1、 电工学是研究电能在技术领域中应用的技电工学是研究电能在技术领域中应用的技术基础课程。分电工技术和电子技术术基础课程。分电工技术和电子技术两部分。电子技术主要是研究各种半导体器件两部分。电子技术主要是研究各种半导体器件的结构、性能、电路及应用技术；阐述电子技的结构、性能、电路及应用技术；阐述电子技术的基本概念基本原理和基本分析方法。术的基本概念基本原理和基本分析方法。前言前言 本书包括模拟电子技术和数字电子技术两本书包括模拟电子技术和数字电子技术两部分。前者主要讨论的是线性电路；后者着重部分。前者主要讨论的是线性电路；后者着重讨论脉冲数字电路。讨论脉冲数字电路。第第1414章章 半导体二极管和
2、三极管半导体二极管和三极管14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性14.2 PN 结结14.3 半导体半导体二二极管极管14.4 稳压管稳压管14.5 晶体管晶体管14.6 光电器件光电器件14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体 自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金，金属一般都是导体。属一般都是导体。有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为之间，称为半导体
3、半导体，如锗、硅、砷化镓和一些，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。硫化物、氧化物等。半导体的导电机理不同于其它物质，所半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：以它具有不同于其它物质的特点。比如：当受外界热和光的作用时，它的导当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。会使它的导电能力明显改变。如光敏电阻如光敏电阻,热敏电阻热敏电阻可增加几十万至几百万倍。例如在纯硅中参入百可增加几十万至几百万倍。例如在纯硅中参入百万分之一的硼后，硅的电阻率就从大约万分之一的
4、硼后，硅的电阻率就从大约 2x103 m 减小到减小到 4x10-3 m左右左右.利用这种特性就做成了各利用这种特性就做成了各种不同用途的半导体器件，如二极管三极管种不同用途的半导体器件，如二极管三极管、场、场效应管及晶闸管效应管及晶闸管 14.1.1 本征半导体本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。GeSi1、本征半导体定义、本征半导体定义完全纯净的、具有晶体结构的半导体。完全纯净的、具有晶体结构的半导体。通过一定的提纯工艺过程，可以将半通过一定的提纯工艺过程，可以将半
5、导体制成导体制成晶体晶体。2、结构：共价键、结构：共价键在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对价，共用一对价电子。电子。硅和锗的晶体结构硅和锗的晶体结构硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子形成共价键后，每个原子的最外层电形成共价键后，每个原
6、子的最外层电子是八个，构成稳定结构。子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4自由电子：自由电子：当导体处于热力学温度当导体处于热力学温度0K时，时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为成为自由电子自由电子。空穴：空穴：自由电子产生的同时，在其原来的共自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被
7、价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为为空穴空穴。空穴运动相当于正电荷的运动。空穴运动相当于正电荷的运动 这一现象称为这一现象称为本征激发，本征激发，也称也称热激发热激发。3、自由电子和空穴、自由电子和空穴+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为同时成对出现的，称为电子空穴对电子空穴对。游离的部。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，
8、称为分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，复合，如图所示。如图所示。激发复合本征激发和复合的过程本征激发和复合的过程（动画动画1-1）当半导体两端加上外电压时当半导体两端加上外电压时,半导体中将出半导体中将出现两部分电流现两部分电流:一是自由电子作定向运动所形一是自由电子作定向运动所形成的成的电子电流电子电流,一是应被原子核束缚的价电子一是应被原子核束缚的价电子(注意注意,不是自由电子）递补空穴所形成的不是自由电子）递补空穴所形成的空穴空穴电流电流。在半导体中，同时存在着电子导电和空穴在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电，这是半导体导电方式的最大特点，也导电，这是半导体导电方式的最大特点
9、，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。是半导体和金属在导电原理上的本质差别。4、载流子：自由电子和空穴。、载流子：自由电子和空穴。本征半导体中的自由电子和空穴总是本征半导体中的自由电子和空穴总是成对成对出现的，同时又不断地复合。在一出现的，同时又不断地复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，于是半导体中的载流子（自由态平衡，于是半导体中的载流子（自由电子和空穴）边维持一定数目。温度越电子和空穴）边维持一定数目。温度越高，载流子数目越多，导电性能也就越高，载流子数目越多，导电性能也就越好。所以，好。所以，温度对半导体器件性能的影温度对半导体器件性
10、能的影响很大。响很大。小结：u两种载流子两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴。u温度对半导体器件性能的影响很大。温度对半导体器件性能的影响很大。u本征半导体的导电能力很弱。本征半导体的导电能力很弱。14.1.2 N型半导体和型半导体和P型半导体型半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为称为N型半导体型半导体（电子半导体），使空
11、穴浓（电子半导体），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为度大大增加的杂质半导体称为P型半导体型半导体（空穴半导体）。（空穴半导体）。1、N型半导体型半导体晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体原子形成共价键，必定多出一相临的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子。激发而成为自由电子。磷原子就成了不能移动的带正电的离子。磷原子就成了不能移动的带正电的离子。方法：在硅或锗晶体中掺入少量的方
12、法：在硅或锗晶体中掺入少量的 五价元素磷（或锑）五价元素磷（或锑）+4+4+5+4N型半导体型半导体多余电子多余电子磷原子磷原子N型半导型半导体体N型半导体中的载流子是什么？型半导体中的载流子是什么？1、由杂质原子提供的电子，浓度与杂质原子、由杂质原子提供的电子，浓度与杂质原子相同相同。2、本征半导体中成对产生的电子和空穴对。、本征半导体中成对产生的电子和空穴对。3、掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，、掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数
13、载流子（少子）。导电性能强。少数载流子（少子）。导电性能强。2、P型半导体型半导体晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补。穴可能吸引束缚电子来填补。硼原子成为不能移动的带负电的离子。硼原子成为不能移动的带负电的离子。方法：在硅或锗晶体中掺入少量的三价方法：在硅或锗晶体中掺入少量的三价 元素，如硼（或铟）。元素，如硼（或铟）。多子：空穴，少子：电子多子：空穴，少子：电子。导电性
14、能强。导电性能强。+4+4+3+4空穴空穴P型半导体型半导体硼原子硼原子杂质半导体的示意表示法杂质半导体的示意表示法P P型半导体型半导体+N N型半导体型半导体14.2 PN结结及其单向导电性及其单向导电性1.PN 结的形成结的形成P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区空间电荷区PN结处载流子的运动结处载流子的运动P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+PN结结2 PN2 PN结的单向导电性结的单向导电性 1)、加正向电压，加正向电压，简称正偏简称正偏（P P区区“+”“+”，N N区区“-“-”）结论：结论：PNPN结导通，呈低阻性，所以电流
15、大。结导通，呈低阻性，所以电流大。PNPN结具有的单向导电性。结具有的单向导电性。PN PN结加正向电压时的导电情况结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有外加的正向电压有一部分降落在一部分降落在PNPN结区，结区，方向与方向与PNPN结内电场方向结内电场方向相反，削弱了内电场。相反，削弱了内电场。于是于是,内电场对多子扩散内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，形成漂移电流的影响，形成较大的扩散电流，较大的扩散电流，PNPN结结呈现低阻性。呈现低阻性。PNPN结加正向电压时的导电
16、情况如图所示。结加正向电压时的导电情况如图所示。2)2)、加、加反反向电压，向电压，简称简称反反偏偏（P P区区“-”“-”，N N区区“+”“+”）结论：结论：PNPN结截止，呈高阻性，所以电流小。结截止，呈高阻性，所以电流小。PNPN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在外加的反向电压有一部分降落在PNPN结区，方向与结区，方向与PNPN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时扩散电流大大减小。此时PNPN结区的少子在内电场的结区的少子在内电
17、场的作用下形成的漂移电流大作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散于扩散电流，可忽略扩散电流，形成较小的漂移电电流，形成较小的漂移电流，流，PNPN结呈现高阻性结呈现高阻性。在一定的温度条件下，在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大本上与所加反向电压的大小无关小无关，这个电流也称为这个电流也称为反向饱和电流反向饱和电流。PNPN结加反向电压时的导电情况如图所示。结加反向电压时的导电情况如图所示。1、结构：PN结+引线+外壳14.3 14.3 半导体二极管半
18、导体二极管15.3.1 基本结构基本结构二极管按结构分有二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型点接触型、面接触型和平面型三三大类。它们的结构示意图如图大类。它们的结构示意图如图01.1101.11所示。所示。(1)1)点接触型二极管点接触型二极管 PNPN结面积小，结电容小，结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路用于检波和变频等高频电路。(a)(a)点接触型点接触型 图图 01.11 01.11 二极管的结构示意图二极管的结构示意图 图图 01.11 01.11 二极管的结构示意图二极管的结构示意图(c)(c)平面型平面型(3)(3)平面型二极管平面型二极管 往往用于集成电路制造工往
19、往用于集成电路制造工艺中。艺中。PN PN 结面积可大可小，用结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。于高频整流和开关电路中。(2)(2)面接触型二极管面接触型二极管 PNPN结面积大，用结面积大，用于工频大电流整流电路于工频大电流整流电路。(b)面接触型2、符号 3、型号 见附录A，2AP、2CZ11D阳极+阴极-14.3.2 伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿电反向击穿电压压U(BR)死区死区电压电压正向正向反向反向外电场不足以克服外电场不足以克服内电场内电场,电流很小电流很
20、小外电场不足以克服外电场不足以克服内电场内电场,电流很小电流很小15.3.2 伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿电反向击穿电压压U(BR)死区死区电压电压正向正向反向反向正向正向当外加电压大于死区当外加电压大于死区电压内电场被大大减电压内电场被大大减削弱削弱,电流增加很快电流增加很快。14.3.2 伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿电反向击穿电压压U(BR)死区死区电压
21、电压反向反向 由于少子的漂移运动形成很由于少子的漂移运动形成很小的反向流小的反向流,且且U U(BR)时时,其反向电其反向电流突然增大流突然增大,反向击穿。反向击穿。注意：死区电压注意：死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V，计算计算导通压降导通压降:硅管硅管0.60.7V,锗管锗管0.20.3V。齐纳（、掺杂多）齐纳（、掺杂多）4V以下以下电击穿：电击穿：雪崩（宽、掺杂少）雪崩（宽、掺杂少）7V以上以上击击 穿穿热击穿：二极管的单向导电性被破坏，热击穿：二极管的单向导电性被破坏，过热而烧坏。过热而烧坏。可 逆不 可 逆14.3.3 主要参数主要参数 1、最大整流电流、最大整流电流 IO
22、M二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。向平均电流。2、反向击穿电压、反向击穿电压URWM二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URWM一般一般是是UBR的一半。的一半。3、反向电流、反向电流 IRM指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反反向电流大，说明管子的单向导电
23、性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。的反向电流要大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要利用它的单向导电性，包括整流、限幅、保护等。要利用它的单向导电性，包括整流、限幅、保护等。例：二极管的应用：例：二极管的应用：RRLuiuRuotttuiuRuo+-应用应用(整流、检波整流、检波)1.4 稳压二极管稳压二极管一、作用 与电阻配合使用起稳压作用。二、符号 稳压管是特
24、殊的面接触型半导体硅二极管稳压管是特殊的面接触型半导体硅二极管,其反向击穿是可逆的其反向击穿是可逆的,且反向电压较稳定且反向电压较稳定.稳压管稳压管三、伏安特性曲线与工作区三、伏安特性曲线与工作区UIUZIZIZmax UZ IZ稳压误差稳压误差曲线越曲线越陡，电陡，电压越稳压越稳定。定。-+1、正向（与普通二极管一样）2、反向 1）工作区 IZMinIIZMax 2）电击穿击穿 3）曲线陡，）曲线陡，IZ变化大而变化大而UZ变化小变化小二稳压过程：二稳压过程：RLIZ+uCCUOuRRLUOIZURUO稳压二极管的参数稳压二极管的参数（1）稳定电压）稳定电压 UZ(范围、温度、分散性范围、温
25、度、分散性)（2）电压温度系数）电压温度系数 U（%/）稳压值受温度变化影响的系数。稳压值受温度变化影响的系数。（3）动态电阻）动态电阻ZZIUZr （4）稳定电流）稳定电流IZ（5）最大允许功耗）最大允许功耗maxZZZMIUP 14.5 半导体三极管（晶体管）半导体三极管（晶体管）14.5.1 基本结构基本结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型1、类型 NPN、PNPBECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂
26、浓度较高1）三个区特点：E区：掺杂浓度最高区：掺杂浓度最高B区：掺杂浓度最低，较薄区：掺杂浓度最低，较薄C区：掺杂浓度较大，区：掺杂浓度较大，C结面积较大结面积较大BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结2)三个极(E、B、C)3）两个结E结C结 面大4）符号ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 1、实验分析实验分析14.5.2 电流分配和放大原电流分配和放大原理理ICIBIE实验数据实验数据(1)IE=IB+IC四个结论：(2)IC (或或IE)IB 3.3806.03.2BCII4004.006.05.13.2BCII5.3704.05.1BCII这就是
27、晶体管的这就是晶体管的电流放大作用电流放大作用ICIBIE(3)当当IB=0时时,IC=ICEO0.001mA=1uA(4)要是晶体管起放大作用要是晶体管起放大作用,其外部必要条件其外部必要条件:发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏.ICIBIE(1)IE=IB+IC(2)IC (或或IE)IB 四个结论：(3)当当IB=0时时,IC=ICEOIB）1.特点：c)发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。IC(mA )1234UCE(V)369121.判别：0IBIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。2)饱和区饱和区IB UCC/RC1.a)IBIC 1.特点：b)E结正
28、正偏，C结正正偏。判别：UCE 0V。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电死区电压，称为截压，称为截止区。止区。3)截止截止区区1.a)IB=0，IC=01.特点：d)E结反反偏，C结反反偏。b)UBE 死区死区 电压电压c)UCE=UCCIC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电死区电压，称为截压，称为截止区。止区。判别：UBE 0、UCE UCC或IB=0例例14.5
29、.1P2214.5.4 主要参数主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。还有共基、共集接法。共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数：_1.电流放大倍数电流放大倍数 和和 BCII_工作于动态的三极管，真正的信号工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为的变化量为 IB，相应的集电极电流变，相应的集电极电流变化为化为 IC，则，则交流电流放大倍数交流电流放大倍数为：为：BIIC 例：例：UCE=6V时：时：
30、IB=40 A,IC=1.5mA；IB=60 A,IC=2.3mA。5.3704.05.1IIBC_ 4004.006.05.13.2IIBC 在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：=2.集集-基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO AICBOICBO是集是集电结反偏电结反偏由少子的由少子的漂移形成漂移形成的反向电的反向电流，受温流，受温度的变化度的变化影响。影响。3.集集-射极反向截止电流射极反向截止电流ICEO AICEOEc集电结反偏集电结反偏有有ICBO根据放大关根据放大关系，由于系，由于ICBO的存在，必的存在，必有电流有电流 ICBO。ICBOBECNN
31、PICBOICEOCBOBECEIIICBOBEIICBOCEOII1CBOBEIICBOBECBOCECIIIIICBOBECEIIICBOCEOII1CBOCBOBIII1CBOBIICEOBII 4.集电极最大电流集电极最大电流ICM集电极电流集电极电流IC上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值的三分值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为之二时的集电极电流即为ICM。所以集电极电流应为：所以集电极电流应为：IC=IB+ICEO而而ICEO受温度影响很大，当温度上升受温度影响很大，当温度上升时，时，ICEO增加很快，所以增加很快，所以IC也相应增
32、加。也相应增加。三极管的温度特性较差三极管的温度特性较差。5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压U(BR)CEO当集当集-射极之间的电压射极之间的电压UCE超过一超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是册上给出的数值是25 C C、基极开路时基极开路时的击穿电压的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM集电极电流集电极电流IC流过三极管，所发出的流过三极管，所发出的焦耳热为：焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以必定导致结温上升，所以PC有限制。有限制。PC PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区14.6 光电器件1、符号 2、型号 2EF14.6.1 发光二极管阳极+阴极-1、符号 2、型号 2AU、2CU14.6.2 光电二极管阳极+阴极-3、伏安特性1、符号 2、型号 3AU、3DU14.6.2 光电晶体管3、伏安特性CE
