1、简单不良分类及原因介绍Cell部分n亮点，灭点n个数,间距,连续n成因：n Active remain,n S/D remain,n Gate remain,n P/Tn Invisible(不可见)n区分方法:n 显微镜下看，哪层的remain，根据外形，颜色PIXEL 不良手按panel,亮点消失，由于导电particle使C/F的ITO和像素ITO连接，形成亮点，手按后，particle碎了。手按panel,出现亮点，松开手，变正常。(盒厚5um)一般情况下算T级，不需要Repair(指压)pixeln发生在2个Line以上或X和Y发生Cross的现象 nDDS：两条竖直的亮线nGGS：
2、两条水平的白线nDGS：水平的暗线和一条竖直亮线?n成因：n 金属Remainn 导电particlen DGS中可以根据导电颗粒的n 位置来确定短路处SHORTParticle DATA PAD FAN-OUT 部因异物而发 生 SHORTDDSnSCRATCH在DATA PAD上发生nXY线看起来为亮线或灭线的现象nXLine DefectOPENnD-O：n X线中间断掉的状态n成因Particle Data Open defect的一些照片n一段亮线，向一侧逐渐变浅Cst Open（有公用线的话才会发生）n 若 STORAGE LINE在中途断掉，则信号发生 DELAY，在 OPEN
3、POINT处变亮，然后逐渐趋于正常.n 因 Vcom 信号发生 DELAY，所以从两侧施加，但随着 OPEN POINT不同，发生状态也不同.(若在正中央发生 OPEN，则不发生亮线)成因：ESDn契形的亮斑,有的伴有Line Defect nESD可以造成诸多不良，很多PXL，LD都是由于ESD造成n成因：受ESD影响，TFT发生劣化或损坏 PXL消失nB/L的光线直接透过C/F,有白色的划痕n原因：C/F损伤n跟cell异物或者Scratch的区别nSpect 很严格，0.2mm内n 异物0.5以内。nSize:（长轴+短轴）/2scratchn看起来很亮的线形，n 带有方向性 n成因n
4、Cell内/POL/Panel表面的划伤n可以通过观察Scratch处的像素BM是否可见来判断Scratch是发生在上层还是下层(BM可见则是TFT Scratch)(n亮的线形，无规则形状。跟Scratch的区别在于无方向性，很多见n成因n 多由成盒或者POL贴附时候的PT造成n可以通过亮斑的垂直位置来判断是POL异物还是Cell异物ZaratsukinAlign Miss型 nCF BM窄的原因而发生 nSPACERn密集，细小的色点n成因n Spacer受到挤压，而发生移动或破损，使取向膜损伤而产生 Spacer 移动Spacer 破损(漏光)nL0下，多在panel的两侧发生漏光区域会
5、看起来较亮，在某一视角上看得清楚，可以用loupe观察是PXL的哪个区域漏光n成因n CF与TFT极板未完全对齐，BM无法挡住像素一侧透出的光线(变色)nPAD变色：很多Y向薄的浅的灰色linen成因：n *Pad上的外物造成Pad与pin的contact不良nCleaning repairnBM变色：外部BM变成褐色n成因：CF材料不良MURAnMura在cell test中非常常见，分类也非常之多，大体上分为Gap性Mura和非Gap性Mura，另外有一些未确认的Mura需单独分析处理n Gap性Mura显白色或黑色，用手按屏有动态的Ripple现 n 象，由盒厚不均匀引起n 非Gap性M
6、ura多为白色或黑色污渍，指压时不发生 Ripple，界限较明显，多为PI膜毁坏，污染等与取向相关的不良 n 大多Mura在L31 Pattern中易见Gap Muran在L31下，圆形或其它形态的外围界限不分明的白色或黑色不良，用手按屏有动态的Ripple现象n若Gap Mura成片地连续出现则为连续Mura n成因n 成盒时panel受到挤压，异物，或者真空等原因造成的Gap不均引起的 n注入口部分出现白或黑色现象，色斑的形态很多n成因n 因注入口部分污染等原因发生n 有的cell中看不到，模块aging以后发生n色Mura：在特定颜色的pattern下容易发现，颜色比周围颜色深n形态很多
7、：圆形，扇形等n成因n C/F的原材料不正常引起的n n黑点:在L31L63中，n 看起来黑色形态小点状污渍n白点:在L0L31中，n 看起来亮的小点状污渍 n成因n 多为PI涂附时候的问题：n SPACER CLUSTER，PI 膜污染 n修理n Pi受损，因为异物引起的白点是不能repair的 n 取向异常引起的白点，叫domain白点，可以采用高于50度的温度，通过 Auto Clave Rework，来修复SHOT&BOX Muran在photo工序中产生nShot Mura是由于采用step曝光方式而产生的Mura，只在L1&2中出现，而L3采用scanner曝光方式所以不会出现这种
8、不良。nBox Mura 真空抓panel的stage长成那个样子的，nStage上有沟槽，曝光的时候会留下痕迹，nAFFS中出现boxBlocknX向，Y向的一个Block中变灰或者变暗n成因n Pad不良n Short ring 没有完全切除(Edge grinding miss)Rubbingn分为A，B，E三种模式n 有划过的痕迹，界线较模糊，不像Scratch那样清晰n在摩擦取向的时候由于辊子上的P/T引起的,使某些部分无法正常取向E-ModeA-ModeB-ModeTouchn有被触摸的样子,level低的时候是白色的，高的时候会显黑色，跟观察的视角也有关系n成因:n PI coa
9、ting 的时候被用手摸到n n成因(辉半圆)MURAn Muran(nMuran n在Array 工序中产生的MURA,影响了TFT器件。n在进行Abnormal Test时，现象变严重或变弱n n包括：A Mura(棋盘)Mura（贝壳）MURA曝光时，有Particle,造成对焦没对好（斜线）MURAArray中旋转cleaning,离心力nMuran成因n 14”工序中，点TR处需要用UV光照射，而换成17”后不需要UV，但是忘记了撤除，UV灯影响了TFT器件 水垢MURA成因：Cluster,TFT器件不好，Ioff不好，n 尚未见不良nFlickernX talknBNU&DNUn
10、(棋盘)Muran(像框)Muran(黑带)Muran L1.L2.L3 MuraArray Particle Defocus C M(L1/L2)C M(L3)Back Light .L1.L2.L3Cell 1.Assy Misalign 2.Cell C MPol Film L1.L2.L3MuraCell (M)MuraC 2nd Scr.,Pol,Assy,.C ML1.L2.L3Cell 1.PI Coating 2.Spacer C MC Precure Lift Pin .C M L2 15X15Mura&MuraArray Passiviation Dep.Delay Tim
11、e .C MP-SheetMura History(L1.L2-2)L1 18”MuraArray C MP-SheetL1 18”MuraArray 2nd ITO CD .C ML1 18”MuraArray 2nd ITO CD Uniformity C MMura History(L1.L2-3)L1 18”MuraArray Track EBR Stage Vacuum Hole Mura.-2nd ITO CD.C ML1 18”Cell Pol ESD .L1 10.4”,MuraCell Rubbing.(Rayon )C MMura History(L1.L2-4)L1 10
12、.4”MuraArray 2nd ITO CD ()-“A”Panel.C ML1 10.4”PS (PS Model)Cell 1.Panel .2.Assy Misalign.C ML1 10.4”Block MuraArray 2nd ITO CD .-“C”,“D”Panel.)C MP-SheetMura History(L1.L2-5)L1(TN Mode)MuraArray S/D IPA Dry.C MP-SheetL1 14”MuraArray C MP-SheetL1 14”MuraArray S/D .C MP-SheetMura History(L3-1)17”Mura Cell 1.Tape Cleaning Vacuum -Gap 2.Assy Aligner Vacuum -Gap C M17”MuraArray Via Dep.CLN DI TFT C MP-Sheet17”MuraArray TFT Active Pattern C 1G2D Design.C M orC MP-Sheet17”MuraCell Pol Tac Flim .C M17”Rubbing MuraCell Rubbing .C MEN Lot Test不同Line不同Model在Cell工程中产生不良
