1、Defect Chemistry本章内容本章内容 3.1 3.1 缺陷化学基础缺陷化学基础 3.2 3.2 缺陷化学反应缺陷化学反应 3.3 3.3 非化学计量化合物非化学计量化合物 3.4 3.4 缺陷与半导体缺陷与半导体 3.5 3.5 材料与光的相互作用材料与光的相互作用 3.6 3.6 热电材料及应用热电材料及应用3.1 3.1 晶体晶体缺陷的分类缺陷的分类 线缺陷线缺陷体缺陷体缺陷电子缺陷电子缺陷面缺陷面缺陷点缺陷点缺陷点缺陷（零维缺陷）线缺陷（一维缺陷）面缺陷（二维缺陷）体缺陷（三维缺陷）电子缺陷本征缺陷杂质缺陷位错位错处的杂质原子小角晶粒间界挛晶界面堆垛层错包藏杂质沉淀空洞导带电
2、子价态空穴晶体缺陷位错缺陷空位缺陷间隙缺陷取代缺陷3.1 点缺陷点缺陷 Point Defect空位空位间隙原子间隙原子错位原子或离子错位原子或离子外来原子或离子外来原子或离子双空位等复合体双空位等复合体 点缺陷点缺陷（零维缺陷）（零维缺陷）Vacancies:-vacant atomic sites in a structure.Vacancydistortion of planes Self-Interstitials:-extra atoms positioned between atomic sites.self-interstitialdistortion of planes点缺陷点
3、缺陷CommonRare缺陷图示VacancyInterstitial 3.1 缺陷化学符号缺陷化学符号 点缺陷名称点缺陷所带有效电荷缺陷在晶体中所占的格点 中性 正电荷 负电荷3.1化学缺陷符号化学缺陷符号化学缺陷符号含义VM金属离子空位Mi金属离子处在晶格间隙XM非金属阴离子处在金属阳离子位置上MX金属阳离子处在非金属阴离子位置上(VMVX)或(MiXi)缺陷缔合LM引入的溶质L处在金属离子的位置上SX引入的溶质S处在非金属离子的位置上e电子h空穴3.1 Kroger-Vink 记号记号总结符号规则总结符号规则：P P缺陷种类缺陷种类：缺陷原子：缺陷原子M 或或 空位空位 VC 有效电荷数
4、有效电荷数P 负电荷负电荷 正电荷正电荷（x 中性）中性）缺陷位置缺陷位置（i 间隙）间隙）Max.C=P P 的电价的电价 P上的电价上的电价 （V，i 的电价的电价=0）有效电荷有效电荷实际电荷。实际电荷。对于电子、空穴及原子晶体，二者相等；对于电子、空穴及原子晶体，二者相等；对于化合物晶体，二者一般不等。对于化合物晶体，二者一般不等。注：注：3.1本征缺陷本征缺陷 intrinsic point defectsT E 热起伏热起伏(涨落涨落)E原子原子 E平均平均 原子脱离其平衡位置原子脱离其平衡位置 在原来位置上产生一个空位在原来位置上产生一个空位 表面位置表面位置(间隙小间隙小/结构
5、紧凑结构紧凑)间隙位置间隙位置(结构空隙大结构空隙大)Frenkel 缺陷缺陷MM VM+Mi M X:MX VM+VX Schottky 缺陷缺陷 弗兰克尔缺陷：弗兰克尔缺陷：金属晶体：形成等量的金属离子空位和间隙中的金属 离子；离子晶体：形成等量的正离子间隙和正离子空位 （正负离子半径大小不同）；以离子晶体MX为例：其弗兰克尔缺陷就是 和 ，和 分别表示它们的浓度，由热缺陷的波尔兹曼分布，有如下的式子成立：其中，E：生成一个正离子间隙和一个正离子空位所需要的能量；Em：生成一摩尔正离子间隙和一摩尔正离子空位所需要的能量，简称 缺陷的生成能。MViMMViM mMiEEVMexpexpkTR
6、T 无外界干扰无外界干扰 间隙与空位等量，则间隙与空位等量，则肖特基缺陷：肖特基缺陷：金属：形成金属离子空位；金属：形成金属离子空位；离子晶体：形成等量的正离子和负离子空位，离子晶体：形成等量的正离子和负离子空位，即即Vm和和Vx；以MgO为例：，miMEMVexp2RTmMgOEVMexpRTmMgEVexp2RT Boltzmanns constant (1.38 x 10-23 J/atom K)(8.62 x 10-5 eV/at om K)NDNexpQDkT No.of defectsNo.of potential defect sites.Activation energyTem
7、peratureEach lattice site is a potential vacancy site Point defect concentration varies with temperature!3.1点缺陷的平衡浓度5 We can get Q from an experiment.1/TNNDln1-QD/kslope3.1缺陷活化能定义:体系中杂质(2)在本体(1)中的含量 质量百分比(wt%)两种表述:原子百分比(at%)3.1缺陷浓度的表示C1=m1+m2x 100C1=n1 +n2x 100n1m1质量,m1,与摩尔数,n1,的关系:n1=m1A1A1 原子量杂质的两
8、种典型掺入方式 Solid solution of B in A(i.e.,random dist.of point defects)或Substitutional alloy(e.g.,Cu in Ni)Interstitial alloy(e.g.,C in Fe)3.1 固体中的杂质3.1杂质缺陷杂质缺陷基质原子杂质原子基质原子杂质原子取代式取代式 间隙式间隙式（由于外来原子进入晶体而产生的缺陷）能量效应体积效应体积效应8 Impurities must also satisfy charge balance Ex:NaCl Substitutional cation impurity
9、Substitutional anion impurityinitial geometryCa2+impurityresulting geometryCa2+Na+Na+Ca2+cation vacancyinitial geometry O2-impurityO2-Cl-anion vacancyCl-resulting geometry3.1陶瓷中的杂质 NaClNaNaClCaClVCaCl223.1陶瓷中的杂质3.1陶瓷中的杂质-固溶体Solvent 溶剂Solute 溶质原子半径差小于15%相同晶体结构相同电负性相同化学价If one or more of the above rul
10、es is violated only partial solubility is possible.For complete miscibility to occur in metallic solid solutions,the two metals must be quite similar as defined by the Hume-Rothery rules3.2 缺陷产生缺陷产生 复合复合 化学反应化学反应A B+C B+C对于缺陷反应式对于缺陷反应式n 质量平衡质量平衡 P Pn 电中性电中性 C：n格点数比例关系格点数比例关系：n格点增殖：格点增殖：P PPC化学反应式中的化
11、学反应式中的 “配平配平”（V的质量的质量=0=0）晶体必须保持电中性晶体必须保持电中性 S Sci =0晶体晶体 Aa Bb NA:NB=a:b u 四个规则：四个规则：空位的的引入或消除空位的的引入或消除格点数的增加或减少格点数的增加或减少引起格点增殖的缺陷有：VM、Vx、MM、Mx、XM、Xx等；不发生格点增殖的缺陷有：e、h、Mi、Xi等 例1 中掺入 ,缺陷反应方程式为：例2 中掺入 和 中掺入 的方程式分别为：NaCl2CaClMgOMgO32OAl32OAlOMgMgMgOOAlVOAl32 32 OAlOOAlOMgVMgO22232 NaClNaNaClCaClVCaCl22
12、3.2 基本的缺陷反应方程基本的缺陷反应方程 1具有夫伦克耳缺陷（具有等浓度的晶格空位和填隙缺陷）的整比化合物M2+X2-：2具有反夫伦克耳缺陷的整比化合物M2+X2-：3具有肖特基缺陷的整比化合物M2+X2-：（无缺陷态）.MiMVMM XiXVXX.XMVV 0u 基本的缺陷反应方程基本的缺陷反应方程 4肖特基缺陷的整比化合物M2+X2-：5具有结构缺陷的整比化合物M2+X2-：例如:在某些尖晶石型结构的化合物AB2O4中具有这种 缺陷，即XMiiXMVVXMXM.MXXMXMXMAXBBABABA3.23.2化学式化学式u举例如下：（1mol基体对应x mol置换离子）u 向1mol 中
13、掺入x mol 发生置换反应：的化学式：(x mol 提供x mol的钙离子，置换了x mol的锆离子，并由于置换离子的价数不同，在基体中造成了x mol氧空位)电中性原则检验：OO ZrZrOVOCaCaO22ZrO12xxxZr Ca OCaO2ZrOCaO0)1(42)2(2xxxu 向1mol 中掺入 发生反应：与 的不同之处在于：一部分钙离子置换了锆离子，另一部分钙离子填在氧化锆晶格的间隙中形成间隙离子。的化学式为：u 向1mol的 中掺入x mol 发生置换反应：的化学式为：2ZrOCaO Oi ZrZrOO2CaCaCaO22 2ZrO122xxZr Ca O32OAlMgO O
14、OAlOAlVO2Mg2MgO232 32OAl2132xxxAlMg Ou 向1mol的 中掺入x mol 发生填隙反应：的化学式为：u 向1mol的 中掺入x mol 发生等价置换反应：的化学式为：u 向1mol 中再掺入x mol ，发生置换反应：的化学式为：32OAlMgO AlOiOAlV2O3Mg3MgO332 32OAl2323xxAlMg O32OAl32OCr232323Al OAlOCr OCrO 32OAl23xxAlCr O3xx2OCrAlNiO OOAlOAlVO2Ni2NiO23232OAl213y2x yxyAlCr Ni O 6化合物密度计算 密度：单位晶胞内
15、所有原子总质量与单位晶胞体积的商，表示为：（单位：）设一个晶胞中有n个原子，则：化合物的密度计算的应用：化合物的密度计算的应用：判断在给定的化学式中，掺杂的物质是以填隙还是置换的形式进入基体的，因为填隙型和置换型化合物的密度不同，一般而言，置换型的密度较填隙型的小。3.23.2化合物密度化合物密度VW3cm/giAiiNiiWW原子的原子量）（实际占据的分数）原子的位置数）（晶胞中以氧化钙掺杂氧化锆为例：以氧化钙掺杂氧化锆为例：CaO填隙置换CaO填隙置换 图图3-8 ZrO2中掺杂CaO后理论密度和CaO掺杂量之间的关系密度Oi ZrZrOO2CaCaCaO22 OO ZrZrOVOCaCa
16、O23.2缺陷缔合反应缺陷缔合反应 以“NaCl的热缺陷产生”来说明：（下标S：surface）一定条件下，部分Na和Cl空位组合形成 xClNaClNa)VV(VV（x代表缔合的缺陷呈电中性）平衡常数平衡常数 K：)kTgexp(VV)VV(KaClNaClNa（ga：一个缺陷缔合的缔合能）exp()sNaClgVVkT又（gs：一个肖脱基缺陷的生成能）得：()exp()asNaClggVVkTssClNaClNaVVNaCl 热力学中，吉布斯自由能变与焓变及熵变有如下关系：aaaghTS ，sssghTS（其中，又称作“位形熵”，又称作“相互作用能”）aSah代入()exp()asNaCl
17、ggVVkT得：()exp()asNaClhhVVKkTexp()asSSKk 常 数（一 定 温 度 范 围 内）式中，)(21eVRqqha温度升高使热骚动加剧，从而促进肖脱基缺陷的生成而不利于缺陷缔合；另外，缺陷缔合能为负绝对值较大的，有利于缺陷缔合。p 例如：向 中加入 ：NaCl2CaCl22NaClNaNaClVClCaCaCl xNaNaNaNaVCaVCa)(2.向 中加入 ：2CdF3SmxCdiCdFSmFSm)(3.向 中加入 ：ZnS3Al)(ZnZnZnZnVAlVAl带电的缺陷缔合带电的缺陷缔合 3.3非化学计量化合物非化学计量化合物定义：定义：某些金属与非金属的化
18、合物的成分随合成气氛的不同而变化，并不一定严格遵守化学式中的计量配比，称这种化合物为非化学计量化合物非化学计量化合物。3.3非化学计量化合物举例非化学计量化合物举例 1缺阴离子型典型化合物：ZrO2，TiO2，KCl，NaCl，KBr特点：在还原气氛下易失氧而产生弱束缚电子。如：TiO2在还原气氛中形成氧离子空位，正四价的钛离子降为正三价，过程如下：例如：例如：TiO2在还原气氛中失去部分氧，生成在还原气氛中失去部分氧，生成TiO2-x应可写成应可写成 2oOTi2O21O3VTi2TiO2或写成或写成 2oOTiOTiO21O3VTi2O4Ti2 OTiTiOOOTiOTiOTiVeTiOT
19、iOVOTiOOTiOTiTiO22222212322142422 2321224OTiOTiVOTiOTi 上述过程实质为：式333的反应达平衡时，弱束缚电子（3-3-3）（K为平衡常数）OO 100%21/2 3O1KPe 2又GKexp()f(T)RT OOVeOO2221 OOOOeVPK2212 OVe2则在温度一定的情况下，由 得：TiO2 是电子导电，故其电导率与氧分压的关系如下：此类关系的应用：氧分压传感器、氧离子导体和燃料电池；TiO2：电子 导电 ZrO2：氧离子空位扩散21/2 3O1KPe 2GKexp()f(T)RT21/6Oe P21/6OP区别区别Zn完全电离为比
20、较困难 3.3非化学计量化合物举例非化学计量化合物举例 2阳离子间隙型典型化合物：ZnO和CdO特点：阳离子处在晶格间隙的类型，并由此产 生弱束缚电子，是N型半导体材料。如：将ZnO放入Zn蒸汽中加热，Zn进入ZnO的晶格间隙，缺陷反应方程式为：（主要）或iZn221OeZnZnOi2212OeZnZnOi 反应式 的平衡常数为：的电导率为：反应的实质：i21ZnOZneO221/2iOZnOKZn e PZnO21/4OeP 2212OeMMOi3.3非化学计量化合物举例非化学计量化合物举例 3阴离子间隙型典型化合物：特点：电子空穴导电，是p型半导体材料。电导率：反应：2UOhOOi221
21、2612OPh3.3非化学计量化合物举例非化学计量化合物举例 4缺阳离子型典型化合物：（非化学整比化合物）特点：阳离子化合价升高，产生空位。如：电导率：l实质：FeO 2222212FeOFeFeOFeFeVOhFeVOFeOFe612OPh 2221FeOVhOO小结：小结：四类非化学计量化合物之代表物四类非化学计量化合物之代表物 型（缺阴离子型）：型（阳离子间隙型）：型（阴离子间隙型）：型（缺阳离子型）：注注：对某种化合物来说，分类并不是固定的；上述非化学计量化合物的电导率都与氧分压的次方成比例，故可以做图 ，从斜率判断该化合物的导电机制。x1x1x1x2x2KBr,NaCl,KCl,Ti
22、O,ZrOOCd,OZnx1x1x2UOSCu,SPb,SFe,IK,BrK,OTi,OCo,ONi,OFe,OCux1x1x1x1x12x1x1x1x1x2ln2OPln缺陷化学的应用 OO ZrZrOVOCaCaO222323ZrOZrOOY OYOV 氧分压传感器示意图氧分压传感器示意图 222O1O P(c)2eO2 222O1OO P(A)2e2 22OOE=(RT/4F)lnP(c)/P(A)电动势：Solid Oxide Fuel Cell-A device that generates electricity by combining a fuel and an oxidant
23、 gas across an electrolyte.3.4缺陷与半导体缺陷与半导体（电子与空穴）（电子与空穴）能带结构和电子密度能带结构和电子密度3.4半导体的基本知识半导体的基本知识 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体半导体，半导体器件中用的最多的是硅和锗。，半导体器件中用的最多的是硅和锗。半导体半导体的特点：的特点：当受外界热和光的作用时，它的导电能当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。它的导电能力明显改变。3.43.4本征半导
24、体本征半导体一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。的最外层电子（价电子）都是四个。本征半导体化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子共价键中的两个电子被紧
25、紧束缚在共价键中，称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自自由电子由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。则排列，形成晶体。+4+4+4+43.43.4本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度度（T=0K）
26、和没有外界激发时和没有外界激发时,价价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即可以运动的带电粒子（即载流子载流子），它的导电），它的导电能力为能力为 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，使一些价电子获得足够的能量在常温下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为而脱离共价键的束缚，成为自由电子自由电子，同时共，同时共价键上留下一个空位，称为价键上留下一个空位，称为空穴空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴 这一现象称为本征激发，也称热激发。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为
27、电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。本征激发和复合的过程3.4.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在外场作用下，空穴在外场作用下，空穴吸引附近的电子来填吸引附近的电子来填补，这样的结果相当补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子自由电子和和空穴空穴。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半温度
28、越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。3.43.4杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使半导体的导
29、电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。一、一、N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，杂质取代，磷原子的最外层有五
30、个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为子给出一个电子，称为施主原子施主原子。+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子N 型半导体中型半导体中的载流子是什的载流子是什么？么？1 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2 2、本征半导体中成对产生的
31、电子和空穴。、本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流多数载流子子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。二、二、P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键
32、时，半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为原子接受电子，所以称为受主原子受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。掺杂的局域能级掺杂的局域能级受主能级施主能级导带禁带价带(a)(b)(c)受主能级施主能级导带禁带价带(a)(b)(c)非金属固体中由于出现了空穴和电子而带正电荷和负电荷，故在原子周围形成了一个附加电场，进而引起周期性势场的
33、畸变，造成晶体的不完整性而产生的缺陷称为电子缺陷电子缺陷(或称电荷电荷缺陷缺陷)。电子缺陷示意图电子缺陷示意图ED1ED2D*DEA1ED2AA”D*+ED1 D+eD +ED2 D +eA*+EA1 A+h A+EA2 A+h 施主缺陷施主缺陷受主缺陷受主缺陷3.4掺杂后的点缺陷的局域能级掺杂后的点缺陷的局域能级在本征半导体中进行不等价掺杂，形成的点缺陷处在禁带中在本征半导体中进行不等价掺杂，形成的点缺陷处在禁带中接近导带底或价带顶的局域能级上，使价电子受激到导带中或接近导带底或价带顶的局域能级上，使价电子受激到导带中或使空穴受激到价带中变得容易，大大增加了受激的电子或空穴使空穴受激到价带中
34、变得容易，大大增加了受激的电子或空穴的数量。的数量。1）中加入中加入VA族的族的 ：eGsA eAsEAsGeDxGe可表示为：（式中，ED：缺陷所处的局域能级距离导带底的能隙）0.0127()DEeVEg Ge即：即：As的掺杂，产生了局域能级，使电子易于被激到导带中。“施主缺陷施主缺陷”：能提供“准自由电子”的缺陷叫“施主缺陷”，对应的As掺杂Ge是n型半导体。3.4掺杂后的点缺陷的局域能级掺杂后的点缺陷的局域能级2）中加入中加入VA族的族的B：eG B的外层有3个电子，B 进入 的晶格后，容易使价带中的电子被激至一距离价带顶很近的局域能级上去，形成 缺陷，同时在价带内形成空穴。eGGeB
35、xGeaGeBEBh表示为：aEGe（：B 缺陷所在能级与价带顶的能隙）0.0104()aEeVEg Ge即：即：由于B的掺入，产生了局域能级，使空穴易于被激发到价带中。“受主缺陷受主缺陷”：“吸引”价带中的电子而在价带中产生空穴的缺陷，对应的B掺 杂 是p型半导体。eGED=0.0127ev施主缺陷施主缺陷 eAsEAsGeDxGexGeAsEA=0.0104evEg=0.79evhBEBGeAxGe3.4掺杂后的点缺陷的局域能级掺杂后的点缺陷的局域能级“两性缺陷两性缺陷”（amphoteric defects）：）：把既可以给出电子到导带，也可以“吸引”价带中的电子从而在价带中形成空穴的缺
36、陷称为两性缺陷。如：将 加入 中，生成 缺陷，表达式如下：AgKClxKAg)4.6(eAgeVEAgKDxKhAgeVEAgKAxK)6.5(当当T=0,费米费米 EF 一下被电子充满一下被电子充满,费米能级费米能级EF以上以上 空的空的.电子在很小的电场下很容易进入空的导带形成导电电子在很小的电场下很容易进入空的导带形成导电当当 T 0,电子很容易受热激发进入高于费米能级电子很容易受热激发进入高于费米能级能带图能带图:金属能带结构金属能带结构EFEC,VEFEC,VFermi“filling”function能带被充满能带被充满适中的温度适中的温度 TT=0 K低于费米能级的能带被低于费米
37、能级的能带被电子充满电子充满.能带图能带图:宽禁带的绝缘体材料宽禁带的绝缘体材料 Egap在在 T=0,价带充满电子价带充满电子,导带是空的导带是空的.不导电不导电 费米能级费米能级 EF 在宽禁带在宽禁带(2-10 eV)的中央的中央 在在 T 0,电子不能被热激发到导带中，因此电导率为零。电子不能被热激发到导带中，因此电导率为零。EFECEV空的导带空的导带价带充满价带充满EgapT 0能带图能带图:半导体的中等禁带宽半导体的中等禁带宽 Egap在在 T=0,价带充满电子价带充满电子,导带是空的导带是空的.当当T 0,电子受热激发进入导带电子受热激发进入导带,产生部分空的价带和部分填充的导
38、带产生部分空的价带和部分填充的导带EFECEV部分填充的导带部分填充的导带部分空的价带部分空的价带T 0当温度变化时导带和禁带发生什么变化当温度变化时导带和禁带发生什么变化?当当 T 0?电导率发生什么变化？电导率发生什么变化？5价元素掺杂价元素掺杂4价半导体形成价半导体形成n型半导体型半导体 处在导带下端处在导带下端EC的施主能级的施主能级ED 提高载流子浓度提高载流子浓度 n可以增强电子导电可以增强电子导电.更多的载流子导致费米能级更多的载流子导致费米能级EF向高端移动向高端移动 掺杂可以提高电导率掺杂可以提高电导率(instead of heating it!)EFEDn-type Si
39、ECEV半导体掺杂的能带结构半导体掺杂的能带结构能带结构能带结构:半导体的受主掺杂半导体的受主掺杂四价四价Si中三价元素形成受主掺杂中三价元素形成受主掺杂价带中的电子被束缚在价带中的电子被束缚在 高于价带顶端高于价带顶端EV 的的局域能级局域能级EA 上上.形成价带中的空穴导致电导率升高形成价带中的空穴导致电导率升高.由于空穴载流子浓度的提高导致费米能级由于空穴载流子浓度的提高导致费米能级EF 下移下移.EAECEVEFp-type Si3.4 半导体能带结构和电子密度半导体能带结构和电子密度 半导体中受激的电子浓度受激的电子浓度 ne可表示如下：exp()CfeCEEnNkT式中，2/32*
40、)2(2hkTmNeC*em（：电子的有效质量；h：普朗克常数）电子态密度：导带底的能级：费米能级CEfE 半导体中受激的电子空穴浓度受激的电子空穴浓度np表示如下：exp()fVpVEEnNkT式中，2/32*)2(2hkTmNhV（：空穴的有效质量；h：普朗克常数）*hm 对本征半导体，ehmm用途用途?测定半导体的测定半导体的 载流子类型载流子类型(electron vs.hole)和载流子浓度和载流子浓度 n.如何测如何测?把半导体材料放在外磁场把半导体材料放在外磁场 B中中,沿一个方向通入电流沿一个方向通入电流,测试在垂直电测试在垂直电流方向产生流方向产生 的的Hall 电压电压 V
41、H.根据罗伦兹方程根据罗伦兹方程 FE(qE)=FB(qvB).载流子浓度载流子浓度 n=(电流电流 I)(磁场强度磁场强度 B)(载流子电荷载流子电荷 q)(样品厚度样品厚度 t)(Hall 电压电压 VH)3.4半导体半导体:掺杂浓度与掺杂浓度与Hall效应的关系效应的关系HoleElectron+charge chargeBFqvBpn 结的结的 能带结构能带结构平衡状态时平衡状态时,费米能级或载流费米能级或载流子浓度必须平衡子浓度必须平衡因此电子由因此电子由 n 扩散到扩散到 p 损耗区损耗区 在在pn结有离子化的区域结有离子化的区域形成内电场形成内电场(103 to 105 V/cm
42、),阻碍进一步的扩散阻碍进一步的扩散.Depletion Zonepn regions“touch”&free carriers moveelectronspn regions in equilibriumEVEFECEFEVEFEC+p-typen-type小电流小电流PN 结结:在外加偏压时的能带结构在外加偏压时的能带结构正偏压正偏压负偏压负偏压平衡平衡e正向正向:在在 n-型电极加负电压型电极加负电压 降低内界面电位降低内界面电位 产生由产生由 n 到到 p 的大电流的大电流.反向反向:在在 n-型电极加正电压型电极加正电压升高内界面电位升高内界面电位 产生由产生由 n 到到 p 的小电
43、流的小电流e大电流大电流p-typen-typep-typen-typep-typen-typeV+VA-V 关系关系正偏压正偏压:电流指数增加电流指数增加负偏压负偏压:漏电流漏电流 Io.“调整调整”pn 结结 使得电流单向流动使得电流单向流动pn 结结:I-V 特性特性/1eV kToIIeReverse BiasForwardBias3.5半导体的光学性质半导体的光学性质 绝缘体的禁带宽度大，纯净的离子晶体大致几个绝缘体的禁带宽度大，纯净的离子晶体大致几个电子伏特以上，电子伏特以上，Al2O3为为9ev，NaCl为为8ev，所以，所以从可见光到红外区不会发生光吸收，透明的。但从可见光到红
44、外区不会发生光吸收，透明的。但是对紫外光不透明。是对紫外光不透明。掺杂后造成部分较低的局域能级，如掺杂后造成部分较低的局域能级，如Cr3+有未充有未充满的电子组态满的电子组态3d54S1，形成局域能级（，形成局域能级（1.7ev)可可以吸收较高能量的光以吸收较高能量的光(蓝，绿光蓝，绿光，造成氧化铝，造成氧化铝显红颜色。显红颜色。光色 波长(nm)频率(Hz)中心波长(nm)红 760622 660 橙 622597 610 黄 597577 570 绿 577492 540 青 492470 480 兰 470455 460 紫 455400 430 1414108.4109.3141410
45、0.5108.41414104.5100.51414101.6104.51414104.6101.61414106.6104.61414105.7106.6可见光七彩颜色的波长和频率范围可见光七彩颜色的波长和频率范围人眼最为敏感的光是黄绿光，即人眼最为敏感的光是黄绿光，即nm555附近。附近。3.5光的基本性质光的基本性质电磁波谱电磁波谱 3.5色中心色中心现象现象：白色的 在真空中煅烧，变成黑色，再退火，又变成白 色。原因原因：晶体中存在缺陷，阴离子空位能捕获自由电子，阳离子空位能 捕获电子空穴，被捕获的电子或空穴处在某一激发态能级上，易受激而发出一定频率的光，从而宏观上显示特定的颜色。色心
46、：色心：这种捕获了电子的阴离子空位和捕获了空穴的阳离子空位叫色中心。中易形成氧空位，捕获自由电子。真空煅烧，色心形成，显出黑色；退火时色心消失，又恢复白色。32OY23Y O3.5色中心色中心分类：分类：1）带一个正电荷的阴离子空位）带一个正电荷的阴离子空位 中心：中心：2）捕获一个电子的阴离子空位）捕获一个电子的阴离子空位 F色心：色心：3）捕获两个电子的阴离子空位）捕获两个电子的阴离子空位 F色心：色心：4）捕获一个空穴的阳离子空位）捕获一个空穴的阳离子空位 V1中心：中心：5）捕获两个空穴的阳离子空位）捕获两个空穴的阳离子空位 V2中心：中心：XVxXeV)()2(eVXxMhV)()2
47、(hVM 定义定义 由于光是一种能量流，在光通过材料传播时，会引起材料的电子跃迁或使原子振动，从而使光能的一部分变成热能，导致光能的衰减，这种现象称为材料。3.5物质与光的作用物质与光的作用（介质对光的吸收介质对光的吸收在光束通过物质时，它的传播情况将要发生变化。首先光束越深入物质，它的光强将越减弱，这是由于一部分光的能量被物质所吸收，而另一部分光向各个方向散射所造成的，这就是光的吸收和散射现象。光在物质中的速度小于光在真空中的速度，并随频率而改变，这称为光的色散现象，光的吸收、散射和色散这三种现象，都有是由于光与物质的相互作用引起的，实质上是由光与原子中的电子相互作用引起的。这是不同物质光学
48、性质的主要表现，对它们的讨论可以为我们提供关于原子、分子和物质结构的信息。如红外光谱分析，拉曼光谱分析等技术 光通过物质时，光波中的振动着的电矢量，将使物质中的带电粒子作受迫振动，光的部分能量将用来提供这种受迫振动所需要的能量。这些带电粒子如果与其它原子或分子发生碰撞，振动能量就会转变为平动动能，从而使分子热运动能量增加，物体发热。光的部分能量被组成物质的微观粒子吸取后转化为热能，从而使光的强度随着穿进物质的深度而减小的现象，称为光的吸收（absorption）。介质对光的吸收介质对光的吸收吸收定律吸收定律 -布格定律布格定律如图所示，光强为I0的单色平行光束沿x轴方向通过均匀物质，在经过一段
49、距离x后光强已减弱到I，再通过一无限薄层dx后光强变为I+dI(dI0)。实验表明，在相当宽的光强度范围内，-dI相当精确地正比于I和dx，即 -dI=aIdxx+dxldxxII+dI光的吸收规律光的吸收规律式中a是与光强无关的比例系数，称为该物质的吸收系数（absorption coefficient）。于是，上式是光强的线性微分方程，表征了光的吸收的线性规律。为了求出光束穿过厚度为l的物质后光强的改变，可将上式改写为然后对x积分，即可得 换言之，若入射光强为I0，则通过l的物质后的光强为称为布格定律（Bouguer law）或朗伯定律。该定律是布格（P.Bouguer，16981758）
50、在1729年发现的，后来朗伯（J.H.Lambert，17281777）在1760年又重新作了表述。6-2laeII0lIIa0lnlndxIdIa/实验表明，当光被透明溶剂中溶解的物质吸收时，吸收系数a与溶液的浓度C成正比，即a=AC，其中A是一个与浓度无关的常量。这时可以写成 称为比尔定律比尔定律（Beer law）。根据比尔定律，可以测定溶液的浓度，这就是吸收光谱分析的原理。比尔定律表明，被吸收的光能是与光路中吸收光的分子数成正比的，这只有每个分子的吸收本领不受周围分子影响时才成立。事实也正是这样，当溶液浓度大到足以使分子间的相互作用影响到它们的吸收本领时就会发生对比尔定律的偏离。ACe
