1、半导体物理学半导体物理学考试时间：考试时间：1月月30日日下午下午14:00-16:00考试题型 1、填空：6分 2、名词解释：15分 3、简答：24分 4、画图：10分 5、推导：20分 6、计算：25分第一章第一章 1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论。3.推导与计算推导与计算1.1.对导（价）带分为无限多无限小的能量间隔的情况有：对导（价）带分为无限多无限小的能量间隔的情况有：E(E(E+dEE+dE)2.2.量子态数：量子态数：dZdZ=g gc c(E)(E)dEdE3.3.载流子占据能量为载流子占据
2、能量为E E的量子态的概率的量子态的概率f(E)f(E)4.4.在能量在能量E(E(E+dEE+dE)间有载流子数：间有载流子数：f(E)f(E)g gc c(E)(E)dEdE5.5.把所有能量区间中的载流子数相加，即从导（价）带底（顶）到把所有能量区间中的载流子数相加，即从导（价）带底（顶）到导（价）带顶（底）对导（价）带顶（底）对f(E)f(E)g gc c(E)(E)dEdE进行进行，得到半导体中导，得到半导体中导（价）带的载流子总数（价）带的载流子总数6.6.载流子总数载流子总数/半导体体积半导体体积=载流子浓度载流子浓度TkEENTkEENnCFcFCc000expexp32/30
3、*)2(2hTkmNnc)exp(22030*023TkEEhTkmpFVp)exp(00TkEENpFVV30*2322hTkmNpV第四章第四章1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论3.推导与计算推导与计算EnqJEvdnqEpqnqJJJpnpn)(pnpqnq)(pniipnqnpqnq第五章第五章 1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论2.基本理论基本理论3.推导与计算推导与计算2000expivcvcnTkEENNpnTkEENnFnCc00exp)exp(00TkEENpVFpVTkEEnTkEEnTkEENniFniFFnFnCc00000expexpexpTkEEnTkE
4、EpTkEENpFpiiFpFVFpV00000expexpexpTkEEnTkEEpnpnFpFniFpFn02000expexp3.推导与计算推导与计算qTkDnn0qTkDpp0 nnxqnJ0漂 dxxdnqDJnn0扩0扩漂nnnJJJ dxxdnDxnnn00 TkExqVENxncFc00exp dxxdVTkqxndxxdn00000()()pnpnk Tk Td pd nJJJqp Eqn EqdxqdxppppgpxEpxpExpDtp22nnnngnxEnxnExnDtn22第六章第六章 1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论3.推导与计算推导与计算FpFnDEEqV2
5、0ln)(1iADFpFnDnNNqTkEEqV TkqVnnDnp000expTkqVppDnp000expTkqVxqVnTkxEEnxnDncnn0000)(exp)(exp)(TkxqVqVpxpDn00)(exp)(3.推导与计算推导与计算D0000000()expexp,()()exp1nnnpnnnnnnqVqVqVpxppk Tk TqVpxpxppk T2020nnnppdpppDdx 0expexpnnnPppppxxpxpxpABLDLL，=000,()expnnnnnnxppqVxxpxpk T ：边边界界条条件件 000exp1 expnnnnpxxqVpxppk T
6、L00()()(1)npnpnqVpnk TpdpxJxqDxxdxqD peL 0022()()()()()(1)(1)npppnppnqVpik TniADqVk TsJJxJxJxJxqD nqD neNNJ e第七章第七章 1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论图图7-5 7-5 金属与金属与n n型半导体接触能带图型半导体接触能带图第八章第八章 1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论 外场作用下半导体表面状态的分析（能带图）；外场作用下半导体表面状态的分析（能带图）；MISMIS结结构的构的C-VC-V特性。特性。1.00.80.60.40.2ABCDEFC0CFBCminCminVmin1低频低频C02高频高频GH00+VC/C0第九章第九章 1.基本概念基本概念2.基本理论基本理论
