1、光电式传感器通常由辐射源、光学通路、光电器件组成光电式传感器通常由辐射源、光学通路、光电器件组成.图中图中 X1 表示被测量能直接引起光量变化的检测方式；表示被测量能直接引起光量变化的检测方式；X2 表示被测量在光传播过程中调制光量的检测方式。表示被测量在光传播过程中调制光量的检测方式。外光电效应外光电效应 光电发射效应（光电管，光电倍增管）光电发射效应（光电管，光电倍增管）内光电效应内光电效应 光电导效应（光敏电阻）光电导效应（光敏电阻）光生伏特效应（光电池、光敏二极管、光生伏特效应（光电池、光敏二极管、光敏三极管等）光敏三极管等）光照射到物体上使物体发射电子，或电导率光照射到物体上使物体发
2、射电子，或电导率发生变化，或产生光生电动势等等，这些因光照发生变化，或产生光生电动势等等，这些因光照引起物体电学特性改变的现象称为光电效应。引起物体电学特性改变的现象称为光电效应。为了提高光敏电阻的灵敏度，为了提高光敏电阻的灵敏度，应尽量减小电极间的距离。应尽量减小电极间的距离。对于面积较大的光敏电阻，对于面积较大的光敏电阻，通常采用光敏电阻薄膜上蒸通常采用光敏电阻薄膜上蒸镀金属形成梳状电极。镀金属形成梳状电极。半导体光电材料的光谱特性半导体光电材料的光谱特性a）光敏电阻的光谱特性光敏电阻的光谱特性 b）光敏管和光电池的光谱特性光敏管和光电池的光谱特性 半导体光电器件的光照特性半导体光电器件的
3、光照特性a）硒光敏电阻的光电特性硒光敏电阻的光电特性 b）光敏晶体管的光电特性光敏晶体管的光电特性 c）硅光电硅光电池的光电特性池的光电特性 半导体光电器件的伏安特性半导体光电器件的伏安特性a）光敏电阻的伏安特性光敏电阻的伏安特性 b）锗光敏晶体锗光敏晶体管的伏安特性管的伏安特性 c）硅光电池的伏安特性硅光电池的伏安特性 半导体光电器件的频率特性半导体光电器件的频率特性a）光敏电阻和光电池的频率特性光敏电阻和光电池的频率特性b）光敏晶体管的频率特性光敏晶体管的频率特性 半导体光电器件的温度特性半导体光电器件的温度特性a）锗光敏晶体管的温度特性锗光敏晶体管的温度特性 b）硅光电池的温度特性硅光电池的温度特性常用光电器件的应用常用光电器件的应用光电耦合器光电耦合器高压打火确认电路光电转速计反射式固体表面粗糙度计透射式薄膜厚度计红外遥控器
