1、第第7章章-半导体元件及其应用讲解半导体元件及其应用讲解广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023导体：导体：容易导电的物质，金属一般都是导体。容易导电的物质，金属一般都是导体。绝缘体：绝缘体：不容易导电或完全不导电的物质，如橡皮、不容易导电或完全不导电的物质，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。陶瓷、塑料和石英。半导体：半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质，导电特性处于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。等。广东海洋大学广东海
2、洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023特性：特性：1.热敏性：热敏性：半导体的电阻率随温度升高而显著减小。半导体的电阻率随温度升高而显著减小。常用于检测温度的变化。常用于检测温度的变化。对其他工作性能有不利的影响。对其他工作性能有不利的影响。2.光敏性：光敏性：在无光照时电阻率很高，但一有光照电阻在无光照时电阻率很高，但一有光照电阻 率则显著下降。率则显著下降。利用这个特性可以制成光敏元件。利用这个特性可以制成光敏元件。杂敏性杂敏性：在纯净的半导体中加入杂质，导电能力猛：在纯净的半导体中加入杂质，导电
3、能力猛3.增几万倍至百万倍。增几万倍至百万倍。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023本征半导体：本征半导体：纯净的半导体纯净的半导体硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。在本征半导体在本征半导体中有电子和空穴中有电子和空穴2 2种载流子，而金属导体中只有电子一种载流子。种载流子，而金属导体中只有电子一种载流子。杂质半导体：杂质半导体：在纯净的半导体单晶体中有选择地掺入微量杂在纯净的半导体单晶体中有选择地掺入微量杂质元素，提高半导体的导
4、电能力。质元素，提高半导体的导电能力。根据加入的杂质不同可以分为根据加入的杂质不同可以分为N N型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/20231、N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形
5、成共价键，必定多出一个电子，成为自由电子定多出一个电子，成为自由电子 杂质原子提供杂质原子提供的多余电子的多余电子杂质原子失去一个杂质原子失去一个电子成为正离子电子成为正离子因为掺杂浓度远因为掺杂浓度远大于本征半导体大于本征半导体中载流子浓度，中载流子浓度，所以，自由电子所以，自由电子浓度远大于空穴浓度远大于空穴浓度。自由电子浓度。自由电子称为称为多数载流子多数载流子（多子多子），空穴），空穴称为称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/20232、P
6、型半导体型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。生一个空穴。可移动的空穴可移动的空穴杂质原电子接受一个杂质原电子接受一个电子成为负离子电子成为负离子P型半导体中空型半导体中空穴是多子，电穴是多子，电子是少子。子是少子。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学
7、电工电子学2/11/20232/11/2023漂移运动：漂移运动：在电场力的作用下，半导体中的载流子产生定向在电场力的作用下，半导体中的载流子产生定向运动，形成的电流叫漂移电流。电场越强，载流子漂运动，形成的电流叫漂移电流。电场越强，载流子漂移速度越高；载流子的浓度越大，参与漂移运动的载移速度越高；载流子的浓度越大，参与漂移运动的载流子数目越多，漂移电流就越大。流子数目越多，漂移电流就越大。扩散运动：扩散运动：当半导体受光照射或有载流子从外界注入时，半当半导体受光照射或有载流子从外界注入时，半导体内载流子浓度分布不均匀。这时载流子从浓度高导体内载流子浓度分布不均匀。这时载流子从浓度高的区域向浓
8、度低的区域运动。载流子扩散运动所形成的区域向浓度低的区域运动。载流子扩散运动所形成的电流称为扩散电流。的电流称为扩散电流。载流子的漂移运动和扩散运动载流子的漂移运动和扩散运动广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/2
9、0232/11/2023 PN 结结加正向电压（正向偏置加正向电压（正向偏置)：P 区接电压正极和区接电压正极和N 区接电压负极。区接电压负极。PN 结结加反向电压（反向偏置）加反向电压（反向偏置）：P 区接电压负极和区接电压负极和N 区接电压正极。区接电压正极。PNPN结单向导电性的结论：结单向导电性的结论：外加正向电压时，空间电荷区变窄，流过一个外加正向电压时，空间电荷区变窄，流过一个较大的正向电流，即较大的正向电流，即正向导通。正向导通。外加反向电压时，空间电荷区变宽，流过一个外加反向电压时，空间电荷区变宽，流过一个很小的反向饱和电流，即很小的反向饱和电流，即反向截止反向截止。广东海洋大
10、学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/20231、结构和类型、结构和类型阳极 N型锗片 阴极引线 引线阳极 阴极引线 引线 阳极a k阴极 阳极引线阳极引线 PN结结 金锑合金金锑合金 底座底座 阴极引线阴极引线(a)(a)触丝触丝 外壳外壳 铝合金铝合金小球小球 N型硅 PN P型支持衬底型支持衬底（c）阳极阳极a ka k阴极阴极（a）点接触型；（）点接触型；（b）面接触型；（）面接触型；（c）硅平面型；（）硅平面型；（d）符号）符号广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体
11、元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023二极管的伏安特性：分为三部分二极管的伏安特性：分为三部分正向特性正向特性：死区电压：死区电压Uth（硅：（硅：0.5V；锗；锗0.1V）反向特性反向特性：加反向电压，反向电流很小。：加反向电压，反向电流很小。反向击穿特性反向击穿特性：反向击穿电压：反向击穿电压UBR一般在几十伏以上。一般在几十伏以上。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023最大整流电流最大整流电流I IFMFM 二极管长期使用时，允许
12、流过二极管的最大正二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。向平均电流。最高反向工作电压最高反向工作电压 U UBRBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏。手册上给流剧增，二极管的单向导电性被破坏。手册上给出的最高反向工作电压出的最高反向工作电压UWRM一般是一般是UBR的一半。的一半。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023最大反向电流最大反向电流 IRM 反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，反
13、向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅二极管的反向饱和电温度越高反向电流越大。硅二极管的反向饱和电流一般为流一般为nA数量级，而锗二极管的反向饱和电流数量级，而锗二极管的反向饱和电流一般为一般为uA数量级。数量级。当二极管的工作频率超过这个数值时，二极管当二极管的工作频率超过这个数值时，二极管将失去单向导电性。它主要由将失去单向导电性。它主要由PN结的结电容和扩散结的结电容和扩散电容的大小来决定。电容的大小来决定。最高工作频率最高工作频率FM 广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20
14、232/11/2023DDKU(a)(b)DK理想二极管等效电路理想二极管等效电路 考虑正向压降的等效考虑正向压降的等效 广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023二极管单向限幅电路二极管单向限幅电路广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023二极管双向限幅电路二极管双向限幅电路广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电
15、工电子学2/11/20232/11/2023钳位电路钳位电路广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023a -+kuZ uZ iZ/mA uZ/V A C O 稳定电压稳定电压UZ稳定电流稳定电流Iz动态电阻动态电阻rz最大工作电流最大工作电流IZM最大耗散功率最大耗散功率PZM电压温度系数电压温度系数稳压管二极管稳压管二极管通过规定测试通过规定测试电流时的电压电流时的电压工作电压等于稳工作电压等于稳定电压时的电流定电压时的电流允许通过的最允许通过的最大电流大电流ZZUIIZM与对应的稳压
16、电与对应的稳压电压乘积压乘积iZ广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023N+NP集电结集电结Jc发射结发射结JeP+NP广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023 除了发射极上的箭头方向不同外，其他都相同，除了发射极上的箭头方向不同
17、外，其他都相同，但箭头方向都是由但箭头方向都是由P P指向指向N N，即，即PNPN结的正向电流方向。结的正向电流方向。发射结发射结正正偏，集电结偏，集电结反反偏：偏：放大模式放大模式 发射结发射结正正偏，集电结偏，集电结正正偏：偏：饱和模式饱和模式 发射结发射结反反偏，集电结偏，集电结反反偏：偏：截止模式截止模式（最常用）（最常用）（用于开关电路中）（用于开关电路中）广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023在放大电路中三极管主要工作于在放大电路中三极管主要工作于放大状态放大状态，即要
18、求，即要求，发射结正偏发射结正偏(正偏压降近似等于其正偏压降近似等于其PNPN结的导通压降），结的导通压降），集电结反偏集电结反偏（反偏压降反偏压降远远大于其导通电压才行）。远远大于其导通电压才行）。eb 基区：减少基区向发射区发射基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。的多子，提高发射效率。q 基区的作用：基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。传输到集电结边界。基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。q 集电结
19、反偏、且集电结面积大：集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。电极电流。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023 在放大状态下的三极管输出的集电极电流在放大状态下的三极管输出的集电极电流IC ，主要，主要受正向发射结电压受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。近似无关。注意注意：NPN型管与型管与PNP型管工作原理相似，但由
20、于型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。方向相反，加在各极上的电压极性相反。V1NPP+PNN+V2V2V1+-+-+-+-+-+IEICIBIEICIB广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023q 观察输入信号作用在那个电极上，输出信号从那观察输入信号作用在那个电极上，输出信号从那个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。三极管的三
21、种连接方式三极管的三种连接方式三种组态三种组态BCEBTICIEECBETICIBCEBCTIEIB（共发射极）（共发射极）（共基极）（共基极）（共集电极）（共集电极）q 放大电路的组态是针对交流信号而言的。放大电路的组态是针对交流信号而言的。1、晶体管的电流分配和电流放大作用、晶体管的电流分配和电流放大作用广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/20230CnCBBBnCBOECBIICCnCBOCnIIIIIIIIII IEnICBOIBnICnIEICIB+-iB UBBiC-+UCCR
22、bRc+-UBE+-UCEU1发射极电流发射极电流反向饱和电流反向饱和电流集电极电流集电极电流基极电流基极电流广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023晶体管的电流分配关系：晶体管的电流分配关系：1)1)直流电流放大系数：直流电流放大系数：I IC C/I/IB B 2)2)交流电流放大系数：交流电流放大系数：IC/IB 电流放大系数代表基极电流对集电极电流的控制作用，电流放大系数代表基极电流对集电极电流的控制作用，越越大，控制作用越强。小信号放大电路中，直流放大系数与交大，控制作用越强
23、。小信号放大电路中，直流放大系数与交流放大系数相差很小。流放大系数相差很小。晶体管的放大作用：晶体管的放大作用：本质就是它对电流的控制作用本质就是它对电流的控制作用广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/20232、晶体三极管伏安特性曲线、晶体三极管伏安特性曲线伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。模式。(三极管有三极管有三种组态三种组态，以共发射极为例），以共发射极为例）IB=f(UBE)UCE=常数常数IC=f(UCE
24、)IB=常数常数共发射极共发射极输入特性输入特性：输出特性输出特性：+-TUCEIBUBEIC+-广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023 输入特性曲线输入特性曲线UCE=0IB/AUBE/VUBE(on)0.3V10V0U(BR)BEOIEBO+ICBOq UCE一定一定：类似二极管伏安特性类似二极管伏安特性。q UCE增加增加：正向特性曲线略右移。正向特性曲线略右移。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2
25、/11/20232/11/2023UCE/VIB=40 A30 A20 A10 A0 输出特性曲线可划输出特性曲线可划分四个区域：分四个区域：(常数）BCII。IC 0，IB 00反向击穿电压反向击穿电压U(BR)CEOIC/mA饱和区、放大区、饱和区、放大区、截止区、击穿区。截止区、击穿区。U(BR)CEO广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023IC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0特点：特点：条件：条件：发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。IC不
26、受不受IB控制，而受控制，而受UCE影响。影响。VCE略增，略增，IC显著增加。显著增加。饱和区饱和区（VBE 0.7V，VCE0.3V）IC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0特点特点条件条件发射发射结正偏结正偏集电集电结反偏结反偏UCE曲线略上翘曲线略上翘具有正向受控作用具有正向受控作用满足满足IC=IB 体现了三极管的放大作用体现了三极管的放大作用广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023q 截止区截止区（VBE 0.5V，VCE 0.3V）IC/mAVCE/
27、V0IB=40 A30 A20 A10 A0特点：特点：条件：条件：发射结反偏，集电结反偏。发射结反偏，集电结反偏。IC 0，IB 0近似为近似为IB0 0以下区域以下区域 广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023q 击穿区击穿区特点：特点：VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。急剧增大。V(BR)CEO集电结反向击穿电压，随集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。的增大而减小。注意：注意：IC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20
28、A10 A0IB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBO广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023ICUCE0U(BR)CEOICMPCM 最大允许集电极电流最大允许集电极电流ICM（若若ICICM 造成造成 ）反向击穿电压反向击穿电压U(BR)CEO（若若UCEU(BR)CEO 管子击穿管子击穿）UCE PCM 烧管烧管）PC rbe）放大倍数放大倍数 输入阻抗和输出阻抗输入阻抗和输出阻抗 广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电
29、工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023共集放大电路共集放大电路 7.2.4 共集电极放大电路共集电极放大电路射极输出器射极输出器广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023 1、静态分析、静态分析BBBCBEIIIIII)1(EBBECCBRRUUI)1(EECCCEIRUU广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023 2、动态分析、动态分析射极输出器的微变等效电路射极
30、输出器的微变等效电路广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023 电压放大倍数e/(1)(1)LLoL eL bibe bL ebe bL bRRRUR IR IUr IR Ir IR I LbeLbLbbebLiouRrRIRIrIRUUA)1()1()1()1(射极跟随器，无电压放大，但是有电流和功率放大。射极跟随器，无电压放大，但是有电流和功率放大。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/
31、11/2023 输入电阻（高）/(1)ibbeLrRrR输出电阻（低）(/)beSbesborRrRRrRs为信号源内阻为信号源内阻广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023EoSbeoSbeoebboRURrURrUIIII)()1()(111SbeESbeEEbeoooRrRRrRRsRrIUr1),()1(SbeERrRSbeoRrr广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023
32、7.3场效应晶体管基本放大器场效应晶体管基本放大器 7.3.1 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应晶体管按其导电类型，可分为N沟道(电子导电)和P沟道(空穴导电)两种。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管的特性曲线管的特性曲线夹断电压：使导电沟道消夹断电压：使导电沟道消失，失，UGS 0VT1导通，导通，T2截止截止iL=ic1;ui-VCCT1T2uo+VCCRLiLiL=ic2因此，不需要隔直电容。因此，不需要隔直电容。静态分析：静态分析：ui=0V
33、T1、T2均不工作均不工作 uo=0VT T1 1、T T2 2两个晶体管都只在半个周期内工作，称为两个晶体管都只在半个周期内工作，称为乙类放大乙类放大。广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023乙类放大的输入输出波形关系乙类放大的输入输出波形关系:ui-VCCT1T2uo+VCCRLiL交越失真交越失真死区电压死区电压uiuouou o tttt交越失真：交越失真：输入信号输入信号 ui在过零在过零前后，输出信号出现的失真便前后，输出信号出现的失真便为交越失真。为交越失真。广东海洋大学
34、广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023ui-USCT1T2uo+USCRLiL(1)静态电流静态电流 ICQ、IBQ等于零；等于零；(2)每管导通时间等于半个周期每管导通时间等于半个周期；(3)存在交越失真。存在交越失真。乙类放大的特点：乙类放大的特点：广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023最大输出功率及效率的计算最大输出功率及效率的计算假设假设 ui 为正弦波且幅度足够大，为正弦波且
35、幅度足够大，T1、T2导通时均能饱和，此时输出达到最大值。导通时均能饱和，此时输出达到最大值。ULmax最大输出功率为：最大输出功率为：iL-VCCRLuiT1T2UL+VCCU Ucemcem为最大的输出电压幅为最大的输出电压幅度度U UcemcemV VCCCC，R RL L上的交流输出功上的交流输出功率率P Po ocemcmLcemUoUIRP21212LCCOMRVP2/2广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/2023%5.7842222maxLSCLSCEoRURUPP效率为：效率为：在理想情况下，最大效率为在理想情况下，最大效率为=78.5%=78.5%4max广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/20232）.OCL功率放大电路功率放大电路广东海洋大学广东海洋大学主讲：张波主讲：张波第七章第七章 半导体元件及其应用半导体元件及其应用电工电子学电工电子学2/11/20232/11/20233).甲乙类甲乙类OTL功率放大电路功率放大电路OTL 互补对称输出级互补对称输出级谢谢大家！
