1、第3部分2022-7-第1部分第2部分2022-7-22.10 AT89S52的片内Flash操作2.10.1标志字节2022-7-32022-7-4表标志字节的地址、内容和代表的含义2.10.2程序存储器的加密2022-7-52022-7-6 表2-11 程序加密位的保护模式2022-7-72022-7-82.10.3 Flash存储器的串行编程2022-7-92022-7-102022-7-112022-7-12a.对RST、VCC和GND引脚加电，加电次序如下：在VCC和GND引脚之间加电源电压；将RST设置为高电平（若采用外部时钟信号，则必须延时10 mS后方可）。b.在P1.5/MO
2、SI引脚输入编程允许指令。2022-7-132.按照下列步骤对Flash实现串行编程c.在P1.5/MOSI引脚输入写程序存储器指令lAT89S52的串行编程指令中包含了编程单元地址和代码数据，向P1.5/MOSI引脚输入写程序存储器指令时，便确定了可编程的字节地址和指令数据。写入周期采用内部自动定时的方式，在Vcc=5V时其典型值不大于1 mS。l编程可按字节模式或页模式写入。在采用字节编程模式时，编程的地址单元和代码数据包含在指令的第2、3、4字节中。2022-7-14d.读指令。使用读指令，在P1.6/MISO引脚上读出芯片内Flash程序存储器任意存储单元中的内容，用于编程校验。e.编程结束后将RST引脚置低电平，系统恢复到正常操作状态。l如果需要，可按照下面的步骤实施断电：l将XTAL1引脚置成低电平（若使用外部时钟）；l将RST引脚置低电平；l关断电源VCC。2022-7-153.AT89S52的串行编程指令2022-7-162022-7-172022-7-182022-7-194.串行编程模式下的数据查询2022-7-202022-7-21表2-14 时序参数2022-7-222022-7-232022-7-242022-7-25第1部分第2部分第3部分
