1、模 拟 电 子 技 术 掌握内容：掌握内容：PNPN结的特性结的特性 理解内容：理解内容：半导体的分类与特性半导体的分类与特性 了解内容：了解内容：PNPN结的形成；特殊二极管结的形成；特殊二极管 重重 点：点：PNPN结及其特性，二极管及其基本电结及其特性，二极管及其基本电路路 难难 点：点：二极管的建模及应用二极管的建模及应用 本章学时：本章学时：4 4半导体二极管及其基本半导体二极管及其基本电路电路模 拟 电 子 技 术2.1半导体的基础知识半导体的基础知识2.2PN结的形成及特性结的形成及特性2.3半导体二极管半导体二极管2.4二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法小结小
2、结2.5特殊二极管特殊二极管半导体二极管及其基本半导体二极管及其基本电路电路模 拟 电 子 技 术2.1.1本征半导体本征半导体2.1.2杂质半导体杂质半导体模 拟 电 子 技 术2.1.1 本征半导体本征半导体半导体半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体半导体 纯净的半导体。如硅纯净的半导体。如硅、锗单晶体。锗单晶体。载流子载流子 自由运动的带电粒子。自由运动的带电粒子。共价键共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。相邻原子共有价电子所形成的束缚。模 拟 电 子 技 术硅硅(锗锗)的原子结构的原子结构简化简化模型模型惯性核惯性核硅硅(锗锗)
3、的共价键结构的共价键结构价电子价电子自自由由电电子子(束缚电子束缚电子)空空穴穴空穴空穴空穴可在共空穴可在共价键内移动价键内移动模 拟 电 子 技 术本征激发：本征激发：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。成对消失的过程。自由电子和空穴在电场作用下的定向运自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。动。在室温或光照下价电子获得足够能量摆在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位中留下一个空位(空穴空穴)的过程。的过程。模 拟 电 子 技 术两种载流子两种载流子电子电子(自
4、由电子自由电子)空穴空穴两种载流子的运动两种载流子的运动自由电子自由电子(在共价键以外在共价键以外)的运动的运动空穴空穴(在共价键以内在共价键以内)的运动的运动 结论结论：1.本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；3.本征半导体导电能力弱，并与温度有关本征半导体导电能力弱，并与温度有关。模 拟 电 子 技 术2.1.2 杂质半导体杂质半导体一、一、N 型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体N 型型+5+4+4+4+4+4磷原子磷原子自由电子自由电子电子为电子为多多数
5、载流数载流子子空穴为空穴为少少数载流数载流子子载流子数载流子数 电子数电子数模 拟 电 子 技 术2.1.2 杂质半导体杂质半导体一、一、N 型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体P 型型+3+4+4+4+4+4硼原子硼原子空穴空穴空穴空穴 多子多子电子电子 少子少子载流子数载流子数 空穴数空穴数模 拟 电 子 技 术二、杂质半导体的导电作用二、杂质半导体的导电作用IIPINI=IP+INN 型半导体型半导体 I INP 型半导体型半导体 I IP模 拟 电 子 技 术三、三、P 型、型、N 型半导体的简化图示型半导体的简化图示负离子负离子多数载流子多数载流子少数载流子少数载流子正离子正离
6、子多数载流子多数载流子 少数载流子少数载流子模 拟 电 子 技 术2.2 PN 结结一、一、PN 结结(PN Junction)的形成的形成1.载流子的载流子的浓度差浓度差引起多子的引起多子的扩散扩散2.复合使交界面复合使交界面形成空间电荷区形成空间电荷区(耗尽层耗尽层)空间电荷区特点空间电荷区特点:无载流子，无载流子，阻止扩散进行，阻止扩散进行，利于少子的漂移。利于少子的漂移。内建电场内建电场模 拟 电 子 技 术3.扩散和漂移达到扩散和漂移达到动态平衡动态平衡扩散电流扩散电流 等于漂移电流，等于漂移电流，总电流总电流 I=0。二、二、PN 结的单向导电性结的单向导电性1.外加外加正向正向电
7、压电压(正向偏置正向偏置)forward bias模 拟 电 子 技 术P 区区N 区区内内电场电场外电场外电场外电场使多子向外电场使多子向 PN 结移动结移动,中和部分离子中和部分离子使空间电荷区变窄。使空间电荷区变窄。IF限流电阻限流电阻扩散运动加强形成正向电流扩散运动加强形成正向电流 IF。IF=I多子多子 I少子少子 I多子多子2.外加外加反向反向电压电压(反向偏置反向偏置)reverse bias P 区区N 区区内内电场电场外电场外电场外电场使少子背离外电场使少子背离 PN 结移动，结移动，空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。IRPN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大结的单
8、向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零。反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流漂移运动加强形成反向电流 IRIR=I少子少子 0模 拟 电 子 技 术三、三、PN 结的伏安特性结的伏安特性)1e(/STUuII反向饱反向饱和电流和电流温度的温度的电压当量电压当量qkTUT 电子电量电子电量玻尔兹曼玻尔兹曼常数常数当当 T=300(27 C)：UT =26 mVOu/VI/mA正向特性正向特性反向击穿反向击穿加正向电压时加正向电压时加反向电压时加反向电压时iIS模 拟 电 子 技 术2.3.1 半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型
9、2.3.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性2.3.3 二极管的主要参数二极管的主要参数模 拟 电 子 技 术2.3.1 半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型构成：构成：PN 结结+引线引线+管壳管壳=二极管二极管(Diode)符号：符号：A(anode)C(cathode)分类：分类：按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型平面型平面型模 拟 电 子 技 术点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝N 型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型N型锗型锗PN 结结 正极引线正极引线铝合金铝合金小球小
10、球底座底座金金锑锑合金合金正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型PNP 型支持衬底型支持衬底模 拟 电 子 技 术模 拟 电 子 技 术2.3.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性一、一、PN 结的伏安方程结的伏安方程)1e(/SDD TUuIi反向饱反向饱和电流和电流温度的温度的电压当量电压当量qkTUT 电子电量电子电量玻尔兹曼玻尔兹曼常数常数当当 T=300(27 C)：UT =26 mV模 拟 电 子 技 术二、二极管的伏安特性二、二极管的伏安特性OuD/ViD/mA正向特性正向特性Uth死区死区电压电压iD=0Uth=0.5 V 0.1 V(硅管硅管)(锗管
11、锗管)U UthiD 急剧上升急剧上升0 U Uth UD(on)=(0.6 0.8)V 硅管硅管 0.7 V(0.1 0.3)V锗管锗管 0.2 V反向特性反向特性ISU(BR)反向击穿反向击穿U(BR)U 0 iD=IS 0.1 A(硅硅)几十几十 A(锗锗)U U(BR)反向电流急剧增大反向电流急剧增大(反向击穿反向击穿)模 拟 电 子 技 术反向击穿类型：反向击穿类型：电击穿电击穿热击穿热击穿反向击穿原因反向击穿原因：齐纳击穿齐纳击穿：(Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压击穿电压 6 V，正正温度系数温度系数)击穿电压在击穿电
12、压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。左右时，温度系数趋近零。模 拟 电 子 技 术硅管的伏安特性硅管的伏安特性锗管的伏安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.040 0.4 0.82550iD/mAuD/ViD/mAuD/V0.20.4 25 50510150.010.020模 拟 电 子 技 术温度对二极管特性的影响温度对二极管特性的影响604020 0.0200.42550iD/mAuD/V20 C90 CT 升高时升高时，UD(on)以以(2 2.5)mV/C 下降下降模 拟 电 子 技 术2.3.3 二极管的主要参数二极管的主要参数1.IF 最大整流电流最大整流电流(最大正向
13、平均电流最大正向平均电流)2.URM 最高反向工作电压最高反向工作电压，为为 U(BR)/2 3.IR 反向电流反向电流(越小单向导电性越好越小单向导电性越好)4.fM 最高工作频率最高工作频率(超过时单向导电性变差超过时单向导电性变差)iDuDU(BR)I FURMO模 拟 电 子 技 术影响工作频率的原因影响工作频率的原因 PN 结的电容效应结的电容效应 结论：结论：1.低频低频时，因结电容很小，对时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。结影响很小。高频高频时，因容抗增大，使时，因容抗增大，使结电容分流结电容分流，导致导致单向单向 导电性变差。导电性变差。2.结面积小时结电容小，工作频率高
14、。结面积小时结电容小，工作频率高。模 拟 电 子 技 术2.4.1 理想二极管及二极管理想二极管及二极管 特性的折线近似特性的折线近似2.4.2 图解法和微变等效电路法图解法和微变等效电路法模 拟 电 子 技 术2.4.1 理想二极管及二极管特性的折线近似理想二极管及二极管特性的折线近似一、理想二极管一、理想二极管特性特性uDiD符号及符号及等效模型等效模型SS正偏导通，正偏导通，uD=0；反偏截止，反偏截止，iD=0 U(BR)=模 拟 电 子 技 术二、二极管的恒压降模型二、二极管的恒压降模型uDiDUD(on)uD=UD(on)0.7 V(Si)0.2 V(Ge)模 拟 电 子 技 术三
15、、二极管的折线近似模型三、二极管的折线近似模型uDiDUD(on)UIIUr D斜率斜率1/rDrD1UD(on)模 拟 电 子 技 术UD(on)例例 1 硅二极管，硅二极管，R=2 k，分别用二极管理分别用二极管理想模型和恒压降模型求出想模型和恒压降模型求出 VDD=2 V 和和 VDD=10 V 时时 IO 和和 UO 的值。的值。模 拟 电 子 技 术 解解 VDD=2 V 理想理想IO=VDD/R=2/2 =1(mA)UO=VDD=2 V恒压降恒压降UO=VDD UD(on)=2 0.7=1.3(V)IO=UO/R=1.3/2=0.65(mA)VDD=10 V 理想理想IO=VDD/
16、R=10/2=5(mA)恒压降恒压降 UO=10 0.7=9.3(V)IO=9.3/2=4.65(mA)VDD 大，大，采用理想模型采用理想模型VDD 小，小，采用恒压降模型采用恒压降模型模 拟 电 子 技 术例例2 试求电路中电流试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压和输出电压 UO 的值的值。解：解：假设二极管断开假设二极管断开UP=15 V(V)9 12 31 3N UUP UN二极管导通二极管导通等效为等效为 0.7 V 的恒压源的恒压源 PN模 拟 电 子 技 术UO=VDD1 UD(on)=15 0.7=14.3(V)IO=UO/RL=14.3/3 =4.8(mA)I2=(U
17、O VDD2)/R=(14.3 12)/1 =2.3(mA)I1=IO+I2=4.8+2.3=7.1(mA)模 拟 电 子 技 术例例 3 二极管构成二极管构成“门门”电路，设电路，设 V1、V2 均为理想均为理想二极管，当输入电压二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压为低电压 0 V 和高电和高电压压 5 V 的不同组合时，求输出电压的不同组合时，求输出电压 UO 的值。的值。0 V正偏正偏导通导通5 V正偏正偏导通导通0 V模 拟 电 子 技 术输入电压输入电压理想二极管理想二极管输出输出电压电压UAUBV1V20 V0 V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通0 V0 V5 V正偏正偏导通导
18、通反偏反偏截止截止0 V5 V0 V反偏反偏截止截止正偏正偏导通导通0 V5 V5 V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通5 V模 拟 电 子 技 术例例 4 画出硅二极管构成的桥式整流电路在画出硅二极管构成的桥式整流电路在ui=15sin t(V)作用下输出作用下输出 uO 的的波形。波形。(按理想模型按理想模型)Otui/V15RLV1V2V3V4uiBAuO模 拟 电 子 技 术OtuO/V15若有条件，可若有条件，可切换到切换到 EWB 环境观环境观察桥式整流波形。察桥式整流波形。模 拟 电 子 技 术例例 5 ui=2 sin t(V)，分析二极管的限幅作用。分析二极管的限幅作用。ui
19、较小，宜采用恒压降模型较小，宜采用恒压降模型ui 0.7 VV1、V2 均截止均截止uO=uiuO=0.7 Vui 0.7 VV2 导通导通 V截止截止ui 0.7 VV1 导通导通 V2 截止截止 uO=0.7 V模 拟 电 子 技 术思考题思考题:V1、V2 支路各串联恒压源，支路各串联恒压源，输出波形如何？输出波形如何？(可可切至切至 EWB)OtuO/V0.7Otui/V2 0.7模 拟 电 子 技 术2.4.2 图解法和微变等效电路法图解法和微变等效电路法一、二极管电路的直流图解分析一、二极管电路的直流图解分析 uD=VDD iDRiD=f(uD)1.2 V100 iD/mA1284
20、00.30.6uD/V1.20.9MN直流负载线直流负载线斜率斜率 1/R静态工作点静态工作点斜率斜率1/RDiDQIQUQ模 拟 电 子 技 术也可取也可取 UQ=0.7 VIQ=(VDD UQ)/R=5(mA)二极管直流电阻二极管直流电阻 RD (140)k(14.05/7.0QQDIUR模 拟 电 子 技 术iD/mAuD/VO二、二、交流图解法交流图解法电路中含直流和小信号交流电源时电路中含直流和小信号交流电源时,二极管中二极管中含交、直流含交、直流成分成分C 隔直流隔直流 通交流通交流当当 ui=0 时时iD=IQUQ=0.7 V(硅硅)，0.2 V(锗锗)RUVIQDDQ 设设 u
21、i=sin tVDDVDD/RQIQ tOuiUQ斜率斜率1/rd模 拟 电 子 技 术iD/mAuD/VOVDDVDD/RQIQ tOuiUQiD/mA tOdQDiIi dQDuUu id斜率斜率1/rdQuirDDddd1)1e(/SDD TUuIiTUUTUIUIrTQSdQe1 rd=UT/IQ=26 mV/IQ当当 ui 幅度较小时，幅度较小时，二极管伏安特性在二极管伏安特性在Q点附近近似为直线点附近近似为直线模 拟 电 子 技 术uiudRidrd三、微变等效电路分析法三、微变等效电路分析法对于交流信号对于交流信号电路可等效为电路可等效为例例 6 ui=5sin t(mV)，VD
22、D=4 V，R=1 k，求求 iD 和和 uD。解解 1.静态分析静态分析令令 ui=0，取取 UQ 0.7 VIQ=(VDD UQ)/R=3.3 mA模 拟 电 子 技 术2.动态分析动态分析rd=26/IQ=26/3.3 8()Idm=Udm/rd=5/8 0.625(mA)id=0.625 sin t3.总电压、电流总电压、电流dQDuUu dQDiIi =(0.7+0.005 sin t)V=(3.3+0.625 sin t)mA模 拟 电 子 技 术2.5特殊二极管特殊二极管2.5.1 稳压二极管稳压二极管2.5.2 光电二极管光电二极管模 拟 电 子 技 术2.5.1 稳压二极管稳
23、压二极管一、伏安特性一、伏安特性符号符号工作条件：工作条件：反向击穿反向击穿iZ/mAuZ/VO UZ IZmin IZmax UZ IZ IZ特性特性模 拟 电 子 技 术二、主要参数二、主要参数1.稳定电压稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。两端的反向电压值。2.稳定电流稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，越大稳压效果越好，小于小于 Imin 时不稳压。时不稳压。3.最大工作电流最大工作电流 IZM 最大耗散功率最大耗散功率 PZMP ZM=UZ IZM4.动态电阻动态电阻 rZrZ=UZ/IZ 越小稳压效果越好。越小稳压效果越好。几几 几十几十 模
24、拟 电 子 技 术5.稳定电压温度系数稳定电压温度系数 CT%100ZZT TUUC一般，一般，UZ 4 V，CTV 7 V，CTV 0(为雪崩击穿为雪崩击穿)具有正温度系数；具有正温度系数；4 V UZ 7 V，CTV 很小。很小。模 拟 电 子 技 术例例 1 分析简单稳压电路的工作原理，分析简单稳压电路的工作原理，R 为限流电阻。为限流电阻。IR=IZ+ILUO=UI IR RUIUORRLILIRIZ模 拟 电 子 技 术2.5.2 发光二极管与光敏二极管发光二极管与光敏二极管一、发光二极管一、发光二极管 LED(Light Emitting Diode)1.符号和特性符号和特性工作条
25、件：工作条件：正向偏置正向偏置一般工作电流几十一般工作电流几十 mA，导通电压导通电压(1 2)V符号符号u/Vi /mAO2特性特性模 拟 电 子 技 术2.主要参数主要参数电学参数：电学参数：I FM，U(BR)，IR光学参数：光学参数：峰值波长峰值波长 P，亮度亮度 L，光通量光通量 发光类型：发光类型：可见光：可见光：红、黄、绿红、黄、绿显示类型：显示类型：普通普通 LED，不可见光：不可见光：红外光红外光点阵点阵 LED七段七段 LED,模 拟 电 子 技 术模 拟 电 子 技 术二、光敏二极管二、光敏二极管1符号和特性符号和特性符号符号特性特性uiO暗电流暗电流E=200 lxE=
26、400 lx工作条件：工作条件：反向偏置反向偏置2.主要参数主要参数电学参数：电学参数：暗电流，光电流，最高工作范围暗电流，光电流，最高工作范围光学参数：光学参数：光谱范围，灵敏度，峰值波长光谱范围，灵敏度，峰值波长实物照片实物照片模 拟 电 子 技 术补充：补充：选择二极管限流电阻选择二极管限流电阻步骤：步骤：1.设定工作电压设定工作电压(如如 0.7 V；2 V(LED)；UZ)2.确定工作确定工作电流电流(如如 1 mA；10 mA；5 mA)3.根据欧姆定律求电阻根据欧姆定律求电阻 R=(UI UD)/ID(R 要选择标称值要选择标称值)模 拟 电 子 技 术小小 结结第第 1 章章模
27、 拟 电 子 技 术一、两种半导体和两种载流子一、两种半导体和两种载流子两种载流两种载流子的运动子的运动电子电子 自由电子自由电子空穴空穴 价电子价电子两两 种种半导体半导体N 型型 (多电子多电子)P 型型 (多空穴多空穴)二极管二极管单向单向正向电阻小正向电阻小(理想为理想为 0)，反向电阻大反向电阻大()。)1e(DSD TUuIi)1e(,0DSDD TUuIiu0 ,0SD IIu模 拟 电 子 技 术iDO uDU(BR)I FURM正向正向 最大平均电流最大平均电流 IF反向反向 最大反向工作电压最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿超过则击穿)反向饱和电流反向饱和电流 IR
28、(IS)(受温度影响受温度影响)IS模 拟 电 子 技 术3.二极管的等效模型二极管的等效模型理想模型理想模型 (大信号状态采用大信号状态采用)uDiD正偏导通正偏导通 电压降为零电压降为零 相当于理想开关闭合相当于理想开关闭合反偏截止反偏截止 电流为零电流为零 相当于理想开关断开相当于理想开关断开恒压降模型恒压降模型UD(on)正偏电压正偏电压 UD(on)时导通时导通 等效为恒压源等效为恒压源UD(on)否则截止，相当于二极管支路断开否则截止，相当于二极管支路断开UD(on)=(0.6 0.8)V估算时取估算时取 0.7 V硅管：硅管：锗管：锗管：(0.1 0.3)V0.2 V折线近似模型折线近似模型相当于有内阻的恒压源相当于有内阻的恒压源 UD(on)模 拟 电 子 技 术4.二极管的分析方法二极管的分析方法图解法图解法微变等效电路法微变等效电路法5.特殊二极管特殊二极管工作条件工作条件主要用途主要用途稳压二极管稳压二极管反反 偏偏稳稳 压压发光二极管发光二极管正正 偏偏发发 光光光敏二极管光敏二极管反反 偏偏光电转换光电转换模 拟 电 子 技 术作业：作业：P60 2.4.3 P60 2.4.3 P60 2.4.6 P60 2.4.6
