1、第第6章章 集成无源器件及集成无源器件及SPICE模型模型6.1 引言引言 6.2 薄层集成电阻器薄层集成电阻器 6.3 有源电阻有源电阻 6.4 集成电容器集成电容器 6.5 电感电感 6.6 互连线互连线 6.7 传输线传输线 7.1 引言引言 7.2 二极管及其二极管及其SPICE模型模型 7.3 双极型晶体管及其双极型晶体管及其SPICE模型模型 7.4 MOS场效应管及其场效应管及其SPICE模型模型 7.5 短沟道短沟道MOS场效应管场效应管BSIM3模型模型 7.6 模型参数提取技术模型参数提取技术上一章主要介绍无源元件R、L、C的模型。集成电路主要是由晶体管组成的，本章主要介绍
2、晶体管等效电路模型。半导体器件模型有：器件的物理模型器件的等效电路模型 半导体器件物理模型是从半导体基本方程出发，对器件的参数做一定的近似假设，而得到的有解析表达式的数学模型。半导体器件等效电路模型在特定的工作条件下，把器件的物理模型用一组理想元件代替，用这些理想元件的支路方程表示器件的物理模型。半导体器件在不同的工作条件下将有不同的等效电路模型。例如直流模型、交流小信号模型、交流大信号模型、瞬态模型等是各不相同的。二极管等效电路模型 端电压V与结电压VD的关系是：SDDRIVV1DSDtVnVeII其中 高频下：势垒电容Cj：扩散电容Cd：mVVCC0Dj0j1tTTVnIdVdIdVdQC
3、DDDDd 二极管在反向偏压很大时会发生击穿。专门设计在击穿状态下工作的二极管称为齐纳二极管。但二极管的电流电压方程没有预示这种击穿，实际电路设计中需借助SPICE等模拟工具来大致确定击穿电压值。参 数 名公式中符号SPICE中符号单 位SPICE中默认值饱和电流ISISA1.0E-14发射系数nN-1串联体电阻RSRS0渡越时间TTTSec0零偏势垒电容Cj0CJ0F0梯度因子mM-0.5PN结内建势垒V0VJV1二极管模型参数对照表 所谓电子噪声是指电子线路中某些元器件产生随机起伏的电信号。这些信号一般是与电子（或其它载流子）的电扰动相联系的。一般包括：热噪声（白噪声）和半导体噪声。半导体
4、噪声包括散弹噪声、分配噪声、闪烁噪声（1/f噪声）和场效应管噪声。n 热噪声：S2n4RkTAIn 闪烁（1/f）噪声和散粒噪声：DD2n21IqfIKFIAFKF和AF是噪声系数双极型晶体管模型：（1）Ebers-Moll（即EM）模型 Ebers和Moll于1954年提出 （2）Gummel-Poon（即GP）模型 Gummel和Poon 于1970年提出 1exp1expBCRSBESCttVVIVVII1exp1expBCSBEFSEttVVIVVIIEM电流方程：EM直流模型：晶体管KVL和KCL方程：ECBIIIBCBECEVVV这四个独立的方程描述了双极型晶体管的特性。虽然NPN
5、晶体管常被设想为在两个N沟层之间夹着一个P型区的对称型三层结构。但与MOS器件不同的是：集电区与发射区这两个电极不能互换。注意：注意：改进的改进的EM模型模型 改进的EM模型用了电荷控制观点，模型中增加了电容Cbe、Cbc并进一步考虑了集成电路中集电结对衬底的电容Cjs。增加了发射极、基极和集电极串联电阻，模型对晶体管直流特性的描述更精确，使饱和区及小信号下的直流特性更符合实际。电容及电阻引入也使交流和瞬态特性的表征更为完善。EM小信号等效电路 gmF：正向区跨导r：输入电阻r0：输出电阻gmR：反向区跨导r：集电极-基极电阻C：基极-集电极电容CCS：集电极-衬底电容C：发-基极等效电容je
6、bCCC双极型晶体管的双极型晶体管的GP模型模型 v GP模型对EM2模型作了以下几方面的改进：（1）直流特性 反映了基区宽度调制效应，改善了输出电导、电流增益和特征频率。反映了共射极电流放大倍数随电流和电压的变化。（2）交流特性 考虑了正向渡越时间F随集电极电流IC的变化，解决了在大注入条件下由于基区展宽效应使特征频率fT和IC成反比的特性。（3）考虑了大注入效应，改善了高电平下的伏安特性（4）考虑了模型参数和温度的关系（5）根据横向和纵向双极晶体管的不同，考虑了外延层电荷存储引起的准饱和效应。GP直流模型 GP小信号模型 MOS管的结构尺寸缩小到亚微米范围后，多维的物理效应和寄生效应使得对
7、MOS管的模型描述带来了困难。模型越复杂，模型参数越多，其模拟的精度越高。但高精度与模拟的效率相矛盾。依据不同需要，常将MOS模型分成不同级别。SPICE2中提供了几种MOS场效应管模型，并用变量LEVEL来指定所用的模型。LEVEL1 MOS1模型 Shichman-Hodges模型LEVEL2 MOS2模型 二维解析模型LEVEL3 MOS3模型 半经验短沟道模型LEVEL4 MOS4模型 BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型MOS1模型是MOS晶体管的一阶模型，描述了MOS管电流-电压的平方率特性，它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。适
8、用于精度要求不高的长沟道MOS晶体管。（1）线性区（非饱和区）当VGSVTH，VDSVTH，VDSVGSVTH，MOS管工作在饱和区。电流方程为：DS2THGS0PDS122VVVLLWKID（3）两个衬底PN结两个衬底结中的电流可用类似二极管的公式来模拟。当VBS0时 1expBSSSBSkTqVII当VBS0时 BSSSBSVkTqII当VBD0时 1expBDSDBDkTqVIIu二阶模型所使用的等效电路和一阶模型相同，但模型计算中考虑了各种二阶效应对MOS器件漏电流及阈值电压等特性的影响。这些二阶效应包括：（1）沟道长度对阈值电压的影响；（2）漏栅静电反馈效应对阈值电压的影响；（3）沟
9、道宽度对阈值电压的影响；（4）迁移率随表面电场的变化；（5）沟道夹断引起的沟道长度调制效应；（6）载流子漂移速度限制而引起的电流饱和效应；（7）弱反型导电。（1）短沟道对阈值电压的影响 沟道长度L的减少，使衬底耗尽层的体电荷对阈值电压贡献减少。体电荷的影响是由体效应阈值系数体现的，它的变化使V TH变化。考虑了短沟效应后的体效应系数S为：12121jD0jSXWLLX可见，当沟道长度L减小时阈值电压降低，而沟道宽度W变窄时阈值电压提高。22FSBsT0THVVVF（2）静电反馈效应 随着VDS的增加，在漏区这一边的耗尽层宽度会有所增加，这时漏区和源区的耗尽层宽度WD和WS分别为：DSBSFDD
10、2VVXWBSFDS2VXWSUBD2qNXSi上式中，因此S修正为：SDDDXWXWLLX11211212211jSj0jS可见，由于VDS的增加而造成的WD增加，会使阈值电压进一步下降。22FSBsT0THVVVF（3）窄沟道效应实际的栅总有一部分要覆盖在场氧化层上(沟道宽度以外)，因此场氧化层下也会引起耗尽电荷。这部分电荷虽然很少，但当沟道宽度W很窄时，它在整个耗尽电荷中所占的比例将增大。与没有“边缘”效应时的情况相比较，栅电压要加得较大才能使沟道反型。这时V TH被修正为：SBFoxSiFSBFT0H2422VWCVVVT（4）迁移率修正 在栅电压增加时，表面迁移率率会有所下降，其经验
11、公式为：EXPtraTHGSOXcritOXSi0SEVEVVtEDS式中，0表面迁移率；Ecrit为栅-沟道的临界电场强度；Etra是横向电场系数，它表示VDS对栅-沟道电场的影响；EEXP为迁移率下降的临界指数系数。（5）沟道长度调制效应 当VDS增大时，MOS管的漏端沟道被夹断并进入饱和，VDS进一步增大，该夹断点向源区移动，从而使沟道的有效长度减小，这就是沟道长度调制效应。在考虑了沟道长度调制效应后，器件的有效沟道长度为：D02LLLDSATDS2VVqNSi式中：（6）载流子有限漂移速度引起的电流饱和 对于同样的几何尺寸比、同样的工艺和偏置，短沟道器件比起长沟道器件来讲饱和电流要小。
12、在MOS2模型中，引入了参数max表示载流子的最大漂移速率，于是有：CHANDSATmaxWQI（7）弱反型导电 MOSFET并不是一个理想的开关，实际上当VGSVTH时在表面处就有电子浓度，也就是当表面不是强反型时就存在电流。这个电流称为弱反型电流或次开启电流。SPICE2中定义一个新的阈值电压VON，它标志着器件从弱反型进入强反型。当VGSVON时为弱反型，当VGSVON时，为强反型。qnkTVVTHON在弱反型导电时，漏源电流方程为：ONGSONDSexpVVnkTqII MOS3模型是一个半经验模型，适用于短沟道器件，对于沟长2m的器件所得模拟结果很精确。在MOS3中考虑的器 件二阶效
13、应如下：（1）漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静 电反馈效应；（2）短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响；（3）载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应；（4）表面电场对载流子迁移率的影响。MOS3模型参数大多与MOS2相同，但其阈值电压、饱和电流、沟道调制效应和漏源电流表达式等都是半经验公式，并引入了新的模型参数：（EAT）、（THETA）和（KAPPA）。下面分别讨论MOS3半经验公式及这三个参数的意义：（1）阈值电压的半经验公式BSFNBSFS3OX22FFBTH221015.82VFVFLCVV式中，是模拟静电反馈效应的经验模型参数，FS为短沟道效应的校正因子。（1）阈值
14、电压的半经验公式 在MOS3中采用改进的梯形耗尽层模型，考虑了圆柱形电场分布的影响，如图所示。图中Wc为圆柱结耗尽层宽度，Wp为平面结耗尽层宽度。（2）表面迁移率调制 表示迁移率和栅电场关系的经验公式为：THGS0S1VV式中经验模型参数称为迁移率调制系数。（3）沟道长度调制减小量的半经验公式 当VDS大于VDSAT时，载流子速度饱和点的位置逐渐移向源区，造成沟道长度调制效应。沟道长度的减小量L为：222DPDSATDS2D22DPDXEVVXXEXL上式中，EP为夹断点处的横向电场，为饱和电场系数。（1）PN结电容结电容由底部势垒电容和侧壁势垒电容两部分组成：SWj0BSSjsw00BS0
15、jBS11mmSVVPCVVACCSWj0BDDjsw00BDDj0BD11mmVVPCVVACC（2）栅电容 栅电容CGB，CGS，CGD包括随偏压变化及不随偏压变化两部分：CGBCGB1CGB2CGSCGS1CGS2CGDCGD1CGD2 其中不随偏压而变的部分是栅极与源区、漏区的交叠氧化层电容以及栅与衬底间的交叠氧化层电容(在场氧化层上)，即：CGB2CGB0LCGS2CGS0WCGD2CGD0W（2）栅电容 随偏压而变的栅电容是栅氧化层电容与空间电荷区电容相串联的部分。列出了不同工作区栅电容的变化如下：工作区CGB1CGS1CGD1截止区COXWLeff00非饱和区0COXWLeff/
16、2COXWLeff/2饱和区0(2/3)COXWLeff0不同工作区的栅电容 漏区和源区的串联电阻会严重地影响MOS管的电学特性，串联电阻的存在使加在漏源区的有效电压会小于加在外部端口处的电压。SPICE2等效电路中插入了两个电阻rD和rS，它们的值可在模型语句：“MODEL ”中给定，也可通过MOSFET中的NRD和NRS来确定。rDRshNRD rSRshNRS 式中，Rsh漏扩散区和源扩散区薄层电阻；NRD漏扩散区等效的方块数；NRS源扩散区等效的方块数。BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型是专门为短沟道MOS场效应晶体管而开发的模型。在B
17、SIM3模型中考虑了下列效应：（1）短沟和窄沟对阈值电压的影响；（6）漏感应引起位垒下降；（2）横向和纵向的非均匀掺杂；（7）沟道长度调制效应；（3）垂直场引起的载流子迁移率下降（8）衬底电流引起的体效应，（4）体效应；（9）次开启导电问题；（5）载流子速度饱和效应；（10）漏源寄生电阻。n 阈值电压（1）垂直方向非均匀掺杂 BS2SBSS1T0THVKVKVV（2）横向非均匀掺杂 SAADSeffX1BS2SBSS1T0TH121NNNLLKVKVKVV（3）短沟道效应 THSAADSeffX1BS2SBSS1T0TH121VNNNLLKVKVKVV（4）窄沟道效应 S0effOXBS3b3
18、THWWtVKKVn 迁移率 一个好的表面迁移率模型对于MOSFET模型的精度是致关重要的。一般讲，迁移率与很多工艺参数及偏置条件有关。BSIM3中所提供的迁移率公式是：2OXTHGSBOXTHGSBSCA0eff1tVVUtVVVUUn 载流子漂移速度：载流子速度达到饱和时的临界电场：载流子饱和速度 ESAT 式中：SATn 体电荷效应effBS,cta1eff02depjeffeffTHGSgsdep1effeff0effBS,1bulkK1121221VBWBXXLLVVAXXLLAVKAS式中，A0，Ags，B0，B1和Keta由实验数据加以确定，A0沟道长度的体电荷效应系数；AgsA
19、bulk的栅偏压系数；B0沟道宽度的体电荷效应系数；B1体电荷效应中沟道宽度的偏离值；Keta体电荷效应的衬底偏压系数。n 强反型时的漏源电流（1）截止区（VGSVTH）IDS0（2）线性工作区（VGSVTH，0 VDSVTH，VDS VDSAT）n 强反型时的漏源电流aVVLUKaVVVKaKVVLWCVVUIHDSATGSSTGS1CTHGSCCTHGSoxTH00D221121这里n 弱反型时的漏源电流 BSIM模型认为：总漏电流是强反型的漏电流与弱反型漏电流之和。即：IDSIDS1IDS2 弱反型漏电流分量表示为：是模型参数，亚阈值参数式中其中DB0dsbs020limit/8.120
20、expLimitexpLimitexpDS2321NNNVNVNNnqKTLWCIeeeqKTLWCIIIIIIDBoxKTqVaVVKTqOXdsthgs 电路模拟的精确度不仅与器件模型本身有关，还与给定的器件模型参数值是否正确密切有关。所以准确地获取模型参数是电路分析的重要工作。n 模型参数提取方法有以下几种：（1）用仪器直接测量（2）从工艺参数获得模型参数（3）模型参数的计算机优化提取 n 参数提取的基本原理参数优化提取流程 8.1 电路仿真与电路仿真与SPICE 8.2 电路描述语句电路描述语句 8.3 电路特性分析和控制语句电路特性分析和控制语句 8.4 基于基于SPICE核的工具软件核的工具软件谢谢！
