1、2022-8-5第二节第二节 结型场效应管的结构和工作原理结型场效应管的结构和工作原理第三节第三节 绝缘栅场效应管的结构和工作原理绝缘栅场效应管的结构和工作原理第四节第四节 场效应管放大电路场效应管放大电路第一节第一节 场效应管概述场效应管概述2022-8-5作业 3-1 3-4 3-6 3-122022-8-5 场效应管出现的历史背景场效应管出现的历史背景 场效应管的用途场效应管的用途 场效应管的学习方法场效应管的学习方法 场效应管的分类第一节 场效应管概述场效应管概述2022-8-5场效应管出现的历史背景场效应管出现的历史背景 1947年贝尔实验室的科学家发明的双极型三极年贝尔实验室的科学
2、家发明的双极型三极管代替了真空管，解决了当时电话信号传输中管代替了真空管，解决了当时电话信号传输中的放大问题。但是这种放大电路的输入电阻还的放大问题。但是这种放大电路的输入电阻还不够大，性能还不够好。因此，贝尔实验室的不够大，性能还不够好。因此，贝尔实验室的科学家继续研究新型的三极管，在科学家继续研究新型的三极管，在1960年发明年发明了场效应管。场效应管的输入电阻比双极型三了场效应管。场效应管的输入电阻比双极型三极管要大得多极管要大得多,场效应管的工作原理与双极型三场效应管的工作原理与双极型三极管不同。极管不同。2022-8-5场效应管的用途场效应管的用途 场效应管又叫做单极型三极管，共有三
3、种用途：场效应管又叫做单极型三极管，共有三种用途：v一是当作电压控制器件用来组成放大电路；一是当作电压控制器件用来组成放大电路；v二是在数字电路中用做开关元件。二是在数字电路中用做开关元件。v三是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用；三是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用；双极型三极管只有两种用途：双极型三极管只有两种用途：一是当作电流控制器件用来组成放大电路；一是当作电流控制器件用来组成放大电路；二是在数字电路中用做开关元件。二是在数字电路中用做开关元件。2022-8-5场效应管的学习方法场效应管的学习方法 学习中不要把场效应管与双极型三极管割裂学习中不要把场效应管与双极型三极管割裂开来，
4、应注意比较它们的相同点和不同点。开来，应注意比较它们的相同点和不同点。场效应管的栅极、漏极、源极分别与双极型场效应管的栅极、漏极、源极分别与双极型三极管的基极、集电极、发射极对应。三极管的基极、集电极、发射极对应。场效应管与双极型三极管的工作原理不同场效应管与双极型三极管的工作原理不同,但但作用基本相同。作用基本相同。场效应管还可以当作非线性电阻来使用场效应管还可以当作非线性电阻来使用,而双而双极型三极管不能。极型三极管不能。2022-8-5N沟道沟道P沟道沟道增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道场效应管场效应管FET结型结型JFETIGFET(MOSFET)绝缘栅
5、型绝缘栅型场效应管的分类一、结型场效应管的结构一、结型场效应管的结构二、结型场效应管的工作原理二、结型场效应管的工作原理三、结型场效应管的特性曲线三、结型场效应管的特性曲线及参数及参数第二节 结型场效应管结型场效应管(JFET)(JFET)的的结构和工作原理结构和工作原理一、结型一、结型场效应管（场效应管（JFET)JFET)结构结构P+P+NGSD导电沟道导电沟道N+N+PGSDN沟道沟道JFETJFETP沟道沟道JFETJFET栅极栅极漏极漏极源极源极2022-8-5二、结型二、结型场效应管（场效应管（JFET)JFET)的工作原理的工作原理参考方向做如下约定参考方向做如下约定:2022-
6、8-5（1）电压源）电压源UGS和电压源和电压源UDS都不起作用，电压值均为都不起作用，电压值均为0；（2）只有电压源）只有电压源UGS起作用，电压源起作用，电压源UDS的电压值为的电压值为0；（3）只有电压源）只有电压源UDS起作用，电压源起作用，电压源UGS的电压值为的电压值为0；（4）电压源）电压源UGS和电压源和电压源UDS同时起作用。同时起作用。在给出各种情况下的结型场效应管的工作状态时，在给出各种情况下的结型场效应管的工作状态时，同时画出对应的输出特性曲线。同时画出对应的输出特性曲线。特别注意特别注意:电压参考方向和电流参考方向的约定方法。电压参考方向和电流参考方向的约定方法。参考
7、方向可以任意约定参考方向可以任意约定,不同的约定方法得到不同样式不同的约定方法得到不同样式的特性曲线的特性曲线.书上的特性曲线是按前面的方法来约定参书上的特性曲线是按前面的方法来约定参考方向的。考方向的。按照如下的思路来讲解：按照如下的思路来讲解：2022-8-5（1）UDS=0伏、伏、UGS=0伏时伏时JFET的工作状态的工作状态导电沟道从漏极到源极平行等宽。导电沟道从漏极到源极平行等宽。最宽最宽这时导电沟道的电阻记为这时导电沟道的电阻记为R1。2022-8-5（2）在在UDS=0伏的前提下：伏的前提下：UGS 从从0伏逐渐增加过程中，伏逐渐增加过程中，JFET的工作状态的工作状态（2.1）
8、UDS=0伏：伏：UGS逐渐增加逐渐增加UGS=-1伏伏 此时导电沟道从漏极到此时导电沟道从漏极到源极平行等宽源极平行等宽这时的导电沟道的电阻这时的导电沟道的电阻用用R2表示。表示。R2要大于要大于R1UGS给给PN结施加的是结施加的是一个反偏电压一个反偏电压2022-8-5（2.2)UDS=0伏伏:UGS逐渐增加至逐渐增加至UGS=Up（夹断电（夹断电压）压）当当UGS逐渐增加至逐渐增加至UGS=Up 时时（不妨取（不妨取Up=-3伏），由伏），由UGS产生的产生的PN结左右相接，使导电沟道完全被结左右相接，使导电沟道完全被夹断。这时的结型场效应管处于截夹断。这时的结型场效应管处于截止状态。
9、止状态。Up是结型场效应管的一个参数，称是结型场效应管的一个参数，称为夹断电压。为夹断电压。2022-8-5（2.3）UDS=0伏伏:UGS继续增加，结型场效应管进继续增加，结型场效应管进入击穿状态入击穿状态 UGS 增加使增加使PN结上的反偏电压超过结上的反偏电压超过U（BR）DS时，时，结型场效应管将进入击穿状态。结型场效应管将进入击穿状态。2022-8-5（3 3）在在UGS=0伏的前提下，分别讨论伏的前提下，分别讨论UDS 由小变大的由小变大的过程中过程中JFET的几种工作状态的几种工作状态（3.1）UGS=0伏伏:UDS的值比较小时的值比较小时 UDS给给PN结施加的是一个结施加的是
10、一个反偏电压反偏电压2022-8-5导电沟道不再是上下平行等宽，而是上窄下宽。导电沟道不再是上下平行等宽，而是上窄下宽。当当UDS 比较小时比较小时，导电沟道不会被夹断。，导电沟道不会被夹断。在导电沟道没有被夹断之前，可以近似地认为在导电沟道没有被夹断之前，可以近似地认为导电沟道的电阻均为导电沟道的电阻均为R1，此时导电沟道可以认，此时导电沟道可以认为是一个线性电阻。为是一个线性电阻。2022-8-5（3.2)UGS=0伏、伏、UDS的值增加至的值增加至Up时时 PN结在靠近漏极的一点最先相结在靠近漏极的一点最先相接，导电沟道被接，导电沟道被预夹断预夹断。对应输。对应输出特性曲线中的出特性曲线
11、中的A点。此时沟道点。此时沟道中的电流为可能的最大的电流，中的电流为可能的最大的电流，称为饱和漏极电流，记作称为饱和漏极电流，记作IDSS。2022-8-5（3.3)UGS=0伏、伏、UDS继续增加继续增加 2022-8-5当电压源当电压源UDS增加时，可以近似认为漏极电流不随增加时，可以近似认为漏极电流不随UDS的增加而增加。此时的电流仍然是的增加而增加。此时的电流仍然是IDSS，JFET管的状管的状态称为恒流状态（放大状态、饱和状态）。态称为恒流状态（放大状态、饱和状态）。此时场效应管可当作电压控制器件用来组成放大电路。此时场效应管可当作电压控制器件用来组成放大电路。2022-8-5（3.
12、4)UGS=0伏、伏、UDS继续增加至继续增加至U（BR）DS PN结上的反偏电压超过结上的反偏电压超过某值时，结型场效应管某值时，结型场效应管将进入击穿状态，如图将进入击穿状态，如图中的中的B点所示。此时的点所示。此时的UDS值为最大漏源电压，值为最大漏源电压，记为记为U（BR）DS。2022-8-5(4)在在UGS=-1伏（即伏（即UGSUp的某个值）的前提的某个值）的前提下下，当当UDS 由小变大时，由小变大时，JFET的状态的状态(4.1)UGS=-1伏、伏、UDS的值比较小时的值比较小时导电沟道不再是上下平行等宽，导电沟道不再是上下平行等宽，而是上窄下宽。近似地认为导而是上窄下宽。近
13、似地认为导电沟道的电阻均为电沟道的电阻均为R2，导电沟，导电沟道呈现线性电阻的性质。道呈现线性电阻的性质。2022-8-5(4.2)UGS=-1伏、伏、UDS的值增加至某值开始出现预夹断的值增加至某值开始出现预夹断 如图所示，当如图所示，当UDS的值增加至某值的值增加至某值（此值比（此值比Up小）时，两边的小）时，两边的PN结在靠近漏极的某点最先相接，结在靠近漏极的某点最先相接，导电沟道被预夹断导电沟道被预夹断,在此点有在此点有UGS+UDS=Up。JFET的状的状态对应输出特性曲线中的态对应输出特性曲线中的M点。点。M点对应的点对应的UDS值比值比A点对应的点对应的UD S值小，因为值小，因
14、为UD S=Up-UGSVT时时,沟道加厚沟道加厚开始时无导电沟道，当在开始时无导电沟道，当在VGS VT时才形成沟道时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型这种类型的管子称为增强型MOSMOS管管2022-8-5（3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为大于开启电压的某值（3.1）电压源VDS的值较小导电沟道在靠近源极的一边较宽，导电沟道在靠近漏极的一边导电沟道在靠近源极的一边较宽，导电沟道在靠近漏极的一边较窄，呈现楔型，此时导电沟道的电阻近似认为与平行等宽时较窄，呈现楔型，此时导电沟道的电阻近似认为与平行等宽时的一样。对应特性曲线的可变电阻区的一样。对应特性曲线的可变电阻区电压源电
15、压源VDS的作用使导电沟道有电流流通，电流的流的作用使导电沟道有电流流通，电流的流通使导电沟道从漏极到源极有电位降通使导电沟道从漏极到源极有电位降2022-8-5（3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0（3.2）电压源VDS的值增加使 VGD=VGSVDS=VT导电沟道在靠近漏极的一点刚导电沟道在靠近漏极的一点刚开始出现夹断，称为预夹断。开始出现夹断，称为预夹断。此时的漏极电流此时的漏极电流I ID D 基本饱和。基本饱和。vDS(V)iD(mA)2022-8-5（3.3）电压源VDS的值增加使 VGD=VGSVDS VT导电沟道夹断的区域向源极方向延伸，对应特性曲线的饱和区，导
16、电沟道夹断的区域向源极方向延伸，对应特性曲线的饱和区，V VDSDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，I ID D基本趋基本趋于不变。于不变。vDS(V)iD(mA)2022-8-5三、三、N N沟道沟道增强型增强型MOSMOS场效应管特性曲线场效应管特性曲线增强型增强型MOSMOS管管iD=f(vGS)vDS=C 转移特性曲线转移特性曲线iD=f(vDS)vGS=C 输出特性曲线输出特性曲线vDS(V)iD(mA)当当v vGSGS变化时，变化时，R RONON将将随之变化，因此称随之变化，因此称之为之为可变电阻区可变电阻区恒流区恒流区(饱和
17、区饱和区)：v vGSGS一定时，一定时，i iD D基本基本不随不随v vDSDS变化而变化。变化而变化。vGS/VDTGSDTGSTGSDDiVvIVvVvIi时的是2)()1(0202022-8-5三、三、耗尽型耗尽型MOS场效应管场效应管 一一 N N沟道沟道耗尽耗尽型型MOSMOS场效应管结构场效应管结构 二二 N N沟道沟道耗尽耗尽型型MOSMOS的工作原理的工作原理 三三 N N沟道沟道耗尽耗尽型型MOSMOS场效应管特性曲线场效应管特性曲线2022-8-5一、一、N N沟道沟道耗尽型耗尽型MOSMOS场效应管结构场效应管结构2022-8-5P沟道沟道耗尽型耗尽型MOS场效应管结
18、构场效应管结构2022-8-5二、二、N N沟道沟道耗尽型耗尽型MOSMOS场效应管工作原理场效应管工作原理 当当VGS=0时，时，VDS加正向电压，产加正向电压，产生漏极电流生漏极电流iD,此时的漏极电流称为此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用漏极饱和电流，用IDSS表示。表示。当当VGS0时时,将使将使iD进一步增加。进一步增加。当当VGS0时，随着时，随着VGS的减小漏的减小漏极电流逐渐减小，直至极电流逐渐减小，直至iD=0，对应，对应iD=0的的VGS称为夹断电压，用符号称为夹断电压，用符号VP表示。表示。VGS(V)iD(mA)VPN N沟道沟道耗尽型耗尽型MOSMOS管可工作在管可工
19、作在V VGSGS 0 0或或V VGSGS0 0 N N沟道沟道增强型增强型MOSMOS管只能工作在管只能工作在V VGSGS002022-8-5三、三、N N沟道沟道耗尽型耗尽型MOSMOS场效应管特性曲线场效应管特性曲线输出特性曲线输出特性曲线VGS(V)iD(mA)VP转移特性曲线转移特性曲线2022-8-5场效应管的主要参数场效应管的主要参数2.夹断电压夹断电压VP：是耗尽型：是耗尽型FET的参数，当的参数，当VGS=VP 时时,漏极电流漏极电流为零。为零。3.饱和漏极电流饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当耗尽型场效应三极管当VGS=0时所对应的漏极电流。时所对应的漏极电流。
20、1.开启电压开启电压VT：MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值电压的绝对值,场效应管不能导通。场效应管不能导通。4.直流输入电阻直流输入电阻RGS:栅源间所加的恒定电压栅源间所加的恒定电压VGS与流过栅与流过栅极电流极电流IGS之比。结型之比。结型:大于大于107，绝缘栅，绝缘栅:1091015。5.漏源击穿电压漏源击穿电压V(BR)DS:使使ID开始剧增时的开始剧增时的VDS。6.栅源击穿电压栅源击穿电压V(BR)GSJFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压：反向饱和电流剧增时的栅源电压MOS：使：使SiO2绝缘层击穿的电压绝缘层击穿的电压2022
21、-8-57.低频跨导低频跨导gm：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。CVGSDmDSdvdig8.输出电阻输出电阻rdsCVDDSdGSdidvrs9.极间电容极间电容Cgs栅极与源极间电容栅极与源极间电容Cgd 栅极与漏极间电容栅极与漏极间电容Csd 源极与漏极间电容源极与漏极间电容2022-8-5第四节第四节 场效应管放大电路场效应管放大电路场效应管偏置电路场效应管偏置电路三种基本放大电路三种基本放大电路FETFET小信号模型小信号模型2022-8-52022-8-5一、场效应管放大电路的直流通路一、场效应管放大电路的直流通路场效应管偏置电路的关键是如何
22、提供栅源控制电压场效应管偏置电路的关键是如何提供栅源控制电压UGS1、自偏压电路：、自偏压电路：只适合结型场效应管和耗尽型只适合结型场效应管和耗尽型MOS管，不适合增强型管，不适合增强型MOS管管2、分压式自偏压电路：、分压式自偏压电路：适合增强型适合增强型MOS管，当然更适合耗尽型的管子管，当然更适合耗尽型的管子2022-8-5VGS=VG-VS=-ISRS-IDRS2PGSDSSD)(1IIVVVGSQ和IDQVDSQ=ED-IDQ(RS+RD)R RS S的作用：的作用：1.1.提供栅源直流偏压。提供栅源直流偏压。2.2.提供直流负提供直流负反馈，稳定静态工作点。反馈，稳定静态工作点。R
23、 RS S越大，工作点越稳定。越大，工作点越稳定。1、自偏压电路：、自偏压电路：2022-8-5大电阻（大电阻（M)，减小减小R1、R2对放大电对放大电路输入电阻的影响路输入电阻的影响R1R2提供一个提供一个正偏栅压正偏栅压UG2、分压式自偏压电路：、分压式自偏压电路：2022-8-5D212GERRRVVGS=VG-VS-IDRS2PGSDSSD)(1IIVVVGS和IDVDS=ED-ID(RS+RD)D212ERRR2022-8-5D212GERRRV-IDRSD212ERRRVGS=VG-VS注：要求注：要求VGVS，才能提供一个正偏压，增强型管子才能，才能提供一个正偏压，增强型管子才能
24、 正常工作正常工作2022-8-5二、场效应管的低中频二、场效应管的低中频小信号模型小信号模型 iD由输出特性：由输出特性：iD=f(vGS,vDS)DS0vDSDGS0vGSDDvvivviiGSDSDSGSDvvidsmggdsgsdvvidsmggSDgdsvgs+-+-vdsGidgmvgs2022-8-5三、三种基本放大电路三、三种基本放大电路1 1、共源放大电路、共源放大电路2022-8-5（1）直流分析直流分析VGS=VG-VS-IDRS2PGSDSSD)(1IIVVVGSQ和IDQVDSQ=ED-IDQ(RS+RD)D212ERRR画直流通路，标参考方向，列方程，求Q点基本放大
25、电路基本放大电路IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmVgsSVgsViVo未接未接Cs时时一般一般rds较大可忽略较大可忽略ioUAVV=-gmVgsRDVgs+gmVgsRs=-gmRD1+gmRsRD=RD/RL（2）动态分析动态分析Ri=RG+(R1/R2)RG Ro RDRiRo2022-8-5IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmVgsSVgsViVo未接未接Cs时时VA=-gmRD1+gmRsRiRi=RG+(R1/R2)RG RoRo RD接入接入Cs时时AV=-gm(rds/RD/RL)Ri=RG+(R1/R2)RG Ro=RD/rds RDRsRs的作用是提供直流栅
26、源电压、引的作用是提供直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。但它入直流负反馈来稳定工作点。但它对交流也起负反馈作用，使放大倍对交流也起负反馈作用，使放大倍数降低。接入数降低。接入C CS S可以消除可以消除R RS S对交流对交流的负反馈作用。的负反馈作用。2022-8-5ri2 2、共漏放大电路、共漏放大电路GSDViRGGVoRLRSgmVgsrdsSDioVVVA=gmVgsRSVgs+gmVgsRs=gmRS1+gmRsRS=rds/RS/RL RS/RL1AV1ri=RGVgs+-电压增益电压增益输入电阻输入电阻2022-8-5输出电阻输出电阻Vgs+-gmVgsRS+-VoIo
27、RoViGVoSRGRLRSgmVgsrdsDVgs+-SooRVI-gmVgsVgs=-Vo=Vo(1/Rs+gm)oooIVR msg1/R1msg1/RUA=gmRS1+gmRs电压增益电压增益Ri=RG输入电阻输入电阻2 2、共漏放大电路、共漏放大电路2022-8-53 3、共栅放大电路、共栅放大电路SGDrdsgmVgsSGD电压增益电压增益IdId=gmVgs+Vds/rdsVds=Vo-ViVo=-IdRDVgs=-ViId=-gmVi+(-IdRD-Vi)/rds)/rR(1)V1/r(gIdsDidsmdriri2022-8-5SGDrdsgmVgsSGDIdri输入电阻输入
28、电阻Ri=Vi/IddsmdsD1/rg/rR1Ri 1/gmriRiRs/1/gm2022-8-5电压增益电压增益AV gmRD输入电阻输入电阻Ri 1/gmRiRs/1/gmSGDrdsgmVgs输出电阻输出电阻roRo=rdsRo=rds/RD RD电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输入电压同相入电压同相2022-8-5组态对应关系：组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET电压增益：电压增益：beLc)/(rRR )/)(1()/()1(LebeLeRRrRR beLc)/(rRR CE：CC：CB：)
29、/(LdmRRg)/(1)/(LmLmRRgRRg)/(LdmRRgCS：CD：CG：三种基本放大电路的性能比较三种基本放大电路的性能比较2022-8-5beb/rR输出电阻：输出电阻：cR )/)(1(/LebebRRrR 1)/(/bebserRRR 1/beerRcRBJTFET输入电阻：输入电阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：)/(g2g1g3RRR m1/gR)/(g2g1g3RRR CE：CC：CB：CS：CD：CG：dRm1/gRdR三种基本放大电路的性能比较三种基本放大电路的性能比较2022-8-5 解：解：画中频小信号等效电路画中频小信号等效电路例题例题放大电路如图所示
30、。已知放大电路如图所示。已知，ms 18m g，100 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。，k 1berVOIbViVgSVSRSRgR2rbeRcgmVgS+_+_Ib+_+_2022-8-5 gsmVg iV gsV2gsmRVg bIbI bI oVcbRI MVA2mcm1RgRg 6.128 giRR coRR M 5sgRR 例题例题 ioVV由于由于则则 sMVA soVV iosiVVVV k 20 MisiVARRR6.128M VAVOIbViVgSVSRSRgR2rbeRcgmVgS+_+_Ib+_+_RiRo2022-8-5
31、比较内容比较内容 场效应管场效应管 三极管三极管 导电机理导电机理 只依靠一种载流子（多只依靠一种载流子（多子）参与导电，为单极子）参与导电，为单极型器件。型器件。两种载流子（多子和少子）两种载流子（多子和少子）参与导电，为双极型器件。参与导电，为双极型器件。放大原理放大原理 输入电压控制输出电流，输入电压控制输出电流，g gm m=0.1ms20ms=0.1ms20ms 输入电流控制输出电流，输入电流控制输出电流，例如，例如，=20100=20100 特特 点点 1.1.制造工艺简单，便于制造工艺简单，便于大规模集成。大规模集成。2.2.热稳定性好，噪声低。热稳定性好，噪声低。3.3.输入电
32、阻高，栅极电输入电阻高，栅极电流流i iG G00。4.4.g gm m小，放大能力较低。小，放大能力较低。1.1.受温度等外界影响较大，受温度等外界影响较大，噪声大。噪声大。2.2.输入电阻低（因发射结输入电阻低（因发射结正偏）。正偏）。3.3.较大，放大能力强较大，放大能力强 小小 结结 由于结构和工作原理的不同，使场效应管具有一些不同于三极管的特点。将两者结合使用，取长补短，可改善和提高放大电路的某些性能指标。2022-8-5小小 结结 按照结构的不同，场效应管分为按照结构的不同，场效应管分为结型和绝缘栅型结型和绝缘栅型两种类型，两种类型，MOSMOS管属于绝缘栅型。每一类型均有管属于绝
33、缘栅型。每一类型均有N N沟道和沟道和P P沟道沟道两种，两者两种，两者的主要区别在于电压的极性和电流的方向不同。的主要区别在于电压的极性和电流的方向不同。MOSMOS管又分为管又分为增强型和耗尽型增强型和耗尽型两种形式。两种形式。正确理解场效应管工作原理的关键是掌握电压正确理解场效应管工作原理的关键是掌握电压v vGSGS及及v vDSDS对导对导电沟道和电流电沟道和电流i iD D的不同作用，的不同作用，掌握预夹断与夹断这两个状态掌握预夹断与夹断这两个状态的区别和条件。转移特性和输出特性曲线描述了的区别和条件。转移特性和输出特性曲线描述了v vGSGS、v vDSDS和和i iD D三者间
34、的关系。与三极管类似，场效应管有截止区三者间的关系。与三极管类似，场效应管有截止区(即夹断即夹断区区)、恒流区、恒流区(即放大区即放大区)和可变电阻区三个工作区域。和可变电阻区三个工作区域。在恒流在恒流区，可将区，可将i iD D看成受电压看成受电压v vGSGS控制的电流源。控制的电流源。g gm m、V VP P（或（或V VT T）、）、I IDSSDSS、I IDMDM、P PDMDM、V V(BR)DS(BR)DS和极间电容是场效应管的主要参数。和极间电容是场效应管的主要参数。2022-8-5小小 结结 为了保证场效应管工作在放大区，电压vGS、vDS的极性和vDS的大小应如下表所示
35、。2022-8-5小小 结结 场效应管放大电路主要有共源、共栅和共漏三种基本场效应管放大电路主要有共源、共栅和共漏三种基本组态放大器。组态放大器。静态偏置电路主要有自给偏置电路和外置偏置电路两静态偏置电路主要有自给偏置电路和外置偏置电路两种。自给偏置电路适用于结型和耗尽型场效应管。而增种。自给偏置电路适用于结型和耗尽型场效应管。而增强型场效应管只能采用外置偏置电路。强型场效应管只能采用外置偏置电路。静态分析可采用计算法和图解法。静态分析可采用计算法和图解法。动态分析主要采用小信号模型法。动态分析主要采用小信号模型法。2022-8-5重点难点重点难点重点重点：(1)(1)结型和绝缘栅型场效应管的结型和绝缘栅型场效应管的工作原理及外特性。工作原理及外特性。(2)(2)用小信号模型分析法计算场效应管放大电路的用小信号模型分析法计算场效应管放大电路的动态指标。动态指标。难点难点：结型和绝缘栅型场效应管的结构和工作原理结型和绝缘栅型场效应管的结构和工作原理
