1、HDIHDI制制程簡介程簡介报告人：制程报告人：制程 龚俊龚俊11/30/202211.HDI 產品說明產品說明2.HDI製作流程製作流程3.HDI結構設計方式結構設計方式4.HDI特有製程介紹特有製程介紹5.HDIHDI制作的相关参数及品质监控点制作的相关参数及品质监控点6.6.层间对准度系统层间对准度系统內容內容11/30/202221.HDI 產品說明產品說明-HDI=High Density Interconnection(高密度互連)HDI.和傳統電路板最大的不同處,在於HDI的立體化電路設計,以盲孔(Blind Hole)與埋孔(Buried Hole)來取代部分的導通孔.孔小：孔
2、徑在6 mil以下(本廠最低可以達到4mil)線細：Line/Space 不大於 3 mil/3mil密度高：接點密度大於 130點/in211/30/20223 傳統之電路板一般皆以機械鑽孔傳統之電路板一般皆以機械鑽孔,孔徑在孔徑在0.3mm以上以上,線路寬度在線路寬度在0.15mm以上以上,高密度互連板高密度互連板(HDI)則以先進之則以先進之Laser(雷射雷射)鑽孔機鑽孔機鑽孔鑽孔.目前一般使用目前一般使用CO2 Laser 所鑽孔徑可小至所鑽孔徑可小至0.1 mm,配合配合1000級以下有無塵室設計及先進的自動對位平行曝光機可將生產線路級以下有無塵室設計及先進的自動對位平行曝光機可將
3、生產線路縮小到縮小到0.1mm以下以下.高密度互連電路板高密度互連電路板(HDI)之之優點為可縮小電路板面積優點為可縮小電路板面積,增加封裝增加封裝及電子零件之裝配密度及電子零件之裝配密度,加大產品之功能加大產品之功能,減少板厚及重量減少板厚及重量,降低電降低電磁干擾磁干擾.由行動電話之演進即可得到驗証由行動電話之演進即可得到驗証.目前最先進行動電話皆目前最先進行動電話皆為為HDI之設計之設計,其功能比以前更強其功能比以前更強,但體積重量皆比以前小但體積重量皆比以前小,這都是這都是由於由於HDI技術的功勞技術的功勞.高密度互連板電路板高密度互連板電路板(HDI)之技術特點之技術特點11/30/
4、20224Pre-engineeringPattern imagingEtchingLaminating(一)Drilling(Blind hole)Cu platingHole pluggingBelt Sanding Pattern imagingLamination(二)Mechanical drillingPattern imagingCu platingSolder MaskSurface FinishedRoutingVisual inspectionElectric testShipping2.HDI 2.HDI 制作流程制作流程Conformal maskLaser11/30/
5、20225HDIHDI的工藝流程圖的工藝流程圖(业界业界)裁板裁板內鑽內鑽內層內層(1)內層內層AOI壓合壓合(1)鑽埋孔鑽埋孔水平電鍍水平電鍍(1)塞埋孔塞埋孔內層內層(2)內層內層AOI壓合壓合(2)Conformal MaskMask AOI鐳射鑽孔鐳射鑽孔機械鑽孔機械鑽孔水平電鍍水平電鍍(2)防焊防焊成型成型出貨出貨Blaser AOI外層線路外層線路外層外層AOI塞孔塞孔電測電測終檢終檢化銀化銀終檢終檢11/30/20226防焊防焊开料开料通孔钻孔通孔钻孔成仓成仓次外层线路次外层线路埋镀埋镀埋孔塞孔埋孔塞孔棕化棕化减铜减铜内层内层 (L3L4)内检内检压合（一）压合（一）埋孔钻孔（埋
6、孔钻孔（L2-L5层）层）内检内检压合（二）压合（二）MASKMASK AOI镭射钻孔镭射钻孔通孔电镀通孔电镀外层线路外层线路外层检查外层检查化金化金文字文字成型成型电测电测FQCHDIHDI的工藝流程圖的工藝流程圖(厂内厂内)11/30/20227PTH1+N+1&1+N+1&無埋孔無埋孔(一壓一壓HDI)HDI)3.常見的常見的HDI結構設計結構設計1+N+1&1+N+1&一次埋孔一次埋孔(二壓二壓HDI)HDI)12一階一階HDI設計設計:11/30/202281+N+1&VIA ON PTH1+N+1&VIA ON PTH(二壓二壓HDI)HDI)1+N+1&1+N+1&二次埋孔二次埋
7、孔(BV)(BV)3.常見的常見的HDI結構設計結構設計34一階一階HDI設計設計:11/30/202291+N+11+N+1機鑽盲孔機鑽盲孔 3.常見的常見的HDI結構設計結構設計5一階一階HDI設計設計:注注:一階一階HDI設計類型中設計類型中,最為常見的產品設計為第最為常見的產品設計為第2類類.11/30/2022103.常見的常見的HDI結構設計結構設計2+N+2 2+N+2(Stagger Via)(Stagger Via)(盲孔不對接盲孔不對接)二階二階HDI設計設計:122+N+22+N+2(Via on Via)(一階盲孔塞孔一階盲孔塞孔)11/30/2022113.常見的常見
8、的HDI結構設計結構設計2+N+22+N+2(Via on Via)(Via on Via)(一階盲孔填孔電鍍一階盲孔填孔電鍍)32+N+2 2+N+2(Stack Via)(Stack Via)(Via on Via)(Via on Via)(盲孔對接，大接小盲孔對接，大接小)4二階二階HDI設計設計:注注:一階一階HDI設計類型中設計類型中,最為常見的產品設計為第最為常見的產品設計為第1類類.11/30/2022124.HDI4.HDI特特有有製程介紹製程介紹1.Conformal Mask1.Conformal Mask製程製程:目的目的:在板面制作铜窗，以供镭射加工作业。在板面制作铜窗
9、，以供镭射加工作业。原理原理:利用干膜的特性，采用影像转移方式，将底片上的图形转移到利用干膜的特性，采用影像转移方式，将底片上的图形转移到 板子上，并通过板子上，并通过DESDES线药液之化学反应，去除干膜及多余的铜线药液之化学反应，去除干膜及多余的铜 面，从而在铜面上制作铜窗。面，从而在铜面上制作铜窗。截面示意图截面示意图平面示意图平面示意图11/30/2022134.HDI4.HDI特特有有製程介紹製程介紹2.2.雷射製程雷射製程:目的目的:制作盲孔，通过电镀方式与内层进行导通，以达到板小轻制作盲孔，通过电镀方式与内层进行导通，以达到板小轻 薄的目的。薄的目的。原理原理:用用CO2CO2激
10、光把外層開出來激光把外層開出來MASKMASK下的樹脂燃燒掉下的樹脂燃燒掉,再經一次除再經一次除 膠線去膠線去除除殘餘的樹脂殘餘的樹脂,形成客戶所需的微盲孔形成客戶所需的微盲孔 .截面示意图截面示意图设备图片设备图片11/30/2022144.HDI4.HDI特特有有製程介紹製程介紹3.3.塞孔（埋孔塞孔（埋孔/盲孔）盲孔）製程製程:埋孔塞孔埋孔塞孔目的目的:对电镀后的埋孔进行树脂填充，以避免压合时对电镀后的埋孔进行树脂填充，以避免压合时PPPP流流 胶填充不足而导致爆板。胶填充不足而导致爆板。盲孔塞孔目的：对电镀后的盲孔进行树脂填充，以避免电镀镀铜盲盲孔塞孔目的：对电镀后的盲孔进行树脂填充，
11、以避免电镀镀铜盲 孔处镀铜不能完全填充而导致铜面凹陷影响线路制孔处镀铜不能完全填充而导致铜面凹陷影响线路制 作。作。原理原理:借用塞孔治具，以网印方式将树脂填充到埋孔或盲孔内，并借用塞孔治具，以网印方式将树脂填充到埋孔或盲孔内，并 利用烘烤使其在孔内稳定填充利用烘烤使其在孔内稳定填充 .截面示意图截面示意图11/30/2022154.HDI4.HDI特特有有製程介紹製程介紹4.4.塞孔（埋孔塞孔（埋孔/盲孔）研磨盲孔）研磨製程製程:目的目的:对树脂塞孔的板子进行研磨，以研磨掉板面上多余的树脂，对树脂塞孔的板子进行研磨，以研磨掉板面上多余的树脂，确保铜面无树脂残留，从而避免影响线路制作。确保铜面
12、无树脂残留，从而避免影响线路制作。原理原理:利用物理原理对板面多余的填充树脂进行去除。利用物理原理对板面多余的填充树脂进行去除。研磨前研磨前研磨后研磨后11/30/2022165 5.HDIHDI制作的相关参数及品质监控点制作的相关参数及品质监控点 重点流重点流程程特别要求制作参数特别要求制作参数特别品质监控目特别品质监控目标标1.下压后需完全冷却，再打靶作业下压后需完全冷却，再打靶作业2.三个靶作业，涨缩监控范围设定为三个靶作业，涨缩监控范围设定为-25+225UM;3.打打靶靶前前对对板板子子进进行行粉粉笔笔编编号号，钻钻靶靶机机数数据据保保存存顺顺序序要要与与粉粉笔笔编编号号一一致；致；
13、4.10%抽打备用靶，并保存数据；抽打备用靶，并保存数据；5.打完靶，通知制工，进行数据分析，申请埋钻钻带；打完靶，通知制工，进行数据分析，申请埋钻钻带；6.用新铣刀进行锣边，保证无毛边；用新铣刀进行锣边，保证无毛边；7.不需磨边，但要进行板厚检测；不需磨边，但要进行板厚检测；埋钻埋钻（钻（钻2/5层）层）0.25MM孔径相关参数：孔径相关参数：研次：最高用到研二研次：最高用到研二寿命：寿命：2000钻速：钻速：140K进刀：进刀：60叠板数：叠板数：3PNL叠叠无埋孔偏，披风无埋孔偏，披风不可过大不可过大埋镀埋镀1.一铜一铜D/P线线+镀铜（锁定一个槽，镀铜（锁定一个槽，11ASF电流电流,
14、60MIN）；）；2.镀铜时，关闭摆幅；镀铜时，关闭摆幅；3.镀铜上板时保证板已夹定，如有松动用铜皮垫定；镀铜上板时保证板已夹定，如有松动用铜皮垫定；无孔塞，面铜无孔塞，面铜R值值0.5MIL以内以内内二内二（2/5层层线路）线路）1.流流程程：内内层层前前处处理理+外外层层压压膜膜/外外层层自自动动曝曝光光/外外层层显显影影+内内层层蚀蚀刻刻/内内层去膜；层去膜；2.内层前处理：内层前处理：2.5M/MIN线速线速 压膜预热温度：压膜预热温度：180度度 贴膜压力：贴膜压力：4KG/CM2 贴膜速度：贴膜速度：2M/MIN 贴膜后出板温度：贴膜后出板温度：50-60度度 曝光尺：曝光尺：6格
15、格 PE值：值：+/-60UM 显影显影 ：正常显影速度（显影点：正常显影速度（显影点50%）蚀刻速度：蚀刻速度：3.1+/-0.1同同PCB监控标准监控标准压合压合（一）（一）信赖度：信赖度：1-4次无次无分层分层靶孔品质：无孔靶孔品质：无孔偏，孔变形；偏，孔变形；板边不可有毛板边不可有毛边；边；HDI重点制作参数及品质监控目标汇总重点制作参数及品质监控目标汇总11/30/2022175 5.HDIHDI制作的相关参数及品质监控点制作的相关参数及品质监控点 重点流程重点流程特别要求制作参数特别要求制作参数特别品质监控目特别品质监控目标标棕化（埋塞棕化（埋塞塞孔前）塞孔前）1.线速3.8M/M
16、IN，烘干孔内水分；2.用新框架收板；搬运过程中，不可棕化刮伤漏铜；塞孔塞孔1.2CM刮刀；2.山荣PHP-900,IR-10FE树脂塞孔油墨；3.印刷刀数：1刀；4.单臂塞孔机；5.压力：5KG;6.铝片塞孔，铝片孔径D+4设计，导气板用1.0MM孔径制作；7.塞孔后用PE膜手动用滚轮整平；8.烘烤条件：150度30MIN;9.收板后，立即作业不可停留超过3H,烘烤后停留在防焊时间不可超过1H;1.塞孔后无漏光，板面无油墨堆积；2.塞孔深度70%以上；压合（二）压合（二）1.塞孔后及时上压，不可滞留超过3H;1.打靶前充分冷却；2.打靶粉笔编号分堆；3.捞边新铣刀作业；4.不走磨边线；5.七
17、个靶作业；6.压合后板边相同位置手动捞凹槽，便于镭射钻孔自动放板防呆区分；7.不需打钢印；信赖度：1-4次无分层靶孔品质：无孔偏，孔变形，靶孔毛刺；板边不可有毛边；板面品质：板面无塞孔过满导致的鼓起，缺胶；HDI重点制作参数及品质监控目标汇总重点制作参数及品质监控目标汇总11/30/2022185 5.HDIHDI制作的相关参数及品质监控点制作的相关参数及品质监控点 重点流程重点流程特别要求制作参数特别要求制作参数特别品质监控目特别品质监控目标标减铜减铜棕化+内层前处理棕化线速1.6M/MIN,一遍，内层前处理1.7M/MIN一遍棕化后面铜:0.42+/-0.05MIL;内层前处理后面铜：0.
18、4+/-0.05MIL;面铜R值：0.1MIL;MASK(开盲开盲窗窗)1.流程：内层前处理+外层压膜/外层自动曝光/外层显影+内层蚀刻/内层去膜；2.内层前处理：1.7M/MIN线速 压膜预热温度：180度 贴膜压力：4KG/CM2 贴膜速度：2M/MIN 贴膜后出板温度：50-60度 曝光尺：4格 PE值：+/-60UM 曝光延迟时间：8S 显影速度 ：正常显影速度+0.3M/MIN 蚀刻速度：5.3+/-0.1M/MIN,关闭一个蚀刻槽，开3个蚀刻槽;干膜：特殊1.2MIL厚度干膜；盲窗大小：5.0-5.5MIL;不可多孔，少孔，孔偏；通孔通孔0.25MM孔径相关参数：研次：最高用到研二
19、寿命：2000钻速：140K进刀：60叠板数：3PNL叠无通孔偏，披风不可过大HDI重点制作参数及品质监控目标汇总重点制作参数及品质监控目标汇总11/30/2022195 5.HDIHDI制作的相关参数及品质监控点制作的相关参数及品质监控点 重点流程重点流程特别要求制作参数特别要求制作参数特别品质监控目特别品质监控目标标电镀（镀电镀（镀1-6层）层）1.一铜D/P线（除胶两次）+镀铜（锁定一个槽，11ASF电流,90MIN）；2.镀铜时，关闭摆幅；3.镀铜上板时保证板已夹定，如有松动用铜皮垫定；无孔塞，面铜R值0.5MIL以内外层外层1.流程：内层前处理+外层压膜+半自动曝光机+外层显影线+内
20、层蚀刻去膜线2.内层前处理：2.5M/MIN线速 压膜预热温度：180度 贴膜压力：4KG/CM2 贴膜速度：2M/MIN 贴膜后出板温度：50-60度 曝光尺：6格 PE值：+/-60UM 显影 ：正常显影速度（显影点50%）蚀刻速度：3.1+/-0.1M/MIN同PCB监控标准HDI重点制作参数及品质监控目标汇总重点制作参数及品质监控目标汇总以上参数只是针对001-052此款型号，对于后续其他HDI板的制作参数及监控标准待重新考量，关于HDI制作过程中各站的详细参数及品质表现状况，见附件。11/30/2022206.層間對位的目的及說明層間對位的目的及說明目的：目的：說明：說明：由前製程製
21、作符合後製程或後續某一製程產品由前製程製作符合後製程或後續某一製程產品特性及設備特性之基準點或基準圖形，以便後特性及設備特性之基準點或基準圖形，以便後續製程依循，使各層間圖形及孔與圖形間可以續製程依循，使各層間圖形及孔與圖形間可以準確配合，避免因錯位導致產品不良。準確配合，避免因錯位導致產品不良。1.鑽孔製作鑽孔製作CCD對位孔供內、外層、選化曝光對位孔供內、外層、選化曝光 機對位同時製作成型套機對位同時製作成型套pin孔供成型時定位孔供成型時定位2.內層製作靶位供壓合內層製作靶位供壓合X-ray鑽靶機依循鑽靶機依循3.壓合鑽出之靶孔供鑽孔作為基準並作為壓合鑽出之靶孔供鑽孔作為基準並作為 co
22、nformal mask對位之用對位之用4.外層製作對位外層製作對位pad供供防焊曝光機對位防焊曝光機對位11/30/202221一一、埋鑽、埋鑽要求：要求：鑽孔孔位精準度不佳，嚴重者將導致內鑽孔孔位精準度不佳，嚴重者將導致內O或內或內S報廢；若報廢；若CCD孔距誤差大，內二曝光對位時會孔距誤差大，內二曝光對位時會因因PE值過大而踢退。值過大而踢退。原因：原因：孔位允許公差孔位允許公差 3mil。銅箔靶孔內二CCD孔11/30/202222管制：管制：1.以適當直徑之以適當直徑之pin釘釘與靶孔進行套與靶孔進行套pin對位。對位。2.鑽孔機定期進行鑽孔機定期進行RUN OUT及鑽孔精度檢驗。及
23、鑽孔精度檢驗。3.檯面清潔及鋁板貼附須依檯面清潔及鋁板貼附須依QC工程圖進行。工程圖進行。4.妥慎選擇補償值正確之程式。妥慎選擇補償值正確之程式。檢驗：檢驗：1.首趟生產完畢進行首趟生產完畢進行X-ray檢查，確認鑽孔對內檢查，確認鑽孔對內 層圖形無偏破。層圖形無偏破。2.使用使用HOLE CHECKER落實首件及製中檢驗。落實首件及製中檢驗。異常處理：異常處理：異常批重出鑽孔程式，並將異常批重出鑽孔程式，並將CCD對位孔與正常對位孔與正常批適當區隔。批適當區隔。11/30/202223二二、內二對位、內二對位要求：要求：板子對位孔與底片板子對位孔與底片CCD對位對位PAD偏差過大，圖形偏差過
24、大，圖形與鑽孔孔位不合，將導致孔上乾膜覆蓋面積不足與鑽孔孔位不合，將導致孔上乾膜覆蓋面積不足或無乾膜覆蓋，孔銅遭蝕刻造成線路斷開。或無乾膜覆蓋，孔銅遭蝕刻造成線路斷開。說明：說明：1.底片圖形轉移至基板後偏差量底片圖形轉移至基板後偏差量 2mil。2.預留靶位供壓合後製程依循。預留靶位供壓合後製程依循。11/30/202224管制：管制：1.生產前進行底片量測，板子與底片差異生產前進行底片量測，板子與底片差異 2mil。2.PE值、值、ME值須依值須依QC工程圖設定。工程圖設定。3.曝光首件以放大鏡檢視對位孔之對位準度。曝光首件以放大鏡檢視對位孔之對位準度。4.蝕刻首件檢查同心圓對準度。蝕刻首
25、件檢查同心圓對準度。檢驗：檢驗：1.放大鏡目視檢驗內容物曝光對準度。放大鏡目視檢驗內容物曝光對準度。2.使用使用X-ray檢查機檢查機檢查同心圓對準度檢查同心圓對準度。異常處異常處理：理：依板子實際埋鑽程式尺寸重出曝光底片。依板子實際埋鑽程式尺寸重出曝光底片。11/30/202225三三、Conformal Mask要求：要求：若板子對位孔與底片若板子對位孔與底片CCD對位對位PAD偏差過大，偏差過大，conformal mask開銅窗位置會與內二圖形不合，開銅窗位置會與內二圖形不合，導致導致laser孔漏接造成線路斷開。孔漏接造成線路斷開。說明：說明：1.底片圖形轉移至基板後偏差量底片圖形轉
26、移至基板後偏差量 2mil。2.預留預留laser對位點供對位點供laser鑽孔製程對位使用。鑽孔製程對位使用。靶孔11/30/202226管制：管制：1.生產前進行底片量測，板子與底片差異生產前進行底片量測，板子與底片差異 2mil2.PE值、值、ME值須依值須依QC工程圖設定。工程圖設定。3.蝕刻首件用蝕刻首件用X-ray檢查機檢查銅窗與內二圖形檢查機檢查銅窗與內二圖形 對準度。對準度。4.落實批號管制及底片編號管制。落實批號管制及底片編號管制。檢驗：檢驗：異常處理：異常處理：依板子實際靶距尺寸重出底片。依板子實際靶距尺寸重出底片。1.放大鏡目視檢驗內容物曝光對準度。放大鏡目視檢驗內容物曝
27、光對準度。2.使用使用X-ray檢查機檢查機檢查同心圓對準度檢查同心圓對準度。11/30/202227四四、Laser 鑽孔鑽孔要求：要求：外層曝光對位須同時對上外層曝光對位須同時對上Laser孔及機械孔，若孔及機械孔，若Laser程式與機械程式補償值不同，會發生局部程式與機械程式補償值不同，會發生局部孔偏破之異常。孔偏破之異常。說明：說明：紀錄紀錄Laser鑽孔程式補償供機械鑽孔程式補償鑽孔程式補償供機械鑽孔程式補償使用。使用。靶孔靶孔11/30/202228管制：管制：落實批號管制出貨，若補償值差異過大者須拆落實批號管制出貨，若補償值差異過大者須拆批送至機械鑽孔。批送至機械鑽孔。檢驗：檢驗
28、：品質檢驗，無後製程對位性檢驗項目。品質檢驗，無後製程對位性檢驗項目。異常處理：異常處理：異常批重出鑽孔程式，並將異常批重出鑽孔程式，並將CCD對位孔與正常對位孔與正常批適當區隔。批適當區隔。11/30/202229五五、通孔鑽孔、通孔鑽孔要要 求：求：1.孔位精度不佳會導致鑽孔單孔或局部孔偏破。孔位精度不佳會導致鑽孔單孔或局部孔偏破。2.外層曝光對位須同時對上外層曝光對位須同時對上Laser孔及機械孔，孔及機械孔，若若Laser程式與機械程式補償值不同，會發生程式與機械程式補償值不同，會發生 局部孔偏破之異常。局部孔偏破之異常。說明：說明：1.孔位允許公差孔位允許公差 3mil。2.使用使用
29、Laser鑽孔程式補償值。鑽孔程式補償值。靶孔靶孔11/30/202230管制：管制：1.以適當直徑之以適當直徑之pin釘與靶孔進行套釘與靶孔進行套pin對位。對位。2.鑽孔機定期進行鑽孔機定期進行RUN OUT及鑽孔精度檢驗。及鑽孔精度檢驗。3.檯面清潔及鋁板貼附須依檯面清潔及鋁板貼附須依QC工程圖進行。工程圖進行。檢驗：檢驗：1.首趟生產完畢進行首趟生產完畢進行X-ray檢查，確認鑽孔對內檢查，確認鑽孔對內 層圖形無偏破。層圖形無偏破。2.使用使用HOLE CHECKER檢驗底板孔位精度。檢驗底板孔位精度。異常處理：異常處理：異常批重出鑽孔程式，並將異常批重出鑽孔程式，並將CCD對位孔與正
30、常對位孔與正常批適當區隔。批適當區隔。11/30/202231六六、外層對位、外層對位要求：要求：板子對位孔與底片板子對位孔與底片CCD對位對位PAD偏差過大，外層圖形與偏差過大，外層圖形與Laser及機械鑽孔孔位不合，將導致孔上乾膜覆蓋面積不及機械鑽孔孔位不合，將導致孔上乾膜覆蓋面積不足或無乾膜覆蓋，孔銅遭蝕刻造成線路斷開。足或無乾膜覆蓋，孔銅遭蝕刻造成線路斷開。說明：說明：1.底片圖形轉移至基板後偏差量底片圖形轉移至基板後偏差量 2mil。2.預留防焊曝光及自動印刷對位預留防焊曝光及自動印刷對位pad供防焊製程使用。供防焊製程使用。防焊曝光對位防焊曝光對位PAD文字印刷對位文字印刷對位PA
31、D11/30/202232管制：管制：1.生產前進行底片量測，板子與底片差異生產前進行底片量測，板子與底片差異 2mil2.PE值、值、ME值須依值須依QC工程圖設定。工程圖設定。3.曝光首件以放大鏡檢視全板面曝光首件以放大鏡檢視全板面Laser孔及貫孔孔及貫孔 之對位準度。之對位準度。檢驗：檢驗：放大鏡目視檢驗內容物對準度。放大鏡目視檢驗內容物對準度。異常處理：異常處理：1.Laser孔及貫孔都對不上且趨勢相同須依板子孔及貫孔都對不上且趨勢相同須依板子 實際靶距重出底片。實際靶距重出底片。2.Laser孔及貫孔無法同時對上，須反應至製前孔及貫孔無法同時對上，須反應至製前 重新檢討因應方式。重
32、新檢討因應方式。11/30/202233要求：要求：若板子對位孔與底片若板子對位孔與底片CCD對位孔偏差過大，選對位孔偏差過大，選化乾膜覆蓋位置會與外層圖形不合，導致化乾膜覆蓋位置會與外層圖形不合，導致PAD遭遭D/F覆蓋或覆蓋或PAD露出造成化金後露銅或沾金。露出造成化金後露銅或沾金。說明：說明：底片圖形轉移至基板後偏差量底片圖形轉移至基板後偏差量 2mil。七七、選化曝光、選化曝光11/30/202234管制：管制：1.生產前進行底片量測，板子與底片差異生產前進行底片量測，板子與底片差異 2mil2.PE值、值、ME值須依值須依QC工程圖設定。工程圖設定。3.曝光首件以放大鏡檢視對位孔之對
33、位準度。曝光首件以放大鏡檢視對位孔之對位準度。4.化金首件用放大鏡檢查線路及化金首件用放大鏡檢查線路及PAD是否沾金是否沾金 或露銅。或露銅。檢驗：檢驗：放大鏡目視檢驗曝光對準度。放大鏡目視檢驗曝光對準度。異常處理：異常處理：依板子實際依板子實際CCD孔尺寸重出底片。孔尺寸重出底片。11/30/202235總結總結 1.為了有效掌控製中產品對準品質狀況，板邊及為了有效掌控製中產品對準品質狀況，板邊及板中會設計對應之檢查圖形或對位孔供人員進行板中會設計對應之檢查圖形或對位孔供人員進行及時量測，以便進行必要比例補償或異常處理及時量測，以便進行必要比例補償或異常處理。2.不同的產品結構所使用的對位方式會略有不同。不同的產品結構所使用的對位方式會略有不同。例如：例如：L1接接L2且且L2接接L3的的二階盲孔比較適合分二階盲孔比較適合分別以內一及內二的靶位作為別以內一及內二的靶位作為conformal mask對位；對位；但但L1接接L2且且L1接接L3的二階盲孔可能必須於內一的二階盲孔可能必須於內一時製作兩種靶形，作為分別作為時製作兩種靶形，作為分別作為L2及及L1的的conformal mask對位孔對位孔。11/30/202236
