1、填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。6、P
2、N结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子空穴对 。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类。11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。12、在常温下，硅二极管的开启电
3、压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。15、N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结 电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的增加，则IBQ 增大 ，ICQ 增大 ，UCEQ 减小 。19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ，
4、放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管
5、（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12k的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 k 。26、为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。对于型三极管，应使VBC 0 。27、放大器级间耦合方式主要有
6、阻容（RC）耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射 组态有电流放大作用， 共射和共集 组态有倒相作用； 共集 组态带负载能力强， 共集 组态向信号源索取的电流小， 共基 组态的频率响应好。29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 变压器耦合 。31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为 1800 ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为 0 。32、放
7、大器有两种不同性质的失真，分别是 饱和 失真和 截止 失真。33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b ，发射结 a 。（填写a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用 共射 组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用 共集 组态。35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻 大 ，热稳定性 好 36、影响放大电路通频带下限频率fL的是 隔直 电容和 极间 电容。37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。38、场效应管有 共源 、
8、共栅 、 共漏 三种组态。39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型，它属于 电压 控制型器件。41、场效应管属于 电压控制电流 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。42、场效应管是 电压控制电流器件 器件，只依靠 多数载流子 导电。43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无 导电沟道，结型FET的沟道电阻 最小 。45、FET是 电压控制 器件，BJT是 电流控制 器件。46、在甲类
9、、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 。 47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为 2W 的功率管 2 只。48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 ，为了消除交越失真常采用 甲乙类 电路。49、乙类功放的主要优点是 效率高 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙类 。50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 交越 失真。51、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中VCC=8v，RL=8，电路的最大输出功率为 4W ，此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。52、差动放大电路中的长尾电阻e或恒
10、流管的作用是引人一个 共模负 反馈。53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC= 0.1 。集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 差模信号 具有放大能力，它对 共模信号 具有抑制能力。55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。56、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I2 0.4 mA，I30.2mA，则R3 10 k。图157、集成运放通常由 输入级 、中间级；输出级、 偏置级 四个部分组成。58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ；负反馈是指 反馈信
11、号减弱净输入信号 。 59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ，同时使输入电阻 减小 。60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制 反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：降低电路对信号源索取的电流： 串联负反馈 。当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 直流负反馈 。稳定输出电流： 电流负反馈 。62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ，同时使输入电阻 大 。63、某负反馈放大电路的开环放大倍数=100000，反馈系数0.01，则闭环放大倍数
12、100 。64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 。65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。66、为稳定电路的输出信号，电路应采用 负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反馈。67、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、Rid= 、KCMR= 、RO = 0 68、理想运算放大器的理想化条件中有Avd= 无穷 ，KCMR= 无穷 。69、电流源电路的特点是，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。70、电流源的特点是输出电流 恒定 ，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是
13、虚断 和 虚短 。72、理想运算放大器，Ad= 无穷大 、Ri= 无穷大 、Ro= 0 。73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；如果希望500 Hz以下的有用信号，可选用 低通 滤波器。75、选取频率高于1000Hz的信号时, 可选用 高通 滤波器；抑制50 Hz的交流干扰时，可选用 带阻 滤波器；如果希望抑制500 Hz以下的信号，可选用 高通 滤波器。76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰，可选用 带阻 滤波器；如果希望只通过500Hz到1kHz的有用
14、信号，可选用 带通 滤波器。77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下，得出两个重要结论，它们是： 虚断 和 虚短 。79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路， 输出级大多采用 共集 电路。80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、 反馈网络 、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 ，相位平衡条件为 n=0、1、2 。82、信号发生器原理是在电路负反馈时= -1 ，例如 自激 电路。在正反馈时= 1 ，例如 文氏 振荡电路。83、石
15、英晶体振荡器是 LC振荡电路 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 、其中相位平衡条件是 ，n为整数 、为使电路起振，幅值条件是 。85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：= 3 、= 、= 。87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是 、 n为整数 。88、正弦波振荡电路起振的条件是和 n为整数。89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数 Af3 ，才能满足起振条件。90、为了稳定电路的输出
16、信号，电路应采用 交流负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反馈。91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V，7915输出电压 -15 V。93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整流 电路。稳压集成电路W7810输出电压 +10 V。94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.45 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.9
17、倍。 95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 。97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 。98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构成。99、 幅度失真 和 相位失真 总称为频率失真。100、串联反馈式稳压电路由 调整管 、 比较放大 、 基准电压 、 取样环节 四部分组成。单项选择题1、半导体二极管加正向电压时，有（A ） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大C、电流小电阻小 D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时，其内电场被（A ）A、削弱
18、B、增强 C、不变 D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ A ）A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入（A）构成P型半导体。A、3价元素B、4价元素 C、5价元素 D、6价元素5、 PN结VI特性的表达示为（ A ）A、 B、C、 D、6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（ B ）A、变宽 B、变窄 C、不变 D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12k的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）A、 10k B、2k C、4k D
19、、3k8、三极管工作于放大状态的条件是（A ）A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是（B ）A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当（A ）A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源11、带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（A）A、减小 B、增大
20、C、不变 D、变为零12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ ） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数为（ ）图1A、=100 B、=50C、=150 D、=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V
21、，（见图2所示）则此三极管为（ D ）图2A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 16、多级放大电路的级数越多，则其（A ）A、放大倍数越大，而通频带越窄 B、放大倍数越大，而通频带越宽C、放大倍数越小，而通频带越宽 D、放大倍数越小，而通频带越窄17、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（ C ）A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（ A ）A、独立信号源短路，负载开路 B、独立信号源短路，负载短路C、独立信号源开路，负载开路 D、独立信号源开路，负载短路19
22、、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）决定A、管子类型 B、gm C、偏置电路 D、VGS20、场效应管的工作原理是（ D ）A、输入电流控制输出电流 B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压 D、输入电压控制输出电流21、场效应管属于（ A ）A、单极性电压控制型器件 B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件 D、双极性电压控制型器件22、如图3所示电路为（ ）图3A、甲类OCL功率放大电路 B、乙类OCL功率放大电路C、甲乙类OCL功率放大电路 D、甲乙类OTL功率放大电路23、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（ ）A、不用输出变压器 B、不用输
23、出端大电容 C、效率高 D、无交越失真24、与乙类功率放大方式比较，甲乙类OCL互补对称功放的主要优点是（ ）A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真25、在甲乙类功放中，一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压与电路中所加电源关系表示正确的是（ B ）A、 B、 C、 D、以上都不正确26、通用型集成运放适用于放大(B )A、高频信号 B、低频信号 C、任何频率信号 D、中频信号27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（）A、反相输入端为虚地 B、输入电阻大C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（ ） A
24、、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路 B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路29、共模抑制比KCMR越大，表明电路（ ） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ ） A、增加一倍 B、为双端输入时的一半 C、不变 D、不确定31、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定32
25、、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（B）A、1AF倍 B、1/(1AF)倍 C、1/F倍 D、1/AF倍33、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（ ）A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（ ）A、电流串联负反馈 B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈 D、电压并联负反馈35、如图4为两级电路，接入RF后引入了级间（ ）图4图4A、电流并联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈36、某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（ ）A、电流
26、串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（ ）A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈38、某电路有用信号频率为2kHz，可选用（ ）A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（）才能满足起振条件A、为1/3时 B、为3时 C、3 D、1/340、LC正弦波振荡器电路的振荡频率为（ ）A、 B、C、 D、41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（ ）A、
27、2n，n为整数 B、(2n+1)，n为整数 C、n/2，n为整数 D、不确定42、RC串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（ ） A、 B、 C、 D、 43、桥式整流电路若变压器二次电压为V，则每个整流管所承受的最大反向电压为（ ）A、V B、V C、20V D、V44、图5为单相桥式整流滤波电路，ui为正弦电压，其有效值为Ui=20V，f=50Hz。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（ ）的结果图3C图5A、C开路B、C的容量过小C、C的容量过大D、RL开路45、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ ）A、输出电压约为2UD B、输出电压约为UD/2C、整流管将因电流过大而
28、烧坏 D、变为半波整流46、直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）A、将交流变为直流 B、将高频变为低频C、将交、直流混合量中的交流成分滤掉 D、保护电源47、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ）A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U0=1.4U2 单项选择题答案1、A 2、A 3、A 4、A 5、A 6、B 7、C 8、A 9、B 10、A 11、B 12、B 13、C 14、B 15、D 16、A 17、D 18、A 19、C 20、D 21、A 22、C 23、C 24、D 25、B 26、B 27、A 28、D
29、29、C 30、C 31、B 32、A 33、A 34、A 35、A 36、D 37、A 38、C 39、C 40、C 41、A 42、B 43、A 44、D 45、C 46、C 47、B1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：二极管导通还是截止？UA0=？（4分） 解： 计算题1、放大电路如图1所示,若VCC =12V，Rc =5.1k， Rb=400 k，Re1 =100 ，Re2=2k，RL =5.1 k，b=50， (1)、求静态工作点； (2)、画出其h参数小信号等效电路；(3)、求Av、Ri 和Ro 。2、放大电路如图2所示，（1）画出电路的小信号等效电路；（2）写出计算电压放
30、大倍数和的表达式；（3）画出当Rc=Re时的两个输出电压和的波形（与正弦波相对应）。3、如图3所示，设,，,，。试求： （1）Q点；（2）电压增益和（3）输入电阻；（4）输出电阻4、三极管放大电路如图4所示。已知：rbb=300，=49，VBEQ=0.7V RC=6.4K，RL=6.4K，RE=2.3K（1）画出其微变等效电路（2）计算电压放大倍数Au（3）计算输出电阻Ro 图16图46、电路如图6，已知，VBEQ=0.7V，VCC=12V， ，（1）、估算电路的静态工作点：IBQ，ICQ，VCEQ；（2）、计算交流参数AV 、Ri、Ro值；（3）、如输出电压信号产生顶部失真，是截止失真还是饱
31、和失真，应调整那个元件值，如何调？（4）、请简要说明环境温度变化对该电路静态工作点的影响。7、电路如图7所示，已知晶体管b50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC12V，晶体管饱和管压降VCES0.5V。（1）、正常情况；（2）、Rb1短路；（3）、Rb1开路；（4）、Rb2开路；（5）、RC短路。9、在图9中，已知Rb1=300K，Rc1=2K,Rb2=200K，Re=2K，RL=2K，IE2=2.2mA，1=2=60。求：（1）第一级的静态工作点；（2）放大器的输入电阻和输出电阻；（3）总的电压放大倍数。10、功率放大电路如图10所示，设输入vi为正弦波
32、。（）、静态时，输出电容C2 上的电压应调为多少伏?（）、RL得到的最大不失真输出功率大约是多少？（）、直流电源供给的功率为多少？ （）、该电路的效率是多少？ 图10vo+-11、功率放大电路如图11示。设三极管的饱和压降VCES为1V，为了使负载电阻获得12W的功率。请问：（1）正负电源至少应为多少伏？（2）三极管的ICM，V(BR)CEO至少应为多少？ 图1112、电路如图12所示,JFET的gm=2mS ，rDS=20K。(1)求双端输出时的差模电压增益的值；(2)求电路改为单端输出时,AVD1、AVC1和KCMR的值。13、在图13中：，C=0.47uF， 问：(1)、由该集成运放组成
33、的电路是什么电路？(2)、计算R2的值？(3)、计算输出电压的频率f的值？14、某集成运放的单元电路如图14所示，设T1、T2的特性相同，且足够大，问：（1）T1和T2组成什么电路？在电路中起什么作用？（2）写出IREF和IC2的表达式，设VBE=0.7V，VCC和R均为已知。图1415、反馈电路如图15所示（a）、(b)且满足深度负反馈的条件，判断其反馈类型并用近似估算法分别估算它们的电压放大倍数。16、电路如图16所示，A1，A2，A3均为理想运放，电源电压为15V，问：（1）、A1、A2、A3分别组成何种基本应用电路。(2)、A1、A2、A3输入端那些是虚地、虚短、既不虚地也不虚短。 (
34、3)、当Vi1=1V，Vi2 =0.5V时，VO1，VO2各为几伏？计算VO3的函数式？17、在图17所示电路中，已知R1R100k，R2Rf100k，C1F。(1)、判断图中的反馈类型。(2）、试求出与的运算关系。(3）、设t0时0，且由零跃变为-1V，试求输出电压由零上升到6V所需要的时间。图1718、理想运放构成的电路如图18所示，要求：（1）写出与、之间的表达式；（2）若R1=R3=10k，R2=2k，R4=R5=40k，R6=R7=120k，求 。+-A1A2A3R1R2R3R4R5R6R7图题1819、图19所示电路，运放均为理想器件，求输出电压与输入电压的关系。 20、图20(a
35、)、(b)所示电路中，运放均为理想器件，求各电路输出电压VO与输入电压Vi或Vi1，Vi2的关系。21、电路如图21所示，已知T1和T2的饱和管压降UCES2V，A为理想运放，忽略电阻的直流功耗。回答下列问题：（1）R3、R4和T3的作用是什么？（2）负载上可能获得的最大输出功率Pom和电路的转换效率各为多少？（3）设最大输入电压的有效值为1V。为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？图2122、如图22所示，图中A为理想放大器，试回答（1）该图为何电路？主要由哪几部分构成？并指出其相应的元器件。（2）计算其输出电压范围图22 23、运算电路如图23所示,A1
36、、A2可视为理想运放，其中R1=5k、R2=2 k、R3=R4=10 k、Rf1= Rf2=10 k试求：输出电压和输入电压之间的函数关系表达式及RP1和RP2的值。24、图24所示，假设运放是理想的，其中 ，试写出电路输出电压的值。25、如图2计算题答案1、解： (1)、如图1.1：IBQ = 23.7A ICQ = IBQ=1.2mAVCEQ = VCC ICQ (RCRe1Re2)= 3.5VVCCRbRe2RCRe1VT图1.1图1.2 +ui _RbRCRe1Ib +uo _rbeIbIc（2）画出简化h参数等效电路如图1.2(3)、rbe = 300+(1+ )=1.4k rbe=
37、1.4 k = Rc/RL=2.55 k AV =19.6 RO = RC = 5.1 k 2、解：（1）如图2.1图2.1图2.2（2） 共射电路 共集电路 （3）时，如图2.2 3、解： (1)Q点： （2）电压增益和 （3）输入电阻：（4）输出电阻 96 4、解：（1）如图4所示（2） RL=RCRL = （3）RO=RC=6.4K5、解：（1）由 解方程组得：VGS=4V，VDS=8V，ID=1mA （2）低频小信号等效模型如图5所示。Rg1Rg2RdRLvivoVgsgmVgs图5（3）中频电压增益：输入电阻：输出电阻：6、解：(1) (2)， (3)截止失真，使IB 增加，使减小。 (4)温度变化会对Q点有影响，T增大，Q点上移。7、解：设VBE0.7V。则（1）基极静态电流 （2）由于VBE0V，T截止，VC12V。（3）临界饱和基极电流 实际基极电流 由于IBIBS，故T饱和，VCVCES0.5V。 （4）T截止，VC12V。（5）由于集电极直接接直流电源，VCVCC12V8、解：1解：直流负载线方程为：
