1、重邮光电工程学院模拟CMOS集成电路设计美 理查德拉扎维 著西安交通大学出版社2003模拟集成电路设计绪论Ch.1#2重邮光电工程学院第一章模拟集成电路设计绪论模拟集成电路设计绪论Ch.1#3重邮光电工程学院自然界信号的处理高速、高精度、低功耗ADC的设 计是模拟电路设计中的难题之一高性能放大器和滤波器 设计也是热点研究课题（a）自然界信号的数字化（b）增加放大器和滤波器以提高灵敏度模拟集成电路设计绪论Ch.1#4重邮光电工程学院数字通信数字信号通过有损电缆的衰减和失真 失真信号需放大、滤波和数字化后才再处理模拟集成电路设计绪论Ch.1#5重邮光电工程学院数字通信100100使用多电平信号以减
2、小所需的带宽1011组合二进制数据 DAC多电平信号 ADC传送端接收端确定所传送电平模拟集成电路设计绪论Ch.1#6重邮光电工程学院磁盘驱动电子学存储数据恢复数据硬盘存储和读出后的数据模拟集成电路设计绪论Ch.1#7重邮光电工程学院无线接受机无线接收天线接收到的信号(幅度只有几微伏)和噪声频谱接收机放大低电平信号时必须具有极小噪 声、工作在高频并能抑制大的有害成分模拟集成电路设计绪论Ch.1#8重邮光电工程学院光接收机转换为一个小电流高速电流处理器激光二极管光敏二极管光纤系统模拟集成电路设计绪论Ch.1#9重邮光电工程学院传感器(a)简单的加速度表(b)差动加速度表汽车触发气囊的加速度检测原
3、理图重邮光电工程学院模拟设计困难的原因是什么（1）？模拟集成电路设计绪论Ch.1#10A.模拟设计涉及到在速度、功耗、增 益、精度、电源电压等多种因素间 进行折衷，而数字电路只需在速度 和功耗之间折衷。B.模拟电路对噪声、串扰和其它干扰 比数字电路要敏感得多。C.器件的二级效应对模拟电路的影响 比数字电路要严重得多。模拟集成电路设计绪论Ch.1#11重邮光电工程学院模拟设计困难的原因是什么？D.高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动综合和布局 的。E.模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存 在问题，模拟设计需要设计者利用经验 和直觉来分析仿真结果。F.现代集成电路制造的主流技术
4、是为数字 电路开发的，它不易被模拟电路设计所 利用，为了设计高性能的模拟电路，需 不停开发新的电路和结构。模拟集成电路设计绪论Ch.1#12重邮光电工程学院 CMOS技术的发展及展望时间197419771980 1983 1986L（微米）6.04.03.02.01.21989 1995 199820012004200720100.50.350.250.180.130.10.07由于器件尺寸的不断缩小，几G几十G的 模拟CMOS电路已经产生。（fT 1/L2）模拟集成电路设计绪论Ch.1#13重邮光电工程学院为什么要学习CMOS模拟电路设计？CMOS电路因其低成本、低功耗以及速度不断的提高已成
5、为当今 SOC设计的主流制造技术。由于 模拟电路是SOC中不可缺少的部 分，故高性能模拟CMOS电路的设计已成为当今的难点和热点。模拟集成电路设计绪论Ch.1#14重邮光电工程学院第二章MOS器件物理基础模拟集成电路设计绪论Ch.1#15重邮光电工程学院 MOSFET的结构模拟集成电路设计绪论Ch.1#16重邮光电工程学院 MOSFET的结构衬低（bulk、body）*D、S是对称的，可互换！*所有pn结必须反偏！*BJT 的pn结偏值呢？Ldrawn：沟道总长度 LD：横向扩散长度 Leff：沟道有效长度，Leff Ldrawn2 LD模拟集成电路设计绪论Ch.1#17重邮光电工程学院 同一
6、衬底上的NMOS和PMOS器件MOS管所有pn结必须反偏:*N-SUB接VDD！*P-SUB接VSS！*阱中MOSFET衬底常接源极S模拟集成电路设计绪论Ch.1#18重邮光电工程学院 MOS器件符号MOS管等效于一个开关!模拟集成电路设计绪论Ch.1#19重邮光电工程学院 MOS器件的阈值电压VTN（P）(a)栅压控制的MOSFET (c)反型的开始(b)耗尽区的形成 (d)反型层的形成模拟集成电路设计绪论Ch.1#20重邮光电工程学院NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图耗尽层模拟集成电路设计绪论Ch.1#21重邮光电工程学院NMOS管VGSVT、0VDSVT、VDS VGS+VT时的
7、示意图电子耗尽区模拟集成电路设计绪论Ch.1#29重邮光电工程学院饱和区的MOSFET（VDS VGSVT）L12ID nCox W(VGS VTH)VDS VDS2 ID nCox W2L(VGS VTH)2V DS VGS VTH(Pinch off)Qd(x)WCox(VGS V(x)VTH)当V(x)接近VGS-VT，Qd(x)接近于0，即反型层将在XL处终止，沟道被夹断。模拟集成电路设计绪论Ch.1#30重邮光电工程学院 饱和区MOSFET的I/V特性Active Region模拟集成电路设计绪论Ch.1#31重邮光电工程学院 MOS管在饱和区电流公式)2THnoxGSD2Li 1(
8、C)W(vVn的典型值为：n 580 cm2/Vs2oxoxt 50A,Coxoxt 0.02m,Coxoxt 0.1m,C0.35fF/m6.9fF/m2 1.75fF/m2模拟集成电路设计绪论Ch.1#32重邮光电工程学院 三极管区的MOSFETL12ID nCox W(VGS VTH)VDS VDS2 LID nCox W(VGS VTH)VDS,VDS 2(VGS VTH)RON 1LnCox W (VGS VTH)等效为一个 压控电阻模拟集成电路设计绪论Ch.1#33重邮光电工程学院饱和区MOSFET的I/V特性VDS=VGS-VTID沟道电阻随VDS 增加而增加导 致曲线弯曲曲线开
9、始斜 率正比于 VGS-VTVDS模拟集成电路设计绪论Ch.1#34重邮光电工程学院MOSFET的跨导gmgm IDVGS VDScons tan tL nCox W (VGS VTH)Lgm 2nCox W ID2IDVGS VTH模拟集成电路设计绪论Ch.1#35重邮光电工程学院 MOS管工作状态的判断gActiveActivedgdNMOS饱和条件：VdVgVTHN PMOS饱和条件：VdVg|VTHP|判断MOS管是否工作在饱和区时，不必考虑Vs模拟集成电路设计绪论Ch.1#36重邮光电工程学院MOS管的开启电压VT及体效应QdepCoxVTH MS 2F ,whereMS gate
10、siliconF kT qlnNsub n iQdep 4qsi F NsubCox：单位面积栅氧化层电容MS：多晶硅栅与硅衬底功函数之差Qdep耗尽区的电荷,是衬源电压VBS的函数模拟集成电路设计绪论Ch.1#37重邮光电工程学院 MOS管的开启电压VT及体效应VTH VTH0 2F VSB 2F,2qsiNsubCox无体效应源极跟随器有体效应模拟集成电路设计绪论Ch.1#38重邮光电工程学院 MOSFET的沟道调制效应模拟集成电路设计绪论Ch.1#39重邮光电工程学院 MOSFET的沟道调制效应LLL L L1/L 1(1 L/L)L1/L 1(1 VDS),VDS L/LID LnCo
11、x W2L(VGS VTH)2(1 VDS)模拟集成电路设计绪论Ch.1#40重邮光电工程学院 考虑沟道调制效应后的跨导gmgm nCoxWL(VGS VTH)(1 VDS)1/LID/VDS /L1/L2gm 2nCox W LID(1 VDS)gm 2IDVGS VTH,(unchanged)模拟集成电路设计绪论Ch.1#41重邮光电工程学院 MOS管跨导gm不同表示法比较跨导gm123上式中:模拟集成电路设计绪论Ch.1#42重邮光电工程学院亚阈值导电特性VGSID I0 exp kT q(1,是一个非理想因子)模拟集成电路设计绪论Ch.1#43重邮光电工程学院 MOS器件版图模拟集成电
12、路设计绪论Ch.1#44重邮光电工程学院2 MOS电容器的结构ox ox oxox t 0.1 m,C t 0.02 m,C oxox 0.35fF/m6.9 fF/m 21.75fF/m 2。t 50A,C模拟集成电路设计绪论Ch.1#45重邮光电工程学院MOS器件电容模拟集成电路设计绪论Ch.1#46重邮光电工程学院 减小MOS器件电容的版图结构对于图a:CDB=CSB=WECj+2(W+E)Cjsw对于图b:CDB=(W/2)ECj+2(W/2)+E)CjswCSB=2(W/2)ECj+2(W/2)+E)Cjsw=WECj+2(W+2E)Cjsw模拟集成电路设计绪论Ch.1#47重邮光电
13、工程学院 栅源、栅漏电容随VGS的变化曲线C1=WLCoxC3=C4=COVWCov：每单位宽度的交叠电容MOS管关断时:CGD=CGS=CovW,CGB=C1/C2MOS管深线性区时:CGD=CGS=C1/2+CovW,CGB=0,C2被沟道屏蔽 MOS管饱和时:CGS=2C1/3+CovW,蔼CGD=CovW,CGB=0,C2被沟道屏蔽模拟集成电路设计绪论Ch.1#48重邮光电工程学院 MOS 小信号模型ro VDS1IDID/VDS12LnCox W(V)2GS VTH1ID模拟集成电路设计绪论Ch.1#49重邮光电工程学院衬底跨导 gmbgmb VBSIDnCox W2L(VGS VT
14、H)VBS VTH Also,VTHVBSVTHVSB(2F VSB)1/22gmb gm2 2F VSB gm模拟集成电路设计绪论Ch.1#50重邮光电工程学院 栅极电阻模拟集成电路设计绪论Ch.1#51重邮光电工程学院完整的MOS小信号模型模拟集成电路设计绪论Ch.1#52重邮光电工程学院 NMOS器件的电容-电压特性积累区强反型模拟集成电路设计绪论Ch.1#53重邮光电工程学院本章基本要求1.掌握MOSFET电流公式及跨导公式。2.掌握MOSFET小信号等效电路。3.掌握MOSFET的二阶效应、用作恒流 源的结构特点及其饱和的判断条件。4.了解MOS管的PN结必须反偏，会根据MOS管B连
15、接的方式判定是哪种衬底。模拟集成电路设计绪论Ch.1#54重邮光电工程学院第三章 单级放大器模拟集成电路设计绪论Ch.1#55重邮光电工程学院模拟电路设计的八边形法则模拟集成电路设计绪论Ch.1#56重邮光电工程学院模拟设计的小信号概念(1)设函数:若:非线性系统的 输入输出特性则增益:(X0,f(X0)就是静态工作点。模拟集成电路设计绪论Ch.1#57重邮光电工程学院模拟设计的小信号概念(2)dngmvgsGSVTH)vgsLW(Vi k 模拟集成电路设计绪论Ch.1#58重邮光电工程学院模拟设计的小信号概念(3)2gsngsTHGS2nGSTHnTHgsGSnTHGSdnk W vLW2L
16、L1W)22L)2V)v2L V)k (Vk (V1Wk (V v VWi 1 k (v ViD ID2gsn?gsnGSnTHgsdnGS2L1WWL2LLW1W k vVTH)vgs k v 2 k (Vi k (V V)vMOS管总电流为:MOS管的交流电流分量为:|vgs|2(VGS VTH)小信号的假定条件:通常认为“”两边之比1:10时,“”的条件成立,|vgs(t)|可视为小信号模拟集成电路设计绪论Ch.1#59重邮光电工程学院模拟设计的小信号概念(例)假定VGS VTH=1V,则|vgs(t)|可视为小信号的变化范围为:|vgs(t)|gg11r/gg模拟集成电路设计绪论Ch.
17、1#66重邮光电工程学院 电阻负载CS放大器设计参数的制约关系DWmDvnCoxIDRA g R 2W LIDLVRD2nCoxAv 增益AV与W/L、ID、RD(VRD)三个参数有关。若保持ID、RD为常数，W/L，AV，但MOS管寄生 电容，高频相应(放大器的f3dB)变差。若保持为ID、W/L常数，RD，AV，这意味着VDS，放大器静态工作点下移，输出电压的摆幅。若保持W/L、VRD不变，ID，AV，这意味着RD，版图面积，电阻噪声，放大器速度(输出节点时 间常数RC)，沟道调制效应的影响(r0与RD更接近)。模拟集成电路设计绪论Ch.1#67重邮光电工程学院 二极管连接的MOS管的小信
18、号等效电阻roVx(gm gmb)Vx Ix二极管连接的MOS管从源极看进去的小信号等效电阻：常用公式1Vx 1gm gmb|ro Ixgm gmb模拟集成电路设计绪论Ch.1#68重邮光电工程学院二极管连接的MOS管小信号阻抗1VX=RD+r0+IX1+(gm+gmb)r0(gm+gmb)r0gm+gmbRin11Vxgm gmb|ro RDIxgm gmb对于图(c)对于图(a)、(b)(a)(b)(c)=0时同(a)(b)重邮光电工程学院单级放大器Ch.3#16 MOS二极管连接负载的共源极1gm11 Av gm1 gm2 gmb2gm2 11(W/L)1Av up(W/L)2(W/L)
19、2 1 un(W/L)1Av 增益与偏置电流无关，即输入与输出 呈线性(大信号时也如此！)Rin=1/(gm2+gmb2)Rin=1/gm2NMOS二极管Vbs0PMOS二极管Vbs=0问题:ID10时，M2是工作在饱和区还是线性区?模拟集成电路设计绪论Ch.1#70重邮光电工程学院二极管连结MOS管的工作状态MOS管二极管连结并导通时,Vg=Vd,显然,不论 是NMOS还是PMOS管,均工作在饱和区!模拟集成电路设计绪论Ch.1#71重邮光电工程学院MOS二极管连接负载的共源极(例1)p(W/L)2 100n(W/L)1则有：通常：n 2p(W/L)2 50(W/L)于是：1V若需A=10
20、若(W/L)2=1，则(W/L)11;(WL)1很大,若(W/L)1=1，则(W/L)21,(WL)2很大,无论如何，这都会导致要么输 入寄生电容太大或输出寄生电容太大(WL)越大,寄生电 容也越大)，从而减小3dB带宽。相对而言，(W/L)21 要小。这体现了增益与速度(带宽)的矛盾!模拟集成电路设计绪论Ch.1#72重邮光电工程学院MOS二极管连接负载的共源极22 (VGS2 VTH2)L 2 W (VGS1 VTH1)up un L 1 W Von2=VDD-Vo-|VTP|Vo=VDD-|VTP|-Von2D1D2 I=IVp2GS1TH1on1A=-n(W/L)1=-|VGS2-VT
21、H2|=-Von2(W/L)V-V V记Von=VGS-VT表示MOS管的过驱动电压(Von越大,MOS管工作电流也越大),该式表明增益是两管过 驱动电压之比，AV越大，Von2越大，Vomax越小。模拟集成电路设计绪论Ch.1#73重邮光电工程学院假定 Von1=VGS1-VTH1=Vin-VTH1 0.2V设电源电压 VDD=3V,|VTN|=|VTP|=0.7V若AV=-10,则|VGS2|AV|Von1+|VTH2|=2.7V|VDS2|=|VGS2|2.7V故 Vo=VDD-|VDS2|3-2.7=0.3V,联系到M1饱和要 求:Vo=VDS1VGS1-VTH1=Von1=0.2V.
22、故Vo的变化范围仅有0.2V0.3V，输出电压摆幅非常小。MOS二极管连接负载的共源极(例2)Vp 2GS1TH1on1A=-n(W/L)1=-|VGS2-VTH2|=-Von2(W/L)V-V V问题:显而易见,Vin,Vo,又 VoVin-VTH1 (M1饱和要求)故存在Vin max,那么Vin max=?模拟集成电路设计绪论Ch.1#74重邮光电工程学院求上例中Vinmax=?(例3)Vp2GS1TH1on1A=-n(W/L)1=-|VGS2-VTH2|=-Von2(W/L)V-V V Vinmax=(3 0.7)/(1+10)+0.7=0.91V设电源电压 VDD=3V,|AV|=1
23、0,|VTN|=|VTP|=0.7V M1临界饱和时:Vo=Von1=VGS1-VTH1=Vinmax-VTH1又|VGS2|=|AV|(Vinmax-VTH1)+|VTH2|又 Vo+|VGS2|=VDD(Vinmax-VTH1)(1+|AV|)+|VTH2|=VDD Vinmax=(VDD-|VTH2|)/(1+|AV|)+VTH1 0.7V=VTH1 Vin 0.91V易见，M1的输入电压范围也很窄!模拟集成电路设计绪论Ch.1#75重邮光电工程学院MOS二极管连接负载的共源极1|ro1|ro2)gm2 gmb2Av gm1(Rin=1/(gm2+gmb2)/r02Rin=(1/gm2)
24、/r02NMOS负载时，0，0PMOS负载时，0，=0o1o2gm2m1Av g(1|r|r)思考题:当M1截止时，输出电压最大值为多少?模拟集成电路设计绪论Ch.1#76重邮光电工程学院具有阶跃偏置电流的二极管连接器件在数字电路中,NMOS、PMOS 的栅极在开关导通时分别接 “1”、“0”电平,截止时刚好 相反,两种开关并联即构成 CMOS传输门。若 I1 越来越小,VGS 越来越接近 VTH I1越来越接近 0时,忽略漏电流的影响,我们有：VGSVTH2,因此 VoutVDD-VTH2!此即NMOS模拟开关传送高电平时的阈值损失特性 PMOS开关呢？情况又如何？模拟集成电路设计绪论Ch.
25、1#77重邮光电工程学院 MOS二极管连接共源极的最大输出电压M1截止若上图中M2的栅极接一个固定电压Vb结果又如何?模拟集成电路设计绪论Ch.1#78重邮光电工程学院MOS二极管连接共源极的最大输出电压M1截止模拟集成电路设计绪论Ch.1#79重邮光电工程学院 MOS二极管连接负载共源极的小结增益AV(W/L)1/(W/L)21/2=Von2/Von1。增益AV不高(一般10)，且输入、输出摆幅 小，这一特点限制了它的应用。它的优点是跨导gm与电流ID无关，放大器的 线性特性好，大信号下也如此。二极管连接 的MOS管常用来构成有源电流镜。有改善AV不高、输出摆幅小这一缺点的电 路，但效果不是
26、特别明显。模拟集成电路设计绪论Ch.1#80重邮光电工程学院 MOS二极管连接负载的共源极(例4)右图中M1偏置在饱和区，漏电流为I1。已知IS=0.75I1，求AV=？2 D 2m2pvp(W/L)24n(W/L)1g(W/L)IA C(W/L)I nOX1 D1g m1(V GS14Av V TH1)|V GS2 V TH2|ID1 4ID2,2p2nLL(VGS2 VTH2)2 W TH1)4(VGS1 V1 W 增加IS在相同增益下可 增加输出电压摆幅。模拟集成电路设计绪论Ch.1#81重邮光电工程学院采用电流源负载的共源级2TH1outin1D1Ln OX)I1(V V)(1VWI
27、0.5CCj由上式可知:若I1为理想恒流,Vin,则VoutIj也可以这样理解:静态时,I1=ID1,V0为一确定的静 态电压,Ij=0。Vin,ID1,Ij=I1-ID10,Cj充电,V0 重邮光电工程学院单级放大器Ch.3#29电流源负载共源级的输出电压摆幅问题记Von=VGS-VT，常称Von为MOS管的过驱 动电压,它表征MOS管工作电流的大小M1、M2饱和要求:Von1=Vin-VTN Vout Vb+|VTP|=VDD Von21.输出电压摆幅与Vin、Vb有关(也常说成与Von1、Von2有关,两种说法是一致的)。保持ID不变,若(W/L)1,2，Von1、2,Vin,Vb,摆幅
28、增加(反之减小)。但(WL)，寄生电容，高频性能变差，f3dB 。此即摆幅与带宽的折衷。2.若保持(W/L)1,2不变，ID(ID 增加一般来说放大器速度也增加),Von,Vin,Vb,摆幅减小(反之增加)。此即速度与 摆幅的折衷。问题:静态工作点Vout如何计算?模拟集成电路设计绪论Ch.1#83重邮光电工程学院单级放大器 电流源负载共源级的静态点问题(1)n(W/L)1(Vin-VTN)2(1+1V0 )=P(W/L)2(VDD-Vb-|VTP|)21+1(V0-VDD)静态时(Vin、Vb为一固定常数)，Vout的大小由沟道调 制效应(1、2)决定，若不考虑沟道调制效应则无法 求得静态工
29、作点，这种情况叫静态工作点无法“目测”静态工作点不能“目测”inTNDD0TP0DDTPinTN222V=V-|V|-1(V-V)若不考虑沟道调制效应：1(V-V)2 =2(V-V-|V|)2静态工作点可以“目测”模拟集成电路设计绪论Ch.1#84重邮光电工程学院单级放大器ISS变化2ISS导致V01变化V01等效于Vin变化Vin导致V0变化V0 静态点不能“目测”带来的问题(1)半电路ISS的变化导致静态点电压的剧烈变化恒流源负载的CS用作差分输入级的半电路时,ISS若因输 入共模电压Vin1=Vin2发生变化带来沟道调制效应(ISS通常是以单NMOS构成的简单恒流源)导致ISS有一微小变
30、化2ISS,其静态电压V01因r01/r02较大而变 化一较大量2ISS(r01/r02)(特别是共源共栅结构尤其明显),这将导致后级因 此无法正常工作。该电路作为差分对的半边电路时，必需辅以稳定Vout静态电压的电路(通常称为共模反馈电路)才能正常工作！模拟集成电路设计绪论Ch.1#85重邮光电工程学院 静态点不能“目测”与能“目测”的差异Vout=ISS/gm3Vout-VDD,即:VbVDD/2+VTH2+Vout/2Vb、(W/L)2 还应满足 Ron2 大小的要求产生上述条件的Vb很难,且AV不高,故这种放大器很少采用!模拟集成电路设计绪论Ch.1#89重邮光电工程学院 CS放大器小
31、结1.带电阻负载的CS增益AV=-gmRD,因RD,芯片版图面积,且噪声,输出摆幅,故难于获得高增益,但因电阻的匹配 好,常用于作低失调放大器的差分输入级。2.带MOS二极管连接负载的CS增益AV=-gm1/gm2,因摆幅、带 宽、芯片版图面积等原因难于获得高增益,因此用得较少。3.带恒流源负载的CS增益AV=-r01/r02,因高增益与输出摆幅 没有不可避免的矛盾,故用得最多,用作差分输入级的半电路 时需共模反馈电路以稳定静态直流工作点。4.由于存在密勒效应，频带一般，常同CB联合构成CSCB 放大器，用于高速运放作差分输入放大级。模拟集成电路设计绪论Ch.1#90重邮光电工程学院 带源极负
32、反馈的共源级(=0，=0)Av Gm RDmSvA1 g R gm RDmSmgm1 g RG 若gmRD1,AVRD/RS,输入与输出呈线 性,因AV,输入电压线性范围,这是以牺 牲增益为代价的。同时RS的引入,输出电压V0min=Von1+VRS(比无RS时:V0min=Von1大 了VRS)。输出摆幅。等效跨导假定=0，=0模拟集成电路设计绪论Ch.1#91重邮光电工程学院带源极负反馈的共源级(=0，=0)mSvRDA1/gm RS 1g RgmRDRS=0、RS 0漏电流和跨导曲线的差异从源级看进去的阻抗源级反馈电阻负载电阻RS=0RS 0模拟集成电路设计绪论Ch.1#92重邮光电工程
33、学院带源极负反馈的共源级(=0，=0)Rin=1/gm2负载电阻mSmSvRD1/g R 1 g Rgm RDA 注意到 M2 连接为二极管，故其小信号等效电阻 为 1/gm2。于是，AV=-RD/(1/gm1+1/gm2)从源级看进去的阻抗源级反馈电阻模拟集成电路设计绪论Ch.1#93mSvA1g RgmRDmSm1DoutmS in1m1SinDSin1V1 g Rg V Rmin D V g V R1 g R V V V I R V g V R=-Gm RD等效跨导重邮光电工程学院带源极负反馈的共源级(=0，=0)假定=0，=0模拟集成电路设计绪论Ch.1#94重邮光电工程学院在讲解考虑
34、沟道调制效应和 衬偏效应(0，0)，的带 源极负反馈的共源级之前我们先来看一个辅助定理！模拟集成电路设计绪论Ch.1#95重邮光电工程学院辅助定理在线性电路中，电压增益Av=-GmRout，其中Gm表 示输出对地短接时电路的跨导；Rout表示当输入电压为零时电路的输出电阻。如上图所示。如果 电路的Gm、Rout可以通过观察确定，这个辅助 定理将会非常有用。Vout=-IoutRout，定义Gm=Iout/Vin，则Vout=GmVinRout Av=Vout/Vin=-GmRout模拟集成电路设计绪论Ch.1#96重邮光电工程学院带负反馈的共源级的等效跨导GmmbmSinmooutSmbmin
35、outSombXm1gm roVrrg)RS roR 1(gIout GR)IoutRSR)g(Ig(V IV IoutRSg V g0，0Iout gm V1 gmb Vbs Iro模拟集成电路设计绪论Ch.1#97重邮光电工程学院共源极的输出电阻RoutROUT1(gm gmb)ro RS roROUT ro1(gm gmb)RS Av Gm RD|ro Irog mb VbsIX g m V1 g m(IX R S)g mb IX R S IroVX ro(IX(gm gmb)RSIX)IXRS输出电阻比不带RS时扩 大了1+(gm+gmb)RS倍!模拟集成电路设计绪论Ch.1#98mb
36、mSm)RS rogm roR 1(g gG 重邮光电工程学院带负反馈的共源级(0，0)0，0由代维南定理，可求得输出端的等效输出电阻：ROUT1(gm gmb)ro RS roAv G m(RD|ROUT)由辅助定理,得:模拟集成电路设计绪论Ch.1#99重邮光电工程学院恒流源负载、带源极负反馈的增益Av GmRD|ro RD|ro|1(gm gmb)ro Rs ro mbSoSmm)R rgmroR 1(g gG AV与RS无关，请 解释这个现象！A v gm ro!模拟集成电路设计绪论Ch.1#100重邮光电工程学院 带源级负反馈电阻的CS放大器小结1.因引入负反馈电阻RS,AV,输入线
37、性范围,常在高线性的V/I变换电路中用作差分输入级 的半电路。2.因输出阻抗较高,利用该特性可在MOS管的 源级加入负反馈电阻以构成高性能电流源。3.因负反馈电阻RS的引入,输出电压允许的最 小值增加,即输出摆幅。即因此多消耗了一 些电压余度。模拟集成电路设计绪论Ch.1#101重邮光电工程学院源极跟随器及其小信号等效电路mbmmbmout1ggg gR1|1 SmmmSSmbmvRSgRSgmRS1/g Rg g1/g(mmb)R1(g g)RA 问题:M1会随Vin 而进入线性区吗?模拟集成电路设计绪论Ch.1#102重邮光电工程学院源极跟随器的输出电阻mbmmbmXoutg1g1R1/I
38、g gVXV1 VXIX g m VX g mb VX 0衬偏效应等效于在输出端 接了一个电阻1/gmb这 仅对源跟随器是正确的！衬偏效应使源跟随器 的输出电阻减小了！模拟集成电路设计绪论Ch.1#103重邮光电工程学院源极跟随器的输出电阻(例)习题2.2：W/L=50/0.5，ID=0.5mA，求gm1gm 3.66L 2731g2nCox W ID 3.66 mA/VoutNMOSmNMOSR若是PMOS管，该值 还会增加近乎1倍对于BJT：Rout=re=VT/IC=26mV/0.5mA=52易见,BJT射极跟随器的输出电阻比MOS源跟随器的 输出电阻小很多,且实际用作输出级时ID更大些
39、，RoutBJT/RoutMOS会更大一些!这也是源跟随器驱动能力 不强、实际中驱动低阻、大电容负载不常用的原因。实际中常用什么做输出级驱动低阻、大电容负载呢?模拟集成电路设计绪论Ch.1#104重邮光电工程学院驱动低阻、大电容负载的A类BiCMOS输出级Q1是NSUB上的衬底NPN，注意：因NSUB接最高电位 VDD，故Q1的集电极C只能接VDD。同理，PSUB上只能做 衬底PNP，因PSUB接最低电位VEE，故衬底PNP的集电极 C只能接VEE。衬底NPN(PNP)的可做到100。模拟集成电路设计绪论Ch.1#105mbmgmg gAV重邮光电工程学院恒流源偏值源极跟随器的增益1=2=0，
40、10代维南等效模拟集成电路设计绪论Ch.1#106重邮光电工程学院恒流源负载的源极跟随器gm11g|ro1|ro2|RLmb1g|ro1|ro2|RLmb如何求Vout的摆幅?摆幅 Av、Vb、偏值电流I0、频率 响应的折衷关系如何？1 0，2 0，10输出端视在 输入阻抗此项始终不变模拟集成电路设计绪论Ch.1#107重邮光电工程学院例3.8：计算下图电路的电压增益AVgm11(1|r|r|1go1 o2g g)mb1m2 mb21|r|r|1o1o2gmb1gm2 gmb2Av 输出端视在 输入阻抗02 1/r g m2+g mb2 1 0,2 010,20从M2源端看进去的 阻抗为：从M
41、1源端看进去的 阻抗为：mb1 1/r01 gM1衬偏 效应的等 效电阻M1衬偏 效应的等 效电阻模拟集成电路设计绪论Ch.1#108重邮光电工程学院源跟随器与共源放大器的级联用作电平移动的源跟 随器会消耗电压余度 (减小输出摆幅)1.仅有CS 放大器，M1工作在饱和区时:VXVonM1=Vin-VTH12.加上源跟随器后，M3工作在饱和区时:VX VGS2+VonM3=VGS2+(Vb-VTH3)模拟集成电路设计绪论Ch.1#109重邮光电工程学院 P-SUB上没有体效应的PMOS源跟随器模拟集成电路设计绪论Ch.1#110重邮光电工程学院源级跟随器小结1.源级跟随器的AV1，因输出电阻较大
42、，一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不 宜用来驱动低阻、大电容负载。2.源级跟随器的最可能的应用是用来构成电 平位移电路。3.驱动低阻、大电容负载常用衬底NPN (PNP)构成射极跟随器来驱动。模拟集成电路设计绪论Ch.1#111重邮光电工程学院例3.9 源极跟随器的应用1.在所关心的频率下C1交流 短路，求AV？M1工作在饱和区时，输入端允许的最 大直流电平为多少？2.为了允许接近VDD的输入 直流电平，电路改为(b)图 所示，M1、M3的栅源电压应满足什么样的关系才能保证M1个工作在饱和区？AV=-gm1r01/r02/(1/gm2)VinmaxVDD-|VGS2|+VTN若Vin=VD
43、D，则VX=VDD-VGS3，要保证M1工作在饱和区，则有：VDD-VGS3-VTNVDD-|VGS2|，即VGS3+VTN|VGS2|模拟集成电路设计绪论Ch.1#112重邮光电工程学院共栅放大器输入输出特性直接耦合的共栅级电容耦合的共栅级Av(gm gmb)RD gm(1)RDRout 1(gm gmb)ro RS ro|RD模拟集成电路设计绪论Ch.1#113重邮光电工程学院共栅放大器的输入电阻VXRD+r0RD1=+IX1+(gm+gmb)r0(gm+gmb)r0gm+gmbRDIX+r0IX-(gm+gmb)VX=VXRD 减小了(gm+gmb)r0倍！呈现出阻抗变换特性！若=0，R
44、in=1/(gm+gmb)，输入呈现低阻抗特征模拟集成电路设计绪论Ch.1#114重邮光电工程学院共栅放大器阻抗变换特性的应用 假定传输线的特征阻抗为 50 若=0,则漏电流的变化gm1VX都是从RD抽取的，故两 个电路的增益都是 AV-gmRD.为使结点X处的反射最小，传输线的负载阻抗必须等于其 特征阻抗。RD 50时，(a)一定存在波反射，(b)中选则模拟集成电路设计绪论Ch.1#115重邮光电工程学院共栅放大器的输出电阻RS为信号源内阻IX g m V1 g mb Vbs Iro g m(IX RS)g mbIX RS IroVX ro(IX(gm gmb)RSIX)IXRSROUT 1
45、(gm gmb)ro RS ro ro1(gm gmb)RS共栅放大器的输出电阻很大，约为r0的1+(gm+gmb)RS 倍!理解这一点是理解共源共栅电路的基础。模拟集成电路设计绪论Ch.1#116重邮光电工程学院共栅放大器的增益AVDSmboSmovRDg)r R R Rr(g(gm gmb)ro 1A 模拟集成电路设计绪论Ch.1#117重邮光电工程学院共栅放大器增益AV的讨论DSmboSmovRDg)r R R Rr(g(g m gmb)ro 1A mmbS(gm gmb)RD1(g g)RlimA 0r v这同带源级负反馈电阻RS的CS增 益,只是符号相反,给出直观解释limAv 1(
46、g m g mb)r0(g m g mb)r0RD这同带恒流源负载的CS增益,只是符号相反,给出直观解释模拟集成电路设计绪论Ch.1#118重邮光电工程学院共栅放大器小结1.Ai1，AV=gm(RD/r0)，AV同CS放大器相当2.输入阻抗低，有阻抗变换特性。3.输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能 恒流源。4.由于没有密勒效应，频带最宽，常同CS联合 构成CSCB放大器，用于高速运放作差分输 入放大级。模拟集成电路设计绪论Ch.1#119重邮光电工程学院 共源共栅（Cascade）放大器输入输出特性为什么VXmax=Vb-VT2？Vin时，M1、M2谁先进入线性区？谁先进 入线性区对恒流特
47、性和输出摆幅有何关系?当 VX Vin VTH1 时 M1 进入线性区 当Vout Vb VTH2时M2进入线性区 容易分析，Vb 较小时，M1比M2先进入线性区模拟集成电路设计绪论Ch.1#120重邮光电工程学院M1、M2不同偏值时Pspice仿真结果12V3.8V1.8V12V1.5V1.8VM3M2M3M2M2最后进入线性M3最先进入线性,该 点电压即是V0minM2一开始就工作在线性区VAIDVAVAIDVA注意比较单MOS管与共源共栅结构曲线的斜率模拟集成电路设计绪论Ch.1#121重邮光电工程学院M1、M2同时进入线性时Pspice仿真结果12V2V1.8VM1、M2同时进入线 性
48、,该点电压即是V0minM2M3M2一开始就工作在线性区斜率有明显差别!线性，这样可以获得最大摆幅M2最后进入线性M3最先进入线性该 点电压即是V0minVAIDVAVAVAIDID 最理想的情况是M2、M3同时进入模拟集成电路设计绪论Ch.1#122重邮光电工程学院共源共栅放大器的偏值条件M1 饱和时:VX Vin VTH1，即：Vb Vin VTH1+VGS2 或：Vb Von1+VGS2M2 饱和时:Vout Vb VTH2，即:Vout Von1+VGS2 VTH2或：Vout Von1+Von2共栅管M2的增加虽然提高了从M2漏端看进去的阻 抗、改善了放大器的频率特性，但输出电压摆幅
49、减 小了一个大小等于M2的过驱动电压。这是靠牺牲 摆幅来获取带宽和增益的提高。模拟集成电路设计绪论Ch.1#123重邮光电工程学院共源共栅放大器的小信号等效电路1=0，2=0，20Rout 1(gm2 gmb2)ro2 ro1 ro2|RD ro1ro2(gm2 gmb2)|RDAV gm1ro1ro2(gm2 gmb2)|RD 模拟集成电路设计绪论Ch.1#124重邮光电工程学院例：求下图电路的AV(假定=0)1m1 inPRPm1 inD2RP(gm2 gmb2)1RP(gm2 gmb2)g VR I g VAmb2VinVRP(gm2 g)1I Rg(gg)R RD2D m1 m2mb2
50、PDM1的小信号电流gm1Vin被Rp和向M2源端看 进去的阻抗1/(gm2+gmb2)分成两部分，故：gm2 gmb2因Vout=ID2RD，所以：模拟集成电路设计绪论Ch.1#125重邮光电工程学院共源共栅放大器的输出电阻注意：左边电路的输 出阻抗就是共源放大 器带负反馈电阻RS的 的输出阻抗Rout 1(gm2 gmb2)ro2ro1 ro2 ro1ro2(gm2 gmb2)上式表示共源共栅结构具有很高的输出阻抗，对提高 放大器小信号增益、提高电路源的恒流特性十分有利模拟集成电路设计绪论Ch.1#126重邮光电工程学院共栅放大器的输出电阻大在恒流源中的应用12V2V1.8VM1、M2同时
