1、概述 半导体晶片加工 (semiconductorwafermanufacture)是把半导体 晶锭加工成满足外延生长或半导体器件制作所需 晶片的半导体材料制备工序 。 技术要求 半导体晶片制备采用高精度切割、研磨、抛光等 加工技术，晶片表面损伤层控制和去除技术以及 晶片洁净处理技术。根据半导体器件制作工艺要 求，半导体晶片可 以是切片、研磨片或抛光片。随着半导体器件性 能和生产规模的发展和要求的提高，半导体晶片 的加工技术也在不断地发展和提高。电子技术、 计算机控制的应用使半导体晶片的制备 过程逐步自动化，晶片加工的质量也大大提高。 制备流程 以半导体单晶硅片的制备为例，其制备流程主要 为晶
2、体定向外圆滚磨加工主、副参 考面切片倒角热处理研磨 化学腐蚀抛光清洗检 测包装等工序。 1、晶体定向。一般采用光图定向或x射线衍射定 向，以确保晶片表面和参考面的晶体学取向的准 确。 2、晶体外圆滚磨。把原生单晶锭经磨削加工成 等直径晶体。外圆滚磨在专 门的无心外圆磨床上进行，高速旋转的杯形金刚 石磨轮与晶体加工部位接触，实现磨削加工。 3、加工主、副参考面。用高速旋转的杯形金刚 石磨轮在已定好的晶面上实现磨削加 lkj来源： 三箭气 抢 工，按标准磨成主、副参考面。 4、单晶切片。在专用的内圆、外圆切片机或线 切割机上把单晶体切割成一定厚度的晶片。 5、倒角。用化学腐蚀法或机械研磨法把晶片的
3、 锋 利边缘加工成一定形状的过程。 6、晶片热处理。使晶片经过一定的加热和冷却 程序，以稳定和完善晶片的半导体电性能和晶体 学性能。 7、研磨。对晶片表面和几何尺寸的 精细整形磨削加工过程。 8、晶片腐蚀。利用晶片表面与酸或碱的非选择 性化学腐蚀反应，去除表面机械损伤层。 9、晶片抛光。利用非选择性化学腐蚀或机械摩 擦、或化学 腐蚀与机械摩擦相结合的过程，以使晶片表面呈 平整光亮的镜面。 10、清洗。晶片在每一加工过程后，利用洗剂清 除晶片表面附着和玷污的颗粒、有机物和无机物 等外来物。晶 片在抛光后的清洗和清洗后的洁净程度将直接影 响半导体器件制作的成品率。 11、检测。利用测量仪器和专门的方法，按照一 定的技术指标对加工完的晶片进行电学性能、几 何 尺寸、晶体学特性、杂质含量和外观等的检验。 12、包装。为了半导体晶片在贮运过程中不被玷 污和破损，必须在洁净的环境中进行包装。中国
