬底表面距离约1mm，结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮的钨膜。其他各种能源例如利用火焰燃烧法，或热丝法都可以实现增强反应沉积的目的。6()6W COWCO 激光束2. CVD技术术的热动热动力学学原理化学气相沉积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂的蒸汽及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应，并把固体产物沉积到表面生成薄膜的过程。不同物质状态的边界层对CVD沉积至关重要。所谓边界层，就是流体及物体表面因流速、浓度、温度差距所形成的中间过渡范围。图4.1显示一个典型的CVD反应的反应结构分解。首先，参与反
17、应的反应气体，将从反应器得主气流里，借着反应气体在主气流及基片表面间的浓度差，以扩散的方式，经过边界层传递到基片的表面，这些达到基片的表面的反应气体分子，有一部分将被吸附在基片的表面上图4.1（b）。当参与反应的反应物在表面相会后，借着基片表面所提供的能量，沉积反应的动作将发生，这包括前面所提及的化学反应，及产生的生成物在基片表面的运动（及表面迁移），将从基片的表面上吸解，并进入边界层，最后流入主体气流里，如图5.1 (d)。这些参与反应的反应物及生成物，将一起被CVD设备里的抽气装置或真空系统所抽离，如图4.1（e）。图4.1 化学气相沉积的五个主要的机构(a)反应物已扩散通过界面边界层；(
18、b)反应物吸附在基片的表面；(c)化学沉积反应发生； (d) 部分生成物已扩散通过界面边界层；(e)生成物与反应物进入主气流里，并离开系统 输输送现现象以化学工程的角度来看，任何流体的传递或输送现象，都会涉及到热能的传递、动量的传递及质量的传递等三大传递现象。（1）热热量传递传递 热能的传递主要有三种方式：传导、对流及辐射。因为CVD的沉积反应通常需要较高的温度，因此能量传递的情形，也会影响CVD反应的表现，尤其是沉积薄膜的均匀性热传导是固体中热传递的主要方式，是将基片置于经加热的晶座上面，借着能量在热导体间的传导，来达到基片加热的目的，如图4.2所示。以这种方式进行的热能传递，可以下式表示。
19、 单位面积的能量传递=其中：kc为基片的热传导系数， T为基片与加热器表面间的温度差， X则近似于基片的厚度。codcTEkX图4.2 以热传导方式来进行基片加热的装置物体因自身温度而具有向外发射能量的本领，这种热传递的方式叫做热辐射。热辐射能不依靠媒介把热量直接从一个系统传到另一个系统。但严格的讲起来，这种方式基本上是辐射与传导一并使用的方法，如图4.3。辐射热源先以辐射的方式将晶座加热，然后再由热的传导，将热能传给置于晶座上的基片，以便进行CVD的化学反应。下式是辐射能的传导方程式。 单位面积的能量辐射=Er=hr（Ts1- Ts2） 其中：hr为“辐射热传系数”； Ts1与Ts2则分别为
20、辐射热原及被辐射物体表面的温度。图4.3 以热辐射为主的加热对流是第三种常见的传热方式，流体通过自身各部的宏观流动实现热量传递的过程。它主要是借着流体的流动而产生。依不同的流体流动方式，对流可以区分为强制对流及自然对流两种。前者是当流体因内部的“压力梯度”而形成的流动所产生的；后者则是来自流体因温度或浓度所产生的密度差所导致的。 单位面积的能量对流=Ecov=hc（Ts1- Ts2） 其中：hc即为“对流热传系数”(2)动动量传递传递图4.4显示两种常见的流体流动的形式。其中流速与流向均平顺者称为“层流”；而另一种于流动过程中产生扰动等不均匀现象的流动形式，则称为“湍流”。在流体力学上，人们习
21、惯以所谓的“雷诺数”，来作为流体以何种方式进行流动的评估依据。它估算的方式如下式所示 其中d微流体流经的管径，为流体的密度，为流体的流速，而则为流体的粘度。edRv图4.4 两种常见的流体流动形式基本上，CVD工艺并不希望反应气体以湍流的形式流动，因为湍流会扬起反应室内的微粒或微尘，使沉积薄膜的品质受到影响。图4.5（a）显示一个简易的水平式CVD反应装置的概念图。其中被沉积的基片平放在水平的基座上，而参与反应的气体，则以层流的形式，平行的流经基片的表面图4.5 流体流经固定表面时所形成的边界层及与移动方向x之间的关系假设流体在晶座及基片表面的流速为零，则流体及基片（或晶座）表面将有一个流速梯
22、度存在在，这个区域便是边界层。边界层的厚度，与反应器的设计及流体的流速有关，而可以写为：或将式4-33代入式4-34，而改写为 式中，x为流体在固体表顺着流动方向移动得距离面。1/22eRx1/220dxv也就是说，当流体流经一固体表面时，图4.6的主气流与固体表面（或基片）之间将有一个流速从零增到0的过渡区域存在，即边界层。这个边界层的厚度，与雷诺数倒数的平方根成正比，且随着流体在固体表面的移动而展开，如图4.6所示。CVD反应所需要的反应气体，便必须通过这个边界层以达到基片的表面。而且，反应的生成气体或未反应的反应物，也必须通过边界层已进入主气流内，以便随着主气流经CVD的抽气系统而排出。
23、图4.6 CVD反应物从主气流里往基片表面扩散时反应物在边界层两端所形成的浓度梯度 （3）质质量的传递传递 如上所述，反应气体或生成物通过边界层，是以扩散的方式来进行的，而使气体分子进行扩散的驱动力，则是来自于气体分子局部的浓度梯度。2CVD动动力学学CVDSiO2沉积，是一个典型的CVD反应的例子。图5.7显示CVDSiO2以TEOS为反应气体进行沉积时，其沉积速率与反应的操作温度之间的关系。很明显的，基本上CVDSiO2的沉积速率，将随着温度的上升而增加。但当温度超过某一个范围之后，温度对沉积速率的影响将变得迟缓且不明显。简单地说，CVD反应的进行，涉及到能量、动量、及质量的传递。反应气体
24、是借着扩散效应，来通过主气流与基片之间的边界层，以便将反应气体传递到基片的表面。接着因能量传递而受热的基片，将提供反应气体足够的能量以进行化学反应，并生成固态的沉积物以及其他气态的副产物。前者便成为沉积薄膜的一部分；后者将同样利用扩散效应来通过边界层并进入主气流里。至于主气流的基片上方的分布，则主要是与气体的动量传递相关。因为这几个在图4.1里所提及的反应步骤，彼此是相互串联的，所以CVD反应的反应速率决定步骤，便取决于这几个步骤里面最慢的一项。其中最值得注意的是反应气体的扩散由图4.6知道，反应气体通过边界层的步骤，可以用式4-40来表示。假设这个气体流量为F1，而气体分子在基片表面进行化学
25、反应所消耗的数量，以F2来代表。则这个流量可以写为 F2=KrCs (4-40) 式中，Kr为沉积反应的反应速率常数；Cs则是反应气体在基片表面的浓度。当图4.6的沉积反应达到平衡时，F1=F2。经整理，当CVD反应打稳定状态时，Cs可以用下式来表示 （4-12） （4-41） （4-42）gsr1()DCCkgs1CCshDrksh其中式4-42所表示的是另一项无因此准数，称为雪木数（sherwood number），以Sh来代表它。当Sh 1，或（D/） 1或（D/）Kr时，式(4-12)及式(4-41) 则可写为Cs0。这两个雪木数的极端情况告诉说明，当图4.6的扩散速率表面的化学反应还
26、来得快得多时，基片表面的气体密度Cs ，将趋近于主气流里的气体密度Cg，如图4.8（a）所示；反之，当表面的化学反应较扩散还快很多时，因为扩散速率不足以提供足量的反应气体供沉积反应进行，基片表面的气体密度Cs将趋近于零，如图4.8(b) 。因为CVD反应的速率决定步骤在最慢的那一项，图4.8(a)在Sh1所发生的情形，因取决于CVD反应的速率，所以称为“表面反应限制”；另一个在Sh1所繁盛的情形，如图4.8(b)，因涉及气体扩散的能力，故称为“扩散限制”，或“质传限制”。图4.8 (a) CVD反应为表面反应限制时和 (b)当CVD反应为扩散限制时，反应气体从主气流里经边界层往基片表面扩散的情
27、形 因此，CVD反应的沉积速率及温度的控制到底应该在哪一个范围之内，所应考虑的参数及情况，将比这里所提及的还要繁琐一些。经以上的说明，可以将CVD的原理简单的归纳如下：(1)CVD沉积反应是由5个相串联的步骤所形成的。其速率的快慢取决于其中最慢的一项，主要是反应物的扩散及CVD的化学反应。(2)一般而言，当反应温度较低时，CVD将为表面反应限制所决定；当温度较高时，则为扩散限制所控制（但并不是绝对的）。4.2.3化学气相沉积法的适用范围1. 在切削工具方面的应应用用CVD涂覆刀具能有效地控制在车、铣和钻孔过程中出现的磨损，在这里应用了硬质台金刀具和高速钢刀具。特别是车床用的转位刀片、铣刀、刮刀
28、和整体钻头等。使用的涂层为高耐磨性的碳化物、氯化物、碳氯化台物、氧化物和硼化物等涂层。TiN与金属的亲和力小，抗粘附能力和抗月牙形磨损性能比TiC涂层优越，因此，刀具上广泛使用的是TiN涂层。目前，国外先进工业国家在齿轮上也广泛使用涂层刀具，估计约有80的齿轮滚刀和40 的插齿刀使用了TiN涂层，涂覆后，这些刀具的寿命增加了48倍并且提高了进给量和切削速度，刀具的抗月牙形磨损性能也显著提高。 为了提高涂层刀具的使用性能，除了单涂层外，近年来还发展了双涂层、三涂层及多涂层的复合涂层刀片。常用的双涂层有TiC-TiN、TiC-Al2O3等涂层。三涂层的组合方式很多，例如，TiC-Ti(C、N)-T
29、iN ，TiC-Ti(C、N)-Al2O3等涂层，这些相互结合的涂层改善了涂层的结合强度和韧性，提高了耐磨性。美国的涂层铣刀片使用了Al2O3，TiN-TiC复台涂层，基体为专用的抗塑性变形硬质合金。有很好的切削性能，TiC涂层和外层的Al2O3结台，抗磨损性能优于Si3N4，能显著减少月牙形磨损。 化学气学气相沉积层积层降低磨损损的作用为为：切削开始时，切削与基体的直接接触减小，这样刀具和工件之间的扩散过程降低，因此降低了月牙形磨损。即使突破了表面涂层，仍然能阻挡进一步的磨损，保留的涂层仍然能支持切削工件。重要的是降低了切屑和刀具之间的摩擦因数，这样产生的热减少，因此，磨损小。与基体材料相比
30、，沉积层的导热性更小，使更多的热保留在切屑和工件中，这样降低了磨损效应，使寿命得到提高，明显降低了成本，在切削加工材料时能获得最好的效果。 不足之处处: :一是CVD工艺处理温度高，易造成刀具变形和材料抗弯强度的下降；二是薄膜内部为拉应力状态，使用中易导致微裂纹的产生；三是CVD工艺所排放的废气、废液会造成工业污染，对环境有一定影响，必须注意通风及防污染处理。2. 在模具方面的应应用(1)与基体材料的结合力好，因此在成形时能转移所产生的高摩擦-剪切力。(2)有足够的弹性模具发生少的弹性变形时不会出现裂纹和剥落现象。(3)减少了成形材料的粘着因此降低了“咬舍”的危险。(4)好的润滑性能，它能降低
31、模具的磨损并能改善成形工件的表面质量。(5)高的硬度，它能降低磨粒磨损目前，CVD 已应用凹模、凸模、拉模环、扩孔芯棒、卷边模和深孔模中。与未涂覆的模具相比。涂覆有TiN层的模具的寿命。可提高到几倍甚至几十倍。例如，涂覆有TiN的Cr12钢模圈寿命提高68倍，比涂硬铬高35倍，Crl2MoV钢退拔模经涂覆后寿命提高20多倍。比W18Cr4V模具高2倍等等。另外在塑料注射模具上使用TiN 涂层生产含有40矿物填料的尼龙零件时，有效避免模具被浸蚀和磨损，使模具寿命从60万次增加到200万次。3在耐磨涂层层机械零件方面的应应用活塞环、注射成形用缸体，挤压用螺旋浆轴及轴承等零部件在滑动中易磨损，因此，
32、要求耐磨性好、摩擦因数低、与基体的粘附性好的材料。目前，进行研究和应用的有缸体和螺旋浆的TiC涂层，钟表轴承的B涂层滚珠轴承的TiC、Si3N4涂层等。在许多特殊环境中使用的材料往往需要有涂层保护，以使其具有耐磨，耐腐蚀，耐高温氧化和耐辐射等功能。SiC、Si3N4、MoSi2等硅系化合物是最重要的高温耐氧化涂层。这些涂层在表面上生成致密的SiO2薄膜，起着阻止氧化的作用，在14001600下能耐氧化。Mo和W的CVD涂层亦具有优异的高温耐腐蚀性。因此，可应用于涡轮叶片，火筒发动机喷嘴、煤炭液化和气化设备、粉末鼓风机喷嘴等设备零件上。4. 微电电子技术术在半导体器件和集成电路的基本制造流程中，
33、有关半导体膜的外延，P-N结扩散元的形成、介质隔离、扩散掩膜和金属膜的沉积等是工艺核心步骤，化学气相沉积在制备这些材料层的过程中逐渐取代了如硅的高温氧化和高温扩散等旧工艺，在现代微电子技术中占主导地位，在超大规模集成电路中，化学气相沉积可以用来沉积多晶硅膜，钨膜、铅膜、金属硅化物，氧化硅膜以及氮化硅膜等，这些薄膜材料可以用作栅电极，多层布线的层间绝缘膜，金属布线，电阻以及散热材料等。5. 超导导技术术CVD制备超导材料是美国无线电公司（RCA）在20世纪60年代发明的，用化学气相沉积生产的Nb3Sn低温超导材料涂层致密，厚度较易控制，力学性能好，是目前烧制高场强、小型磁体的最优材料，为提高Nb
34、3Sn的超导性能，很多国家在掺杂、基带材料、脱氢、热处理以及镀铜稳定等方面做了大量的研究工作，使CVD法成为生产Nb3Sn的主要方法之一。现已用化学气相沉积法生产出来的其他金属间化合物超导材料还有NbGe、V3Ca2、Nb3Ga。6在其他领领域的应应用在光学领域中，金刚石薄膜被称为未来的光学材料，它具有波段透明和极其优异的抗热冲击、抗辐射能力，可用作大功率激光器的窗口材料，导弹和航空、航天装置的球罩材料等。金刚石薄膜还是优良的紫外敏感材料。而且上海交通大学把CVD金刚石薄膜制备技术应用于拉拔模具，不仅攻克了涂层均匀涂覆、附着力等关键技术，而且解决了金刚石涂层抛光这一国际性难题。此外，化学气相沉
35、积还可以用来制备高纯难熔金属、晶须以及无定型或玻璃态材料如硼硅玻璃、磷硅玻璃等。4.3化学气相沉积合成工艺4.3.1化学气学气相沉积积法合成生产产工艺种类艺种类CVD设备的心脏，在于其用以进行反应沉积的“反应器”。而CVD反应器的种类，依其不同的应用与设计难以尽数。按CVD的操作压力可分为，CVD基本上可以分为常压与低压两种。若以反应器的结构来分类，则可以分为水平式、直立式、直桶式、管状式烘盘式及连续式等。若以反应器器壁的温度控制来评断，也可以分为热壁式（hot wall）与冷壁式（cold wall）两种。若考虑CVD的能量来源及所使用的反应气体种类，我们也可以将CVD反应器进一步划分为等离
36、子增强CVD(plasma enhanced CVD，或PECVD)，TEOS-CVD，及有机金属CVD(metal-organic CVD，MOCVD)等。CVD装置通常可以由气源控制部件、沉积反应室、沉积温控部件、真空排气和压强控制部件等部分组成。一般而言，任何CVD系统，均包含一个反应器、一组气体传输系统、排气系统及工艺控制系统等。CVD的沉积反应室内部结构及工作原理变化最大，常常根据不同的反应类型和不同的沉积物要求来专门设计。大体上可以把不同的沉积反应装置粗分为常压化学气相沉积（atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD）、
37、低压化学气相沉积（low pressure chemical vapor deposition， LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD）、有机金属化学气相沉积（metal organic chemical vapor deposition，MOCVD）和激光化学气相沉积（laser chemical vapor deposition，LCVD）等加以简介。1.APCVD所谓的APCVD，顾名思义，就是在压力接近常压下进行CVD反应的一种沉积方式。APCVD的操作压力接近1atm(101325Pa)
38、，按照气体分子的平均自由径来推断，此时的气体分子间碰撞频率很高，是属于均匀成核的“气相反应”很容易发生，而产生微粒。因此在工业界APCVD的使用，大都集中在对微粒的忍受能力较大的工艺上，例如钝化保护处理。2.LPCVD低压化学气相沉积技术早在1962年Sandor等人就做了报道。低压CVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作能力，降低到大约100Torr(1Torr=133.332Pa)一下的一种CVD反应。由于低压下分子平均自由程增加，气态反应剂与副产品的质量传输速度加快，从而使形成沉积薄膜材料的反应速度加快，同时气体分布的不均匀性在很短时间内可以消除，所以能生长出厚度均匀的薄
39、膜。3PECVD在低真空的条件下，利用硅烷气体、氮气（或氨气）和氧化亚氮，通过射频电场而产生辉光放电形成等离子体，以增强化学反应，从而降低沉积温度，可以在常温至350条件下，沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等。在辉光放电的低温等离子体内，“电子气”的温度约比普通气体分子的平均温度高10100倍，即当反应气体接近环境温度时，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子（活化分子、离子、原子等基团）的产生，使本来需要在高温下进行的化学反应由于反应气体的电激活而在相当低的温度下即可进行，也就是反应气体的化学键在低温下就可以被打开。所产生的活化分子。原子集团之间的相互反应最终沉积生成薄膜
40、。人们把这种过程称之为等离子增强的化学气相沉积PCVD或PECVD，亦称为等离子体化学气相沉积，或等离子体化学蒸汽沉积。PCVD按等离子体能量源方式划分，有直流辉光放电（DC-PCVD），射频放电（RF-PCVD）和微波等离子体放电（MW-PCVD）。4.MOCVD金属有机化学气相沉积（MOCVD）是从早已熟知的化学气相沉积（CVD）发展起来的一种新的表面技术。是一种利用低温下易分解和挥发的金属有机化合物作为源物质进行化学气相沉积的方法，主要利用化合物半导体气相生长方面。在MOCVD过程中，金属有机源（MO源）可以在热解或光解作用下，在较低温度沉积出相应的各种无机材料，如金属、氧化物、氮化物、
41、氟化物、碳化物和化合物半导体材料等的薄膜。5.LCVD激光化学沉积就是用激光束的光子能量激发和促进化学反应的薄膜沉积方法。激光化学气相沉积的过程是激光分子与反应气分子或衬材表面分子相互作用的工程。按激光作用的机制可分为激光热解沉积和激光光解沉积两种。前者利用激光能量对衬底加热，可以促进衬底表面的化学反应，从而达到化学气相沉积的目的，后者利用高能量光子可以直接促进反应气体分子的分解。4.3.2化学气相沉积法合成生产装置1. 气气相反应应室气相反应室的核心问题是使制得的薄膜尽可能均匀。由于CVD反应是在基体物的表面上进行的，所以也必须考虑如何控制气相中的反应，能及时对基片表面充分供给氧气。此外，反
42、应生成物还必须能放便取出。气相反应器有水平型、垂直型、圆筒型等几种。 2. 常用加热热方法化学气相沉积的基体物的常用加热方法是电阻加热和感应加热，其中感应加热一般是将基片放置在石墨架上，感应加热仅加热石墨，使基片保持与石墨同一温度。红外辐射加热是近年来发展起来的一种加热方法，采用聚焦加热可以进一步强化热效应，使基片或托架局部迅速加热升温。激光加热是一种非常有特色的加热方法，其特点是保持在基片上微小局部使温度迅速升高，通过移动光束斑来实现连续扫描加热的目的.3. 气气体控制系统统在CVD反应体系中使用多种气体，如原料气、氧化剂、还原剂、载气等，为了制备优质薄膜、各种气体的配比应予以精确控制。目前
43、使用的监控元件主要由质量流量计和针形阀。4. 排气处气处理系统统CVD反应气体大多有毒性或强烈的腐蚀性，因此需要经过处理后才可以排放。通常采用冷吸收，或通过临水水洗后，经过中和和反应后排放处理。随着全球环境恶化和环境保护的要求，排气处理系统在先进CVD设备中已成为一个非常重要的组成部分。除上述所介绍的组成部分外，还可根据不同的反应类型和不同沉积物来设计沉积反应室的内部结构，在有些装置中还需增加激励能源控制部件，如在等离子体增强型或其它能源激活型的装置中，就有这样的装置存在。下面具体介绍一些反应的生产装置。(1) 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置图4.9是一些常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置示意图。
44、图4.9(a)是最简单的卧式反应器；图4.9(b)是立式反应器；图4.9(c)是桶式反应器。三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。由图4.9装置的变化也可以看出逐步增加每次操作的产量，（a）装置34片衬底， (b)的装置中可以放618 片/次。(c)的装置可以放置2430片/次。但是这样的变化远远满足不了集成电路迅速发展的需要。图4-9 (a) 卧式反应器 图4-9 (b)立式反应器 图4-9 (c) 桶式反应器 (2) 热壁LPCVD装置图4.10所示的热壁LPCVD装置及相
45、应工艺的出现，在20世纪70年代末被誉为集成电路制造工艺中的一项重大突破性进展。LPCVD反应器本身是以退火后的石英所构成，环绕石英制炉管外围的是一组用来对炉管进行加热的装置，因为分为三个部分，所以称为“三区加热器”。气体通常从炉管的前端，与距离炉门不远处，送入炉管内（当然也有其他不同的设计方法）。被沉积的基片，则置于同样以适应所制成的晶舟上，并随着晶舟，放入炉管的适当位置，以便进行沉积。沉积反应所剩下的废气，则经由真空系统而从CVD设备里被排出。图 4.10 热壁LPCVD装置示意图 图4.10示的LPCVD采用直立插片增加了硅片容量。由于通常只要求在硅片上单面沉积薄膜，所以每一格可以背靠背
46、地安插两片硅片。如果每格的片间距为5mm，那么在600mm长的反应区就能放置200片。低压下沉积气体分子的平均自由径比常压下大得多，相应的分子扩散的速率也大得多。由于气体分子输送过程大大加快，虽然气流方向与硅片垂直，反应的气体分子仍能迅速扩散到硅片表面儿得到均匀的沉积层。在现代化的大规模集成电路工艺里。以热壁LPCVD进行沉积的材料、主要有多晶硅、二氧化硅及氮化硅等。工艺所控制的温度，大约在400850左右。压力则在数个Torr到0.1Torr之间。因为这种CVD的整个反应室都在反应温度下，因此管壁也会有对等的沉积，所以炉管必须定期加以清洗。(3) 等离子体增强CVD装置等离子体增强CVD装置
47、通过等离子增强使CVD技术的沉积温度下降几百度，甚至有时可以在室温的衬底上得到CVD薄膜。图4.11显示了几种(PECVD)装置。图 4.11几种等离子体化学气相沉积（PECVD） 图4.11(a)是一种最简单的电感耦合产生等离子的PECVD装置，可以在实验室中使用 。图4.11(b)是一种平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上，压 强 通 常 保 持 在133Pa左右，射频电压加在上下平行板之间，于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体 。图 4.11几种等离子体化学气相沉积（PECVD） 图 4.11(c)是一种扩散炉内放置若干平行板、由电容式放电产生等等离子
48、体的PECVD装置。它的设计主要是为了配合工厂生产的需要，增加炉产量。在PECVD工艺中，由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持350在左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。 图 4.11几种等离子体化学气相沉积（PECVD） 为了降低反应所需要的温度，以达到降低工艺热预算的目的，PECVD在CVD工艺里所占的分量，已逐渐成为主要的薄膜沉积手段之一.现在在大规模集成电路工艺上所用的PECVD反应器，大都也是采用每次只处理一片基片的“单一基片式
49、”的设计，以确保基片表面沉积的均匀性得以控制在理想的范围之内。(4) MOCVD装置一般而言MOCVD设备由四部分组成，及反应室、气体管道系统、尾气处理和电气控制系统。该设备一般采用一炉多片的生长模式，常用的MOCVD系统分为两类；立式与卧式：在常规的立式设备中样品是水平放置的，并且可以旋转，反应气体由生长室的顶部垂直于样品进入生长室；在常规的卧式设备中，反应气体则平行于样品表面能进入生长室，垂直于样品方向没有气体进入。图4.12 MOCVD装置（竖式反应室） MOCVD设备的进一步改进主要有三个方面：获得大面积和高均匀性的薄膜材料；尽量减少管道系统的死角和缩短气体通断的间隔时间，以生长超薄层
50、和超晶格结构材料；把MOCVD设备设计成具有多用性、灵活性和操作可变性的设备，以适应多方面的要求。(5) 履带式常压CVD装置为了适应集成电路的规模化生产，同时利用硅烷（SiH4）、磷烷（PH3）和氧在400时会很快反应生成磷硅玻璃(SiO2xP2O5复合物)，就设计了如图4.13所示的履带式装置，衬底硅片放在保持400的履带上，经过气流下方时就被一层CVD薄膜所覆盖。用这一装置也可以生长低温氧化硅薄膜等。图4.13 履带式常压CVD装置 (6) 模块式多室CVD装置制造集成电路的硅片上往往需要沉积多层薄膜，例如沉积Si3N4和SiO2两层膜或沉积TiN和金属钨薄膜。以往的装置一般为单式批量，
