1、a1第八章第八章 固态传感器固态传感器 以半导体、电解质、铁电体等为敏感材料，在力、以半导体、电解质、铁电体等为敏感材料，在力、磁、热、射线、气体、湿度等因素作用下引起磁、热、射线、气体、湿度等因素作用下引起材料材料物理特性变化物理特性变化，通过检测其物理特性变化，来反映，通过检测其物理特性变化，来反映被测参数值。建立在这一原理基础上的传感器称为被测参数值。建立在这一原理基础上的传感器称为固态传感器固态传感器。固态传感器主要包括：磁敏传感器、光敏传感器、固态传感器主要包括：磁敏传感器、光敏传感器、电荷耦合器件、气体传感器、湿度传感器等等。电荷耦合器件、气体传感器、湿度传感器等等。a2固态传感器
2、的优点：物性型传感器，没有相对运动部件，无磨损，结构简单，小型轻量；半导体材料为敏感元件，易于集成化、一体化、多功能化、图像化、智能化。功耗低，安全可靠。缺点 非线性，测量范围窄；易产生温飘，需要温度补偿；性能参数离散性大，互换性差。a3 8-1 霍尔磁敏传感器霍尔磁敏传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。霍尔元件是一霍尔元件是一种四端元
3、件种四端元件a4物理现象观察霍尔效应a5a6一、霍尔效应一、霍尔效应 通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。在两端截面之间建立的电向上将产生电动势的现象。在两端截面之间建立的电场称为霍尔电场场称为霍尔电场EH，相应的电势称为霍尔电势相应的电势称为霍尔电势UH。+I+Lbd霍尔效应原理图UH-fLvfEa7 设霍尔片的长度为L，宽度为b，厚度为d。又设电子以均匀的速度v运动，则在垂直方向施加的磁感应强度B的作用下，它受到洛仑兹力e电子电量(1.6210-19C)；v电于运动速度。同时，作用于电子的电场力 二、霍尔磁敏传感器工作
4、原理二、霍尔磁敏传感器工作原理beUeEfHHE/beUevBH/当达到动态平衡（fE+fL=0）时+I+Lbd霍尔效应原理图UH-fLvfELfevB a8dnevbdjbIdnebIv/pedIBUH/霍尔电势UH与 I、B的乘积成正比，而与d成反比。于是可改写成：dIBRUHHHR电流密度j=-nevnN型半导体中的电子浓度N型半导体P型半导体 霍尔系数霍尔系数，由载流材料物理性质决定。，由载流材料物理性质决定。材料电阻率材料电阻率pP型半导体中的空穴浓度 型）（Nen1RH载流子迁移率载流子迁移率,=v v/E,/E,即单位电场强度作用下载流子的平均即单位电场强度作用下载流子的平均速度
5、。速度。nedIBUH/a9设 KH=-RH /d RH 霍尔系数，霍尔系数，KH称为霍尔器件的灵敏度。它与载称为霍尔器件的灵敏度。它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流作用下，霍尔电势的大小。应强度和单位控制电流作用下，霍尔电势的大小。IBKdIBRUHHH 对于金属而言，对于金属而言，由于金属电子浓度很高，所以它的霍尔系数或灵敏度由于金属电子浓度很高，所以它的霍尔系数或灵敏度都很小，因此不适合制作霍尔元件。都很小，因此不适合制作霍尔元件。元件的厚度元件的厚度d越小，灵敏度越高，因而制作霍尔越小，灵敏度越高，因而
6、制作霍尔元件时可采取减小元件时可采取减小d的方法来增加灵敏度，但是不能的方法来增加灵敏度，但是不能认为认为d越小越好，因为这样会导致元件的输入和输出越小越好，因为这样会导致元件的输入和输出电阻增加。电阻增加。为电子电量）为电子密度，enen1RH(a10 若磁感应强度若磁感应强度B的方向与霍尔器件的平面法线夹角的方向与霍尔器件的平面法线夹角为为时，霍尔电时，霍尔电势势应为：应为：UH KH I B cos 注意：当控制电流的方向或磁场方向换向时，输出霍注意：当控制电流的方向或磁场方向换向时，输出霍尔电势的方向也改变。但当磁场与电流同时换向时，尔电势的方向也改变。但当磁场与电流同时换向时，霍尔电
7、势并不改变方向。霍尔电势并不改变方向。a11 霍尔片一般采用霍尔片一般采用N型锗型锗(Ge)、锑化铟、锑化铟(InSb)和砷化和砷化铟铟(InAs)等半导体材料制成。采用砷化铟材料作霍尔等半导体材料制成。采用砷化铟材料作霍尔元件的比较多。元件的比较多。霍尔元件的结构比较简单，它由霍尔片，引线和霍尔元件的结构比较简单，它由霍尔片，引线和壳体组成，如右图所示。壳体组成，如右图所示。在短边的两个端面上焊出两根控制在短边的两个端面上焊出两根控制电流端引线电流端引线(图中的图中的1、1)，在长边中，在长边中点以点焊形式焊出两根霍尔电势输出点以点焊形式焊出两根霍尔电势输出端引线端引线(图中的图中的2、2)
8、，焊点要求接触，焊点要求接触电阻小电阻小(即欧姆接触即欧姆接触)。霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。三、材料及结构特点三、材料及结构特点a12 在电路中，霍尔元件常用下图所示的符号表示：霍尔元件的命名法：a13 基本测量电路：基本测量电路：RW调节控制电流的大小。RL为负载电阻，可以是放大器的内阻或指示器内阻。霍尔效应建立的时间极短（10-1210-14S），I即 可以是直流，也可以是交流。若被测物理量是I、B或者IB乘积的函数，通过测量霍尔电势UH就可知道被测量的大小。四、测量电路四、测量电路a14 1、UHI特性特性 当磁场恒定时，在一
9、定温度下测定控制电流当磁场恒定时，在一定温度下测定控制电流I与霍尔电势与霍尔电势UH，可得到良好的线性关系，如下图所示：可得到良好的线性关系，如下图所示：五、电磁特性五、电磁特性其直线的斜率称为控制电流灵敏其直线的斜率称为控制电流灵敏度，以符号度，以符号KI表示：表示：据霍尔元件的计算公式，可得：据霍尔元件的计算公式，可得：可见，灵敏度可见，灵敏度KH大的元件，其控大的元件，其控制电流灵敏度一般也很大。制电流灵敏度一般也很大。a15 2、UHB特性特性 当控制电流保持不变时，元件的开路霍尔输出随磁场强度当控制电流保持不变时，元件的开路霍尔输出随磁场强度的增加不完全呈线性关系，而有非线性偏离。如
10、下图所示：的增加不完全呈线性关系，而有非线性偏离。如下图所示：磁场的边缘效应锑化铟砷化铟锗a16六、误差分析及其补偿方法六、误差分析及其补偿方法1 1元件几何尺寸及电极焊点的大小对性能的影响元件几何尺寸及电极焊点的大小对性能的影响 在霍尔电势的表达式中，是将霍尔片的长度在霍尔电势的表达式中，是将霍尔片的长度L L看作无穷大来看作无穷大来考虑的。实际上，霍尔片只有一定的长宽比考虑的。实际上，霍尔片只有一定的长宽比L Lb b，存在着霍尔，存在着霍尔电场被控制电流极短路的影响，因此应在霍尔电势的表达式中，电场被控制电流极短路的影响，因此应在霍尔电势的表达式中，增加一项与元件几何尺寸有关增加一项与元
11、件几何尺寸有关的系数。这样的系数。这样(8(810)10)式可写成如下式可写成如下形式形式:形状系数fH(L/b)与长宽比L/b之间的关系如右图所示。由图可知，当Lb2时，形状系数接近1。因此为了提高元件的灵敏度，可适当增大Lb值，但是实际设计时取Lb2已经足够了，因为Lb过大反而使输入功耗增加了，以致降低元件的效率。a172、不等位电势补偿当霍尔元件B=0，I0，UH=U00。这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。产生这一现象的原因有:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；两电极电不在同一等电位面上两电极电不在同一等电位面上等电位面歪
12、斜等电位面歪斜a18理想情况下,r1=r2=r3=r4,U00a19补偿网络a203寄生直流电势寄生直流电势 由于霍尔元件的电极不可能做到完全的欧姆接触，在控制电由于霍尔元件的电极不可能做到完全的欧姆接触，在控制电流极和霍尔电势极上都可能出现整流效应。因此，流极和霍尔电势极上都可能出现整流效应。因此，当元件在不当元件在不加磁场的情况下通入交流控制电流时，它的输出除了交流不等加磁场的情况下通入交流控制电流时，它的输出除了交流不等电势外，还有一直流分量电势外，还有一直流分量，这个直流分量称为：，这个直流分量称为：寄生直流电势寄生直流电势。其大小与工作电流有关，随着工作电流的减小，直流电势将迅其大小
13、与工作电流有关，随着工作电流的减小，直流电势将迅速减小。速减小。产生寄生直流电势的原因，除上面所说的产生寄生直流电势的原因，除上面所说的因控制电流极和霍因控制电流极和霍尔电势极的尔电势极的欧姆接触不良欧姆接触不良，霍尔电势极的焊点大小不同霍尔电势极的焊点大小不同，导致，导致两焊点的热容量不同而产生温差效应，也是形成直流附加电势两焊点的热容量不同而产生温差效应，也是形成直流附加电势的一个原因。的一个原因。寄生直流电势寄生直流电势很容易使输出产生漂移，很容易使输出产生漂移，为了减少其影响为了减少其影响，在，在元件的制作和安装时，元件的制作和安装时，应尽量改善电极的欧姆接触性能和元件应尽量改善电极的
14、欧姆接触性能和元件的散热条件。的散热条件。a21欧姆接触欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面。欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：（1）金属与半导体间有低的界面能障(Barrier Height)（2）半导体有高浓度的杂质掺入(N 10EXP12 cm-3)前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使界面空乏区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Ca
15、p)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n-n or Metal-p+-p等结构。a224感应电势感应电势 霍尔元件在交变磁场中工作时，即使不加控制电流，由于霍尔元件在交变磁场中工作时，即使不加控制电流，由于霍尔电势的霍尔电势的引线布局不合理引线布局不合理，在输出回路中也会，在输出回路中也会产生附加感应产生附加感应电势电势，其大小不仅，其大小不仅正比于磁场的变化频率和磁感应强度的幅值正比于磁场的变化频率和磁感应强度的幅值，并与并与霍尔电势极霍尔电势极引线所构成的感应面积成正比引线所构成的感应面积成正比(如下图所示如
16、下图所示)。为了减小感应电势，除合理布线外，如下图所示，还可以为了减小感应电势，除合理布线外，如下图所示，还可以在磁路中安置另一辅助霍尔元件，如果两个元件的特性相同，在磁路中安置另一辅助霍尔元件，如果两个元件的特性相同，可以起到显著的补偿效果。可以起到显著的补偿效果。a235温度误差及其补偿温度误差及其补偿 霍尔元件与一般半导体器件一样，对温度变化十分敏感。霍尔元件与一般半导体器件一样，对温度变化十分敏感。这是由于半导体材料的电阻率、迁移率、载流子浓度等随温度这是由于半导体材料的电阻率、迁移率、载流子浓度等随温度变化的缘故。因此，变化的缘故。因此，霍尔元件的性能参数霍尔元件的性能参数，如内阻、
17、霍尔电势，如内阻、霍尔电势等等都将随温度变化都将随温度变化。为了减小霍尔元件的温度误差，为了减小霍尔元件的温度误差，除选用温度系数小的元件除选用温度系数小的元件(如砷化铟如砷化铟)或采用恒温措施外，还可采用恒流源供电或采用恒温措施外，还可采用恒流源供电，这样可，这样可以减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化。以减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化。但采用但采用恒流源供电不能完全解决霍尔电势的稳定问题，因此还应采用恒流源供电不能完全解决霍尔电势的稳定问题，因此还应采用其它补偿方法其它补偿方法，如采用下图的补偿线路：，如采用下图的补偿线路：a24 在控制电流极并联在控制电流极并联个适
18、当的补偿个适当的补偿电阻电阻r0，当温度升高时，霍尔元件的内，当温度升高时，霍尔元件的内阻迅速增加，使通过元件的电流减小，阻迅速增加，使通过元件的电流减小，而通过而通过r0的电流增加。的电流增加。利用元件内阻的利用元件内阻的温度特性和补偿电阻，可自动调节霍尔温度特性和补偿电阻，可自动调节霍尔元件的电流大小，从而起到补偿作用。元件的电流大小，从而起到补偿作用。补偿电阻补偿电阻r0的选择：的选择：设在某一基准温度设在某一基准温度T0时，有：时，有：I 恒流源输出电流恒流源输出电流;IH0温度为温度为T0时，霍尔元件的控制电流时，霍尔元件的控制电流;I0 温度为温度为T0时，时，r0上通过的电流上通
19、过的电流;R0温度为温度为T0时，霍尔元件的内阻；时，霍尔元件的内阻；r0温度为温度为T0时，补偿电阻值。时，补偿电阻值。000000rIRIIIIHHa25当温度上升为当温度上升为T时，可得：时，可得：式中式中 R温度为温度为T时，霍尔元件的内阻，时，霍尔元件的内阻，R=R0(1+t)，是是 霍尔元件的温度系数，霍尔元件的温度系数，tTT0 r 温度为温度为T时，补偿电阻值，时，补偿电阻值，r=r0(1+t)，是是 补偿补偿 电阻的温度系数电阻的温度系数 IrRrIrIIRIrIRIIIIHHHHH00000000000000)(;IrRrIHa26trRrRttTKBItKBIKUBIKU
20、HHHHHHHHH000000HH0H0000001)1)(1(TUUTTK)1(TT上式，可得：势表达式代入】时的控制电流、霍尔电、将温度为满足：则应尔电势不随温度变化，设温度补偿后，输出霍度系数霍尔元件灵敏度的温时，霍尔元件的灵敏度、温度分别为、式中时，霍尔电势为当温度为时，霍尔电势为：当温度为a27便可求出。补偿电阻确定后，、内阻补偿电阻的温度系数、灵敏度温度系数上式说明，当霍尔元件，上式可简化为：均远远小于、由于项，可得到将上式展开，略去0000002rRRrRrta28a29七、霍尔传感器的应用七、霍尔传感器的应用 据前面讲解，霍尔元件的输出电势与控据前面讲解，霍尔元件的输出电势与控
21、制电流、磁感应强度的乘积成正比。保持控制电流、磁感应强度的乘积成正比。保持控制电流制电流(或磁感应强度或磁感应强度)恒定不变，位移、压恒定不变，位移、压力等被测量通过一定装置转换力等被测量通过一定装置转换 ，来改变磁感，来改变磁感应强度应强度(或控制电流或控制电流)，引起霍尔电势的变化，引起霍尔电势的变化，从而实现对被测参量的测量。从而实现对被测参量的测量。IBKdIBRUHHH 以微位移检测为基础，可以构成压力、应力、应变、机械振动、加速度、重量、称重等霍尔传感器.a30霍尔式位移传感器霍尔式位移传感器霍尔元件与被测物体相连接，当被测物移动，产霍尔元件与被测物体相连接，当被测物移动，产生一定
22、位移时，穿过霍尔元件的磁场变化，引起生一定位移时，穿过霍尔元件的磁场变化，引起霍尔电势发生变化，可反映被测位移的大小。霍尔电势发生变化，可反映被测位移的大小。保持霍尔元件的控制电流保持不变，则输出的霍保持霍尔元件的控制电流保持不变，则输出的霍尔电动势为：尔电动势为：k位移传感器的灵敏度位移传感器的灵敏度kxUH测量测量 0.5mm0.5mm的小位的小位移；移；适用于微位移、机适用于微位移、机械、振动的测量。械、振动的测量。a31 作为压力敏感元件的弹簧管，其一端固定，另作为压力敏感元件的弹簧管，其一端固定，另一端安装霍尔元件。当输入压力增加时，弹簧管伸一端安装霍尔元件。当输入压力增加时，弹簧管
23、伸长，使处于恒定磁场中的霍尔元件产生相应位移，长，使处于恒定磁场中的霍尔元件产生相应位移，霍尔元件的输出即可反映被测压力的大小。霍尔元件的输出即可反映被测压力的大小。霍尔式压力传感器霍尔式压力传感器a32霍尔转速表60 22fn 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。S SN N线性霍尔线性霍尔磁铁磁铁ptNnnptNnpf/=a33霍尔转速表原理霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的
24、霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍尔元件时，输出为低电平。a34a35 8-2 光敏传感器光敏传感器光电传感器是利用光敏元件将光信号转换成电信号的传感器件。光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（红外、可见及紫外光辐射）转变成为电信号的器件。物理基础 光电效应。光传感器是目前产量最多、应用最广的传感器之一。a36一、光电效应一、光电效应l是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的 能量，从而产生的电效应。l光敏传感器的工作原理基于光电效应。l光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。1 1、外光电效应、外光电效应l在光线的作用下，物体内的
25、电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。l向外发射的电子叫做光电子。l外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10-9s。l基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。a37光子是具有能量的粒子，每个光子的能量：根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子的能量，所以要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功A0，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。根据能量守恒定理：E=hh普朗克常数，6.62610-34Js；光的频率（s-1）02021Amh式中 m电子质量；v0电子逸出速度。爱因斯坦光电效应方程a38逸出功与材料的性质有
26、关，当材料选定后，要使物体表面电子逸出，入射光的频率有一最低限度，当h小于A0时，即使光强很大，也不可能有电子逸出，这个最低限度的频率称为红限频率，相应的波长称为红限波长。在h大于A0（入射光频率超过红限频率）的情况下，光强越大，入射光子数量越多，逸出的电子数目也越多，电路中光电流也越大。a39l当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应。l多发生于半导体内。l根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类：（1）光电导效应 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。l基于这种效
27、应的光电器件有光敏电阻。2、内光电效应a40过程：过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。导带价带禁带自由电子所占能带不存在电子所占能带价电子所占能带Ega41材料的光导性能决定于禁带宽度，对于一种光电导材料，总存在一个照射光波上限0(临界波长)，只有波长小于0的光照射在光电导体上，才能产生电子能级间的跃进，从而使光电导体的电导率增加。式中c、分别为入射光的光速、频率和波长。Eg239.1hch为了实现能级的跃迁，入射光的能量必须大于光电导材料的禁带宽度E
28、g，即 nm E1239g0a42（2）光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。利用物质在光的照射下电导性能改变或产生电动势的光电器件称内光电效应器件内光电效应器件，常见的有光敏电阻、光电池和光敏晶体管等。本节重点介绍内光电效应器件。a43二、光敏电阻u光敏电阻又称光导管，为纯电阻元件，光敏电阻又称光导管，为纯电阻元件，常用的光敏常用的光敏电阻由硫化镉（电阻由硫化镉（CdSCdS）等材料制成。）等材料制成。u其其工作原理是基于工作原理是基于光电导效应光电导效应，其阻值随光照增强，其阻值随光照增强而减小。而
29、减小。u优点：优点：灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小、重量灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小、重量轻、机械强度高，耐冲击、耐振动、抗过载能力强和轻、机械强度高，耐冲击、耐振动、抗过载能力强和寿命长等。寿命长等。u不足：不足：需要外部电源，有电流时会发热。需要外部电源，有电流时会发热。a44光敏电阻的工作原理和结构光敏电阻的工作原理和结构光敏电阻的工作原理是基于光电导效应:在无光照时,光敏电阻具有很高的阻值;在有光照时,当光子的能量大于材料禁带宽度,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,激发出可以导电的电子-空穴对,导电性能增强，使电阻降低;光线愈强,激发出的电子-空穴对越多,电阻值越低;光照停止
30、后,自由电子与空穴复合,导电性能下降,电阻恢复原值。因此，可将光信号转换为电信号。a45光敏电阻工作示意图导带上的电子和价带的空穴在外加电场的作用下，经半导体和外部电路形成电流，直至无光照。a46 光敏电阻的结构如图所示。管芯是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。光导体吸收光子而产生的光电效应，只限于光照的表面薄层，虽然产生的载流子也有少数扩散到内部去，但扩散深度有A金属封装的硫化镉光敏电阻结构图光导电材料绝缘衬低引线电极引线光电导体限，因此光电导体一光电导体一般都做成薄层般都做成薄层。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极一般采用梳状图案梳状图案，结构见下图。a471-光导层;2
31、-玻璃窗口;3-金属外壳;4-电极;5-陶瓷基座;6-黑色绝缘玻璃;7-电阻引线。RG1234567(a)结构 (b)电极 (c)符号它是在一定的掩模下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。这种梳状电极，由于在间距很近的电极之间有可能采用大的灵敏面积，所以提高了光敏电阻的灵敏度。图（c）是光敏电阻的代表符号。CdS光敏电阻的结构和符号a48光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数1.暗电阻，暗电流 若将光敏电阻置于无光照的黑暗条件下，测得光敏电阻的阻值称为暗电阻。暗电阻：这时在给定工作电压下测得光敏电阻中的电流值称为暗电流。2.亮电阻，光电流 光敏电阻在光照下，测得的光敏电阻的阻值称为亮电阻，一般
32、为几百欧姆。这时在工作电压下测得的电流值称为亮电流。亮电流与暗电流之差称光敏电阻的光电流。暗电阻越大，亮电阻越小，光敏电阻的灵敏度越高a493.时间常数 当光敏电阻受到光照时，光电流要经过一定时间才能达到稳定值。同样，光照停止后，光电流也要经过一定时间才能恢复到暗电流；光敏电阻的光电流随光强度变化的惯性，通常用时间常数表示。时间常数反映了光敏电阻对光照响应的快慢程度。光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数a50光敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性1、光照特性：IL 用于描述光电流与光照强度之间的关系非线性；故其不宜作线性测量元件，多用作光电式开关元件。2、光谱特性：灵敏度 对于不同的波长，光敏电
33、阻的灵敏度不同 硫化镉峰值在可见光域 硫化铅峰值在红外区域 可根据光源的波长来选择光敏元件获得最佳灵敏度。a51光照特性 光谱特性v光照特性：CdS光敏电阻的光照特性v光谱特性：1，2，3分别代表硫化镉、硒化镉、硫 化铅三种光敏电阻的光谱特性a52光敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性3、伏安特性：IU 用于描述在一定光照下，光敏电阻两端电压与光电流之间的关系。与普通电阻相似，电压 ，电流 ，无饱和现象，但要注意不能超过额定值。4、频率特性：If（Hz）由于时间常数的存在，光敏电阻的阻值要经过一定的时间才能达到相应的数值。越小，能够反映的光信号的频率越高。大多数光敏电阻的大，频率特性差。a53v
34、伏安特性：曲线1、2分别代表照度为零几位某一值时的伏安特性。v频率特性：曲线1、2分别代表硫化镉和硫化铅的光敏电阻的频率特性。伏安特性 频率特性a54稳定性 图中曲线1、2分别表示两种型号CdS光敏电阻的稳定性。初制成的光敏电阻，由于体内机构工作不稳定，以及电阻体与其介质的作用还没有达到平衡，所以性能是不够稳定的。但在人为地加温、光照及加负载情况下，经一至二周的老化，性能可达稳定。800I/%408012016021T/h040012001600光敏电阻在开始一段时间的老化过程中，有些样品阻值上升，有些样品阻值下降，但最后达到一个稳定值后就不再变了。这就是光敏电阻的主要优点。光敏电阻的使用寿命
35、在密封良好、使用合理的情况下，几乎是无限长的。a55 光敏电阻的灵敏度易受湿度的影响，因此要将光电导体严密封装在玻璃壳体中。如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小，其连线电路如图所示。光敏电阻具有很高的灵敏度，很好的光谱特性，光谱响应可从紫外区到红外区范围内。而且体积小、重量轻、性能稳定、价格便宜，因此应用比较广泛。RGRLEIa56三、光电池三、光电池 u光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的 器件器件。u由于它可把太阳能直接变电能，因此又称为太阳能 电池。u它是基于光生伏特效应制成的，是发电式有源
36、元件。u它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结 的两端出现电动势。u应用人造卫星、宇宙飞船、星际站、太空实验室、航标灯、边远山区的永久性电源。收音机、电视机、计算机、铁路信号灯、电动车辆等方面。a57u分类（命名方式）：分类（命名方式）：把光电池的半导体材料的名称冠于光电池(或太阳能电池)之前。如，硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池等。目前,应用最广、最有发展前途的是硅光电池。硅光电池价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受转换效率高，寿命长，适于接受红外光红外光。硒光电池光电转换效率低(0.02)、寿命短，适于接收可见光(响应峰值波长0.56m)，其光谱峰值位于人眼的视觉范围，所以很多
37、分析仪器、测量仪表也常用到它。最适宜制造照度计。砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性则与太阳光谱最吻合。且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此，它在宇宙飞船、卫星、太空探测器等电源方面的应用是有发展前途的。a58光电池的结构和工作原理光电池的结构和工作原理l 硅光电池的工作原理基于光生伏特效应，它是在一块N型硅片上用扩散的方法掺人一些P型杂质而形成的一个大面积PN结。l 当光照射P区表面时，若光子能量大于硅的禁带宽度，则在P型区内每吸收一个光子便产生一个电子-空穴对，P区表面吸收的光子越多，激发的电子空穴越多，越向内部越少。这种浓度差便形成从表面向体内扩散的自然趋势。由于PN结
38、内电场的方向是由N区指向P区的，它使扩散到PN结附近的电子空穴对分离，光生电子被推向N区，光生空穴被留在P区。从而使N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。a59光电池的示意图+光PNSiO2RL(a)光电池的结构图l若用导线连接P区和N区，电路中就有光电流流过。l电流的方向由P区流经外电路至N区。若将外电路断开，就可测出光生电动势。I光 P N+a60光电池的表示符号、基本电路如图所示。IURL(a)(b)图4.3-17 光电池符号和基本工作电路a61 光电池的光谱特性光电池的光谱特性不同的光电池，光谱峰值的位置不同;硅光电池：峰值：0.85m 光谱范围：0.41.1m硒光电池：峰值：0.5
39、4m 光谱范围：0.340.75m可利用光源性质选择光电池，也可根据光电池特性来选择光源。PN结NPE20406080100Kr(%)12(m)0.60.40.81.01.2a)结构示意图b)图形符号1-硅光电池 2-硒光电池光电池的光谱特性光电池的光谱特性适用于可见光应用范围广可见光：可见光：波长波长380780nm紫外线：紫外线：波长波长10380nm红外线：红外线：波长波长780106nma62一、烟尘浊度监测仪 防止工业烟尘污染是环保的重要任务之一。为了消除工业烟尘污染，首先要知道烟尘排放量，因此必须对烟尘源进行监测、自动显示和超标报警。烟道里的烟尘浊度是用通过光在烟道里传输过程中的变
40、化大小来检测的。如果烟道浊度增加，光源发出的光被烟尘颗粒的吸收和折射增加，到达光检测器的光减少，因而光检测器输出信号的强弱便可反映烟道浊度的变化。光电传感器的应用举光电传感器的应用举例例a63平行光源光电探测放大显示刻度 校正报警器吸收式烟尘浊度检测系统原理图烟道a64二、光电转速传感器2312 31(a)(b)光电数字式转速表工作原理图 下图是光电数字式转速表的工作原理图。图(a)是在待测转速轴上固定一带孔的转速调置盘，在调置盘一边由白炽灯产生恒定光，透过盘上小孔到达光敏二极管组成的光电转换器上，转换成相应的电脉冲信号，经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号，转速由该脉冲频率决定。在待测转速的轴
41、上固定一个涂上黑白相间条纹的圆盘，它们具有不同的反射率。当转轴转动时，反光与不反光交替出现，光电敏感器件间断地接收光的反射信号，转换为电脉冲信号。a65三、光电池应用 光电池主要有两大类型的应用：将光电池作光伏器件使用，利用光伏作用直接将大阳能转换成电能，即太阳能电池。这是全世界范围内人们所追求、探索新能源的一个重要研究课题。太阳能电池已在宇宙开发、航空、通信设施、太阳电池地面发电站、日常生活和交通事业中得到广泛应用。目前太阳电池发电成本尚不能与常规能源竞争，但是随着太阳电池技术不断发展，成本会逐渐下降，太阳电池定将获得更广泛的应用。将光电池作光电转换器件应用，需要光电池具有灵敏度高、响应时间
42、短等特性，但不必需要像太阳电池那样的光电转换效率。这一类光电池需要特殊的制造工艺，主要用于光电检测和自动控制系统中。光电池应用举例如下：a661 1太阳电池电源太阳电池电源 太阳电池电源系统主要由太阳电池方阵、蓄电池组、调节控制和阻塞二极管组成。如果还需要向交流负载供电，则加一个直流交流变换器，太阳电池电源系统框图如图。调节控制器逆变器 交流负载太阳电池方阵 直流负载太阳能电池电源系统阻塞二极管a672 2光电池在光电检测和自动控制方面的应用光电池在光电检测和自动控制方面的应用 光电池作为光电探测使用时，其基本原理与光敏二极管相同，但它们的基本结构和制造工艺不完全相同。由于光电池工作时不需要外
43、加电压；光电转换效率高，光谱范围宽，频率特性好，噪声低等，它已广泛地用于光电读出、光电耦合、光栅测距、激光准直、电影还音、紫外光监视器和燃气轮机的熄火保护装置等。a68(a)光电追踪电路+12VR4R3R6R5R2R1WBG1BG2 图(a)为光电池构成的光电跟踪电路，用两只性能相似的同类光电池作为光电接收器件。当入射光通量相同时，执行机构按预定的方式工作或进行跟踪。当系统略有偏差时，电路输出差动信号带动执行机构进行纠正，以此达到跟踪的目的。光电池在检测和控制方面应用中的几种基本电路V0a69BG2BG1+12VC J R1 R2(b)光电开关 图(b)所示电路为光电开关，多用于自动控制系统中
44、。无光照时，系统处于某一工作状态，如通态或断态。当光电池受光照射时，产生较高的电动势，只要光强大于某一设定的阈值，系统就改变工作状态，达到开关目的。a70(c)光电池触发电路R1R2R3R4R5R6BG1BG2BG3BG4C1C2C3+12VW 图(c)为光电池触发电路。当光电池受光照射时，使单稳态或双稳态电路的状态翻转，改变其工作状态或触发器件(如可控硅)导通。a71+12V5G23(d)光电池放大电路C3-12VWR1R2R3R4R5C1C218765432图(d)为光电池放大电路。在测量溶液浓度、物体色度、纸张的灰度等场合，可用该电路作前置级，把微弱光电信号进行线性放大，然后带动指示机构
45、或二次仪表进行读数或记录。在 实 际 应 用中，主要利用光电池的光照特性、光谱特性、频率特性和温度特性等，通过基本电路与其它电子线路的组合可实现或自动控制的目的。a72220VC1路灯CJD-108V200F200FC2C3100FR1R3R5R7R4R6R7R2J470k200k10k4.3kBG1280k25k57k10kBG2BG3BG42CR如图所示，在白天，硅光电池输出电压使BG1导通，BG2截止，继电器不吸合；天黑时，硅光电池输出电压渐小，使得BG1截止，BG2导通，继电器吸合，照明灯亮。电路中BG2、BG3组成施密特触发器，用来避免照明灯产生忽明忽暗的抖动现象。也可在较宽范围内选
46、择点亮照明灯的照度(即天黑到什么程度亮灯)，电容C起延时作用(约5s)，以避免闪电引起瞬间灭灯现象。路灯自动控制电路a738-4 气敏传感器气敏传感器是用来感知、检测气体类别,浓度和成分的传感器。为了保护人类赖以生存的自然环境，防止不幸事故的发生，需要对各种有害、可燃性气体，在环境中存在的情况进行有效地监控。由于气体种类繁多,性质各不相同,不可能用一种传感器检测所有类别的气体,因此,能实现气-电转换的传感器种类很多。按构成气敏传感器材料可分为半导体和非半导体两大类.目前实际使用最多的是半导体气敏传感器.a74对气敏元件的要求：能长期稳定工作，重复性好，响应速度快，共存物质产生的影响小。应用：用
47、半导体气敏元件组成的气敏传感器主要用于工业上的天然气、煤气，石油化工等部门的易燃、易爆、有毒等有害气体的监测、预报和自动控制。a75一、接触燃烧式气体传感器一、接触燃烧式气体传感器1 1、检测原理、检测原理 可燃性气体可燃性气体(H(H2 2、COCO、CHCH4 4等等)与空气中的氧接触，与空气中的氧接触，发生氧化反应，产生反应热发生氧化反应，产生反应热(无焰接触燃烧热无焰接触燃烧热)，使，使得作为敏感材料的铂丝温度升高，电阻值相应增大。得作为敏感材料的铂丝温度升高，电阻值相应增大。一般情况下，空气中可燃性气体的浓度都不太高一般情况下，空气中可燃性气体的浓度都不太高(低低于于1010)，可燃
48、性气体可以完全燃烧，可燃性气体可以完全燃烧，其发热量与可其发热量与可燃性气体的浓度有关。燃性气体的浓度有关。空气中可燃性气体浓度愈大，空气中可燃性气体浓度愈大，氧化反应氧化反应(燃烧燃烧)产生的反应热量产生的反应热量(燃烧热燃烧热)愈多，铂愈多，铂丝的温度变化丝的温度变化(增高增高)愈大，其电阻值增加的就越多。愈大，其电阻值增加的就越多。因此，只要测定作为敏感件的铂丝的电阻变化值因此，只要测定作为敏感件的铂丝的电阻变化值(R)(R)，就可检测空气中可燃性气体的浓度。，就可检测空气中可燃性气体的浓度。a76接触燃烧式气敏元件的感应特性00.20.40.60.81.050100150输出电压/mV
49、丙烷乙醇异丁烷丙酮环己烷气体浓度(XLEL)但是，使用单纯的铂丝线圈作为检测元件，其但是，使用单纯的铂丝线圈作为检测元件，其寿命较短，所以，实际应用的检测元件，都是在铂寿命较短，所以，实际应用的检测元件，都是在铂丝圈外面涂覆一层氧化物触媒。这样既可以延长其丝圈外面涂覆一层氧化物触媒。这样既可以延长其使用寿命，又可以提高检测元件的响应特性。若与使用寿命，又可以提高检测元件的响应特性。若与相应的电路配合，就能在空气中当可燃性气体达到相应的电路配合，就能在空气中当可燃性气体达到一定浓度时，自动发出报警信号，其感应特性曲线一定浓度时，自动发出报警信号，其感应特性曲线如图。如图。a77触媒Al2O3载体
50、Pt丝元件(0.8-2)mm(b)敏感元件外形图接触燃烧式气敏元件结构示意图(a)元件的内部示意图 2、接触燃烧式气敏元件的结构a78催化剂决定的常数。由检测元件上涂覆的检测元件的热容量；）（可燃性气体的浓度；可燃性气体的燃烧热；检测元件的温度增加值燃烧所引起的由于可燃性气体接触系数；检测元件的电阻温度C%mQTT12VolCQmCHRRRRkEFFFF)(CQbbmkE 接触燃烧式气体敏感元件的桥式电路桥式电路如图。图中F1是检测元件；F2是补偿元件，其作用是补偿可燃性气体接触燃烧以外的环境温度、电源电压变化等因素所引起的偏差。AF2F1MR1R2CBDW2W1E0a79半导体气敏传感器是利
