1、集成电路设计与制造的主要流程框架集成电路设计与制造的主要流程框架设计设计芯片检测芯片检测单晶、外单晶、外延材料延材料掩膜版掩膜版芯片制芯片制造过程造过程封装封装测试测试 系统需求系统需求 集成电路的设计过程：集成电路的设计过程：设计创意设计创意 +仿真验证仿真验证集成电路芯片设计过程框架集成电路芯片设计过程框架From 吉利久教授吉利久教授是是功能要求功能要求行为设计（行为设计（VHDL）行为仿真行为仿真综合、优化综合、优化网表网表时序仿真时序仿真布局布线布局布线版图版图后仿真后仿真否否是是否否否否是是Sing off设计业设计业制造业制造业芯片制造过程芯片制造过程由氧化、淀积、离子注入或蒸由
2、氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层发形成新的薄膜或膜层曝曝 光光刻刻 蚀蚀硅片硅片测试和封装测试和封装用掩膜版用掩膜版重复重复20-30次次Vsspoly 栅Vdd布线通道参考孔有源区N+P+50 m100 m头发丝粗细头发丝粗细 30 m1 m 1 m(晶体管的大小晶体管的大小)3050 m(皮肤细胞的大小皮肤细胞的大小)90年代生产的集成电路中晶体管大小与人年代生产的集成电路中晶体管大小与人类头发丝粗细、皮肤细胞大小的比较类头发丝粗细、皮肤细胞大小的比较N沟道沟道MOS晶体管晶体管CMOS集成电路集成电路(互补型互补型MOS集成电路集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占
3、目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的集成电路总数的95%以上。以上。集成电路制造工艺集成电路制造工艺图形转换：图形转换：将设计在掩膜版将设计在掩膜版(类似于照类似于照相底片相底片)上的图形转移到半导体单晶片上上的图形转移到半导体单晶片上掺杂：掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等制膜：制膜：制作各种材料的薄膜制作各种材料的薄膜图形转换：光刻图形转换：光刻光刻三要素：光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机光刻胶、掩膜版和光刻机?光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、光刻胶又叫光致抗蚀剂，它
4、是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体?光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变液中的溶解特性改变正胶：正胶：分辨率高，在超大规模集成电路分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶工艺中，一般只采用正胶负胶：负胶：分辨率差，适于加工线宽分辨率差，适于加工线宽3 m的的线条线条正胶：曝光正胶：曝光后可溶后可溶负胶：曝光负胶：曝光后不可溶后不可溶图形转换：光刻图形转换：光刻几种常见的光刻方法几种常见的光刻方法
5、?接触式光刻：接触式光刻：分辨率较高，但是容易造分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。成掩膜版和光刻胶膜的损伤。?接近式曝光：接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙个很小的间隙(1025 m)，可以大大减，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低小掩膜版的损伤，分辨率较低?投影式曝光：投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式目前用的最多的曝光方式三种光刻方式三种光刻方式图形转换：光刻图形转换：光刻超细线条光刻技术超细线条光刻技术?甚远紫外线甚远紫外线(E
6、UV)(EUV)?电子束光刻电子束光刻?X X射线射线?离子束光刻离子束光刻图形转换：刻蚀技术图形转换：刻蚀技术湿法刻蚀：湿法刻蚀：利用液态化学试剂或利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法溶液通过化学反应进行刻蚀的方法干法刻蚀：干法刻蚀：主要指利用低压放电主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原处于激发态的分子、原子及各种原子基团等子基团等)与材料发生化学反应或通与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的图形转换：刻蚀技术图形转换：刻蚀技术湿法腐蚀：湿法腐蚀：?湿法化学刻
7、蚀在半导体工艺中有着广泛湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀?优点是选择性好、重复性好、生产效率优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低高、设备简单、成本低?缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差干法刻蚀干法刻蚀溅射与离子束铣蚀：溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差等离子刻蚀等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实
8、现刻游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差反应离子刻蚀反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为，简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，择性好的优点。目前，RIE已成为已成为VLSI工艺工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术中应用最广泛的主流刻蚀技术杂质掺杂杂质掺杂掺杂：掺杂：将
9、需要的杂质掺入特定的将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成体电学性质，形成PN结、电阻、结、电阻、欧姆接触欧姆接触?磷磷(P)、砷、砷(As)N型硅型硅?硼硼(B)P型硅型硅掺杂工艺：掺杂工艺：扩散、离子注入扩散、离子注入扩扩 散散替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位：替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位：?、族元素族元素?一般要在很高的温度一般要在很高的温度(9501280)下进行下进行?磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂
10、质扩散的掩蔽层化层作为杂质扩散的掩蔽层间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙：间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙：?Na、K、Fe、Cu、Au 等元素等元素?扩散系数要比替位式扩散大扩散系数要比替位式扩散大67个数量级个数量级杂质横向扩散示意图杂质横向扩散示意图固态源扩散：如固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等等利用液态源进行扩散的装置示意图利用液态源进行扩散的装置示意图离子注入离子注入离子注入：将具有很高能量的杂质离子射离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂
11、浓度由注入杂质离子的数目度由注入杂质离子的数目(剂量剂量)决定决定?掺杂的均匀性好掺杂的均匀性好?温度低：小于温度低：小于600?可以精确控制杂质分布可以精确控制杂质分布?可以注入各种各样的元素可以注入各种各样的元素?横向扩展比扩散要小得多。横向扩展比扩散要小得多。?可以对化合物半导体进行掺杂可以对化合物半导体进行掺杂离子注入系统的原理示意图离子注入系统的原理示意图离子注入到无定形靶中的高斯分布情况离子注入到无定形靶中的高斯分布情况退退 火火退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称
12、为退火程都可以称为退火?激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用子，起到杂质的作用?消除损伤消除损伤退火方式：退火方式：?炉退火炉退火?快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等灯、石墨加热器、红外设备等)氧化工艺氧化工艺氧化：制备氧化：制备SiO2层层SiO2的性质及其作用的性质及其作用SiO2是一种十分理想的电绝缘材是一种十分
13、理想的电绝缘材料，它的化学性质非常稳定，室料，它的化学性质非常稳定，室温下它只与氢氟酸发生化学反应温下它只与氢氟酸发生化学反应氧化硅层的主要作用氧化硅层的主要作用在在MOS电路中作为电路中作为MOS器件的绝缘器件的绝缘栅介质，器件的组成部分栅介质，器件的组成部分扩散时的掩蔽层，离子注入的扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时有时与光刻胶、与光刻胶、Si3N4层一起使用层一起使用)阻挡层阻挡层作为集成电路的隔离介质材料作为集成电路的隔离介质材料作为电容器的绝缘介质材料作为电容器的绝缘介质材料作为多层金属互连层之间的介质材料作为多层金属互连层之间的介质材料作为对器件和电路进行钝化的钝化层作为对器件和电路
14、进行钝化的钝化层材料材料SiO2的制备方法的制备方法热氧化法热氧化法?干氧氧化干氧氧化?水蒸汽氧化水蒸汽氧化?湿氧氧化湿氧氧化?干氧湿氧干氧干氧湿氧干氧(简称干湿干简称干湿干)氧化法氧化法?氢氧合成氧化氢氧合成氧化化学气相淀积法化学气相淀积法热分解淀积法热分解淀积法溅射法溅射法进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图化学汽相淀积化学汽相淀积(CVD)化学汽相淀积化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition)：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程薄膜材料的过程CVD技术特点：技术特点：?具有淀积温度
15、低、薄膜成分和厚度易于控具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点用范围广、设备简单等一系列优点?CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼钨、钼)等等化学汽相淀积化学汽相淀积(CVD)常压化学汽相淀积常压化学汽相淀积(APCVD)低压化学汽相淀积低压化学汽相淀积(LPCVD)等离子增强化学汽相淀积等离子增强化学汽相淀积(PEC
16、VD)APCVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图 LPCVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图平行板型平行板型PECVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图化学汽相淀积化学汽相淀积(CVD)单晶硅的化学汽相淀积单晶硅的化学汽相淀积(外延外延)：一般地，一般地，将在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做将在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片二氧化硅的化学汽相淀积：二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属可以作为金属化时的介质层，而且还可以作为离子注入化时的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或扩散的掩
17、蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源或砷的氧化物用作扩散源?低温低温CVD氧化层：低于氧化层：低于500?中等温度淀积：中等温度淀积：500800?高温淀积：高温淀积：900左右左右化学汽相淀积化学汽相淀积(CVD)多晶硅的化学汽相淀积：多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代利用多晶硅替代金属铝作为金属铝作为MOS器件的栅极是器件的栅极是MOS集成集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使对
18、准离子注入，使MOS集成电路的集成度集成电路的集成度得到很大提高。得到很大提高。氮化硅的化学汽相淀积：氮化硅的化学汽相淀积：中等温度中等温度(780820)的的LPCVD或低温或低温(300)PECVD方方法淀积法淀积物理气相淀积物理气相淀积(PVD)蒸发：蒸发：在真空系统中，金属原子获得在真空系统中，金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。按照能量来源的不同，有灯丝加热蒸按照能量来源的不同，有灯丝加热蒸发和电子束蒸发两种发和电子束蒸发两种溅射：溅射：真空系统中充入惰性气体，在真空系统中充入惰性
19、气体，在高压电场作用下，气体放电形成的离高压电场作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上原子逸出并被溅射到晶片上蒸蒸发发原原理理图图集成电路工艺集成电路工艺图形转换：图形转换：?光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻子束光刻?刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀掺杂：掺杂：?离子注入离子注入 退火退火?扩散扩散制膜：制膜：?氧化：干氧氧化、湿氧氧化等氧化：干氧氧化、湿氧氧化等?CVD：APCVD、LPCVD、PECVD?PVD：蒸发、溅射：蒸发、溅射作作 业业集成电
20、路工艺主要分为哪集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要工艺，并简述各工艺的主要作用主要作用简述光刻的工艺过程简述光刻的工艺过程CMOS集成电路集成电路制造工艺制造工艺形成形成N阱阱?初始氧化初始氧化?淀积氮化硅层淀积氮化硅层?光刻光刻1版，定义出版，定义出N阱阱?反应离子刻蚀氮化硅层反应离子刻蚀氮化硅层?N阱离子注入，注磷阱离子注入，注磷形成形成P阱阱?去掉光刻胶去掉光刻胶?在在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化层保护而不会被氧化?去掉氮化硅层去掉氮化硅层?P阱离子注入，注硼阱离子
21、注入，注硼推阱推阱?退火驱入退火驱入?去掉去掉N阱区的氧化层阱区的氧化层形成场隔离区形成场隔离区?生长一层薄氧化层生长一层薄氧化层?淀积一层氮化硅淀积一层氮化硅?光刻场隔离区，非隔离光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来区被光刻胶保护起来?反应离子刻蚀氮化硅反应离子刻蚀氮化硅?场区离子注入场区离子注入?热生长厚的场氧化层热生长厚的场氧化层?去掉氮化硅层去掉氮化硅层形成多晶硅栅形成多晶硅栅?生长栅氧化层生长栅氧化层?淀积多晶硅淀积多晶硅?光刻多晶硅栅光刻多晶硅栅?刻蚀多晶硅栅刻蚀多晶硅栅形成硅化物形成硅化物?淀积氧化层淀积氧化层?反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化
22、层?淀积难熔金属淀积难熔金属Ti或或Co等等?低温退火，形成低温退火，形成C-47相的相的TiSi2或或CoSi?去掉氧化层上的没有发生化学反应的去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或或Co?高温退火，形成低阻稳定的高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或或CoSi2形成形成N管源漏区管源漏区?光刻，利用光刻胶将光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来区保护起来?离子注入磷或砷，形成离子注入磷或砷，形成N管源漏区管源漏区形成形成P管源漏区管源漏区?光刻，利用光刻胶将光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来区保护起来?离子注入硼，形成离子注入硼，形成P管源漏区管源漏区形成接触孔形成接触孔?化学气相淀积磷硅玻
23、璃层化学气相淀积磷硅玻璃层?退火和致密退火和致密?光刻接触孔版光刻接触孔版?反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔形成第一层金属形成第一层金属?淀积金属钨淀积金属钨(W)，形成钨塞，形成钨塞形成第一层金属形成第一层金属?淀积金属层，如淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等合金等?光刻第一层金属版，定义出连线图形光刻第一层金属版，定义出连线图形?反应离子刻蚀金属层，形成互连图形反应离子刻蚀金属层，形成互连图形形成穿通接触孔形成穿通接触孔?化学气相淀积化学气相淀积PETEOS?通过化学机械抛光进行平坦化通过化学机械抛光进行平坦化?光刻穿通接触孔版光刻穿通接触孔版
24、?反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔形成第二层金属形成第二层金属?淀积金属层，如淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等合金等?光刻第二层金属版，定义出连线图形光刻第二层金属版，定义出连线图形?反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形合金合金 形成钝化层形成钝化层?在低温条件下在低温条件下(小于小于300)淀积氮化硅淀积氮化硅?光刻钝化版光刻钝化版?刻蚀氮化硅，形成钝化图形刻蚀氮化硅，形成钝化图形测试、封装，完成集成电路的制造工艺测试、封装，完成集成电路的制造工艺CMOS集成电路一般采用集成电路一般采用(100)晶向的硅
25、材料晶向的硅材料AA双极集成电路双极集成电路制造工艺制造工艺制作埋层制作埋层?初始氧化，热生长厚度约为初始氧化，热生长厚度约为5001000nm的氧化层的氧化层?光刻光刻1#版版(埋层版埋层版)，利用反应离子刻蚀技术将光刻窗，利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉，并去掉光刻胶口中的氧化层刻蚀掉，并去掉光刻胶?进行大剂量进行大剂量As+注入并退火，形成注入并退火，形成n+埋层埋层双极集成电路工艺双极集成电路工艺生长生长n型外延层型外延层?利用利用HF腐蚀掉硅片表面的氧化层腐蚀掉硅片表面的氧化层?将硅片放入外延炉中进行外延，外延层的厚度和掺杂将硅片放入外延炉中进行外延，外延层的厚度和掺杂
26、浓度一般由器件的用途决定浓度一般由器件的用途决定形成横向氧化物隔离区形成横向氧化物隔离区?热生长一层薄氧化层，厚度约热生长一层薄氧化层，厚度约50nm?淀积一层氮化硅，厚度约淀积一层氮化硅，厚度约100nm?光刻光刻2#版版(场区隔离版场区隔离版形成横向氧化物隔离区形成横向氧化物隔离区?利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氮化利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氮化硅层硅层-氧化层以及一半的外延硅层刻蚀掉氧化层以及一半的外延硅层刻蚀掉?进行硼离子注入进行硼离子注入形成横向氧化物隔离区形成横向氧化物隔离区?去掉光刻胶，把硅片放入氧化炉氧化，形成去掉光刻胶，把硅片放入氧化炉氧化，形成厚的场氧化层隔离区
27、厚的场氧化层隔离区?去掉氮化硅层去掉氮化硅层形成基区形成基区?光刻光刻3#版版(基区版基区版)，利用光刻胶将收集区遮，利用光刻胶将收集区遮挡住，暴露出基区挡住，暴露出基区?基区离子注入硼基区离子注入硼形成接触孔：形成接触孔：?光刻光刻4#版版(基区接触孔版基区接触孔版)?进行大剂量硼离子注入进行大剂量硼离子注入?刻蚀掉接触孔中的氧化层刻蚀掉接触孔中的氧化层形成发射区形成发射区?光刻光刻5#版版(发射区版发射区版)，利用光刻胶将基极接触，利用光刻胶将基极接触孔保护起来，暴露出发射极和集电极接触孔孔保护起来，暴露出发射极和集电极接触孔?进行低能量、高剂量的砷离子注入，形成发射进行低能量、高剂量的砷
28、离子注入，形成发射区和集电区区和集电区金属化金属化?淀积金属，一般是铝或淀积金属，一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等合金等?光刻光刻6#版版(连线版连线版)，形成金属互连线，形成金属互连线合金：合金：使使Al与接触孔中的硅形成良好的欧与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触，一般是在姆接触，一般是在450、N2-H2气氛下处气氛下处理理2030分钟分钟形成钝化层形成钝化层?在低温条件下在低温条件下(小于小于300)淀积氮化硅淀积氮化硅?光刻光刻7#版版(钝化版钝化版)?刻蚀氮化硅，形成钝化图形刻蚀氮化硅，形成钝化图形隔离技术隔离技术PN结隔离结隔离场区隔离场区隔离绝缘介质隔离绝缘介质隔离沟槽隔离沟
29、槽隔离PN结隔离工艺结隔离工艺绝缘绝缘介质介质隔离隔离工艺工艺LOCOS隔离工艺隔离工艺LOCOS隔离工艺隔离工艺沟槽隔离工艺沟槽隔离工艺接触与互连接触与互连Al是目前集成电路工艺中最常用的金是目前集成电路工艺中最常用的金属互连材料属互连材料,但但Al连线也存在一些比较连线也存在一些比较严重的问题严重的问题?电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等Cu连线工艺有望从根本上解决该问题连线工艺有望从根本上解决该问题?IBM、Motorola等已经开发成功等已经开发成功目前，互连线已经占到芯片总面积的目前，互连线已经占到芯片总面积的7080%；且连线的宽度越来越窄，；且连
30、线的宽度越来越窄，电流密度迅速增加电流密度迅速增加几个概念几个概念?场区场区?有源区有源区栅结构材料栅结构材料?Al-二氧化硅结构二氧化硅结构?多晶硅多晶硅-二氧化硅结构二氧化硅结构?难熔金属硅化物难熔金属硅化物/多晶硅多晶硅-二氧化硅结构二氧化硅结构Salicide工艺工艺?淀积多晶硅、刻淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧蚀并形成侧壁氧化层；化层；?淀积淀积Ti或或Co等难等难熔金属熔金属?RTP并选择腐蚀并选择腐蚀侧壁氧化层上的侧壁氧化层上的金属；金属；?最后形成最后形成Salicide结构结构集集成成电电路路封封装装工工艺艺流流程程各种封各种封装类型装类型示意图示意图 集成电路工艺小结集成电路
31、工艺小结前工序前工序?图形转换技术：主要包括光刻、图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术刻蚀等技术?薄膜制备技术：主要包括外延、薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相氧化、化学气相淀积、物理气相淀积淀积(如溅射、蒸发如溅射、蒸发)等等?掺杂技术：主要包括扩散和离子掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术注入等技术 集成电路工艺小结集成电路工艺小结后工序后工序?划片划片?封装封装?测试测试?老化老化?筛选筛选 集成电路工艺小结集成电路工艺小结辅助工序辅助工序?超净厂房技术超净厂房技术?超纯水、高纯气体制备技术超纯水、高纯气体制备技术?光刻掩膜版制备技术光刻掩膜版制备技术?材料准备技术材料准备技术作作 业业设计制备设计制备NMOSFET的的工艺，并画出流程图工艺，并画出流程图写一篇对本课程感想的写一篇对本课程感想的小论文小论文
