1、模 拟 电 子 技 术晶体管晶体管图图1.3.1 晶体管的几种常见外形晶体管的几种常见外形晶体三极管、半导体三极管，晶体三极管、半导体三极管，简称：简称：晶体管晶体管或或三极管三极管模 拟 电 子 技 术NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB图图1.3.2 晶体管的结构和符号晶体管的结构和符号1.3.1 晶体管的结构及类型晶体管的结构及类型符号符号:模 拟 电 子 技 术内内部部结结构构发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度
2、低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大模 拟 电 子 技 术1.3.2晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏图图1.3.3 基本共射放大电路基本共射放大电路集电结反偏集电结反偏模 拟 电 子 技 术一、晶体极管内部载流子的运动一、晶体极管内部载流子的运动1)发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子，形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供(IB)集电区少子漂移集电区少子漂移
3、(ICBO)I CBOIB即：即：IB=IBN ICBO 2)电子到达基区后，电子到达基区后，(基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略)模 拟 电 子 技 术I CNIEI BNI CBOIB 3)集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 ICICI C=ICN +ICBO 模 拟 电 子 技 术二、二、晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB=I BN ICBO
4、 IC=ICN +ICBOBNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII CBOBCBOCIIII 穿透电流穿透电流(1.3.5)三、晶体管的共射电流放大放大系数三、晶体管的共射电流放大放大系数模 拟 电 子 技 术IE=IC+IBCEOBCIII BCEIII BC II BE)1(II CEOBE)1(III(1.3.6)(1.3.7)(1.3.5)一般：一般：IBICBO1 电流放大倍数电流放大倍数(1.3.4)模 拟 电 子 技 术uiuoCEB共基极共基极 (1.3.11)模 拟 电 子 技 术1.3.3 晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线一、输入特性一、输入特性曲线曲线输入
5、输入回路回路输出输出回路回路常数常数 CE)(BEBuufi0CE u与二极管特性相似与二极管特性相似模 拟 电 子 技 术BEuBiO0CE uV 1CE u0CE uV 1CE u特性基本特性基本重合重合(电流分配关系确定电流分配关系确定)特性右移特性右移(因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子)导通电压导通电压 UBE(on)硅管：硅管：(0.6 0.8)V锗管：锗管：(0.2 0.3)V取取 0.7 V取取 0.2 V图1.3.5 晶体管的输入特性曲线V 5.0CEu模 拟 电 子 技 术二、输出特性二、输出特性曲线曲线常常数数 B)(CECiufi50 A40 A30 A20 A1
6、0 AIB=04321iC/mAuCE/VO 2 4 6 8 截止区：截止区：IB 0 IC=ICEO 0条件：条件：发射结发射结uBE模 拟 电 子 技 术iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43212.放大区：放大区：CEOBCIII 放大区放大区截止区截止区条件：条件：发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏特点：特点：水平、等距水平、等距离、离、与横轴平行与横轴平行ICEO模 拟 电 子 技 术iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43213.饱和区：饱和区：uCE u BEuCB=
7、uCE u BE 0条件：条件：两个结正偏两个结正偏特点：特点：IC u ON模 拟 电 子 技 术1.3.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数BCEOCIII 1共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数 2共基直流电流放大系数共基直流电流放大系数 ECII 3极间反向电流极间反向电流 ICBO、ICEO反向饱和电流反向饱和电流 ICBO：发射极开路时集电结的反向电流。：发射极开路时集电结的反向电流。穿透电流穿透电流ICEO：基极开路时的集电极与发射极之间的电流。：基极开路时的集电极与发射极之间的电流。CBOCEOI1I)(一、直流参数一、直流参数 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。BC
8、II模 拟 电 子 技 术二、交流参数二、交流参数1.共射交流电流放大系数共射交流电流放大系数常常量量 CEUBCii 2.共基交流电流放大系数共基交流电流放大系数常量CBUECii 大多数场合，可以认为：大多数场合，可以认为：模 拟 电 子 技 术3.特征频率特征频率 fT：由于由于PN结节电容的影响，三极管结节电容的影响，三极管值会随工作信号频率值会随工作信号频率的升高而变小。的升高而变小。1使使|下降为下降为1的的信号频率称为信号频率称为 特征频率特征频率fT。特征频率特征频率0模 拟 电 子 技 术硅管能够承受的最高结温为硅管能够承受的最高结温为150，锗管为，锗管为70。图图1.3.
9、7 晶体管的极限参数晶体管的极限参数三、极限参数三、极限参数1.最大集电极耗散功率最大集电极耗散功率PCM：取决定于晶体管能承受的最大温升。取决定于晶体管能承受的最大温升。PCM=iC uCE=常数常数uCE与与iC的乘积的乘积为双曲线的一支。为双曲线的一支。PCM=iC uCE。模 拟 电 子 技 术2.最大集电极电流最大集电极电流 ICMiC在相当大的范围内在相当大的范围内值基本不变，但当值基本不变，但当iC的数值大到一的数值大到一定程度时定程度时值将减小。值将减小。使使值明显减小的值明显减小的iC即为即为ICM。对于合金型小功率管，定义当对于合金型小功率管，定义当UCE=1V时，由时，由
10、PCM=iC uCE得出的得出的 iC 即为即为ICM。实际上，当晶体管的实际上，当晶体管的iC大于大于ICM时，晶体管不一定损坏，时，晶体管不一定损坏，但但明显下降。明显下降。ICM0与与IC的关系的关系模 拟 电 子 技 术3极间反向击穿电压极间反向击穿电压晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值时管子会发生压，超过此值时管子会发生击穿现象击穿现象。下面是各种击穿电压的定义：下面是各种击穿电压的定义：模 拟 电 子 技 术二、温度对输入特性曲线的影响二、温度对输入
11、特性曲线的影响温度升高，输入特性曲线温度升高，输入特性曲线向左移。向左移。温度每升高温度每升高 1 C，UBE (2 2.5)mV。BEuBiOT2 T1具有负温度系数具有负温度系数1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响模 拟 电 子 技 术温度升高，输出特性曲线温度升高，输出特性曲线向上移。向上移。iCuCE T1iB=0T2 iB=0iB=0温度每升高温度每升高 1 C，(0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O三、温度对输出特性曲线的影响三、温度对输出特性曲线的影响模 拟 电 子 技 术总结总结：晶体管电路分析方法：晶体管电路分析方法三
12、种工作状态分析三种工作状态分析状态电流关系 条 件放大放大I C=IB发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏饱和饱和 I C Uon 则则导通导通以以 NPN为为 例：例：UBE UB UE放大放大UB UC UE饱和饱和PNP 管管UC UB UE放大放大饱和饱和UB UC IBQ 则则CCb2b1b1BQVRRRU T IC IE IC UE、UB不变不变 UBE IB（直流负反馈直流负反馈）一般取一般取 I1=(510)IBQ，UBQ=3V5VI2=I1+IBQ模 拟 电 子 技 术Q点稳定的过程：点稳定的过程：在稳定的过程中，在稳定的过程中，Re起起着重要作用，当晶体管的输着重要作用
13、，当晶体管的输出回路电流出回路电流Ic变化时，通过变化时，通过发射极电阻发射极电阻Re上产生电压的上产生电压的变化来影响变化来影响 b e 间电压，间电压，从而使从而使Ic向相反方向变化，向相反方向变化，达到稳定达到稳定Q点的目的。点的目的。+-I2 I1 IC 图图 2.4.3 直直流流通通路路 Rc Re VCC Rb2 Rb1 VB IBQ VRe IE+-B模 拟 电 子 技 术反馈反馈 将将输出量输出量(Ic)通过一定的方式通过一定的方式(利用利用Re将将Ic的的变化转化成电压变化转化成电压UE的变化的变化)引引回到输入回到输入回路来影响回路来影响输入量输入量(UBE)的措施称为反馈
14、。的措施称为反馈。负反馈负反馈 由于反馈的结果使输出由于反馈的结果使输出量的变化减小，故称为负反馈。量的变化减小，故称为负反馈。直流负反馈直流负反馈 由于反馈由于反馈出现在直流通路之中，出现在直流通路之中，故称为直流负反馈。故称为直流负反馈。+-I2 I1 IC 图图 2.4.3 直直流流通通路路 Rc Re VCC Rb2 Rb1 VB IBQ VRe IE+-B直流负反直流负反馈电阻馈电阻模 拟 电 子 技 术总结总结Q点稳定的原因：点稳定的原因：（1）Re的直流负反馈作用；的直流负反馈作用；BQII 1（2）在）在 情况下，情况下，UBQ在温在温度变化时基本不变度变化时基本不变+-I2
15、I1 IC 图图2.4.3 直直流流通通路路 Rc Re VCC Rb2 Rb1 VB IBQ VRe IE+-B这种电路称为这种电路称为分压分压式式电流负反馈电流负反馈Q点点稳稳定电路定电路。模 拟 电 子 技 术HomeNextBack二、二、Q Q点的估算点的估算CCb2b1b1BQVRRRU eBEQBQEQCQRUUII )(ecCQCCeEQcCCCCEQRRIVRIRIVU CBQII +-I2 I1 IC 图图 2.4.3 直直流流通通路路 Rc Re VCC Rb2 Rb1 VB IBQ VRe IE+-B已知已知I I1 1IIBQBQ（2.4.3）模 拟 电 子 技 术直
16、流通路直流通路交流通路交流通路Ce的存在，交流通路中的存在，交流通路中Re被短路，发射极直接接地。被短路，发射极直接接地。注意：注意：Rb与与rbe并联并联而不是串联。而不是串联。三、三、动动态态参参数数的的估估算算模 拟 电 子 技 术RiRo)/(beLbeLcLLbbIOuRRRrRrIRIUUA beb2b1i/rRRR Ro=RC模 拟 电 子 技 术无无Ce电路的交流参数计算公式电路的交流参数计算公式ebbebeebebiRIrIRIrIU)1(LbLcoRIRIU bce模 拟 电 子 技 术)/()1(cLLebeLIOuRRRRrRUUA )1(/2/1eRberbRbRiR
17、cRoR eLIOuRRUUA (2.4.8)Au仅决定于电阻取值，仅决定于电阻取值，不受温度影响。不受温度影响。ebbebeebebiRIrIRIrIU)1(LbLcoRIRIU 则则且且若若,1,)1(beerR模 拟 电 子 技 术例例2.4.1 已知已知VCC=12 V，Rb1=5k，Rb2=15 k,Re=2.3 k，Rc=5.1 k,RL=5.1 k，=50，rbe=1 k,UBEQ=0.7 V。求：求：“Q”，Au，Ri。1)求求“Q”)(UV 3155125BQ )mA(13.27.03EQCQ IIA)(20mA)(02.0)(5011 11BQ mAI)V(6.4)3.21
18、.5(112CEQ U+VCCRCC1C2RLRe+Ce+Rb2Rb1+ui+uo 解解 IBQUCEQ(1+)ReRb1/Rb2模 拟 电 子 技 术 当无当无Ce时，电路的电压放大能力很差，因此在时，电路的电压放大能力很差，因此在实用电路中实用电路中常常将常常将Re分成两部分分成两部分，只将其中一部分，只将其中一部分接旁路电容。接旁路电容。(2)求解求解Au和和Ri。当有。当有Ce时：时：855.11.51.51.51.550 beL rRAu krRRR07.1/beb2b1i所所以以且且时时，由由于于当当无无,1,)1(beeerRC7.1 eLuRRA模 拟 电 子 技 术2.5 晶
19、体管单管放大电路的三种基本接法晶体管单管放大电路的三种基本接法共射放大电路既实现了电流放大又实现了电压放大。共射放大电路既实现了电流放大又实现了电压放大。通过基极电流通过基极电流iB对集电极电流对集电极电流iC的控制作用，实现能量转换，的控制作用，实现能量转换，负载电阻从直流电源负载电阻从直流电源VCC中获得比信号源提供的大得多的中获得比信号源提供的大得多的输出信号功率。输出信号功率。共集放大电路共集放大电路以集电极为公共端，通过以集电极为公共端，通过iB对对iE的控制作的控制作用实现功率放大；用实现功率放大；共基放大电路共基放大电路以基极为公共端，通过以基极为公共端，通过iE对对iC的控制作
20、用的控制作用实现功率放大。实现功率放大。共射、共集、共基共射、共集、共基是单管放大电路的是单管放大电路的三种基本接法三种基本接法。模 拟 电 子 技 术一、电路的组成一、电路的组成电路电路直流通路直流通路交流通路交流通路模 拟 电 子 技 术IBQ=(VBB UBEQ)/Rb+(1+)ReIEQ=（1+）I BQUCEQ=VCC IEQ Re二、静态分析二、静态分析IBQ模 拟 电 子 技 术图图2.5.2 基本共集放大电路的交流等效电路基本共集放大电路的交流等效电路二、动态分析二、动态分析ebeeeeebebbeeIOuRrRRRIrRIRIUUA)1()1()(eRberbRbIiUiR)
21、1(1/berbReRoR 1同相，射极跟随器同相，射极跟随器大大小小模 拟 电 子 技 术射极输出器射极输出器特点特点Au 1 输入输出同相输入输出同相Ri 大（大（高）高）Ro 小（小（低）低）用途：多极放大电路的用途：多极放大电路的输入级、输出级输入级、输出级 或中间隔离级或中间隔离级起缓冲级作用。起缓冲级作用。模 拟 电 子 技 术2.7基本共基极放大电路基本共基极放大电路（1 1）电路组成）电路组成 Cb +RcL ui Re VCC 图图 2.5.7(a)直直接接耦耦合合共共基基放放大大电电路路 uo VBB 图图 2.5.7(b)阻阻容容耦耦合合共共基基放放大大电电路路 +RLL
22、 us uo RsL C1 VCC Rb1 Rb2 C2 Rc Re 模 拟 电 子 技 术（2 2）静态分析）静态分析IBQ=(VBB-VBEQ)/(1+)Re ICQ=IBQVCEQ=VCC-IC Q Rc-VE =VCC-IC Q Rc+VBEQ b RcL Re VCC 图图2.5.8 直直流流通通路路 VBB +RcL ui Re VCC 图图2.5.7(a)直直接接耦耦合合共共基基放放大大电电路路 uo VBB c e b c e+VE 模 拟 电 子 技 术（3 3）动态分析）动态分析beecbeebcbbebeeccioV)1()1(rRRrRIRIrIRIRIuuA b +R
23、cL ui Re VCC 直直接接耦耦合合共共基基放放大大电电路路 uo VBB c e b +RcL ui Re uo c e 交交流流通通路路 微微变变等等效效电电路路 rbe iUbIcIbI oUiIRi b +RcL Re c e eI模 拟 电 子 技 术)1(i beeebebeeiirRIrIRIIURcTTRIUR o 微微变变等等效效电电路路 rbe iUbIcIbI oUiIRi b +RcL Re c e eI 求求 Ro等等效效电电路路 rbe bIcIbI TURo b+RcL Re c e TI模 拟 电 子 技 术2.当当Re=0时，时，Au 数值数值大小大小与
24、共射电路相同。与共射电路相同。优点：优点：频带宽，用于无线电通讯。频带宽，用于无线电通讯。ebeceebebccIOuRrRRIrIRIUUA)1(1bereReIiUiRcRoR 3.输入电阻小。输入电阻小。共基极放大电路电路特点：共基极放大电路电路特点：同同相相与与ioUU 只能放大电压，不能放大电流，只能放大电压，不能放大电流，模 拟 电 子 技 术2.5.3 三种接法的比较三种接法的比较本讲主要介绍了晶体管放大电路的三种组态：本讲主要介绍了晶体管放大电路的三种组态：共发射极共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流，放大电路既能放大电压，也能放大电流，输入电阻居中，输出电阻较大，频带较
25、窄。常作低频输入电阻居中，输出电阻较大，频带较窄。常作低频电压放大电压放大。共集电极共集电极放大电路只能放大电流，不能放大电压。放大电路只能放大电流，不能放大电压。输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点常用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间常用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间隔离级（缓冲级），起阻抗变换的作用。隔离级（缓冲级），起阻抗变换的作用。共基极共基极放大电路只能放大电压，不能放大电流。输放大电路只能放大电压，不能放大电流。输入电阻最小，频率特性最好。入电阻最小，频率特性最好。模 拟 电 子 技 术2.6晶体管基本放
26、大电路的派生电路晶体管基本放大电路的派生电路2.6.1 2.6.1 复合管放大电路复合管放大电路一、复合管的组成及其电流放大系数一、复合管的组成及其电流放大系数为了进一步改善放大电路的性能，为了进一步改善放大电路的性能，用多只晶用多只晶体管构成复合管体管构成复合管来取代基本电路中的来取代基本电路中的一只晶体管一只晶体管；或将两种基本接法组合起来，以得到多方面或将两种基本接法组合起来，以得到多方面性能俱佳的放大电路。性能俱佳的放大电路。模 拟 电 子 技 术图图2.6.1 复合管复合管模 拟 电 子 技 术复合管的电流放大系数复合管的电流放大系数iC1iC2)1(11212222BEBCiiii
27、 12 1 221 BCii iC =iC1+iC2=1 iB1+2 iB2iCiB1（1+1）iB1iE1=iB2 iC =1 iB1+2(1+1)iB1 =(1+2+12)iB1模 拟 电 子 技 术复合管的电流放大系数复合管的电流放大系数iBiC21 BCii模 拟 电 子 技 术复合管的组成原则复合管的组成原则:1在正确的外加电压下每只管子的各极电流均在正确的外加电压下每只管子的各极电流均有合适的通路，且有合适的通路，且均工作在放大区均工作在放大区；2为了实现电流放大，应将为了实现电流放大，应将第一只管的集电极第一只管的集电极或发射极电流或发射极电流做为做为第二只管子的基极电流第二只管
28、子的基极电流。模 拟 电 子 技 术二、复合管共射放大电路二、复合管共射放大电路图图2.6.2 阻容耦合复合管共射放大电路阻容耦合复合管共射放大电路模 拟 电 子 技 术 为什么要多级放大？为什么要多级放大？由一个晶体管组成由一个晶体管组成基本放大电路基本放大电路的电压放大倍数一的电压放大倍数一般只有几十倍。但是在实际应用中，往往需要放大般只有几十倍。但是在实际应用中，往往需要放大非常微弱的信号，上述的放大倍数是远远不够的。非常微弱的信号，上述的放大倍数是远远不够的。为了获得更高的电压放大倍数，把多个基本放大电为了获得更高的电压放大倍数，把多个基本放大电路连接起来，组成路连接起来，组成“多级放
29、大电路多级放大电路”。其中每一个基本放大电路叫做其中每一个基本放大电路叫做一一“级级”，而级与级，而级与级之间的连接方式则叫做之间的连接方式则叫做“耦合方式耦合方式”。2.8 2.8 多级放大电路多级放大电路模 拟 电 子 技 术一、阻容耦合一、阻容耦合图图3.1.2 两级阻容耦合放大电路两级阻容耦合放大电路一、电路图一、电路图模 拟 电 子 技 术1）各级的直流工作点相互独立各级的直流工作点相互独立。由于电容器。由于电容器对直流对直流 量的电抗为无穷大，量的电抗为无穷大，因而隔直流而通交流，所以它因而隔直流而通交流，所以它们的直流通路相互隔离、相互独立的。们的直流通路相互隔离、相互独立的。2
30、）在传输过程中，交流信号损失少。在传输过程中，交流信号损失少。只要只要输入信号频率输入信号频率较高，耦合电容容量较大较高，耦合电容容量较大，前级的输出信号就可以几，前级的输出信号就可以几乎没有衰减地传递到后级的输入端，实现逐级放大。乎没有衰减地传递到后级的输入端，实现逐级放大。优点：优点：3）电路的温漂小。）电路的温漂小。二、阻容耦合电路的优缺点：二、阻容耦合电路的优缺点：缺点：缺点：1）低频特性差；）低频特性差；不能放大变化缓慢的信号。不能放大变化缓慢的信号。2）无法集成；）无法集成；在集成电路中制造大容量电容很困难。在集成电路中制造大容量电容很困难。模 拟 电 子 技 术二、二、变压器耦合
31、变压器耦合一、电路图一、电路图图图3.1.3 变压器耦合共射放大电路变压器耦合共射放大电路变压器变压器通过磁路的耦合把通过磁路的耦合把一次侧的交流信号一次侧的交流信号传送到传送到二次侧二次侧。为什么要讲变压器耦合？为什么要讲变压器耦合？因为变压器在传送交流信号的因为变压器在传送交流信号的同时，可以实现同时，可以实现电流、电压以及阻抗电流、电压以及阻抗变换。变换。beLurRA 模 拟 电 子 技 术二、电路特点：二、电路特点：1.用于阻抗变换用于阻抗变换图图3.1.4 变压器耦合的阻抗变换变压器耦合的阻抗变换U1U2阻抗比等于圈数比的平方阻抗比等于圈数比的平方LLLLLRNNRIIRRIRIP
32、PNNIINNUU22121222212112212121 LP140页页书中漏掉书中漏掉模 拟 电 子 技 术变压器耦合的电压放大倍数变压器耦合的电压放大倍数beLurRA （3.1.2）2.用于选频放大电路用于选频放大电路晶体管收音机的晶体管收音机的中频放大级中频放大级只对只对465KHz的信号有放大作用的信号有放大作用LLRNNR221 其其中中模 拟 电 子 技 术三、变压器耦合电路的优缺点三、变压器耦合电路的优缺点1.由于变压器耦合电路的前后级靠磁路耦合，所以与阻容耦由于变压器耦合电路的前后级靠磁路耦合，所以与阻容耦合电路一样，它的各级放大电路的合电路一样，它的各级放大电路的静态工作
33、点相互独立静态工作点相互独立，便于分析、设计和调试便于分析、设计和调试。2.可以实现阻抗变换可以实现阻抗变换。3.可以组成可以组成LC谐振电路，用于选频放大。谐振电路，用于选频放大。4.低频特性差，不能放大变化缓慢的信号。低频特性差，不能放大变化缓慢的信号。5.非常笨重，不能集成化。非常笨重，不能集成化。模 拟 电 子 技 术多级放大电路的耦合方式多级放大电路的耦合方式三、直接耦合三、直接耦合一、直接耦合放大电路静态工作点的设置一、直接耦合放大电路静态工作点的设置存在两个问题：存在两个问题：1）第一级的静态工作）第一级的静态工作点已接近饱和区。点已接近饱和区。2）由于采用同种类型的管）由于采用
34、同种类型的管子，级数不能太多。子，级数不能太多。UCEQ1UBEQ2模 拟 电 子 技 术为了解决第一个问题：为了解决第一个问题：可以采用如下的办法。可以采用如下的办法。（b）RRb1C1uiuoTT12e2RRC2加入电阻加入电阻Re2模 拟 电 子 技 术RRB1C1R C2uiuoTT12RUz z+VDz zCC在在T2的发射极的发射极加入稳压管加入稳压管模 拟 电 子 技 术RRB1C1R E2uiuoTT12RC2VCC+为了解决第二个问题：可以在电路中为了解决第二个问题：可以在电路中采用不同类型采用不同类型的管子的管子，即，即NPN和和PNP管配合管配合使用，如下图所示使用，如下
35、图所示。利用利用NPN型管和型管和PNP型管进行电平移动型管进行电平移动模 拟 电 子 技 术（1）电路可以放大缓慢变化的信号和直流信号。）电路可以放大缓慢变化的信号和直流信号。由由于级间是直接耦合，所以电路可以放大缓慢变化的信于级间是直接耦合，所以电路可以放大缓慢变化的信号和直流信号。号和直流信号。（2）便于集成。）便于集成。由于电路中只有晶体管和电阻，没有由于电路中只有晶体管和电阻，没有电容器和电感器，因此便于集成。电容器和电感器，因此便于集成。缺点：缺点：优点优点：（1）各级的静态工作点不独立，相互影响）各级的静态工作点不独立，相互影响。会给设计、。会给设计、计算和调试带来不便。计算和调
36、试带来不便。（2）引入了零点漂移问题）引入了零点漂移问题。零点漂移对直接耦合放大。零点漂移对直接耦合放大电路的影响比较严重。电路的影响比较严重。二、直接耦合放大电路的优缺点二、直接耦合放大电路的优缺点模 拟 电 子 技 术3.1.4 3.1.4 光电耦合光电耦合 光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和传递光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和传递的，因其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。的，因其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。光电耦合器是实现光电耦合的基本器件，它将发光元件光电耦合器是实现光电耦合的基本器件，它将发光元件（发光二极管）与光敏元件（光电三极管）相互绝缘地组合（发光二极管）与光敏元件（光电三极管）相互绝缘地组合在一起。发光元件为输入回路，它将电能转换成光能；光敏在一起。发光元件为输入回路，它将电能转换成光能；光敏元件为输出回路，它将光能再转换成电能，实现了两部分电元件为输出回路，它将光能再转换成电能，实现了两部分电路的电气隔离，从而可有效地抑制电干扰。在输出回路常采路的电气隔离，从而可有效地抑制电干扰。在输出回路常采用复合管（也称达林顿结构）形式以增大放大倍数。用复合管（也称达林顿结构）形式以增大放大倍数。谢谢你的阅读v知识就是财富v丰富你的人生
