1、第二章第二章 光电探测器光电探测器2-4 光生伏特器件光生伏特器件一、光电池一、光电池二、光电二极管二、光电二极管三、光电三极管三、光电三极管四、特殊形式的结型光电器件四、特殊形式的结型光电器件 一、光电池一、光电池 光电池是一种利用光生伏特效应制成的光电池是一种利用光生伏特效应制成的不需加偏压就能将光能转化成电能的光电器不需加偏压就能将光能转化成电能的光电器件。简单的说，其本质就是一个件。简单的说，其本质就是一个PN结。结。PNhPNLRGE表示电子表示空穴I（一）结构原理（一）结构原理 1、金属、金属-半导体接触型（硒光电池半导体接触型（硒光电池）2、PN结型结型 结型光电池，是在结型光电
2、池，是在N型（或型（或P型）半导体表面上型）半导体表面上扩散一层扩散一层P型（或型（或N型）杂质，形成型）杂质，形成PN结。结。NP)(电极)(电极入射光线硅光电池注意：注意：1、上、下电极区分、上、下电极区分2、上电极栅指状目的、上电极栅指状目的3、受光表面涂保护膜的目的、受光表面涂保护膜的目的)(PN)(SiP)(前极上电极)(后极下电极)(a)(BP)(SiN)(b工作原理工作原理 当光作用于当光作用于PN节时，耗尽区内的光生电子与空节时，耗尽区内的光生电子与空穴在内建电场力的作用下分别向穴在内建电场力的作用下分别向N区和区和P区运动，在区运动，在闭合的电路中产生输出电流闭合的电路中产生
3、输出电流IL，且在负载电阻上产，且在负载电阻上产生电压降生电压降U。(1)(1)LLLLLLqI RqUkTkTLPDPDUI RPI UIIIeIIePL：负载电阻所获功率；：负载电阻所获功率；IP：光生电流；：光生电流；ID：暗电流；：暗电流；（二）光电池的分类（二）光电池的分类（1）按材料）按材料 硅光电池：光谱响应宽，频率特性好硅光电池：光谱响应宽，频率特性好 硒光电池：波谱峰值位于人眼视觉内硒光电池：波谱峰值位于人眼视觉内 薄膜光电池：薄膜光电池：CdS增强抗辐射能力增强抗辐射能力 紫光电池：紫光电池：PN结结0.20.3 m，短波峰值短波峰值600nm 按基底材料不同分按基底材料不
4、同分 2DR（P型型Si为基底）为基底）2CR（N型型Si为基底）为基底）（2）按结构分）按结构分 阵列式：分立的受光面阵列式：分立的受光面 象限式：参数相同的独立光电池象限式：参数相同的独立光电池 硅蓝光电池：硅蓝光电池：PN结距受光面很近结距受光面很近 阵列式阵列式 象限式象限式（3）按用途分）按用途分 太阳能光电池：用作电源（效率高，成本低）太阳能光电池：用作电源（效率高，成本低）测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等）测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等）（三）符号及电路（三）符号及电路 符号符号 连接电路连接电路 等效电路等效电路LRIULRpIjIIU0lnocE kTUhI
5、02000 40006000800010000123454.03.02.01.0scIocU)/(2cmmAIsc)(VUoc)(LxEscpEIIeh（四）特性参数（四）特性参数 2、伏安特性：光电流与电压的关系。、伏安特性：光电流与电压的关系。硅光电池的伏安特性曲线硅光电池的伏安特性曲线3、输出功率、输出功率2LLLPI Rp讨论：若讨论：若RL0，PL0；若若RL，PL0，存在最，存在最佳负载电阻，使得负载可以获得最大输出功率佳负载电阻，使得负载可以获得最大输出功率Pmax。p可以通过求导方法求最佳可以通过求导方法求最佳RL，但工程上用经验公式。当负，但工程上用经验公式。当负载电阻为最佳
6、负载电阻时载电阻为最佳负载电阻时,(0.6 0.7)(0.6 0.7)(0.6 0.7)mOCmPemOCoptmemmmOCPUUUIISUURISPI UUImmeP4、转换效率、转换效率光电池的输出功率与入射辐射通量之比。光电池的输出功率与入射辐射通量之比。5、光谱特性：电路电流随波长变化情况、光谱特性：电路电流随波长变化情况 取决于所用材料与工艺取决于所用材料与工艺2000400060008000100001200020406080100(%)ISi蓝Si6、温度特性：、温度特性：T0.29.18.1200400600ocUscI)(mVUoc)(mAIsc20020406080 10
7、0（五）应用（五）应用 1 1、光电池用作太阳能电池、光电池用作太阳能电池 把光能直接转化成电能，需要最大的输把光能直接转化成电能，需要最大的输出功率和转化效率。即把受光面做得较大，出功率和转化效率。即把受光面做得较大，或把多个光电池作串、并联组成电池组，与或把多个光电池作串、并联组成电池组，与镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站等无镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站等无输电线路地区的电源供给输电线路地区的电源供给。2 2、光电池用作检测元件、光电池用作检测元件 利用其光敏面大，频率响应高，光电流利用其光敏面大，频率响应高，光电流与照度线性变化，适用于开关和线性测量等。与照度线性变化，适用于开关
8、和线性测量等。3、光电池零伏偏置电路A是高输入阻抗放大器，是高输入阻抗放大器，Ri是光生伏特器件内阻，是光生伏特器件内阻，oscfUI R 只适合微弱辐射探测信号检测，线性较好只适合微弱辐射探测信号检测，线性较好（六）硅光电池组合件（六）硅光电池组合件 将几个光电池排成一行，集成在一块集成电路片将几个光电池排成一行，集成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光电器件，也可以将几个子上，即成为阵列式的一维光电器件，也可以将几个光电池制成象限式的二维光电器件。光电池制成象限式的二维光电器件。这时衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，分这时衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，分别有各自的前极引出线。
9、这种器件的特点是，光敏元别有各自的前极引出线。这种器件的特点是，光敏元密集度大，总尺寸小，容易作到各单元多数一致，便密集度大，总尺寸小，容易作到各单元多数一致，便于信号处理。于信号处理。p2个并列的光电池可用来辨别光点移动的方向。个并列的光电池可用来辨别光点移动的方向。p24个并列的光敏元，可用来收集光点移动的个并列的光敏元，可用来收集光点移动的相位信息。相位信息。p象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上的位置坐标。多用于准直、定位、跟踪或频谱分的位置坐标。多用于准直、定位、跟踪或频谱分析等方面。析等方面。（a）阵列式 （b）象限式象限光电池组合件示意
10、图光斑中心位置的2象限检测电路应用实例：光斑中心位置的应用实例：光斑中心位置的4 4象限硅光电池检测象限硅光电池检测（1 1）和差电路）和差电路 4象限硅光电池的坐标线与基准线成象限硅光电池的坐标线与基准线成0时，常采时，常采用和差电路。用和差电路。p输出的偏离信号分别为输出的偏离信号分别为p为了消除自身总能量的变化对测量结果的影响，为了消除自身总能量的变化对测量结果的影响，用除法电路。用除法电路。12341423()()()()xyuK uuuuuK uuuu1234123414231234()()()()xyuuuuuKuuuuuuuuuKuuuu（2 2）直差电路）直差电路 4象限硅光电
11、池的坐标线与基准线成象限硅光电池的坐标线与基准线成45时，常时，常采用直差电路。采用直差电路。131234241234xyuuuKuuuuuuuKuuuu象限测量存在的问题象限测量存在的问题p光刻分割区有盲区，微小光斑受限制。光刻分割区有盲区，微小光斑受限制。p测量范围受限制，光斑不能全部落入某一象限。测量范围受限制，光斑不能全部落入某一象限。p测量精度受光强漂移影响。测量精度受光强漂移影响。p非线性（常做为对准、瞄准用）。非线性（常做为对准、瞄准用）。二、二、光电二极管光电二极管 1、与普通二极管相比、与普通二极管相比:共同点：一个共同点：一个PN结，单向导电性。结，单向导电性。不同点：不同
12、点：（1）受光面大，）受光面大，PN结面积更大，结面积更大，PN结深度较浅；结深度较浅；（2）表面有防反射）表面有防反射的的SiO2保护层；保护层；（3）外加负偏压。）外加负偏压。2、与光电池相比：、与光电池相比：共同点：均为一个共同点：均为一个PN结，利用光生伏特效应，结，利用光生伏特效应，SiO2 保护膜保护膜 不同点：不同点：（1）结面积比光电池的小，频率特性好；）结面积比光电池的小，频率特性好；（2）光生电势与光电池相同，但电流比光电池小；）光生电势与光电池相同，但电流比光电池小；（3）可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作。）可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作。（一）基本结构与原理（
13、一）基本结构与原理硅光电二极管硅光电二极管分为分为 以以P型硅为衬底的（国产型号型硅为衬底的（国产型号2DU系列）系列）以以N型硅为衬底的（国产型号型硅为衬底的（国产型号2CU系列）系列）光电二极管的电流方程光电二极管的电流方程PN结的电流方程为结的电流方程为(1)qUkTDIIe式中：式中：U是加在二极管两端的电压，是加在二极管两端的电压，T为温度，为温度，k为为玻耳兹曼常数，玻耳兹曼常数，q为电子电量。为电子电量。ID和和U均为负值，且均为负值，且 时（室温下很容易时（室温下很容易满足）的电流称为反向电流或暗电流。满足）的电流称为反向电流或暗电流。/UkT q硅光电二极管伏安特性曲线 （二
14、）性能参数（二）性能参数 光照下光照下PN结电压与光电流之间结电压与光电流之间 关系关系（1 1）伏安特性）伏安特性 反向偏压与光电流之间的关系反向偏压与光电流之间的关系（a）硅光电二极管输出特性曲线）硅光电二极管输出特性曲线 （b）硅光电二极管输出特性曲线）硅光电二极管输出特性曲线 （重新定义电流电压正方向，与（重新定义电流电压正方向，与PN结内建电场的方向相同）结内建电场的方向相同）（2 2）光照特性：光电流与照度的关系）光照特性：光电流与照度的关系 1515V反向偏压时的光照特性曲线反向偏压时的光照特性曲线 02505007501000 1250102030405060E)(AI（3 3
15、）光谱特性）光谱特性 影响因素：影响因素：材料：禁带宽度材料：禁带宽度 设计工艺设计工艺：PN结深度及表面处理结深度及表面处理典型材料的光电二极管的光谱响应曲线典型材料的光电二极管的光谱响应曲线 （4 4）暗电流与噪声）暗电流与噪声 在直流偏压下，暗电流是噪声的主要来在直流偏压下，暗电流是噪声的主要来 源；源；暗电流主要包括反向饱和电流，势垒区的复暗电流主要包括反向饱和电流，势垒区的复合（或产生）电流以及表面漏电流。合（或产生）电流以及表面漏电流。环极的作用是：克制由于环极的作用是：克制由于SiOSiO2 2保护膜中的杂保护膜中的杂质正离子静电感应。质正离子静电感应。（5 5）频率特性）频率特
16、性 是半导体光电器件中最好的一种，与下列因素是半导体光电器件中最好的一种，与下列因素有关：有关：q结电容（小于结电容（小于20F)20F)和杂散电容和杂散电容q光生载流子在薄层中的扩散时间及光生载流子在薄层中的扩散时间及PNPN结中的漂结中的漂移时间移时间 要提高频率响应必须做到以下几点：要提高频率响应必须做到以下几点：（1 1）合理的结面积（小的结面积可）合理的结面积（小的结面积可使使CjCj减小，减小，但相同光照下，光电流也较小）；但相同光照下，光电流也较小）；（2 2）尽可能大的耗尽层厚度；）尽可能大的耗尽层厚度；（3 3）适当加大使用电压；）适当加大使用电压；（4 4）减小结构所造成的
17、分布电容。）减小结构所造成的分布电容。4、等效电路、等效电路 光电二极管的输出电路及等效电路：由等效光电二极管的输出电路及等效电路：由等效图可知：图可知：计算上限频率计算上限频率ijCLRLLLiSUi RSR（三）其他类型的光电二极管（三）其他类型的光电二极管1、光电二极管的分类、光电二极管的分类按材料按材料 硅光电二极管硅光电二极管 锗光电二极管锗光电二极管 化合物光电二极管化合物光电二极管按结特性：按结特性：PN结（扩散层、耗尽层）、结（扩散层、耗尽层）、PIN结结、异质结、异质结、肖特基肖特基结结 2、几种常见的光电二极管几种常见的光电二极管（1）肖特基结光电二极管：）肖特基结光电二极
18、管：光敏面小，势垒电容小，响应快，但工艺困难。光敏面小，势垒电容小，响应快，但工艺困难。（2）扩散层）扩散层PN结光电二极管：结光电二极管：耗尽层厚度小于结的任一边的扩散长度，工作耗尽层厚度小于结的任一边的扩散长度，工作区是结两边的扩散区，光电流主要由扩散流区是结两边的扩散区，光电流主要由扩散流引起引起。（3）耗尽层型耗尽层型PN结光电二极管结光电二极管 耗尽层厚度大于结的任一边的扩散长度，光耗尽层厚度大于结的任一边的扩散长度，光电转换主要在耗尽层内，光电流主要由漂移电转换主要在耗尽层内，光电流主要由漂移电流引起的。有很高的频率响应。电流引起的。有很高的频率响应。（4）PINPIN型（型（2D
19、UL2DUL型）光电二极管型）光电二极管 PIN管结构示意图管结构示意图 在在P P、N N型之间加进了较厚的本征半导体型之间加进了较厚的本征半导体I I型层型层，内电场基本上集中于内电场基本上集中于I I层上层上，PNPN结间距拉大，结间距拉大，结电容变小；提高响应速度；结电容变小；提高响应速度；PIN型光电二极管结构与外形图q由于耗尽层变宽，从而展宽了光电转换的有由于耗尽层变宽，从而展宽了光电转换的有效工作范围；效工作范围；q 增加了吸收层厚度，改善了对长波光的吸增加了吸收层厚度，改善了对长波光的吸收，提高了灵敏度，增大了长波响应率。收，提高了灵敏度，增大了长波响应率。q时间响应在时间响应
20、在在在1010-9-9秒左右。秒左右。（5 5）雪崩型光电二极管）雪崩型光电二极管 APDAPD（avalanche photodiodeavalanche photodiode）是具有内部倍增放）是具有内部倍增放大作用的光电二极管，利用大作用的光电二极管，利用PNPN结势垒区的结势垒区的高反向高反向电压下电压下强电场作用产生载流子的雪崩倍增而得到。强电场作用产生载流子的雪崩倍增而得到。工作过程：工作过程：初始的载流子在强电场的作用下获得很大的动初始的载流子在强电场的作用下获得很大的动能，其在高速运动过程总与晶体的晶格碰撞，产能，其在高速运动过程总与晶体的晶格碰撞，产生新的电子空穴对，称为碰撞
21、电离过程。此过程生新的电子空穴对，称为碰撞电离过程。此过程多次重复。从而反向电流也迅速增大形成多次重复。从而反向电流也迅速增大形成雪崩雪崩倍倍增效应。增效应。q结构：为了实现雪崩过程，基片杂质浓度结构：为了实现雪崩过程，基片杂质浓度很高，使之容易碰撞电离；很高，使之容易碰撞电离；q片子厚度较薄，保证较高的电场强度片子厚度较薄，保证较高的电场强度三种雪崩光电二极管结构示意图三种雪崩光电二极管结构示意图 影响雪崩光敏二极管工作的因素影响雪崩光敏二极管工作的因素:（1）雪崩过程伴有一定的噪声，并受温度）雪崩过程伴有一定的噪声，并受温度的影响较大；的影响较大；（2）表面材料的缺陷使）表面材料的缺陷使P
22、N结各电场分布不结各电场分布不均，局部先击穿使漏电流变大，增强了噪声；均，局部先击穿使漏电流变大，增强了噪声；（3）工作偏压必须适当）工作偏压必须适当。APD工作电压很高，约工作电压很高，约100200V，接近于反向，接近于反向击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中可得到极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪中可得到极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反应。因此，这种管子有很高的内增益，可达到几崩反应。因此，这种管子有很高的内增益，可达到几百。当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达百。当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产
23、生所谓的自持雪崩。这种管子响应速度特别快，即产生所谓的自持雪崩。这种管子响应速度特别快，带宽可达带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电，是目前响应速度最快的一种光电二极管。二极管。APD暗电流和光电流与偏置电压的关系曲线暗电流和光电流与偏置电压的关系曲线最佳工作点在最佳工作点在B处，接近雪崩点处，接近雪崩点附近。附近。为了压低暗电流，为了压低暗电流，可把工作点左移可把工作点左移一些。一些。噪声大是噪声大是APD目前的一个主要缺点。目前的一个主要缺点。由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增是
24、工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。大到放大器的噪声水平，以至无法使用。（四）光电二极管的应用（四）光电二极管的应用1、反向偏置电路、反向偏置电路光生伏特器件的反向偏置电路光生伏特器件的反向偏置电路2 2、反向偏置电路的输出特性、反向偏置电路的输出特性obbLLUUI R反向偏置电路的输出特性曲线反向偏置电路的输出特性曲线3、设计与计算、设计与计算图解法，计算法等图解法，计算法等光生伏特器件反向偏置电路图解法光生伏特器件反向偏置电路图解法 三、光电三极管光电晶体管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。光电晶体管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的
25、集电极电流只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。也可以受光的控制。所以光电晶体管的外形，有光所以光电晶体管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线（有的没有）。制作材料一般为半导体硅，管型为（有的没有）。制作材料一般为半导体硅，管型为NPN型，国产器件称为型，国产器件称为3DU系列。系列。3DU型硅光电三极管型硅光电三极管 正常运用时，集电极加正电压。因此，集电结正常运用时，集电极加正电压。因此，集电结为反偏置，发射结为正偏置，集电结为光电结。当为反偏置，发射结为正偏置，集电结为光电结
26、。当光照到集电结上时，集电结即产生光电流光照到集电结上时，集电结即产生光电流Ip向基区向基区注入，同时在集电极电路即产生了一个被放大的电注入，同时在集电极电路即产生了一个被放大的电流流IcIe（1）Ip，为电流放大倍数。因为电流放大倍数。因此，光电晶体管的电流放大作用与普通晶体管在上此，光电晶体管的电流放大作用与普通晶体管在上偏流电路中接一个光电二极管的作用是完全相同的。偏流电路中接一个光电二极管的作用是完全相同的。光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管大，多为毫安级。但它的光电特流也比光电二极管大，多为毫安级。但它的光电特性不如光电二
27、极管好，在较强的光照下，光电流与性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。所以光电晶体管多用来作光电照度不成线性关系。所以光电晶体管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。开关元件或光电逻辑元件。q一般来说光电三极管的响应时间要比光电二极管得一般来说光电三极管的响应时间要比光电二极管得响应时间长得多。响应时间长得多。q增大输出电流可以提高光电三极管得频率特性。增大输出电流可以提高光电三极管得频率特性。光电三极管得时间响应与集电极电流得关系曲线光电三极管得时间响应与集电极电流得关系曲线光电三极管的伏安特性曲线1、伏安特性光电三极管电路光电三极管电路2、光电三极管的输出电路与微变等
28、效电路集成光电器件集成光电器件集成光电器件集成光电器件为提高光电三极管的频率响应、增益、减小体积，为提高光电三极管的频率响应、增益、减小体积，有时将光电二极管、光电三极管或三极管制作在一有时将光电二极管、光电三极管或三极管制作在一个硅片上，构成集成光电器件。个硅片上，构成集成光电器件。四、特殊形式的结型光电器件四、特殊形式的结型光电器件（一）色敏光生伏特器件（一）色敏光生伏特器件1、双色硅色敏器件、双色硅色敏器件 在同一硅片上制作的在同一硅片上制作的两个深浅不同两个深浅不同PN结。结。PN结深，对长谱辐射的吸收结深，对长谱辐射的吸收增加，长波光谱的响应增增加，长波光谱的响应增加，而加，而PN结
29、浅对短波长的结浅对短波长的响应较好。具有浅响应较好。具有浅PN 结结的的PD1的光谱响应峰值在的光谱响应峰值在蓝光范围，深结蓝光范围，深结PD2的光的光谱响应峰值在红光范围。谱响应峰值在红光范围。这种双结光电二极管的光谱响应具有双峰效应，这种双结光电二极管的光谱响应具有双峰效应，PD1为蓝敏，为蓝敏，PD2为红敏。为红敏。通过测量两个光电二极管的短路电流（通过测量两个光电二极管的短路电流（Isc2/Isc1比与入比与入射波长关系来测定单色光的波长射波长关系来测定单色光的波长。双结光电二极管的光谱响应双结光电二极管的光谱响应短路电流比与入射波长的关系短路电流比与入射波长的关系2、非晶态硅集成全色
30、色敏传感器、非晶态硅集成全色色敏传感器结构光谱响应非晶态硅集成全色色敏传感器应用非晶态硅集成全色色敏传感器应用（二）线阵列光生伏特器件组合件（二）线阵列光生伏特器件组合件 在一块硅片上制造出光敏面积相等，间隔也相在一块硅片上制造出光敏面积相等，间隔也相等的一串特性相近的光生伏特器件阵列。等的一串特性相近的光生伏特器件阵列。16只光电二极管构成的线阵列光生伏特器件组合件只光电二极管构成的线阵列光生伏特器件组合件15只光电三极管构成的线阵列光生伏特器件组合件只光电三极管构成的线阵列光生伏特器件组合件（三）楔环探测器（三）楔环探测器楔环探测器可以用来检测光的功率谱分布。极角方向楔环探测器可以用来检测
31、光的功率谱分布。极角方向（楔形区）用来检测功率谱在角度方向的分布，环形（楔形区）用来检测功率谱在角度方向的分布，环形区探测器用来检测功率谱在半径方向的分布。可将功区探测器用来检测功率谱在半径方向的分布。可将功率谱用极座标的方式表示。率谱用极座标的方式表示。楔环探测器（四）光电位置敏感器件（四）光电位置敏感器件（PSDPSD）PSD（Position Sensitive Detector）是利用离子注）是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结型入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结型光电器件。光电器件。PSD有一维的和二维的两种。当入射光是一个小有一维的和二维的两种。当入射光是
32、一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光的能量中心光斑，照射到光敏面时，其输出则与光的能量中心位置有关。位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点是，它这种器件和象限光电器件比较，其特点是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对光斑位置可连续测量。对光斑位置可连续测量。PSD外形图1 1、PSDPSD器件的工作原理器件的工作原理PSD的受光面为的受光面为P层，同时也是个层，同时也是个均匀电阻层均匀电阻层。设。设1、2两电极间距离为两电极间距离为2L。如果入射光点位于。如果入射光点位于A点，则电点，则电极极1、2输出的光电流与输出的光电流与A点至电极点至电极1、2的距离成反的距离成反比，有比，有PSD结构示意图012102022AAIIILxIILLxIIL2121AIIxLII可得可得2 2、一维、一维PSDPSD一维一维PSD器件器件一维一维PSD的应用的应用一维一维PSD位置检测电路原理图位置检测电路原理图应用举例：激光三角法测位移应用举例：激光三角法测位移3 3、二维、二维PSDPSD二维二维PSD器件器件二维二维PSDPSD器件的应用器件的应用二维二维PSD光点位置检测电路原理图光点位置检测电路原理图3、PSD的主要特性位置检测误差特性曲线位置检测误差特性曲线一维PSD位置检测误差特性曲线
